【課題】ドライエッチングによるチップ分離法の特徴を生かしたチップ分離方法と搬送方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体素子また半導体集積回路が形成されたウエハー１００から当該半導体素子または当該半導体集積回路を分離する方法であって、当該ウエハー１００の表面に、分離のために除去される線状の部分を露出させたマスク層を形成する工程と、当該露出部分をウエハーの厚みの３分の２以上の深さまでエッチングする工程とを含み、分離されたあとの個々の当該半導体素子または当該半導体集積回路の一つの群に他と識別できる形状を与えることを特徴とする方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板に薬液を滴下し、基板を回転することによって基板を処理する基板処理装置であって、当該基板処理装置内の環境を大きく乱すことなく浮遊ミストを低減することが可能な基板処理装置およびこれを備える塗布現像システムを提供する。
【解決手段】基板に薬液を滴下し、基板を回転して基板を処理する基板処理装置が開示される。この基板処理装置は、基板の裏面を保持する基板保持部と、基板保持部を回転する基板回転部と、基板保持部に保持される基板に薬液を滴下する薬液滴下部と、凹形状を有し、基板保持部に保持される基板を囲むように設けられるカップ部と、基板保持部に保持される基板とカップ部の内周面との間に配置される吸気ポートと、基板回転部により駆動されるとともに、吸気ポートと連通して吸気ポートより吸引される気体を基板保持部の下方の空間に吐出する気体吐出部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】被処理基板が反っていても水平に保持することができ、被処理基板の位置ずれや反り量のばらつきを吸収することができるようにすることである。
【解決手段】左右一対の前側支柱２６と、左右一対の後側支柱２７とを有し、これら前側支柱２６および後側支柱２７に被処理基板ｗを前方から挿入可能で且つ上下方向に所定の間隔で保持可能な複数の溝２８，２９を形成してなる基板保持具９において、前側支柱２６の前記溝２８上の支持面２８ａを前後方向の中心線ｃ１に対して接近すべく斜め前方に延長させ、互いに接近した前側支柱２６の支持面２８ａの先端における被処理基板ｗの支持点３０，３０間の寸法Ｘ２を、前記後側支柱２７の支持面２９ａの先端における被処理基板ｗの支持点３１，３１間の寸法Ｙ２と同じにした。 （もっと読む）

【課題】基板の上面側からガスを供給するとともに基板の下面側から処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する液処理装置において、トッププレートの位置を精度良く位置決めすることができる液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの上面側からガスを供給するとともに基板Ｗの下面側から処理液を供給し、供給された処理液により基板Ｗの下面を処理する液処理装置２２において、上面に開口１０５を有する処理容器１００と、処理容器１００内に設けられ、基板Ｗの周縁部ＷＥを支持する支持部７０、７２と、昇降可能に設けられ、下降した状態で開口１０５を塞ぐ天板部１１０と、天板部１１０が下降する際に、処理容器１００に対する天板部１１０の相対位置を所定の位置に位置決めする位置決め機構１３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの面内におけるウェハの温度検知をより的確に行なうことができるウェハ型温度検知センサを提供する。
【解決手段】ウェハ型温度検知センサ２１は、温度検知用のウェハ１６の上面１８に貼付される回路基板２２と、回路基板２２に搭載されており、温度検知用のウェハ１６の温度を検知する温度検知ユニット２３と、回路基板２２に搭載されており、温度検知ユニット２３により検知した温度検知用のウェハ１６の温度のデータを、温度検知用のウェハ１６の外部に送信可能なウェハデータ通信ユニット２４と、温度検知用のウェハ１６の上面１８内における複数の異なる個所に埋め込まれるようにして設けられ、埋め込まれた各位置における温度に関するデータを検出する温度データ検出部２８とを含む。ここで、回路基板２２の線膨張係数と、温度検知用のウェハ１６の線膨張係数とは、同等である。 （もっと読む）

【課題】 各種処理における処理時間を短縮しても生産性が頭打ちになる事情を抑制できる被処理体処理装置を提供すること。
【解決手段】 複数の被処理体を搬送する第１の搬送装置３４が配置された搬送室３１と、搬送室３１の周囲に設けられ、複数の被処理体に処理を施す処理室３２と、搬送室３１と処理室３２との間に設けられ、第１の搬送装置３４が搬送してきた複数の被処理体を搬送装置３４から移載して処理室３２に搬送する第２の搬送装置３７が配置された移載室３３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ、被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板保持部３４は液体により表面が濡れた状態の被処理基板Ｗを横向きに保持した状態で処理容器３１内に搬入し、このとき前記基板保持部３４と一体に形成され蓋部材３４１が処理容器３１の開口部３１１を塞ぐ。雰囲気形成部７１１、３９は前記処理容器内を超臨界流体の雰囲気とした後、姿勢変換機構６が処理容器３１の姿勢を変換して、当該処理容器３１内の被処理基板Ｗを縦に向ける。これにより被処理基板Ｗの上面の液体が流下して排出部から排出され、その後、排気部７３１より超臨界流体を排出することにより処理容器３１内を減圧して当該超臨界流体を気体とし、乾燥された被処理基板を得る。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】載置部４２には、パターンの形成された面を上面として、当該上面が液体により濡れた状態で被処理基板Ｗが横向きに載置され、基板搬送機構４１は、載置台４２からこの被処理基板Ｗを受け取って、液槽３２内の液体中に浸漬するにあたり、前記パターンの形成領域の上端が当該液体に接触した時点において、このパターン形成領域の上端の板面に液体が残るように当該被処理基板Ｗを縦向きの状態に変換してから液体に浸漬する。処理容器３１では、この液槽３２を内部に格納した状態で、当該液槽３２内の液体を超臨界状態の流体に置換することにより、被処理基板Ｗを乾燥する処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ、被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】処理容器３１内では、被処理基板Ｗが縦向きの状態で液体内に浸漬されており、この液体を超臨界状態の置換流体により押し出して処理容器３１より排出する。しかる後、液体と置換された後の置換流体を処理容器３１から排出して当該処理容器３１内を減圧し、この置換流体を超臨界状態から気体に遷移させることにより被処理基板Ｗを乾燥する。 （もっと読む）

【課題】載置台に大きな熱応力が発生することを防止して破損を阻止し、更に載置台の裏面に被処理体の面内温度不均一性の原因となる不要な膜が付着することを防止することができる載置台構造を提供する。
【解決手段】被処理体を載置するための載置台構造において、載置台本体の上に被処理体を載置するための熱拡散板を支持させると共に、両者の境界部分にガス拡散室を設けてなる載置台と、加熱手段と、上端部が載置台の下面に接続されると共にガス拡散室に連通されてパージガスを流す１又は複数の支柱管６０と、載置台本体の側面と下面とを覆うようにして設けられた載置台カバー部材６３と、支柱管の周囲を囲むと共に上端部が載置台カバー部材に連結されて、ガス拡散室から載置台本体と載置台カバー部材との間の隙間に流れたパージガスを下方へ案内してガス出口１９６から排出する支柱管カバー部材６５とを備える。 （もっと読む）