【課題】炉本体と処理容器との間の空間内を精度良く微陰圧に保ちながら、この空間内を強制冷却する。
【解決手段】縦型熱処理装置１は、ヒータエレメント１８を有する炉本体５と、炉本体５内に配置され、被処理体ｗを収容して熱処理するための処理容器３を備えている。炉本体５に空気供給ライン５２と空気排気ライン６２とが接続され、空気供給ライン５２に空気供給ブロア５３および空気供給ライン側弁機構５４Ａが配置され、空気排気ライン６２に空気排気ブロア６３および空気排気ライン側弁機構６４Ａが配置されている。圧力検知システム５０によって空間３３内の圧力が検知され、圧力検知システム５０からの検知信号に基づいて制御部５１により空気供給ブロア５３、空気供給ライン側弁機構５４Ａ、空気排気ブロア６３および空気排気ライン側弁機構６４Ａが制御されて空間３３内が微陰圧に保たれる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の基板と、下部電極の基材又はその周辺の構造物との間で放電が発生することを防止することができ、歩留まりを向上させて生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理チャンバーと、処理チャンバー内に設けられ、高周波電力が印加される導電性金属からなる基材を有し、被処理基板が載置される載置台を兼ねた下部電極と、処理チャンバー内に設けられ、下部電極と対向するように配置された上部電極と、下部電極上に、被処理基板の周囲を囲むように配設されたフォーカスリングと、を具備したプラズマ処理装置であって、下部電極の基材とフォーカスリングとの間に、電流制御素子を介して電気的な接続を行い電位差に応じて直流電流を発生させる電気的接続機構を配設した。 （もっと読む）

【課題】構成を複雑化させることなく基板の温度変化を促進することができる基板の載置台を提供する。
【解決手段】ウエハＷを載置するサセプタ１２に設けられ、且つ断面が矩形の媒体流路２６において、載置されたウエハＷから再遠方の内面である底面２６ａの全部、並びに、該底面２６ａに隣接する２つの内面である側面２６ｂ，２６ｃのそれぞれにおける略下半分が樹脂からなる低熱伝導層３５で覆われ、該低熱伝導層３５の厚さは、例えば、１ｍｍ乃至２ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】基板の全域を均一に洗浄処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置１は、洗浄液を貯留する洗浄槽１０と、基板Ｗを保持して洗浄液に浸漬させる基板保持装置２０とを備えている。このうち基板保持装置２０は、個別に移動自在な第１基板保持部２０ａと第２基板保持部２０ｂとを有している。第１基板保持部２０ａおよび第２基板保持部２０ｂは、第１保持棒２１ａ、２１ｂと、基板Ｗの中心を通る垂直方向軸線に対して第１保持棒２１ａ、２１ｂとは反対側に設けられた第２保持棒２２ａ、２２ｂとをそれぞれ有している。 （もっと読む）

【課題】異なる温度に調整される２つ以上の領域を有する構造体であって、水平方向の熱伝導を抑制すると共に、垂直方向からの入熱に対してはスムーズな熱の移動を確保して熱的特異点の発生を抑制することができる複数領域温度分割制御構造体を提供する。
【解決手段】表面温度がそれぞれ異なる温度に制御されるセンターエリア５１及びエッジエリア５２と、その間に配置され、センターエリア５１とエッジエリア５２の配列方向に沿った熱伝導率が、配列方向に交差する方向における熱伝導率よりも小さく、水平方向の熱伝導に対して、例えば断熱材として機能し、且つ垂直方向の熱伝導に対して、例えば熱伝導材として機能する傾斜材５６を配置する。 （もっと読む）

【課題】互いに温度の異なる基板を搬送する場合において、搬送アーム上における位置ずれを抑えながら高い効率で基板を搬送すること。
【解決手段】第１の搬送アーム１１の突起１５の材質として第２の搬送アーム１２の突起１５よりも摩擦係数の大きい樹脂またはゴムを用いると共に、第２の搬送アーム１２の突起１５の材質として第１の搬送アーム１１の突起１５よりも耐熱温度の高いセラミックスを用いる。そして、第１の搬送アーム１１の突起１５の耐熱温度以下の温度のウエハＷを搬送する場合には第１の搬送アーム１１を用い、また第１の搬送アーム１１の突起１５の耐熱温度よりも高い温度のウエハＷを搬送する場合には、第２の搬送アーム１２により当該第１の搬送アーム１１の搬送速度よりも遅い速度で搬送する （もっと読む）

【課題】作業工数、特に、孔加工工数を低減することができる基板処理装置用の多孔板の製造方法を提供する。
【解決手段】予め多数の第１の貫通孔４２が形成されたカーボン基台４１の表面に、化学蒸着（ＣＶＤ）法によって、例えば厚さ５ｍｍのＳｉＣ膜４３を形成させ、その後、第１の貫通孔４２に対応する第２の貫通孔４４が多数設けられた表層の多孔ＳｉＣ膜４３を切り出し、加熱してＳｉＣ膜４３に付着したカーボンを燃焼、除去し、必要に応じて表面を研削し、また表面処理を施す。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハに形成された複数の半導体チップの全領域を覆うプローブカードでもウエハチャックの傾きを確実に補正することができるウエハチャックの傾き補正方法及びプローブ装置を提供する。
【解決手段】本発明のウエハチャックの傾き補正方法は、複数の半導体チップＴに、半導体チップ一つ分の接触荷重を付与した時の上記ウエハチャックの傾きを補正する補正量を予め算出し、上記各補正量をデータ記憶部に記憶させる第１の工程と、複数のプローブ１４Ａと半導体ウエハＷを電気的に接触させる第２の工程と、複数のプロープ１４Ａと半導体ウエハＷが電気的に接触した時に、複数のプローブ１４Ａが接触する複数の半導体チップＴそれぞれの補正量を計算し、これらの補正量を加算してウエハチャックの傾きの補正量としての全補正量を算出する第３の工程と、全補正量に基づいてウエハチャック１３の傾きを補正する第４の工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ボーイング形状の発生を防止してマスク層に良好な垂直加工形状のホールを形成し、且つマスク層としての残膜量を確保することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象層上にマスク層５２及び中間層５４が積層されたウエハＷを、チャンバ１１に収容し、チャンバ１１内で処理ガスのプラズマを発生させ、このプラズマを用いてウエハＷにエッチング処理を施し、中間層５４及びマスク層５２を介して処理対象層にパターン形状を形成する基板処理方法において、処理圧力を５ｍＴｏｒｒ（９．３１×１０^−１Ｐａ）以下、ウエハＷの温度を−１０℃〜−２０℃とし、さらにプラズマを発生させるための励起電力を５００Ｗとしてマスク層５２をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内を汚染することなく、且つ基板載置台に余分な孔を設けることなく、基板載置台で支持するウエハ温度を正確に測定することができる基板載置台を提供する。
【解決手段】ウエハＷを載置する載置面９０ａと、ウエハＷをリフトピン８４によって載置面９０ａから持ち上げる基板持ち上げユニット８０と、リフトピン８４内部を光路として低コヒーレンス光からなる測定光８８をウエハＷに照射し、ウエハＷの表面及び裏面からの反射光をそれぞれ受光する光照射・受光ユニット８７とを有し、光照射・受光ユニット８７は、基板持ち上げユニット８０のベースプレート８６に固定されている。 （もっと読む）