【課題】摩滅により全長が変化しても騒音が快音に維持されるチゼルを提供する。
【解決手段】ウエイト部材３２０，３３０が特定の位置に付加されており、使用初期長Ｌｌでの特定の振動モードの固有周波数ｆlnと、使用限界長Ｌｓでの振動モードの固有周波数ｆsnとが、特定周波数帯内となる位置にウエイト部材３２０，３３０が付加されている。従って、人間にとって不快な周波数の騒音を発生することを抑制でき、このことを破砕作業とともに全長が使用初期長から使用限界長まで摩滅する過程で維持することができる。 （もっと読む）

【課題】外周面に質量が付加されている構造でも、応力波の散乱による騒音増大や性能低下が抑制されているチゼルを提供する。
【解決手段】破砕対象に当接される先端部３１１からブレーカ装置に保持される末端部３１２まで中間部３１３が連続している。中間部３１３の少なくとも一部に、軸心方向と直交する断面の形状および寸法が一様な一様部分が形成されている。中間部３１３と別体に形成されているウエイト部材３２０が一様部分の外面に密着状態で固定されている。従って、チゼル本体３１０の外面にウエイト部材３２０が付加されているが、このウエイト部材３２０はチゼル本体３１０と別体なので、チゼル３００の末端から先端まで伝搬される応力波が散乱されない。 （もっと読む）

【課題】騒音が快音のチゼルを提供する。
【解決手段】ウエイト部材３２１〜３２３が特定の位置に付加されており、２０００Hz以上８０００Hz以下の特定周波数帯内にある特定の振動モードの固有周波数の振幅低下が極小となる位置にウエイト部材３２１〜３２３が付加されているので、発生する騒音が人間にとって快適な音質である。 （もっと読む）

【課題】作業効率の低下を防止することができるハイドライド気相成長装置を提供すること。
【解決手段】ハイドライド気相成長装置１は、III族元素のハロゲン化物を含む第一の反応ガスと、Ｖ族元素の水素化物を含む第二の反応ガスとを、反応管１１内の基板Ｓに対して供給し、前記基板Ｓ上にIII-V族半導体結晶を形成するものである。反応管１１に形成された排気口１２に連通し、前記排気口１２から排出されたガスを冷却する冷却室１３Ａと、この冷却室１３Ａに連通し、冷却室１３Ａから排出されたガスが通過するフィルタ１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 抵抗値の高いIII族窒化物半導体結晶、III族窒化物半導体基板、半導体装置およびIII族窒化物半導体結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ＧａＮ基板１のＦｅドープＧａＮ層１４は、遷移金属原子であるＦｅ原子が添加されたIII族窒化物半導体結晶であって、Ｇａ原子空孔密度が１×１０^１６ｃｍ^−３以下である。ＦｅドープＧａＮ層１４のＦｅ原子の密度は、５×１０^１７ｃｍ^−３〜１０^２０ｃｍ^−３である。また、ＦｅドープＧａＮ層１４のＦｅ原子の密度は、ＦｅドープＧａＮ層１４中の酸素原子およびシリコン原子の合計の密度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】ペルオキソチタン酸水溶液を主成分とするチタニア膜形成用液体として、合成樹脂製の基材に塗布可能であって、貯蔵安定性や透明性が良好であり、基材に塗布した後に加熱することで、硬度や基材に対する付着性が優れたチタニア膜を形成できるものを提供する。
【解決手段】ペルオキソチタン酸水溶液に非イオン界面活性剤を添加したものを、チタニア膜形成用液体として用いる。非イオン界面活性剤の含有率を、ペルオキソチタン酸のＴｉＯ₂ 換算量に対して０．１０質量％以上２０．０質量％以下の割合とする。 （もっと読む）

【課題】マグネシウム合金材の組織が微細結晶粒からなるマグネシウム合金材を簡便に得ることのできる超塑性マグネシウム合金材の製造方法を提供する。
【解決手段】マグネシウム合金を溶存気体濃度が０．０１ｍｌ／ｍｌ以下の液体に浸漬し、その液体を伝達媒体としてマグネシウム合金に、好ましくは周波数１８〜２０ＫＨｚ、振動振幅１８〜４２μｍの超音波を印加する。 （もっと読む）

【課題】マグネシウム合金材の組織が微細結晶粒からなるマグネシウム合金材を簡便に得ることのできる超塑性マグネシウム合金材の製造方法を提供する。
【解決手段】マグネシウム合金を溶存気体濃度が０．００４ｍｌ／ｍｌ以下の水に浸漬し、超音波ホーン照射面を水面下２ｍｍ〜４０ｍｍの範囲に設置した状態で、ホーン照射面から発振された超音波を伝達媒体である水を介してマグネシウム合金に印加する。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体層と下地基板との分離を容易にし、損傷の少ないIII族窒化物半導体層を形成することができる形成方法、III族窒化物半導体基板の製造方法およびIII族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】マスク１１の第二被覆部１１３の幅寸法を、第一被覆部１１２の幅寸法よりも広くする。これにより、ＧａＮ半導体層１３により第二被覆部１１３を覆うのに要する時間が、ＧａＮ半導体層１３により第一被覆部１１２を覆うのに要する時間よりも長くなる。そのため、第二被覆部１１３上に、ＧａＮ半導体層１３により覆われていない露出部１１３Ａを形成して第一被覆部１１２、および第二被覆部１１３をエッチングすることができるので、空隙１４を確実に形成できる。 （もっと読む）

【課題】 分粒対象物の投入量によって細粒からの微粉の除去性能が左右されることなく、且つ、細粒からの微粉の除去効率を向上させる。
【解決手段】 分粒対象物を粗粒と粗粒より小さな細粒とに選り分ける篩部材１０８を有し、粗粒を回収する粗粒回収口１１２及び細粒を回収する細粒回収口１１４が形成された分粒分級装置１００であって、篩部材１０８の下方に設けられ篩部材１０８を通過した細粒を受け止める受止部１１０と、受止部１１０を連続的に加振して受止部１１０上の細粒を受止部１１０上にて細粒回収口１１４方向へ移送する加振部１０４と、篩部材１０８と受止部１１０の間の空気を細粒の移送方向と別方向に流通させて細粒に付着している微粉を除去する空気流通部１１８と、を備えた。 （もっと読む）