【課題】フォトセンサを有する半導体装置において、高分解能で撮像が行えるフォトセンサを提供する。
【解決手段】フォトダイオード２０４は光の強度に応じて電気信号を生成する機能を有し、第１のトランジスタ２０５はゲートに電荷を蓄積し、蓄積された電荷を出力信号に変換する機能を有し、第２のトランジスタ２０７はフォトダイオード２０４から生成された電気信号を第１のトランジスタ２０５のゲートに転送し、かつ、第１のトランジスタ２０５のゲートに蓄積された電荷を保持する機能を有する。第１のトランジスタ２０５はバックゲートを有し、第２のトランジスタ２０７は、酸化物半導体層により形成されたチャネル形成領域を有する。 （もっと読む）

【課題】暗電流を抑えることができるフォトダイオードを用いた光電変換装置を、マスクの枚数を増やすことなく作製できる方法の提供を、目的の一とする。
【解決手段】同一の形状を有するマスクを用いた露光を、一のフォトレジスト層に対して複数回行い、なおかつ、各露光により上記フォトレジスト層において形成される像を、部分的に重ね合わせる。そして、上記像が重ね合わされた領域に、最上層のｐ層或いはｎ層の形状を加工するためのレジストマスクを選択的に形成する。また、ｉ層の形状を加工するためのレジストマスクも、上記マスクと同一の形状を有するマスクを用いた露光により、形成する。上記構成により、同一の形状を有するマスクを用いながらも、最上層のｐ層或いはｎ層の形状を加工するためのレジストマスクのパターンを、ｉ層の形状を加工するためのレジストマスクのパターンよりも、１回り小さく形成することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置において、より高い耐衝撃性を付与することを目的の一とする。より多様化する用途に対応でき、利便性が向上した信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】半導体装置において、基板上に、ゲート電極層と、ゲート絶縁層と、酸化物半導体層とを含むボトムゲート構造のトランジスタと、トランジスタ上に絶縁層と、絶縁層上に導電層とを有し、絶縁層は酸化物半導体層を覆い、かつゲート絶縁層と接して設けられ、酸化物半導体層のチャネル幅方向において、ゲート電極層上でゲート絶縁層と絶縁層とは端部が一致し、導電層は、酸化物半導体層のチャネル形成領域と、ゲート絶縁層及び絶縁層の端部とを覆い、かつゲート電極層と接して設けられる。 （もっと読む）

【課題】専有面積が小さく、高集積化、大記憶容量化が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】書き込み用トランジスタと読み出し用トランジスタで、共通のビット線を使用することで、単位メモリセル当たりの配線数を削減する。情報の書き込みは、書き込み用トランジスタをオン状態とすることにより、書き込み用トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、読み出し用トランジスタのゲート電極が電気的に接続されたノードに、ビット線の電位を供給し、その後、書き込み用トランジスタをオフ状態とすることにより、ノードに所定量の電荷を保持させる。情報の読み出しは、容量素子に接続された信号線を読み出し信号線とするか、もしくは、読み出し用のトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と接続された信号線を読み出し信号線として、読み出し信号線に読み出し用の電位を供給し、その後、ビット線の電位を検知することで行う。 （もっと読む）

【課題】専有面積が小さく、高集積化、大記憶容量化が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】書き込み用トランジスタと読み出し用トランジスタで、共通のビット線を使用することで、単位メモリセル当たりの配線数を削減する。情報の書き込みは、書き込み用トランジスタをオン状態とすることにより、書き込み用トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、読み出し用トランジスタのゲート電極が電気的に接続されたノードにビット線の電位を供給し、その後、書き込み用トランジスタをオフ状態とすることにより、ノードに所定量の電荷を保持させる。情報の読み出しは、読み出し用トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と接続された読み出し信号線に、所定の読み出し用の電位を供給し、その後、ビット線の電位を検知することで行う。 （もっと読む）

【課題】発光装置において、発光素子の輝度の変化を抑え、安定して所望の表示を行うことを可能とする。
【解決手段】電流計を用いて、発光している発光素子へ流れる第１の電流を測定する。ビデオ信号を用いて、発光している発光素子の数と。第１の電流とから、一つの発光素子に流れる第２の電流を求める。第１の電流を発光素子の数で割ると第２の電流が求められる。第２の電流が基準とずれている偏差量を求め、偏差量に対する補正電圧を特定して、補正電圧を発光素子に印加する。電流の偏差量と、補正電圧は離散的な関係を持つ。 （もっと読む）

【課題】 駆動電圧の小さい薄膜発光素子を提供することを課題とする。また、駆動電圧
の小さい構成を有する薄膜発光素子においても、色純度や発光効率の低下が起こらない薄
膜発光素子を提供することを課題とする。
【解決手段】 上記課題を解決する為の薄膜発光素子の構成は、電極間に少なくとも電子
輸送層、発光物質を含む発光層、第１の領域、及び第２の領域を有し、前記電子輸送層は
、前記発光層と前記第１の領域との間に前記第２の領域を有し、前記第１の領域は多環縮
合環を有する物質が含まれており、前記第２の領域には前記多環縮合環を有する物質が含
まれていないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面荒れが抑制されたＳＯＩ基板を提供することを課題とする。
【解決手段】ボンド基板に電界で加速されたイオンを照射して該ボンド基板に脆化層を形成し、絶縁層を介してボンド基板とベース基板を貼り合わせ、貼り合わせられたボンド基板の一部の領域を、他の領域よりも１０℃以上３０℃以下。好ましくは１０℃以上１５℃以下高い温度で加熱することにより、脆化層において一部の領域から他の領域に分離を進行させ、あるいは、貼り合わせられたボンド基板全体に、第１の温度で第１の加熱処理を行い、第１の加熱処理後に、貼り合わせられたボンド基板の一部の領域を、第１の温度より１０℃以上高い第２の温度によって加熱する第２の加熱処理を行い、脆化層において一部の領域から他の領域に分離を進行させ、ベース基板に半導体層を形成するＳＯＩ基板の作製方法に関する。 （もっと読む）

【課題】反射型液晶表示装置において、隣接する画素間にあって、画素電極が設けられていない間隙は、画素に占める表示領域の割合、所謂開口率の低下を招く。その結果、表示画像のコントラスト、及び明るさが損なわれてしまうという問題があった。表示画像のコントラストが高く、また表示画像が明るい液晶表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】液晶表示装置の画素電極の端部を、隣接する画素電極の端部に絶縁層を挟んで重ねて設け、隣接する画素間にある間隙を狭め、画素に占める表示領域の割合を高めればよい。 （もっと読む）

【課題】高速動作が可能な絶縁ゲート型ＦＥＴによる駆動回路で表示装置を形成し、さらに、単位画素当たりの画素電極の面積を小さくしても十分な保持容量が得られるアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】単結晶半導体を活性層とした絶縁ゲート型電界効果トランジスタによるアクティブマトリクス回路を備えた半導体装置において、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタ上に有機樹脂絶縁層を形成し、該有機樹脂絶縁層上に形成された遮光層と、該遮光層に密接して形成された誘電体層と、前記絶縁ゲート型電界効果トランジスタに接続された光反射性電極とから保持容量を形成する。 （もっと読む）