【課題】ウェーハの研磨時に欠陥の原因となる粗大粒子が従来に比べて大幅に低減された、また、これによりウェーハの研磨時において、ウェーハ表面のナノオーダーの欠陥を低減できる研磨スラリーの供給方法及び供給装置、並びに研磨装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スラリー原液と純水とを混合した研磨スラリーを研磨装置に供給する供給方法であって、計量された前記スラリー原液に対して前記純水を単位時間当たりに所定量加えるように制御しながら前記スラリー原液と前記純水とを混合する工程と、該混合された研磨スラリーを前記研磨装置に供給する工程とを含むことを特徴とする研磨スラリーの供給方法。 （もっと読む）

【課題】切断中にブレードの変位を安定的に抑制でき、これにより切断されたインゴットブロックやウェーハの切断面の品質を安定して保つことができ、ブレードの寿命を延長でき、切断速度を向上できるバンドソー切断装置及びインゴットの切断方法を提供する。
【解決手段】周回駆動されたブレードを静圧パッドによって案内しながら、ブレードをインゴットの上方から相対的に下方に送り出すことによってインゴットを切断するバンドソー切断装置であって、さらに、静圧パッドをブレードの周回方向に対して前後方向に移動させる駆動部と、該駆動部による静圧パッドの移動距離及び移動速度を制御する制御部とを有し、静圧パッドを制御部で移動制御しながらインゴットを切断するものであることを特徴とするバンドソー切断装置。 （もっと読む）

【課題】 気相成長装置の清浄度を高感度で評価することができる清浄度評価方法を提供する。
【解決手段】 気相成長装置の清浄度を評価する方法であって、厚み１０００μｍ以上２０００μｍ以下のシリコンウェーハを準備し、前記気相成長装置を用いて、前記シリコンウェーハ上にシリコンエピタキシャル層を成長させたモニタウェーハを作製し、前記モニタウェーハのライフタイム値を測定し、前記測定したモニタウェーハのライフタイム値から前記気相成長装置の清浄度を評価することを特徴とする気相成長装置の清浄度評価方法。 （もっと読む）

【課題】例えばＣＣＤ、ＣＭＯＳセンサ等の高歩留まりが要求される製品に使用される高品質ウェーハに関して、接合リーク電流特性を高精度で評価することが可能な半導体基板の評価方法および評価用半導体基板を提供する。
【解決手段】評価する半導体基板１に、複数のＰＮ接合５と、該複数のＰＮ接合５同士を分離する分離酸化膜６と、該分離酸化膜６の下に位置するチャネルストップ層３とを形成してから、前記複数のＰＮ接合５における接合リーク電流を測定して評価を行う半導体基板の評価方法。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長の際の裏面クモリ及びピンハローを抑制して、高品質なシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】チャンバー内に配設されたサセプタのウェーハ載置面上にシリコン単結晶基板を載置して、該シリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長させることによりシリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法であって、前記シリコン単結晶基板を載置する前に、前記チャンバー内にシリコン原料ガスを流入させながら、５０秒を超えて３００秒以下の時間で、前記サセプタのウェーハ載置面上にポリシリコン膜を被覆し、その後前記サセプタのウェーハ載置面上に前記シリコン単結晶基板を載置してエピタキシャル成長させるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 気相成長装置の清浄度を高感度で評価することができる清浄度評価方法を提供する。
【解決手段】 気相成長装置の清浄度を評価する方法であって、前記気相成長装置を用いて、シリコンウェーハ上に、該シリコンウェーハの厚みに対する割合が２０％以上１００％以下である厚みを有するシリコンエピタキシャル層を成長させたモニタウェーハを作製し、前記モニタウェーハのライフタイム値を測定し、前記測定したモニタウェーハのライフタイム値から前記気相成長装置の清浄度を評価することを特徴とする気相成長装置の清浄度評価方法。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法（ＣＺ法）による単結晶の製造において、ＬＴ（Ｌｉｆｅ Ｔｉｍｅ）低下やＬＰＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｐｏｉｎｔ Ｄｅｆｅｃｔ）異常の発生がない高品質の単結晶を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法による単結晶の製造方法において、単結晶１２を製造する炉内で使用する少なくとも一つの黒鉛部品のＮｉ濃度が３０ｐｐｂ以下の黒鉛部品を使用して前記単結晶１２を製造する。前記Ｎｉ濃度を分析して用いる黒鉛部品としては、例えば石英ルツボ５に直接に接する黒鉛ルツボ６を分析することが好ましく、さらに、黒鉛ルツボ６を介して石英ルツボ５と間接的に接するルツボ受皿７、及びペディスタル８の少なくとも一つも分析することがより好ましい。 （もっと読む）

【課題】キャリアの厚さの経時変化に影響されず、ウェーハの平坦度を安定的に改善できる両面研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】キャリアに保持されるウェーハを研磨布が貼付された上下の定盤で挟み込み、キャリアを自転及び公転させ、研磨剤を供給しながらウェーハの両面を同時に研磨するウェーハの両面研磨において、高研磨レートで研磨する第１の研磨工程と、次に低研磨レートで研磨する第２の研磨工程とを有する両面研磨方法であって、研磨後にウェーハの平坦度を測定する工程と、平坦度の測定結果に基づいて次回研磨時の第２の研磨工程の研磨条件を設定する工程とを含むことを特徴とする両面研磨方法。 （もっと読む）

【課題】ワイヤソーによるワークの切断において、カーフロスを低減するために砥粒番手＃２０００よりも小さい砥粒径の砥粒を用いる場合においても、砥粒濃度の低下による切断能力の低下、ひいては切断品質の悪化や生産性の低下によるコスト増加を抑制できるスラリー及びこのスラリーの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ローラーミル、又はボールミルで粉砕された砥粒の一部又は全てをジェットミルで再度粉砕することによって前記砥粒の平均円形度を０．９００以上にし、該平均円形度が０．９００以上の砥粒とクーラントとを混合して前記スラリーを製造することを特徴とするスラリーの製造方法及び、スラリーに混合された砥粒の平均円形度が０．９００以上であることを特徴とするスラリー。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、気相成長装置内の汚染不純物の種類によってモニタウエーハの導電型を使い分ける必要なく、高感度で正確に清浄度を評価することのできる気相成長装置の清浄度評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 気相成長装置の清浄度を評価する方法であって、
前記気相成長装置を用いて、シリコンウエーハ上に導電型がＰ型のエピタキシャル層とＮ型のエピタキシャル層を順不同で連続して成長させたモニタウエーハを製造して、該モニタウエーハのライフタイム値を測定し、
前記モニタウエーハのライフタイム値から前記気相成長装置の清浄度を評価することを特徴とする気相成長装置の清浄度評価方法。 （もっと読む）