【課題】データ分割駆動を行う半導体装置における信号の変動を抑制すること。なお、当該変動を抑制することで、半導体装置の映像の表示時における縞模様の発生を抑制することなどができる。
【解決手段】異なる期間において浮遊状態となり且つ隣接する２本の信号線の間隔（Ｇ１）を、同一期間において浮遊状態となり且つ隣接する２本の信号線の間隔（Ｇ０、Ｇ２）よりも広くする。これにより、容量結合に起因する信号線の電位の変動を抑制することができる。具体的な例としては、当該信号線がアクティブマトリクス型の表示装置におけるソース信号線である場合、映像における縞模様の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ソース−ビット線と、第１の信号線と、第２の信号線と、ワード線と、ソース−ビット線の間に接続されたメモリセルと、を有し、メモリセルは、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子と、を有し、第２のトランジスタは、酸化物半導体材料を含んで構成され、第１のトランジスタのゲート電極と、第２のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、容量素子の電極の一方とは、電気的に接続され、ソース−ビット線と、第１のトランジスタのソース電極とは、電気的に接続され、該ソース−ビット線と隣り合うソース−ビット線と、第１のトランジスタのドレイン電極とは、電気的に接続された半導体装置。 （もっと読む）

【課題】蓄電装置の特性を向上させることを課題とする。
【解決手段】集電体と、前記集電体上に形成される負極活物質層とを有し、前記負極活物質層は、前記集電体に接する第１の負極層と、前記第１の負極層に接し、前記第１の負極層より容量が小さく、且つＬｉ_ａＭ_ｂＮ_ｚ（Ｍは遷移金属であり、ａは０．１以上２．８以下、ｂは０．２以上１．０以下、ｚは０．６以上１．４以下）で表されるリチウムと遷移金属の窒化物、珪素材料、及び、チタン酸リチウムのうちのいずれか１つを含む第２の負極層とで形成される負極と、前記負極と対になる正極と、前記正極と負極との間に固体電解質とを有する蓄電装置に関する。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサを有する半導体装置のノイズを低減する。
【解決手段】フォトダイオードを有するフォトセンサと、アナログ／デジタル変換回路とを有し、前記アナログ／デジタル変換回路は、発振回路と、カウンタ回路とを有する。前記フォトセンサより出力された第１の信号は、前記発振回路に入力され、前記発振回路は、前記第１の信号の発振周波数を変更して第２の信号を出力する機能を有し、前記カウンタ回路は、前記第２の信号をクロック信号として、制御信号により加算または減算するカウント機能を有する。前記フォトセンサのリセット動作時に前記カウンタ回路は減算し、前記フォトセンサの選択動作時に前記カウンタ回路は加算することで、Ａ／Ｄ変換回路の出力値の補正を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ＥＬの画素を構成するＴＦＴのしきい値やＯＮ電流等の特性が画素ごとにばらつくと同じ映像信号を入力してもＥＬ素子の輝度がばらつくので問題となっていた。
【解決手段】容量手段を用いてしきい値を保存した後に、映像信号を入力する過程においては、容量手段において電化の移動がない。よって、容量手段の両電極間の電圧が変化しない。そのため、映像信号にしきい値をそのまま上乗せすることによって補正を行うことができるため、ドレイン電流が容量値のばらつきによる影響を受けないようにすることが出来る。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体を用い、オフ状態でのソースとドレイン間のリーク電流（オフ電流）が少ない書き込み用トランジスタ、該書き込み用トランジスタと異なる半導体材料を用いた読み出し用トランジスタ及び容量素子を含む不揮発性のメモリセルを有する半導体装置を提供する。該メモリセルへの情報の書き込み及び書き換えは、書き込み用トランジスタをオン状態とすることにより、書き込み用トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、容量素子の電極の一方と、読み出し用トランジスタのゲート電極とが電気的に接続されたノードに電位を供給し、その後、書き込み用トランジスタをオフ状態とすることにより、ノードに所定量の電荷を保持させることで行う。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置の作製工程においてマスク枚数を追加することなく、反射電極の散乱構造を作製する。
【解決手段】層間膜に感光性樹脂膜を用いる。フォトマスク１００の第１の透光部１０１を通して露光してパターニングしてコンタクトホール１０３〜１０６を得る。フォトマスク１００の第２の透光部１０２を通して露光すると、感光性樹脂膜が解像不能となり、感光性樹脂膜の表面に凹凸ができる。これにより一枚のフォトマスクでコンタクトホール形成と層間膜表面に凹凸を有する散乱構造とができる。 （もっと読む）

【課題】異なる特性の半導体素子を一体に有しつつ、高集積化が実現可能な、新たな構成の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１の半導体材料が用いられた第１のチャネル形成領域と、第１のゲート電極と、を含む第１のトランジスタと、第１のゲート電極と一体に設けられた第２のソース電極および第２のドレイン電極の一方と、第２の半導体材料が用いられ、第２のソース電極および第２のドレイン電極と電気的に接続された第２のチャネル形成領域と、を含む第２のトランジスタと、を備えた半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】微弱光から強光までの光を検知することが可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換層を有するフォトダイオードと、トランジスタを含む増幅回路と、
スイッチとを有し、入射する光の強度が所定の強度より小さいと前記スイッチにより前記
フォトダイオードと前記増幅回路は電気的に接続され、光電流は前記増幅回路により増幅
されて出力され、入射する光の強度が前記所定の強度より大きいと前記スイッチは前記フ
ォトダイオードと前記増幅回路の一部又は全部を電気的に切り離して光電流の増幅率を下
げて出力される光電変換装置に関するものである。このような光電変換装置により、微弱
光から強光までの光を検知することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサにおいて、入射光を正確に電気信号に変換することを目的の一とする。
【解決手段】半導体装置の一態様は、フォトダイオード、第１のトランジスタ、及び第２のトランジスタを有し、前記フォトダイオードは、入射光に応じた電荷を前記第１のトランジスタのゲートに供給する機能を有し、前記第１のトランジスタは、ゲートに供給された電荷を蓄積する機能を有し、前記第２のトランジスタは、前記第１のトランジスタのゲートに蓄積された電荷を保持する機能を有し、前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を用いて形成されている。 （もっと読む）