【課題】半導体チップと基板の電極部どうしをワイヤボンディング接続するワイヤループのループ形状に応じた高さ測定が行えるワイヤボンディング装置を提供する。
【解決手段】ＣＰＵ６は、ボンディング機構１によるワイヤボンディング接続後、電圧が印加されたボンディングワイヤ５を保持するボンディングツール２をＺ軸方向へ移動させて導通検出部８がワイヤループ１６との導通を検出した位置で、ボンディングツール２のＺ軸方向への移動量より基準面からのワイヤループ１６の高さ測定を行う。 （もっと読む）

銀源としてシアン化物を用いた電解銀めっき液において、Ａｓ，Ｔｌ，ＳｅおよびＴｅの化合物を光沢剤として１種以上含有し、ベンゾチアゾール骨格もしくはベンゾオキサゾール骨格を有する光沢調整剤を含有することを特徴としている。このめっき液は、光沢剤の高速性を最大限に生かしながら、電流密度に影響されずに安定な無光沢または半光沢のめっき外観が得られ、かつ、管理が容易である。 （もっと読む）

【課題】めっき金属を充填するヴィア用凹部等を容易に形成でき、配線基板の製造コストの低コスト化を図ることのできる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】配線パターン用溝を形成するパターン用突出部６４とヴィア用突出部７０が形成された一対の成形型を用い、前記一対の成形型を型閉じして形成されたキャビティ内に挿入されたコア基板３０のパッド面に、ヴィア用突出部７０の先端面を当接した後、前記キャビティ内に樹脂６６を充填し固化して、配線パターン用溝と前記パッドが底面に露出するヴィア用凹部とを具備する樹脂層をコア基板３０の両面側に形成し、次いで、前記樹脂層に電解めっきを施して、前記配線パターン用溝及びヴィア用凹部にめっき金属を充填して成る金属層を樹脂層面に形成し、その後、前記樹脂層の表面と同一面に前記配線パターン及びヴィアの表面が露出するように、前記配線パターン用溝及びヴィア用凹部の内壁面を除く樹脂層の表面に被着した金属層を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 光透過窓体をキャップ本体に封着する封着材として鉛を含有しない低融点ガラスを使用して、製造工程における無鉛化を図るとともに、十分な気密性、耐湿性を備え、信頼性の高い半導体装置用キャップを提供する。
【解決手段】 光透過孔１２ａが設けられたキャップ本体に、前記光透過孔１２ａを閉塞して、光透過窓体１４が低融点ガラス１６を封着材として封着された半導体装置用キャップ１０において、前記低融点ガラス１６が無鉛のバナジン酸塩系の低融点ガラスからなり、前記光透過窓体１４が、前記低融点ガラス１６に含有されるバナジウム（Ｖ）と前記キャップ本体１２の表面に被着された金属との共晶反応により形成された共晶合金層を介して封着されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、貫通部を有した基板と、外部接続端子を有した半導体素子とを接着剤で接着し、前記貫通部に配設される導電体により外部接続端子と基板とが接続される半導体装置に関し、半導体素子と基板との間の接着性を向上できると共に、製造コストを低減することのできる半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 半導体素子６５の電極パッド６７上にスタッドバンプ７５を設け、ペースト状接着剤６９が電極パッド６７側に流れ出た際、ボンディングワイヤ７０と接続される部分７５Ａがペースト状接着剤６９から露出されるようスタッドバンプ７５の高さを設定し、スタッドバンプ７５とボンディングパッド５９とをボンディングワイヤ７０により接続する。 （もっと読む）

【課題】 光導波路と電気配線を有する、加工が容易で信頼性の高い積層型基板を提供する。
【解決手段】 第１の配線と光導波路とを備えた第１の基板と、前記第１の配線に接続される第２の配線を備えた、前記第１の基板が設置される第２の基板と、を有する積層型基板であって、前記光導波路は周囲を絶縁層で覆われ、前記第１の配線は、当該絶縁層を貫通して形成されていることを特徴とする積層型基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の一面側に形成された半導体素子の電極端子と、この半導体基板の他面側に形成された外部接続端子用のパッドとを電気的に接続する距離を可及的に短距離にできる半導体装置を提供することにある。
【解決手段】半導体素子１２が一面側に造り込まれた半導体基板１０の半導体素子形成面側には、半導体素子１２の電極端子１２ａから半導体基板１０と電気的に絶縁されて延出されたパターン１４と、半導体素子１２及びパターン１４を覆う絶縁層１６とが形成され、 半導体基板１０の他面側には、パターン１４と電気的に接続された外部接続端子用のパッド３２が形成された半導体装置であって、該半導体基板１０の他面側に開口され且つ底面にパターン１４の半導体素子近傍の半導体基板側面が露出する凹部は、その側壁面を覆う絶縁層２２と、パターン１４の半導体基板側面に一端部が接続されていると共に、他端部が前記凹部の開口部を覆うように形成されたパッド３２に接続された金属から成る柱状導体部３０とによって充填されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 意図した通りの高解像能力で、安定した描画処理を効率的に実行する描画装置および描画方法を実現する。
【解決手段】 描画対象面５０の相対移動方向に複数の描画素子が並ぶ設計上の間隔が描画データにおける単位画素間隔の整数倍となるよう設計された描画エンジン３０を用いて描画対象面５０上に直接描画することで、所望の描画パターンを形成する描画装置１は、描画素子間の設計上の間隔と実際の間隔との相違を用いて描画データを補正して補正済み描画データを生成する補正手段１１と、実際の間隔を上記整数で除算することで得られる実測画素間隔に相当する距離だけ描画対象面５０が相対移動するごとに、描画エンジン３０が一度に描画可能な描画対象面５０上の描画ブロックへの直接描画に必要な分だけの補正済み描画データを、描画エンジン３０へ供給する供給手段１２と、を備え、補正済み描画データに基づいて描画パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体素子を高密度に搭載する基板、半導体装置、基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法に関し、半導体素子と基板との間隙に十分な厚さのアンダーフィル樹脂を均一に配設することができ、かつ半導体素子を基板に対して精度良く接続することのできる基板、半導体装置、基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 基材４１の面４１側の貫通ビア部４７の端部、及び接続パッド４９を基材４１の面４１Ａと面一となるよう構成し、基材４１の面４１Ａに接続パッド４９を露出するソルダーレジスト５７を設け、接続パッド４９に拡散防止膜５６を設け、拡散防止膜５６を介して、半導体素子６３のはんだバンプ６５を接続パッド４９に接続し、半導体素子本体６４と基板４０との間隙６７にアンダーフィル樹脂６６を配設する。 （もっと読む）

【課題】 金属のマスキングによって多段のエッチングを施し、高アスペクト比を持つ金属パターンを形成することのできる、金属板パターンの形成方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 銅板（１０）の両面又は片面に銀めっき層（１２）を形成し、更にその上に銅めっき層（１４）を銀めっき層より厚く形成し、その上にＤＦＲを塗布してパターニングし、このレジストパターンをマスキングとして銅めっき層をエッチングし、このめっき銅パターン（１４ａ）をマスキングとして銀めっき層をエッチングして銀めっきパターン（１４ａ）を形成し、更にこれをマスキングとして、銅板のハーフエッチング、ポジ型レジストの塗布、露光・現像後、銀めっきパターンの下部のポジ型レジストを保護し、再度ハーフエッチングを施す。最終的に、マスキングとして使用したレジストや銀めっきパターンを除去して金属パターン（２０）を得る。 （もっと読む）