【課題】有機ＥＬ材料の塗布液を塗布する際に、塗布液の液切れを良くして効率的に塗布する手段を提供する。
【解決手段】塗布液を塗布する際に成膜形成装置にヒーターもしくは超音波振動子を設けて、塗布液に熱や超音波振動を与える。これにより塗布液の液切れ不良や液詰まりを解決することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、交流駆動に適した新規な構造を有するＥＬ素子を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、第１の電極と有機化合物を含む層との間と、有機化合物を含む層
と第２の電極との間の両方に材料層（電流値を横軸にとり、電圧値を縦軸にとったグラフ
表示においてゼロを中心としたほぼ点対称な電流−電圧特性を有する材料層）を設けて、
交流駆動に適した新規な構造を有する発光素子を特徴としている。具体的には、材料層は
、金属酸化物と有機化合物とを含む複合層であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】有機EL層にダメージを与えることなく、発生した光を効率良く外部へ放出可能な表示素子および表示素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】第１保持基板10上にまず透明電極保護材料11を成膜し、その上に従来の素子例と同様の順序で有機ＥＬ発光素子(12,13,14)を製造し、封止材15、第２保持基板16によって封止、保持を行った後に、第１保持基板10、透明電極保護材料11をエッチング等によって取り除く。本発明によれば、第１保持基板10を除去することにより、ＥＬ層13において発生した光の取り出し効率が向上し、表示素子の輝度やコントラストが向上する。 （もっと読む）

【課題】各種回路に配置される薄膜トランジスタの構造を、回路の機能に応じて適切なものとすることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させ、かつ、低消費電力化を図ると共に、工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。
【解決手段】薄膜トランジスタのＬＤＤ領域を、テーパー部を有するゲート電極及びテーパー部を有するゲート絶縁膜に対応させて設ける。具体的には、第１のＬＤＤ領域はゲート電極のテーパー部の下に設けられ、第２のＬＤＤ領域はゲート絶縁膜のテーパー部の下に設けられる。 （もっと読む）

【課題】発光素子へ微少な電流を供給する低階調表示を行う場合、駆動用トランジスタのゲート・ソース間電圧が小さいため、そのしきい値電圧のバラツキが顕著となってしまう。
【解決手段】低階調表示であっても、駆動用トランジスタのしきい値電圧のバラツキの影響が低減された半導体装置であって、低階調表示で高階調表示よりも駆動用トランジスタのゲート・ソース間電圧を高くする。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の製造コストを削減する。または、ＳＯＩ基板の歩留まりを向上させる。
【解決手段】単結晶半導体基板にイオンを照射して、前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成する工程と、絶縁膜を介して前記単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせる工程と、前記脆化領域において前記単結晶半導体基板と前記ベース基板とを分離して、前記ベース基板上に前記絶縁膜を介して半導体層を形成する工程とを有することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法である。そして、前記脆化領域を形成する工程において、前記イオンとして質量分離されていないイオン種を用いるとともに、前記イオンを照射する際の前記単結晶半導体基板の温度を２５０℃以上に設定する。 （もっと読む）

【課題】動画と静止画を表示可能な液晶表示装置において、反射画素部での光の散乱等によるコントラストの低下を抑制し、低消費電力化を図る。
【解決手段】複数の透過画素部と、反射画素部と、を有する画素が複数設けられる半透過型の液晶表示装置の駆動方法において、動画表示期間において、複数の透過画素部にカラー表示をするための画像信号、反射画素部に黒表示をするための信号を供給し、静止画像表示期間において、複数の透過画素部及び反射画素部に白黒の階調とする画像信号を供給する構成とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の作製方法において、再生処理におけるボンド基板の熱処理回数を減らす。
【解決手段】ボンド基板となる半導体ウエハには、その表面に絶縁層を形成し、加速されたイオンの照射によりその内部に脆化領域を形成する。そして、ガラス基板、半導体ウエハなどのベース基板とこの半導体ウエハを貼り合わせる。そして、加熱処理をして半導体ウエハを脆化領域で分割し、絶縁層を介してベース基板上に半導体層が設けられているＳＯＩ基板を作製する。このＳＯＩ基板を作製する前に、半導体ウエハにアルゴンガス雰囲気などの非酸化性雰囲気下、または酸素ガスと窒素ガスの混合ガス雰囲気下で１１００℃以上の熱処理を行う。この熱処理を行うことで、半導体ウエハの再生処理に１１００℃以上の高温の熱処理を毎回行う必要がなくなる。 （もっと読む）

【課題】消費電力の増加を招くことなくオフの状態を実現することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲートに電圧が印加されていない状態でオン状態であるパワー素子と、パワー素子のゲートに第１の電圧を印加するためのスイッチング用の電界効果トランジスタと、パワー素子のゲートに第１の電圧より低い電圧を印加するためのスイッチング用の電界効果トランジスタと、を有し、上記スイッチング用の電界効果トランジスタはオフ電流が小さい半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】不良メモリセルに関する情報をメモリセルアレイの記憶容量を割いて記憶させなくても、不良メモリセルを非選択とすることが可能な半導体記憶装置を提供することを課題とする。
【解決手段】駆動回路に不良メモリセルに関する情報を記憶した冗長制御機能を設け、メモリセルアレイの欠陥を救済する。すなわち、データを記憶させるために設けられたメモリセルアレイの一部を使って不良メモリセルのアドレス情報を記憶させるのではなく、メモリコントローラの中に不良メモリセルのアドレス情報を記憶させる不揮発性のメモリを設ける。不良メモリセルのアドレス情報を保持するメモリコントローラは、不良メモリセルのアドレス情報を取得するために、わざわざメモリセルアレイまでアクセスしないで済み、処理速度の向上に寄与することになる。 （もっと読む）