【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタなどの半導体素子又は該半導体素子を用いる表示装置などにおいて、光照射効果の影響を低減することを目的の一とする。
【解決手段】バンドすそ準位とバンドギャップ内の欠陥を極力低減することにより、バンドギャップ近傍若しくはそれ以下のエネルギーの光吸収を低減させる。この場合において、単に酸化物半導体膜の製造条件を最適化するのではなく、酸化物半導体を実質的に真性若しくは真性に限りなく近づけることにより、照射光と作用する欠陥を低減し、本質的に光照射効果が低減されるようにしている。すなわち、３５０ｎｍの波長の光を１×１０^１３個／ｃｍ^２・ｓｅｃのフォトン数で照射された場合であっても、しきい値電圧の変動量が０．６５Ｖ以下、好ましくは０．５５Ｖ以下となる酸化物半導体でトランジスタのチャネル領域が形成されるようにする。 （もっと読む）

【課題】負荷（ＥＬ画素や信号線）に電流を供給するトランジスタにおいて、バラツキの影響を受けずに正確な電流を供給できる半導体装置を提供する。
【解決手段】増幅回路を使ったフィードバック回路を用いて、トランジスタの各端子の電圧を調節する。電流源回路から電流Ｉｄａｔａをトランジスタに入力して、トランジスタが電流Ｉｄａｔａを流すのに必要なゲート・ソース間電圧を、フィードバック回路を用いて設定する。フィードバック回路は、トランジスタが飽和領域で動作するように制御する。すると、電流Ｉｄａｔａを流すのに必要なゲート電圧が設定される。そして、設定されたトランジスタを用いれば、正確な電流を負荷（ＥＬ画素や信号線）に供給できる。なお、必要なゲート電圧を設定するとき、増幅回路を用いるので、すばやく設定できる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの微細化を達成し、電界緩和がなされた、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】ゲート電極の線幅を微細化し、ソース電極層とドレイン電極層の間隔を短縮する。ゲート電極をマスクとして自己整合的に希ガスを添加し、チャネル形成領域に接する低抵抗領域を酸化物半導体層に設けることができるため、ゲート電極の幅、即ちゲート配線の線幅を小さく加工しても位置精度よく低抵抗領域を設けることができ、トランジスタの微細化を実現できる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の回路規模を縮小する、または半導体装置の駆動能力の向上を図る。
【解決手段】酸化物半導体によりチャネル領域が形成されるトランジスタをプルダウントランジスタとして適用する。当該酸化物半導体は、２．０ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３．０ｅＶ以上のバンドギャップを有する。そのため、トランジスタにおけるホットキャリア劣化を抑制することができる。その結果、当該プルダウントランジスタを有する半導体装置の回路規模を縮小することができる。また、プルアップトランジスタのゲートを、当該トランジスタのスイッチングによって浮遊状態とする。なお、当該酸化物半導体を高純度化することで、トランジスタのオフ電流を１ａＡ／μｍ（１×１０^−１８Ａ／μｍ）以下とすることが可能である。その結果、半導体装置の駆動能力の向上が図れる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタにおいて、安定した電気特性を有する信頼性のよい薄膜トランジスタを提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタのチャネル長が１．５μｍ以上１００μｍ以下、好ましくは３μｍ以上１０μｍ以下の範囲において、室温以上１８０℃以下の動作温度範囲、または、−２５℃以上１５０℃以下の動作温度範囲で、しきい値電圧の変動幅を３Ｖ以下、好ましくは１．５Ｖ以下とすることで、安定した電気特性を有する半導体装置を作製することができる。特に半導体装置の一態様である表示装置において、しきい値の変動に起因する表示むらを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な薄膜トランジスタを、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】第１のゲート電極と、第１のゲート電極とチャネル領域を挟んで対向する第２のゲート電極とを有するデュアルゲート型の薄膜トランジスタのチャネル領域の形成方法において、結晶粒の間に非晶質半導体が充填される微結晶半導体膜を形成する第１の条件で第１の微結晶半導体膜を形成した後、結晶成長を促進させる第２の条件で、第１の微結晶半導体膜上に第２の微結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】リフレッシュレートを低減した際に、静止画を表示する際の画像の劣化を抑制する。
【解決手段】駆動回路によって制御され、ノーマリーホワイトモードまたは（ノーマリーブラックモード）の液晶を有する表示部と、駆動回路を制御するためのタイミングコントローラと、を有し、タイミングコントローラには、動画を表示するための画像信号及び静止画を表示するための画像信号が供給されており、静止画を表示するための画像信号に応じた画像において黒（または白）を表示する際の液晶に印加する電圧の絶対値は、動画を表示するための画像信号に応じた画像において黒（または白）を表示する際の液晶に印加する電圧の絶対値より大きい液晶表示装置とする。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ワイドギャップ半導体、例えば酸化物半導体を含むメモリセルを用いて構成された半導体装置であって、メモリセルからの読み出しのために基準電位より低い電位を出力する機能を有する電位変換回路を備えた半導体装置とする。ワイドギャップ半導体を用いることで、メモリセルを構成するトランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができ、長期間にわたって情報を保持することが可能な半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】複数のトランジスタが高集積化された素子の少なくとも一のトランジスタに、作製工程数を増加させることなくバックゲートを設ける。
【解決手段】複数のトランジスタが上下に積層されて設けられた素子において、少なくとも上部のトランジスタは、半導体特性を示す金属酸化物により設けられ、下部のトランジスタが有するゲート電極層を上部のトランジスタのチャネル形成領域と重畳するように配して、該ゲート電極層と同一の層の一部を上部のトランジスタのバックゲートとして機能させる。下部のトランジスタは、絶縁層で覆われた状態で平坦化処理が施され、ゲート電極が露出され、上部のトランジスタのソース電極及びドレイン電極となる層に接続されている。 （もっと読む）

【課題】第１の課題は、燐光を発光することが可能な有機金属錯体を提供する。
【解決手段】一般式（Ｇ１）において、Ｒ^１１〜Ｒ^１４のうち少なくとも１つの置換基は、ハロゲン基、炭素数１〜４のハロアルキル基、シアノ基、のいずれかを表す。Ｒ^１５〜Ｒ^１９のうち少なくとも１つの置換基は、ハロゲン基、炭素数１〜４のハロアルキル基、シアノ基、のいずれかを表す。
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