【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体で構成される自立基板の生産歩留まりを改善することを課題とする。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物半導体（Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１））で構成される基板の小片１０Ａ乃至１０Ｄが複数集まった基板小片層１０と、基板小片層１０の第１の面に積層され、複数の小片１０Ａ乃至１０Ｄを結合する、ＩＩＩ族窒化物半導体（Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１））で構成される裏打ち層２０と、を有するＩＩＩ族窒化物半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体で構成される基板を生産する際の歩留まりを改善することを課題とする。
【解決手段】基板の表面から裏面まで貫通する貫通孔２０を有するＩＩＩ族窒化物半導体（Ａｌ_ｘＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｉｎ_ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１））で構成される基板３０と、貫通孔２０の内部に充填され、貫通孔２０を塞ぐ、組成一様のＩＩＩ族窒化物半導体で構成される充填材４０と、を有するＩＩＩ族窒化物半導体基板１０を提供する。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れたＩＩＩ族窒化物半導体基板を製造することを課題とする。
【解決手段】ｃ面よりａ面方向もしくはｍ面方向に角度Ｒ（０°＜Ｒ≦９０°）となる傾斜面を有する酸化物基板、炭化物基板、またはＩＩＩ族窒化物半導体基板を準備する工程と、前記準備した基板１を選択的にエッチングし、平坦面２と、平坦面２より突出している突起部３と、平坦面２より掘り下げられている溝部４と、を形成するエッチング工程と、エッチングされ、平坦面２、突起部３、および、溝部４が形成された基板１上に、ＩＩＩ族窒化物をエピタキシャル成長する成長工程と、を有するＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器に好適に適用できる、蛍光寿命の短いシンチレータ用単結晶を提供すること。
【解決手段】 一般式（１）：
Ｇｄ_{３−ｘ−ｙ}Ｐｒ_ｘＲＥ_ｙＡｌ_５−Ｚ Ｍ_ＺＯ_１２ （１）
（式（１）中、０．０００１≦ｘ≦０．１５、０．６≦ｙ≦２．８、０≦ｚ≦４．８であり、ＭはＧａおよびＳｃから選択される少なくとも１種であり、ＲＥはＹ、ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種である）で表され、
蛍光寿命が２５ナノ秒以下の蛍光成分を有する、シンチレータ用ガーネット型結晶。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好なIII族窒化物半導体単結晶を製造できるサセプタを提供する。
【解決手段】基材５１と、立設部（種結晶保持部）５２とを備える種結晶保持材５において、基材５１表面と、種結晶保持部５２表面とが異なる材料で構成され、基材５１の表面は、立設部５２表面よりも、III族窒化物半導体多結晶が付着しやすい材料で構成されており、立設部５２は、基材５１の表面に設けられ、基材５１の表面から立設部５２が突出している。立設部５２は、基材５１に対し着脱可能であってもよいが、着脱できないものであってもよい。立設部５２の先端面で種結晶２を保持する。基材５１の立設部５２側表面であって、少なくとも立設部５２の基端部側の周囲の部分（被覆材料５１２）は、種結晶２と同種のIII族窒化物半導体で構成される。 （もっと読む）

【課題】安定的に単結晶を得ることができるサセプタおよび種結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】種結晶２を保持するサセプタであって、基材１１と、この基材１１に設けられ、種結晶２を保持する種結晶保持部１２とを有し、種結晶保持部１２が、基材１１に対して着脱可能に設けられている。また、種結晶保持部１２は、基材１１に立設されており、種結晶保持部１２の種結晶２が配置される部分の基材１１からの高さが調整可能である。 （もっと読む）

【課題】大型で結晶性に優れたＢＮＡ（Ｎ−ベンジル−２−メチル−４−ニトロアニリン単結晶およびその誘導体の単結晶の形成方法を提供することを課題とする。
【解決手段】ＢＮＡ（Ｎ−ベンジル−２−メチル−４−ニトロアニリン）、または、ＢＮＡのＮ−ベンジル基をベンジル基以外の芳香族基で置き換えた誘導体からなる単結晶を構成する有機物が溶解した溶液１中から有機単結晶を育成する方法であって、溶液１中にゲル化剤２を投入することによりゲル３を形成し、ゲル３の内部で結晶成長を行うことを特徴とする、有機単結晶の形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】拡大成長させた場合に、結晶性の良好なIII族窒化物半導体単結晶を得ることができるIII族窒化物半導体の種結晶の製造方法、およびIII族窒化物半導体単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】III族窒化物半導体の種結晶の製造方法は、気相成長法により、種結晶形成用部材１上に複数のIII族窒化物半導体の核を離間させて形成し、前記複数の核を成長させて、前記複数の核から複数の種結晶２を得る。 （もっと読む）

【課題】作動などにより温度が大幅に変化しても熱電変換部材と電極部材との接合を良好に維持することができる熱電変換モジュールを提供する。
【解決手段】作動温度などによる電極部材１２１〜１２３の熱応力を熱応力緩和層１４１〜１４４で緩和することができるので、作動温度の熱応力などによる電極部材１２１〜１２３の剥離を良好に防止することができる。しかも、作動温度などによる熱電変換部材１１１，１１２の構成成分の拡散を拡散防止層１５１〜１５４により防止することができるので、熱電変換モジュール１００の耐久性および安定性を向上させることもできる。 （もっと読む）

【課題】従来の単一物質相の熱電変換材料では、熱電変換材料の性能ＺＴを決める材料のゼーベック係数Ｓ、電気抵抗率ρおよび熱伝導率κを独立に制御、また、比較的高い温度、例えば２００℃以上の中高温領域での使用できる熱電性能が優れた複相熱電変換材料を提供する。
【解決手段】Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、及びＢｉからなる群から選択される少なくとも一種以上の元素からなるハーフホイスラーの結晶構造を有する電変換材料において、複数種類の相からなり、第１の相と、第１の相とは異なる種類の第２の相との体積比率が、８０：２０〜２０：８０の範囲内である複相熱電変換材料とする。 （もっと読む）