【課題】基板表面のＡｌ_ｂＧａ_１−ｂＮ（０<ｂ≦１）層におけるクラックの発生、および転位密度を低減させることができるIII族窒化物半導体基板、III族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体基板１は、下地基板１０上に形成されたマスク１９、Ａｌ_ａＧａ_１−ａＮ（０≦ａ<１）により構成され、組成ａが一定である第一層１１、第一層１１上に形成される第二層１２、組成ｂが一定のＡｌ_ｂＧａ_１−ｂＮ（０<ｂ≦１）により構成される第三層１３を備える。第一層１１は、マスク１９の開口部１９１内部を埋め込むとともに、被覆部１９２の上面を覆っている。第二層１２は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０<ｘ<１）により構成され、組成ｘが層厚方向に変化し、第三層１３に接する表面の組成ｘが、第一層１１に接する表面の組成ｘよりも高くなった組成分布である。組成ａ、ｂ、ｘはａ<ｘ<ｂなる関係が成立している。 （もっと読む）

【課題】基板表面のＡｌ_ｂＧａ_１−ｂＮ（０<ｂ≦１）層におけるクラックの発生を低減させることができるIII族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体基板１は、Ａｌ_ａＧａ_１−ａＮ（０≦ａ<１）により構成され、組成ａが一定である第一層１１と、この第一層１１上に形成される第二層１２と、第二層１２上に形成され、組成ｂが一定のＡｌ_ｂＧａ_１−ｂＮ（０<ｂ≦１）により構成される第三層１３とを備える。第二層１２は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０<ｘ<１）により構成され、組成ｘが層厚方向に変化し、第三層１３に接する表面の組成ｘが、第一層１１に接する表面の組成ｘよりも高くなった組成分布を有している。組成ａ、ｂ、ｘはａ<ｘ<ｂなる関係が成立している。 （もっと読む）

【課題】 チョクラルスキー法による単結晶成長時の直径を、撮影した画像をもとに直接的に精度よく求める方法を提供する。
【解決手段】 単結晶２と原料融液４との境界部を、設定した単結晶の回転角度毎に少なくとも２回撮影し、その撮影した各画像から前記境界部の計測点をそれぞれ特定し、その特定した計測点の座標Ａ’、Ｂ’と、ＣＣＤカメラ１４の取り付け角αと、カメラ焦点Ｆから単結晶２の回転中心までの水平距離と、から当該計測点における単結晶２の半径Ｒiを算出する。 （もっと読む）

【課題】汚染土壌および廃木材を完全に無害化し、処理物を高付加価値の資源物として有効活用可能で、高度な制御の不要な簡易な装置で設備を構成できる廃棄物利用土壌改良剤製造システムを提供する。
【解決手段】 廃木材Ａを炭化処理する炭化炉２と、炭化炉２で発生した乾留ガスを加熱する二次燃焼炉３と、二次燃焼炉３で所定温度以上に昇温された乾留ガスを熱源として汚染土壌Ｂを加熱処理する土壌加熱炉４とを備え、炭化炉２で得られた炭化物Ｃと土壌加熱炉４で得られた浄化土壌Ｄとを混合して土壌改良剤Ｅを製造する。 （もっと読む）

【課題】損傷の少ない高品質のＧａＮ基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板１０上に、開口部１１２を有する二酸化珪素（ＳｉＯ₂）のマスク１１を形成する。マスクは、<１１−２０>方向に延在するストライプ状の被覆部が平行配置されたパターンを有し、隣接する被覆部の間に開口部１１２を有する。開口部１１２に、サファイア基板１０の基板面に対して傾斜するファセット面｛１−１０１｝を有するＧａＮ膜１４を成長させる。隣接する第一のＧａＮ膜１４同士がマスク１１を覆い尽くす前に、第一のＧａＮ膜１４の成長を止める。続いてマスク１１を除去し空隙１５を形成する。その後、内部に空隙１５を有する第一のＧａＮ膜１４上に第二のＧａＮ膜１６を成膜する。以上のようにして得られた構造体を冷却する過程でサファイア基板１０を分離除去し、ＧａＮ自立基板を得る。 （もっと読む）

【課題】結晶性のよいIII族窒化物半導体層を形成することができるIII族窒化物半導体層の形成方法、III族窒化物半導体基板の製造方法、III族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板１０上に平面形状が正方形形状の被覆部１２２を有するマスク１２を形成する。マスク１２の被覆部１２２の角部１２２ＡにＧａＮ半導体層の３次元核１４０を形成する。この３次元核１４０をさらに成長させて、サファイア基板１０の基板面に対して傾斜したファセット面１４１Ａを有する構造体１４１を形成する。さらに、構造体１４１を成長させ、構造体１４１同士を合体させてＧａＮ半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性のよいIII族窒化物半導体層を形成することができるIII族窒化物半導体層の形成方法、このIII族窒化物半導体層の形成方法を用いたIII族窒化物半導体基板の製造方法、およびIII族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】 サファイア基板１０上に形成されるマスク１１の被覆部１１１の被覆部１１１の断面形状を略台形形状とし、被覆部１１１の断面形状がサファイア基板１０側から上方に向かって幅狭となるようにする。また、マスク１１の開口部１１２の断面形状は、サファイア基板１０側から上方に向かって幅広となるようにする。マスク１１の開口部１１２からＧａＮ半導体層を成長させ、ＧａＮ基板を得る。 （もっと読む）

【課題】 遠隔操作器に作動速度制御専用の操作スイッチを設けずにアクチュエータの作動速度の制御を可能とし、操作時の使い易さを向上させる。
【解決手段】 車両運搬車にそのエンジンで駆動される油圧ポンプを油圧源として作動する荷台スライドシリンダとウインチ用油圧モータとを備え、その作動制御装置Ａに、荷台スライドシリンダとウインチ用油圧モータの作動を制御する荷台制御弁４１、ウインチ制御弁４２と、エンジン回転数を制御するアクセル制御弁４３と、荷台スライドシリンダとウインチ用油圧モータの作動に対応した個数のアクチュエータ操作スイッチを設けた遠隔操作器１０と、遠隔操作器１０からのアクチュエータ操作スイッチの操作信号を受信する受信機２０と、受信機２０からの操作信号により該当する荷台制御弁４１、ウインチ制御弁４２、及びアクセル制御弁４３を制御する作動制御器３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 誘導員を道路上に配置する必要がなく、車両に適切な警告を発し、工事区間に突入する可能性がある車両の存在を作業員に事前警告できる交通監視警報装置の提供。
【解決手段】 道路１の工事区間１６に接近してくる車両３８Ａを、道路１に引かれた車線ライン１１Ｌ、１１Ｃとともに工事区間１６側から連続撮像するＣＣＤカメラ２６と、ＣＣＤカメラ２６が連続撮像した画像データ上で、車線ライン１１Ｌ、１１Ｃの間隔と位置を測定し、これらの測定値に基づいて、車両の位置及び速度を算出する演算制御装置３４と、演算制御装置３４が算出した車両３８Ａの位置及び速度に基づいて、車両３８Ａに警報信号を発する道路規制表示機２０Ｂ、２０Ｄ及び作業員４０が携帯する携帯型警報器３６とから交通監視警報装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 作業機の無線操縦装置において、専用の収容部などを設ける必要がなく、容易に、且つ安価に無線操作器の置き忘れを防止できるようにする。
【解決手段】 操作中は操作に対応する操作信号を送信し、非操作中は自動的に識別信号を送信する無線操作器１０と、無線操作器１０からの操作信号を受信しているときは、受信した操作信号に基づいて作業装置を作動させる作動信号を出力し、操作信号を受信していないときには、識別信号を監視して所定の識別信号を受信していなければ警報手段３０を作動させる警報信号を出力する無線受信機２０と、を無線操縦装置に備える。 （もっと読む）