【課題】より良質な層膜を高速に対象基板に形成することができる構造の気相成長装置を提供する。
【解決手段】高周波磁束により誘導加熱される固定サセプタ１１０に移動サセプタ１２０を介して対象基板ＣＢが保持される。ただし、固定サセプタ１１０の発熱の温度が補償される状態に移動サセプタ１２０への伝熱が伝熱調整機構で調整される。このため、固定サセプタ１１０の盤面の発熱温度が均等でなくとも、伝熱により加熱される移動サセプタ１２０の温度を均等とすることができる。このため、対象基板ＣＢを均等に加熱することができ、層膜を良好な品質で形成することができる。 （もっと読む）

【課題】良質な単結晶塊を良好な効率で成長させることができる構造の結晶成長装置を提供する。
【解決手段】ルツボ部材２２０の大径の収容空間ＲＳで発生した昇華ガスを、小径の種単結晶ＳＣの表面まで、円錐状のガイド部２２３により良好に誘導することができる。ただし、そのガイド部２２３がルツボ部材２２０の側部２２２により形成されている。このため、高周波加熱部２１０が発生する高周波の電磁波は、ルツボ部材２２０のガイド部２２３に直接に吸収される。従って、このガイド部２２３は高温に発熱するので、その表面に多結晶塊ＤＬが成長することがない。このため、種単結晶ＳＣの表面に良質な単結晶塊ＣＬを良好な効率で成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】良質な単結晶塊を良好な効率で成長させることができる構造の結晶成長装置を提供する。
【解決手段】結晶支持部２３１に放熱凹部２３２が形成されており、貫通孔２４３が断熱カバー部材２４０に形成されているので、結晶支持部２３１が放熱されて単結晶塊ＣＬが高効率に成長する。ルツボ部材２２０の放熱凹部２３２に連通した円筒状の誘導部材２３３が、断熱カバー部材２４０の貫通孔２４３を経由して上面より上方まで形成されている。漏出した昇華ガスがルツボ部材２２０と断熱カバー部材２４０との隙間を移動して外部に漏出した位置で冷却されて析出しても、これが放熱凹部２３２を閉塞することがない。従って、結晶支持部２３１を安定に低温に維持することができ、単結晶塊ＣＬを良好な効率で安定に成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】カメラマンの姿勢が揺れた場合でも、揺れの少ない映像を撮影し得るカメラ用支持装置を提供する。
【解決手段】このカメラ用支持装置１０は、カメラ１の下部に装着されるベース３と、そのベース３の前後それぞれにカメラ１のレンズ２の中心軸ＣＬに対して直交且つ水平な支軸４、５を介して揺動可能に取付けられた二つのリンク６、７と、各リンク６、７に支軸４、５の位置よりも上部に取付けられて、各リンク６、７相互を引き合う方向に力を付勢する付勢ばね８と、各リンク６、７の下端に取付けられて、付勢ばね８で引張り方向に力を付与される肩当て用ベルト１１とを備え、カメラ１に装着した状態にあっては、肩当て用ベルト１１とベース３との間に隙間が確保され、且つ肩当て用ベルト１１を各リンク６、７に取り付けている部分１２、１３相互の間隔が、二つの支軸４、５相互の間隔よりも常に広くなっている。 （もっと読む）

【課題】より良質な層膜を高速に対象基板に形成することができる構造の気相成長装置を提供する。
【解決手段】交流の電力が印加されるコイル部材１６０が高周波磁束を発生すると、導電材からなる基板支持部材１１０が渦電流の誘導により発熱するので、これで加熱される対象基板ＣＢの表面に原料ガスにより層膜が形成される。ただし、コイル部材１６０を形成している金属管１６１の断面形状が矩形であるため、断面形状が円形の従来例に比較して、その表面積が大幅に増加している。従って、コイル部材１６０の表面電位を上昇させることなく電流量を増加させることができる。このため、コイル部材１６０から発生する高周波磁束の密度を増加させることができるので、この高周波磁束により基板支持部材１１０を従来より安全に、高温かつ高速に発熱させることができる。 （もっと読む）

【課題】より良質な層膜を高速に対象基板に形成することができる構造の気相成長装置を提供する。
【解決手段】交流の電力が印加されるコイル部材１６０が高周波磁束を発生すると、導電材からなる基板支持部材１１０が渦電流の誘導により発熱するので、これで加熱される対象基板ＣＢの表面に原料ガスにより層膜が形成される。基板支持部材１１０を軸支する回転軸１２０をコイル部材１６０の中心空間に挿通しているので、基板支持部材１１０の中心にコイル部材１６０が対向しない。しかし、回転軸１２０の少なくとも基板支持部材１１０に連結されている部分１２１が導電材なので、この部分１２１もコイル部材１６０の高周波磁束により発熱する。このため、コイル部材１６０が対向していない基板支持部材１１０の中央も良好に発熱させることができ、対象基板ＣＢを均一に加熱して層膜を均質に形成できる。 （もっと読む）

【課題】ガンマ線検出装置用に、極めて高い発光量、蛍光の減衰時間が極めて短い特徴を有するＰｒを含むガーネット型酸化物シンチレータ用単結晶を提供すること。
【解決手段】（Ｐｒ_ｘＬｕ_１−ｘ）_３Ａｌ_ｙＯ_１２で表される初期融液を結晶化して、シンチレータ用単結晶を製造する方法において、前記初期融液のｘが０．０２≦ｘ≦０．０３、ｙが５＜ｙ≦５．２となるように調整することを特徴とするシンチレータ用単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】３０℃から２００℃付近の温度域で蓄熱、放熱が可能で、大きな蓄熱量を有する蓄熱材料を提供する。
【解決手段】蓄熱材料は、一般式Ｋ_２−ｙＭｇ_{（ｙ／２）}Ｔｉ_２Ｏ_５−ｘ・ｎＨ_２Ｏ（０≦ｘ≦1、０<ｙ<０．５）で表記される二チタン酸カリウム塩水和物を主成分とし、前記二チタン酸カリウム塩水和物を水和させたときの前記ｎの最大値を２．７を超える値とする。 （もっと読む）

【課題】蓄熱、放熱が容易で、大きな蓄熱量を有する蓄熱材料を提供する。
【解決手段】蓄熱材料は、一般式Ｋ_２Ｔｉ_２Ｏ_５−ｘ・ｎＨ_２Ｏ（０≦ｘ≦１）で表記される二チタン酸カリウム水和物を主成分とし、前記二チタン酸カリウム水和物を水和させたときの前記ｎの最大値が２．７を超える値である。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の製造方法は、下地基板１０の上にクロム層２０を成膜するクロム層成膜工程と、クロム層２０を１０００℃以上の温度で窒化してクロム窒化物膜３０にする窒化工程とを備え、窒化工程では、下地基板１０とクロム窒化物膜３０との間に中間層が形成される。さらに、クロム窒化物膜３０の上にＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層を成長させる結晶層成長工程を備える。 （もっと読む）