【課題】基板における二酸化硅素膜をプラズマでエッチングする際、電極に設けられた誘電体の消耗を抑制することができる誘電体の厚さ設定方法を提供する。
【解決手段】サセプタ１２に対向する上部電極２４と、該上部電極２４に設けられた二酸化硅素からなる誘電体２６とを備え、ウエハＷに形成された二酸化硅素膜をプラズマでエッチングする基板処理装置では、サセプタ１２へ印加されるバイアス電力の電力値と、チャンバ１１内におけるＡ／Ｃ比とに基づいて、上部電極２４に誘電体２６が設けられていない場合の誘電体２６に対向するプラズマの電位が推定され、該推定されたプラズマの電位へ、誘電体２６の容量及び該誘電体２６の表面近傍に生じるシースの容量を合成したときの容量低下率を乗じて得られるプラズマの電位が１００ｅＶ以下となるように、誘電体２６の厚さが設定される。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部と中心部の温度管理・温度制御をそれぞれ独立して精密に行うことが可能であり、かつ配管構成を簡素化した基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を真空処理空間において処理する基板処理装置であって、少なくとも２枚以上の基板を載置する基板載置台を備え、前記基板載置台は載置される基板の数に対応する数の基板載置部から構成され、前記基板載置部には載置された基板の中央部を冷却させる中央温調流路と、基板の周縁部を冷却させる周縁温調流路と、が互いに独立して形成され、前記基板載置台には前記周縁温調流路に温調媒体を導入させる温調媒体導入口が１つ設けられ、前記周縁温調流路から温調媒体を排出させる温調媒体排出口が載置される基板の数に対応する数だけ設けられる、基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板面内における現像処理後のレジスト残膜の均一性を向上し、配線パターンの線幅及びピッチのばらつきを抑制する。
【解決手段】基板搬送手段２０と、被処理基板Ｇに対する露光処理空間を形成するチャンバ８と、基板搬送方向に交差する方向にライン状に配列された複数の発光素子Ｌを有し、下方を搬送される被処理基板上の感光膜に対し、前記発光素子の発光により光照射可能な光源４と、前記光源を構成する複数の発光素子のうち、１つまたは複数の発光素子を発光制御単位として選択的に発光駆動可能な発光駆動部９と、前記基板搬送手段により搬送される前記被処理基板を検出する基板検出手段３０と、前記基板検出手段による基板検出信号が供給されると共に、前記発光駆動部による前記発光素子の駆動を制御する制御部４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】凹凸形状部位にもリーク電流が小さく高誘電率のジルコニア系膜を確実に成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体を挿入し、処理容器内を真空に保持した状態とし、処理容器内にジルコニウム原料と酸化剤とをこの順に供給して被処理体上にＺｒＯ膜を形成する第１工程と、前記処理容器内にジルコニウム原料とシリコン原料と酸化剤とをこの順で供給して被処理体上にＳｉがドープされたＺｒＯ膜を形成する第２工程とを、それぞれの回数を調整して実施することにより、膜中のＳｉ濃度を制御しつつ所定膜厚のジルコニア系膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】流路を切替えるための駆動機構の個数を削減することができる流路切替え装置を提供すること。また被処理体を処理する処理流体の専用排出路を切替えるための駆動機構の個数を削減することができる液処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷに対して複数種別の処理流体を互いに異なるタイミングで供給して処理を行う液処理ユニット３から当該液処理ユニット３の雰囲気を排気路３５、流路切替え部５を介して、複数の専用排出路（接続用流路）６１〜６３に排気する。前記流路切替え部５は、外筒５１とその内部に設けられた回転筒５３を備え、前記回転筒５３の３つの開口部５３ａ〜５３ｃは、当該回転筒５３を回転する間に、互いに対応する外筒５１の３つの接続口５１ａ〜５１ｃと回転筒５１の開口部５１ａ〜５１ｃとの組の一つが重なり合って連通しかつ他の組については連通しない状態が各組の間で順番に起こるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１が表面に形成された被処理体Ｗに対して成膜処理を施す成膜方法において、第１の金属よりなる第１の薄膜６０を形成する第１の薄膜形成工程と、前記第１の薄膜を酸化して酸化膜６０Ａを形成する酸化工程と、前記酸化膜上に第２の金属を含む第２の薄膜６２を形成する第２の薄膜形成工程とを有する。これにより、比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成する。 （もっと読む）

【課題】テンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを適切且つ効率よく形成する。
【解決手段】インプリントシステム１は、ウェハ搬入出ステーション２と、ウェハＷ上に第１のレジスト膜を形成するウェハ処理ステーション３と、ウェハＷ上に第２のレジスト膜を形成し、当該第２のレジスト膜に所定のレジストパターンを形成するインプリント処理ステーション４と、複数のテンプレート搬入出ステーション５とを一体に接続した構成を有している。インプリント処理ステーション４は、前記第２のレジスト膜の形成と所定のレジストパターンの形成を行うインプリントユニット６０を複数有している。複数のテンプレート搬入出ステーション５は、インプリントユニット６０毎に設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板に均一なプラズマ処理を施しつつ、一チャンバ複数プロセスの要求に充分応えることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷを収容するチャンバ１１と、チャンバ１１内に配置されウエハＷを載置するサセプタ１２と、サセプタ１２に対向配置された上部電極２４と、サセプタ１２に接続された第１，第２の高周波電源１４，１６とを備え、上部電極２４は接地３６と電気的に接続され、上部電極２４をサセプタ１２に対して移動可能な基板処理装置１０において、上部電極２４に誘電体２６を埋め込んで、処理空間ＰＳに生じるプラズマ及び接地３６の間の電位差を、プラズマ及び誘電体２６の間の電位差、並びに、誘電体２６及び接地３６の間の電位差に分割し、さらに上部電極２４とサセプタ１２との間のギャップＧを変動させることによって、上部電極２４及びサセプタ１２の間のプラズマ密度を変化させる。 （もっと読む）

【課題】テンプレートを用いて、基板上に所定のレジストパターンを適切且つ効率よく形成する。
【解決手段】インプリントシステム１は、ウェハ搬入出ステーション２と、ウェハＷ上に第１のレジスト膜を形成するウェハ処理ステーション３と、ウェハＷ上に第２のレジスト膜を形成し、当該第２のレジスト膜に所定のレジストパターンを形成するインプリント処理ステーション４と、テンプレート搬入出ステーション５とを一体に接続した構成を有している。インプリント処理ステーション４は、複数のインプリントユニット６０と、各インプリントユニット６０にウェハＷとテンプレートＴを搬送する搬送ユニット７０とを有している。搬送ユニット７０は、ウェハＷを保持して搬送するウェハ搬送アームと、テンプレートＴを保持して搬送するテンプレート搬送アームとを有している。 （もっと読む）

【課題】伝熱シートの一部が載置台に付着したまま残るのを防止することができるフォーカスリングを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０においてフォーカスリング２５は、シリコンを成分に含む耐熱性の粘着剤やゴムを基材とする伝熱シート３８を備え、冷媒室２６を有するサセプタ１２に載置されたウエハＷの外周を囲い、且つ伝熱シート３８を介してサセプタ１２のフォーカスリング載置面３９と接触し、伝熱シート３８は、フォーカスリング載置面３９と接触するサセプタ接触面４１に形成された付着防止層４２を有し、付着防止層４２は、サセプタ接触面４１に照射された紫外線によって硬化した伝熱シート３８の一部からなる。 （もっと読む）