【課題】自己整合的に半導体層に不純物元素をドーピングしてＬＤＤ領域を形成することが可能な半導体装置の構成を提供する。
【解決手段】絶縁表面上に形成された半導体層と、半導体層上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含む半導体装置であって、ゲート電極は、テーパー形状を有し、半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、前記第１の不純物領域よりも不純物濃度の低い第２の不純物領域とを有し、半導体層の端部は、ゲート電極と半導体層との間に設けられた絶縁膜に覆われており、記絶縁膜のうちゲート電極近傍は、テーパー形状を有することにより、自己整合的に半導体層に不純物元素をドーピングしてＬＤＤ領域を形成することが可能な構成を提供する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス基板上の引き回し配線の形成に伴う、基板上の額縁部分の広がりを最低限に抑え、狭額縁化を実現させた表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】対向して配置された一対の基板のうち、少なくとも画素部を有するアクティブマトリクス基板の端部に面取り部を形成し、面取り部に形成された共通配線によって、アクティブマトリクス基板上の配線（ソース線、ゲート線、保持容量線、引き出し線等）が電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】ＩＣカードが電力解析攻撃や電磁波解析攻撃を受けた際に、傍受された電力変化およびＥＭ放射から秘密鍵をとりだすことを困難にすることを目的とする。
【解決手段】演算回路及び外部との信号の送受信を行うための回路を有し、演算回路は中央処理装置１０２、補助演算装置１２４、乱数生成器１２５、読み出し専用メモリ１０３が含まれている。読み出し専用メモリ１０３には、外部との信号の送受信におけるサイドチャネル攻撃を阻止する処理をおこなうためのプログラムが記録されている。乱数生成器１２５と補助演算装置１２４を加えることにより、ＩＣチップから漏れる物理的情報の時間変化をより複雑にすることができる。この動作は前記プログラムが実行する。そのため、第３者が傍受した物理的情報から内部情報を取り出すことに時間がかかり、セキュリティを高めることが出来る。 （もっと読む）

【課題】入出力配線やゲート配線などのように、長い距離にわたって形成されるような配線を低抵抗化し、動作性能の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】画素部に形成されたゲート配線、若しくは駆動回路と外部入力端子とを電気的に接続する入出力信号配線、を有し、前記ゲート配線若しくは前記入出力配線は、前記第１及び第２の薄膜トランジスタのゲート電極と同一層で且つ同一材料からなる第１配線と、前記第１配線の上に形成された第２配線と、を有し、前記第２配線は、前記第１配線よりも抵抗率が低い材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法によって高いコントラスト比を有する表示装置を提供することを目的とする。また、このような高性能な表示装置を、低コストで作製することを目的とする。
【解決手段】一対の透光性基板間に表示素子を有する表示装置において、それらの外側に互いに吸収軸の消衰係数が異なる偏光子を含む層を積層し設ける。このとき、視認側の積層させる偏光子はパラレルニコルよりずらして配置する。また積層された偏光子と基板間には位相差板を有してもよい。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射パターンを切り替えながら、所望の位置に高速にレーザ照射を行う方法を提案する。
【解決手段】レーザ発振器から射出したレーザビームを偏向器に入射し、前記偏向器を通過したレーザビームを回折光学素子に入射して複数に分岐させる。そして、前記複数に分岐されたレーザビームを絶縁膜上に形成されたフォトレジストに照射し、前記レーザビームが照射されたフォトレジストを現像して前記絶縁膜を選択的にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】膜を緻密にすることができる成膜方法を提供することを課題とする。また、均質な膜を形成することができる成膜方法を提供することを課題とする。そして、これらの成膜方法や成膜装置を適用して発光素子を作製することで、寿命が長く発光効率の高い発光素子を得る。
【解決手段】有機化合物２１１が充填された蒸発源２１０を有する成膜室２００内において、基板保持手段２０１に基板２０２を固定する。次に、この有機化合物２１１を気化させる。図において２１２は気化している有機化合物を表す。さらにここで、有機化合物を気化させて蒸着している最中に、気化している有機化合物２１２に対してレーザビーム２０３を照射する。 （もっと読む）

【課題】新規発光材料を提供することを目的とする。また、低電圧駆動が可能な発光素子を提供することを課題とする。また、消費電力の低減された発光装置および電子機器を提供することを課題とする。また、低コストで作製可能な発光装置および電子機器を提供することを課題とする。
【解決手段】母体材料と、第１の不純物と、第２の不純物と、第３の不純物とを含み、第１の不純物は、母体材料に対し浅いドナー準位を形成し、第２の不純物は、母体材料に対し浅いアクセプター準位を形成し、第３の不純物は、母体材料に対し浅いトラップ準位を形成し、母体材料は、周期表第２族の元素と周期表第１６族の元素を含む化合物を有し、浅いドナー準位の電子と深いトラップ準位の正孔とが再結合することにより、発光する発光材料を提供する。 （もっと読む）

【課題】短チャネル効果を防止しつつチャネル長の短い微細な半導体装置を実現する。
【解決手段】チャネル形成領域１０３に対してチャネル方向（電界方向）と平行に線状パターン形状を有する不純物領域１０４を形成する。この不純物領域１０４がドレイン側空乏層の広がりを抑え、かつ、狭チャネル効果を起こして短チャネル効果を防止する。また、チャネル形成領域１０３において、不純物領域１０４はエネルギー的にキャリアの移動経路を一方向に規定し、キャリア同士の不規則な衝突による散乱を抑制する。 （もっと読む）

【課題】導電層と半導体層との界面のエネルギー障壁を低減できる電極を有する有機電界効果トランジスタ及び有機電界効果トランジスタを有する半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】有機電界効果トランジスタにおけるソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の一部に、有機化合物と無機化合物とを含む複合層を設け、有機化合物は、一般式（１）で表されるカルバゾール誘導体を用いる。ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方の一部に、複合層を設けることにより、導電層と半導体層との界面のエネルギー障壁を低減することができる。
【化１】
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