【課題】コンパクトで、かつ長寿命とし得るバランス機構を備えた昇降装置を提供する。
【解決手段】この昇降装置１０は、下段ポール１に対してスライド移動可能な伸縮手段取付ブラケット５に、カメラ３を載置固定可能な上段ポール２が連結されている。下段ポール１の下部には下側支軸８設けられ、この下側支軸８に対して平行かつ水平方向に所定距離Ａだけ離れて伸縮手段取付ブラケット５に上側支軸７が設けられており、ガススプリング６が下側支軸８および上側支軸７でその両端が繋がれている。そして、前記所定距離Ａは、伸縮手段取付ブラケット５、上段ポール２およびカメラ３全体に昇降方向で作用する重力に対し、ガススプリング６の伸び量Ｓの最小値から最大値間での鉛直方向分力Ｆ′の最小値および最大値がいずれも釣り合う距離に設定されている。 （もっと読む）

【課題】反応管に対する内挿管および回転軸の中心軸の倒れとズレを調整可能とし、内挿管や回転軸等の部品交換前後での成長膜厚のバラツキを低減し得る気相成長装置を提供する。
【解決手段】この気相成長装置１は、反応管１０の下流側でこれに内嵌する内挿管２０のフランジを挟持するジョイント２６、スペーサ２７およびキャップ２８が、それぞれ調整代をもつ締結構造を有する締結面で相互に締結されており、さらに、ジョイント２６およびスペーサ２７、並びに、スペーサ２７およびキャップ２８は、それぞれ互いに当接する締結面同士の、一方の面と他方の面とが、反応管１０の中心軸上を中心とする凹球面を有する面と、同じく凸球面を有する面と、でそれぞれ形成されている。 （もっと読む）

【課題】 優れた膜質の膜を成膜することができ、さらには、膜厚の制御性に優れた気相成長装置を提供すること。
【解決手段】反応ガス生成部１１と、反応部１５との間には配管１７が配置されている。また、配管１７のバルブ１７１よりも反応ガス生成部１１側には、配管１８が接続されている。配管１７により、反応ガス供給路Ｒ１が形成される。この反応ガス供給路Ｒ１は、反応ガス生成部１１〜１３で生成した反応ガスを反応部１５に供給するため経路である。
配管１７および配管１８により、排気経路Ｒ２が形成される。 （もっと読む）

【課題】内部の温度分布が均一とならない場合であっても、変形、亀裂等を防止することが出来るサセプタ及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板２００の表面にガスを供給して薄膜を成長させる気相成長装置に用いられ、下方に配されたヒータ１３０により加熱され、上面にて基板２００を保持する板状のサセプタ１１０であって、延在方向について複数の分割部材１１０ａ、１１０ｂに分割可能に構成される。 （もっと読む）

【課題】 Ａｌのハロゲン化物を含む第一の反応ガスを供給する供給口近傍でのＡｌ系窒化物の析出を抑制する技術を提供すること。
【解決手段】 ハイドライド気相成長装置1は、基板Ｓを保持する基板保持部材１２と、基板保持部材１２に保持された基板Ｓに対し、ＡｌＣｌ_３ガスを供給する供給口１７１を有する第一供給部１７と、基板保持部材１２に保持された基板Ｓに対し、ＮＨ_３ガスを供給する供給口１５１を有する第二供給部１５と、第一供給部１７と第二供給部１５との間に設けられ、ＧａＣｌガスを、基板保持部材１２に保持された基板Ｓに対して供給する第三供給部１６と、を有する。ＡｌＣｌ_３ガスを供給する供給口１７１は、ＮＨ_３ガスを供給する供給口１５１よりも、基板保持部材１２に保持された基板Ｓに対し、上流側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ法による効果的なＡｌ含有窒化物の結晶成長を実現できるＡｌ含有窒化物のハイドライド気相成長装置を提供する。
【解決手段】 ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）装置３０は、反応管と、反応管にＡｌのハロゲン化物を含む原料ガスを導入する第１ガス導入部である原料供給口領域５３と、当該反応管に水素化窒素ガスを含む原料ガスを導入する第２ガス導入部である原料供給口領域５３と、反応管内に配置されたウェハ保持部である基板ホルダ４１と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】配管を４００℃以上に昇温可能で、原料供給経路にも設置可能な加熱配管を提供する。
【解決手段】加熱配管１０は、内側管２０と外側管３０との間に形成された閉空間３３内に加熱手段４０を設けている。この加熱手段４０は、板状のカーボンヒーター４１と、そのカーボンヒーター４１を挟持するとともに他の部材との非接触状態を保つように設けられた互いに係合する一対の碍子対４３と、を備えている。カーボンヒーター４１は、加熱配管１０の長手方向に沿って帯状に延びる複数の中間部４８と、この中間部４８の両端の折り返し部４２と、を有し、中間部４８および折り返し部４２が順につづら折り状に連続して一体に形成されるとともに、加熱配管１０の円周方向に断面多角形状に配置されて加熱空間を構成しており、碍子対４３は、カーボンヒーター４１の各折り返し部４２および隣り合う中間部４８同士の隙間の長手方向中央にそれぞれ複数配置されている。 （もっと読む）

【課題】反応ガス供給部の内壁の腐食を防止することができる気相成長装置、III族窒化物半導体基板の製造方法、III族窒化物半導体基板を提供すること。
【解決手段】ＡｌＣｌ_３ガスを生成する生成管１１２は、内側に反応ガスの流路Ｎが形成された円筒状の内壁１１４Ａと、この内壁１１４Ａの外周を覆うように設けられた外壁１１４Ｂとを有する。内壁１１４Ａには、複数の導入孔１１４Ａ１が形成されている。導入孔１１４Ａ１には、内壁１１４Ａと、外壁１１４Ｂとの間に供給される非反応性ガスが導入される。非反応性ガスの噴出により、反応ガスが生成管１１２の生成管本体部１１３の内壁１１４Ａに接触してしまうのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】サセプタ上の基板に均一な成膜を行うハイドライド気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応管１１０の内部にて基板２００の表面に反応ガス３００を供給して成膜を行うハイドライド気相成長装置１００であって、反応管１１０の内部に反応管１１０の延在方向に対して傾斜するよう配置され一面にて基板２００を保持する円盤状のサセプタ１２０と、反応管１１０におけるサセプタ１２０の上流側に反応ガス３００を導入するガス導入部と、サセプタ１２０の他面側に接続されサセプタ１２０を中心軸廻りに回転させる回転駆動機構１４０と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】Ａｌのハロゲン化物を含む第一の反応ガスを供給する供給口近傍でのＡｌ系窒化物の析出を抑制することができる技術を提供すること。
【解決手段】 反応ガス生成室１３０は、第一壁部１３２Ａ、第二壁部１３２Ｃと、反応管１１の内面と、および閉鎖部材１９の内面とで区画され、半密閉空間となっている。
第二壁部１３２Ｃは、第一壁部１３２ＡのＡｌＣｌ_３ガス供給口である孔１３２Ａ１よりも下流側に配置され、ＮＨ_３ガス供給口１５１よりも上流側に配置されている。第二壁部１３２Ｃは、ＮＨ_３ガスがＡｌＣｌ_３ガス供給口近傍に流入することを制限する流入規制部の流入規制壁部としての役割を果たす。 （もっと読む）