【課題】基板における二酸化硅素膜をプラズマでエッチングする際、電極に設けられた誘電体の消耗を抑制することができる誘電体の厚さ設定方法を提供する。
【解決手段】サセプタ１２に対向する上部電極２４と、該上部電極２４に設けられた二酸化硅素からなる誘電体２６とを備え、ウエハＷに形成された二酸化硅素膜をプラズマでエッチングする基板処理装置では、サセプタ１２へ印加されるバイアス電力の電力値と、チャンバ１１内におけるＡ／Ｃ比とに基づいて、上部電極２４に誘電体２６が設けられていない場合の誘電体２６に対向するプラズマの電位が推定され、該推定されたプラズマの電位へ、誘電体２６の容量及び該誘電体２６の表面近傍に生じるシースの容量を合成したときの容量低下率を乗じて得られるプラズマの電位が１００ｅＶ以下となるように、誘電体２６の厚さが設定される。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部と中心部の温度管理・温度制御をそれぞれ独立して精密に行うことが可能であり、かつ配管構成を簡素化した基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を真空処理空間において処理する基板処理装置であって、少なくとも２枚以上の基板を載置する基板載置台を備え、前記基板載置台は載置される基板の数に対応する数の基板載置部から構成され、前記基板載置部には載置された基板の中央部を冷却させる中央温調流路と、基板の周縁部を冷却させる周縁温調流路と、が互いに独立して形成され、前記基板載置台には前記周縁温調流路に温調媒体を導入させる温調媒体導入口が１つ設けられ、前記周縁温調流路から温調媒体を排出させる温調媒体排出口が載置される基板の数に対応する数だけ設けられる、基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板面内における現像処理後のレジスト残膜の均一性を向上し、配線パターンの線幅及びピッチのばらつきを抑制する。
【解決手段】基板搬送手段２０と、被処理基板Ｇに対する露光処理空間を形成するチャンバ８と、基板搬送方向に交差する方向にライン状に配列された複数の発光素子Ｌを有し、下方を搬送される被処理基板上の感光膜に対し、前記発光素子の発光により光照射可能な光源４と、前記光源を構成する複数の発光素子のうち、１つまたは複数の発光素子を発光制御単位として選択的に発光駆動可能な発光駆動部９と、前記基板搬送手段により搬送される前記被処理基板を検出する基板検出手段３０と、前記基板検出手段による基板検出信号が供給されると共に、前記発光駆動部による前記発光素子の駆動を制御する制御部４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスなどで取り外された蓋体を一時的に置いておくスペースを収容器上に設けることで，クリーンルームなどの省スペース化を図る。
【解決手段】被処理体を収容する収容室として搬送室２００とロードロック室１０２を備え，搬送室２００の容器２１０は，開口部２１４を有する天井部２１２と，その開口部２１４を着脱自在に閉塞する蓋体２５０とを設け，その天井部２１２には，他容器であるロードロック室１０２の容器１１０から取り外した蓋体１２０を一時的に載置するための第一蓋体載置領域Ｙと，自容器である搬送室２００の容器２１０から取り外した蓋体２５０を一時的に載置するための第二蓋体載置領域Ｘとを設けた。 （もっと読む）

【課題】処理雰囲気を適切に制御しつつ、金属混合液を用いて基板上に金属膜を適切に形成する。
【解決手段】金属膜形成装置１の処理容器１０の内部は、不活性ガスの大気圧雰囲気又は減圧雰囲気に切り換え可能になっている。処理容器１０の内部には、ウェハＷを保持するスピンチャック２０と、ウェハＷの側方を囲むように設けられたカップ体３１と、ウェハＷ上に金属混合液を吐出する塗布ノズル６０と、ノズル駆動部６５の動力を塗布ノズル６０に伝達するノズル伝達部６４と、塗布ノズル６０を待機させるノズルバス６６とが設けられている。処理容器１０の外部には、水平方向より所定の角度で傾斜した方向に沿って、スピンチャック２０とノズルバス６６との間で塗布ノズル６０を移動させるためのノズル駆動部６５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】薬液処理時に処理槽内の薬液の温度を均一にして、複数の基板を均一に薬液処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置１は、互いに対向する一対の側壁１０ａ、１０ｂを有し、薬液を貯留して複数の基板を薬液処理する処理槽１０と、複数の基板を起立させて保持する保持部２１と、保持部２１に連結され、処理槽１０内に搬入された際に、保持部２１に保持された基板と処理槽１０の一方の側壁１０ａとの間に介在される背部２２とを有し、保持部２１に保持された基板を薬液に浸漬させる基板保持機構２０とを備えている。処理槽１０に、貯留された薬液を加熱する加熱器８０が設けられている。この加熱器８０は、一方の側壁１０ａに設けられた第１加熱器８１と、他方の側壁１０ｂに設けられた第２加熱器８２と、を有しており、第１加熱器８１の出力と第２加熱器８２の出力は個別に制御される。 （もっと読む）

【課題】トラップ機能とバイパス機能とを有する小型のトラップ装置を低コストで提供する。
【解決手段】基板を処理するためのガスを導入するためのガス供給部が接続されているチャンバーと、前記チャンバー内のガスを排気するための排気部との間に設けられたトラップ装置５０であって、前記チャンバーと接続される吸入口５２と、前記排気部と接続される排出口５３と、第１の空間５７を有するバイパス部５１と、前記ガスに含まれる未反応成分を冷却して凝固させて除去する第２の空間６１を有する冷却トラップ部６０と、を有し、前記ガスは、第１の状態では前記第１の空間５７を介し流れ、第２の状態では前記第２の空間６１を介し流れるものであって、前記冷却トラップ部６０に対し第１の流路５５及び第２の流路５６を、回転部５４により相対的に移動させることにより、前記第１の状態と前記第２の状態とを切り替える。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコンに対する微結晶シリコンの存在比の高い微結晶シリコン層を短時間で形成することができ、製造時間の短期化を図ることのできる太陽電池の製造方法及び太陽電池を提供する。
【解決手段】ガラス基板にアモルファスシリコン層を形成する工程と、前記アモルファスシリコン層に積層するように、アモルファスシリコンに対する微結晶シリコンの存在比が所定値より少ない微結晶シリコン層を形成する工程と、アモルファスシリコンより微結晶シリコンの吸収係数が高い所定波長域の光を照射し、前記微結晶シリコン層を加熱して結晶化を行い、アモルファスシリコンに対する微結晶シリコンの存在比を前記所定値とする結晶化工程と、を具備する太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板に噴霧される液体の液滴の噴霧範囲を広くすることができる二流体ノズル、基板処理装置、液体の液滴の生成方法、および基板処理方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル４０の本体部４２の下方において、ガス吐出口４６ｂから下方に吐出される旋回流の液滴生成用ガスと液体吐出口４４ｂから下方に吐出される液体とが混合されて液体の液滴が生成されるようになっている。また、ガス吐出口４６ｂから下方に吐出される液滴生成用ガスにおける旋回流の内側の圧力を調整する圧力調整部が本体部４２に設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板の処理を行う処理部を複数備えた基板処理装置において、複数の基板処理を効率よく行う。
【解決手段】現像装置３０は、ウェハＷを保持して回転させるスピンチャック２１０と、ウェハＷの側方を囲むように設けられたカップ体２２０とを備えた処理部１３０と、ウェハＷ上に第１の現像液を吐出する第１の現像液ノズル１５１と、ウェハＷ上に第２の現像液を吐出する第２の現像液ノズル１５２と、第１の現像液ノズル１５１と第２の現像液ノズル１５２を共に支持する共有アーム１５０とを有している。第１の現像液ノズル１６１から斜め下方に吐出される第１の現像液の吐出方向と第２の現像液ノズル１６２から斜め下方に吐出される第２の現像液の吐出方向は、平面視において、それぞれウェハＷの回転方向と同一方向である。 （もっと読む）