【課題】 本発明は、クリーニング前の昇温時間とエッチング時間を短縮できるエピタキシャルウエーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 チャンバー内にウエーハを載置するサセプタを具備し、チャンバー内を気相エッチングによりクリーニングするコールドウォールタイプの気相成長装置を用いてエピタキシャルウエーハを製造する方法であって、
前記クリーニング前の昇温時に、前記サセプタを前記チャンバー内壁に近づけ、該チャンバー内壁の温度を上昇させた後に、前記サセプタをもとの位置に戻し、その後、前記チャンバー及び前記サセプタを気相エッチングによりクリーニングし、
該クリーニングされたチャンバー内で、前記ウエーハの主表面にエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウエーハを製造することを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせＳＯＩウェーハの反りを予め算出する方法を提供する。
【解決手段】ボンドウェーハ１とベースウェーハ２とを貼り合わせた後、ボンドウェーハ１を薄膜化することによって、ベースウェーハ２上のＢＯＸ層と、該ＢＯＸ層上のＳＯＩ層とからなる構造のＳＯＩウェーハ３を作製し、エピタキシャル層を成長することによって作製される貼り合わせＳＯＩウェーハの反りを算出する方法であって、シリコン単結晶ウェーハにエピタキシャル成長を行った際に発生する反りＡを算出し、エピタキシャル成長用ＳＯＩウェーハのＢＯＸ層の厚さに起因する反りＢを算出し、さらに、貼り合わせ前のベースウェーハの反りの実測値を反りＣとし、これらの反りの総和（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）を、貼り合わせＳＯＩウェーハの反りとして算出することを特徴とする貼り合わせＳＯＩウェーハの反りを算出する方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、非破壊法かつ簡便にポリシリコン膜の厚さを評価することができるポリシリコン膜の膜厚評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 シリコンウエーハ上のポリシリコン膜の膜厚を評価する方法であって、
ポリシリコン膜を有する試験用シリコンウエーハを２枚以上準備し、それぞれの前記試験用シリコンウエーハのポリシリコン膜に対して、膜厚測定とＸ線回折測定法により回折面からの回折強度測定とを行い、所定の換算係数を用いて前記測定された回折強度を前記測定された膜厚に換算する換算式を求める換算式算出工程と、
その後、前記シリコンウエーハ上の膜厚が未知のポリシリコン膜に対してＸ線回折測定法により回折面からの回折強度測定を行い、該測定された回折強度に基づいて前記換算式により前記シリコンウエーハ上のポリシリコン膜の膜厚を算出する膜厚算出工程とを有することを特徴とするポリシリコン膜の膜厚評価方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、熱処理後のシリコンウェーハに含まれているニッケルの濃度を正確に測定することができるシリコンウェーハのニッケル濃度測定方法を提供する。
【解決手段】 シリコンウェーハのニッケル濃度を測定する方法であって、前記シリコンウェーハに熱処理を施す工程と、該熱処理を施したシリコンウェーハに選択エッチングを行うことで前記シリコンウェーハ表面にシャローピットを顕在化させる工程と、該顕在化させたシャローピットの密度とサイズからシリコンウェーハのニッケル濃度を求める工程とを含むことを特徴とするシリコンウェーハのニッケル濃度測定方法 （もっと読む）

【課題】酸素濃度が異なる場合にも対応して窒素濃度の値を求めることができるシリコン単結晶中の窒素濃度を算出する方法および抵抗のシフト量を算出する方法を提供する。
【解決手段】窒素をドープしたシリコン単結晶中の窒素濃度を算出する方法であって、前記窒素ドープシリコン単結晶における、酸素ドナーを消去する熱処理後の抵抗率と窒素酸素ドナーを消去する熱処理後の抵抗率との差から求められるキャリア濃度差分Δ［ｎ］と、酸素濃度［Ｏｉ］と、窒素濃度［Ｎ］との相関関係を予め求めておき、該相関関係に基づいて、前記キャリア濃度差分Δ［ｎ］と前記酸素濃度［Ｏｉ］とから、窒素ドープシリコン単結晶中の未知の窒素濃度［Ｎ］を算出して求めるシリコン単結晶中窒素濃度算出方法。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板に対して再結合ライフタイムの測定を行うにあたって、信頼性の高い測定値が得られるように前処理を行う方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板の再結合ライフタイムを測定する前に行う前処理方法において、前記シリコン基板を熱処理炉内に搬入する工程と、前記熱処理炉内を酸化性雰囲気下で８００℃以上１２５０℃以下に加熱して前記シリコン基板に酸化膜を形成する工程と、前記熱処理炉内が７００℃以上１０００℃以下の範囲内の温度のときに、前記熱処理炉内から前記シリコン基板を搬出する工程と、前記シリコン基板にシンター処理を行う工程とを含むことを特徴とするシリコン基板の再結合ライフタイム測定の前処理方法。 （もっと読む）

【課題】リフレクタからの熱線を調節してシリコン単結晶基板を面内均一に加熱し、膜厚が均一なエピタキシャル層を成長させることができる装置を提供することを目的とする。
【解決手段】サセプタの上下に各々配置され、放射状に円形に並べられた複数の棒状の単体ヒータを有するヒータと、上のヒータの上側及び前記下のヒータの下側に各々配置された上下のドーナツ状リフレクタとを備え、上下のドーナツ状リフレクタの少なくとも一つは、ヒータの熱放射を収束させる収束反射板部と熱放射を分散させる分散反射板部とを有し、収束反射板部は棒状の単体ヒータに沿って形成された円筒凹面を有し、かつ該円筒凹面はドーナツ状リフレクタの径方向で異なった曲率半径の断面の部分を有するものであるエピタキシャル成長装置。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせ面が露出していないブリスター部分の貼り合わせ面を、直接的に観察することのできる評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】支持基板と、該支持基板に貼り合わされた薄膜とを有する貼り合わせ基板の貼り合わせ面の評価方法であって、前記貼り合わせ基板に存在するブリスター部分の薄膜を除去することによって該ブリスター部分の貼り合わせ面を露出させ、該露出した貼り合わせ面を分析することを特徴とする貼り合わせ基板の貼り合わせ面の評価方法。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせウェーハを製造する際、貼り合わせ直後にウェーハ周辺部に発生したボイドの個数・総面積を効率良く低減することができる貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ボンドウェーハの表面とベースウェーハの表面とを、直接あるいは絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウェーハを薄膜化して貼り合わせウェーハを作製する貼り合わせウェーハの製造方法において、前記ボンドウェーハとベースウェーハの貼り合わせ後、３０℃以上６０℃以下の温度範囲で所定時間保持した後に、前記ボンドウェーハの薄膜化を行うことを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ層をサファイア下地基板から簡単に剥離できるようにしたＧａＮ自立基板の製造方法の提供。
【解決手段】サファイア下地基板上にＧａＮ層を気相成長させる工程と、前記ＧａＮ層から前記サファイア下地基板を、前記成長中の反りもしくは降温中の熱応力によって前記下地基板を破壊することで除去する工程と、を含む、ＧａＮ自立基板を製造する方法において、前記サファイア下地基板が、面方位が（１１−２０）面であるａ面サファイア下地基板１０であり、前記サファイア下地基板の表面もしくは裏面に前記サファイア下地基板全面を横断するように溝を形成し、前記溝が前記a面サファイア下地基板の劈開しやすい面方向に形成されているようにした。 （もっと読む）