【課題】 本発明は、半導体素子の外部接続端子と接続されるボンディングワイヤを通過させるための貫通部を有した基板及び半導体装置に関し、半導体素子と基板との間の接着性を向上できると共に、製造コストを低減することのできる基板及び半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 基板５１の半導体素子６５が接着される側の基材５２の面５２Ｂの貫通部５３の近傍に、貫通部５３を挟むよう一対のダム６２を設け、一対のダム６２と半導体素子本体６６とが接触するように、基板５１と半導体素子６５とをペースト状接着剤６９で接着した。 （もっと読む）

【課題】 本発明は電子部品が内蔵されると共にこの電子部品に接続される配線が形成されたビルドアップ層を有する電子部品内蔵基板の製造方法に関し、支持体を配線としても用いることを可能とすることを課題とする。
【解決手段】 ビルドアップ層１８，１９内に電子部品１５が内蔵された電子部品内蔵基板の製造方法であって、導電性材料よりなる支持体１０に電気的に接続するよう内蔵電子部品１５を配設する工程と、内蔵電子部品１５が配設された支持体１０上にこの内蔵電子部品１５を内蔵するようビルドアップ層１８，１９を形成する工程と、支持体１０を整形することにより内蔵電子部品１５と接続した上部配線２２を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 各種半導体装置において用いられる基板上下面の確実な電気的接続を可能にする、基板に設けたスルーホールにめっきにより金属材料を充填する方法を提供すること。
【解決手段】 スルーホール１３を設けた基板１１の片面に導電性粘着剤１５を介して金属箔（又は金属フィルム）１７を貼付し、スルーホール１３内に露出する導電性粘着剤１５の一部を除去し、そして金属箔１７を電極として使用するめっきによりスルーホール１３内に金属材料２１を充填する。好ましくは、導電性粘着剤１５と金属箔１７が一体になったテープ等の材料を使用して、導電性粘着剤１５を介し金属箔１７を基材１１に貼付する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、基材に形成された貫通孔に貫通ビアを設けた基板の製造方法に関し、給電層除去工程において、貫通ビアがエッチングされることを防止することのできる基板の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 貫通孔３４が形成されたシリコンからなる基材３１に絶縁層３２を設け、基材３１の面３１Ｂに接続パッドを設けるための開口部４１Ａを有したフィルム状レジスト４１を設け、フィルム状レジスト４１にＣｕめっき膜４９及びＮｉめっき膜からなる給電用めっき層４８を備えたフィルム状部材４５を貼り付けて、電解めっき法により接続パッド及び貫通ビアとなるめっき膜５１を形成後、エッチングにより給電用めっき層４８の除去を行う。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、半導体素子の電気的特性の検査を行う検査装置と半導体素子との間や、半導体素子と基板との間を電気的に接続する接続端子の製造方法に関し、接続端子の加工精度を向上できると共に、接続端子の生産性を向上させることのできる接続端子の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 複数の凹部７４を有した金型７５にレジスト膜８０を塗布し、レーザ描画を用いて、金型７５を露出し、接続端子５０の形状に対応した開口部８３をレジスト膜８０に形成し、電鋳により開口部８３に露出された金型７５上にめっき膜を析出させて、接続端子５０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 電流効率の変動を抑制でき、環境への負荷が小さくて、効率的な銅ストライクめっきを可能にする銅ストライクめっき浴を提供すること。
【解決手段】 本発明の銅ストライクめっき浴は、シアン化銅化合物と、無機酸の塩及び有機酸の塩の１種又は２種以上とを含む。好ましくは、シアン化銅化合物はシアン化銅ナトリウム、シアン化銅カリウム、又はそれらの混合物である。無機酸の塩は、リン酸塩、ピロリン酸塩、水酸化アルカリ化合物、ホウ酸塩又は炭酸塩でよく、有機酸の塩は、ギ酸、酢酸、酒石酸、クエン酸、グルコン酸又はＬ−グルタミン酸の塩でよい。リン酸、ピロリン酸、ホウ酸又は炭酸等の無機酸、あるいはギ酸、酢酸、酒石酸、クエン酸、グルコン酸又はＬ−グルタミン酸等の有機酸を更に含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】 微細配線を実現することができる「配線基板の製造方法」を提供すること。
【解決手段】 ダマシンプロセスを用いた配線形成工程を含む配線基板の製造方法において、下層配線層１０上に形成された層間絶縁層１１に、下層配線層１１に達するビアホールＶＨを形成し、その際に生じたスミアＳＭを除去した後、層間絶縁層１１上に、ビアホールＶＨの上方に位置する所要の配線パターンの形状に従う開口部（配線溝）ＯＰを有するように感光性永久レジスト層１２を形成する。次に、全面にシード層１３を形成し、ビアホールＶＨ及び開口部（配線溝）ＯＰの内部を充填するようにしてシード層１３上に導体層１４を形成した後、感光性永久レジスト層１２が露出するまで導体層１４の表面を研磨して平坦化し、配線パターン１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は基板本体の内部に電子部品が埋設された構造を有する電子部品内蔵基板およびその製造方法に関し、装置内における熱膨張のバランスを取ることにより、熱膨張に起因した反りの発生を抑制することを課題とする。
【解決手段】 基板本体２１Ａの内部に電子部品２５が内蔵された電子部品内蔵基板であって、電子部品２５の厚さ方向（Ｚ１，Ｚ２方向）に対する中心位置ＣＥと、基板本体２１Ａの厚さ方向に対する中心位置が略一致するよう構成する。 （もっと読む）

【課題】 微細な配線を備えるとともに、フォトレジストやドライフィルムレジストの使用に起因した問題を伴うことのない配線基板を提供することにある。
【解決手段】 基板と、その上に形成された露出した配線パターン層とを備えた配線基板において、その配線パターン層が、基板の所定の位置に予め定められた深さで形成された溝に配線パターンの前駆体を堆積した後にその配線パターンの前駆体の過剰量を基板の表面側から除去することによって形成されたものであるように構成するとともに、配線基板が平坦な表面を有しているように構成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は光伝搬部材の上部に光素子や配線が配設される光モジュールの製造方法および光伝搬部材の製造方法に関し、ビアを用いることなく光導波路上の光素子と主基板とを簡単に電気的に接続することを課題とする。
【解決手段】 銅張積層板１０上にビルドアップ層１７，１８を光導波路３２の厚さに相当する層数積層し第１のビルドアップ積層体３１を形成し、この第１のビルドアップ積層体３１に光導波路３２を内蔵するためのキャビティ３０を形成し、次にこのキャビティ３０に光導波路３２を装着し、続いて第１のビルドアップ積層体３１及び光導波路３２上にビルドアップ層３４を形成する。更に、このビルドアップ層３４に光導波路３２と光学的に接続した光通過路５４，５５を形成すると共に、この光通過路５４，５５と光学的に接続されるようＰＤ７４,ＶＣＳＥＬ７５を配設する。 （もっと読む）