【課題】半導体製造に係る基板処理装置に用いられる、新規で有用な石英部材を提供する。
【解決手段】半導体製造に係る基板処理装置に用いられる石英部材１０１であって、前記石英部材自身の金属汚染物質を検出するためのエッチング液を保持する凹状のエッチング液保持部１０２を備えたことを特徴とする石英部材１０１が提供される。 （もっと読む）

【課題】鉛直方向の省スペース化が実現できる基板液処理装置のミスト回収機構を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板を保持する載置台と、前記載置台を回転させる回転駆動部と、前記載置台に載置される基板に液体を供給する液体供給部と、前記載置台に載置されて回転する基板から飛散する液体を下方へ案内するために、上から順に設けられた、液体案内上部カップと、液体案内中央カップと、液体案内下部カップと、前記液体案内中央カップを昇降させるための駆動機構と、を備え、前記駆動機構が前記液体案内中央カップを昇降させることによって、液体案内上部カップと液体案内中央カップとの間の間隔、及び／または、液体案内中央カップと液体案内下部カップとの間の間隔が変化するようになっていることを特徴とする基板液処理装置。 （もっと読む）

【課題】安定して高い疎水性を確保できる疎水化処理方法及び疎水化処理装置を提供すること。
【解決手段】 処理容器内にて、ウエハＷに、ＨＭＤＳガスを供給し、前記ウエハの表面に−Ｏ（ＣＨ_３）_３よりなる疎水基を生成する疎水化処理において、前記疎水化を促進させる反応促進剤として水蒸気をウエハＷに供給する工程と、前記処理容器内に搬入されたウエハＷを加熱する工程と、加熱されたウエハＷの表面に前記水蒸気が吸着している状態で、当該ウエハＷの表面に前記ＨＭＤガスを供給する工程と、を実施する。前記水蒸気により、ＨＭＤＳ疎水化処理ガスのケイ素と、基板表面の酸素との反応が促進され、安定して高い疎水性が得られる。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の各処理モジュールのデータを効率よく取得すると共に精度高い検査を行うこと。
【解決手段】処理モジュールの情報を収集するためのセンサ部と、このセンサ部に電力を供給すると共に充電可能な蓄電部を含む第１の電源部とを備えたセンサ用基板を第１の保持部材に保持する工程と、次いで前記第１の保持部材を前進させてセンサ用基板を処理モジュールに受け渡す工程と、その後前記センサ用基板のセンサ部により処理モジュールに関するデータを取得する工程と、前記第１の保持部材が前記処理モジュールから充電された電力が消費された前記センサ用基板を受け取って後退し、前記基台と共に移動する第２の電源部により非接触でセンサ用基板の第１の電源部を充電する工程と、を含むように処理を行う。 （もっと読む）

【課題】比較的低温でも埋め込み特性が良好なアモルファス状態の不純物含有のシリコン膜を形成することが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器１４内で被処理体Ｗの表面に不純物含有のシリコン膜を形成する薄膜の形成方法において、処理容器内へシリコンと水素とよりなるシラン系ガスを該シラン系ガスが被処理体の表面に吸着するような状態で供給する第１のガス供給工程と処理容器内へ不純物含有ガスを供給する第２のガス供給工程とを交互に繰り返し行うことによりアモルファス状態で不純物含有のシリコン膜を形成する。これにより、比較的低温でも埋め込み特性が良好なアモルファス状態の不純物含有のシリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】鉛直方向の省スペース化が実現できる基板液処理装置のミスト回収機構を提供すること。
【解決手段】ミスト案内カップの周縁端領域の上方に設けられた液体案内上部カップと、ミスト案内カップの周縁端領域に対してその下方から上方まで鉛直方向に移動可能に設けられた液体案内中央カップと、ミスト案内カップの周縁端領域に対してその下方から上方まで鉛直方向に移動可能に設けられた液体案内下部カップと、を備える。各カップの鉛直方向位置は、３つの回収状態を選択的に実現できるように制御される。各回収状態で回収される液体は、第一ドレイン用タンク乃至第三ドレイン用タンクにそれぞれ案内されるようになっている。第一ドレイン用タンク乃至第三ドレイン用タンクは、径方向に並ぶように配置されている。 （もっと読む）

【課題】基板間での熱処理温度のばらつきを抑制し、基板間並びに基板面内における配線パターンの線幅を均一化する。
【解決手段】基板搬送手段２０と、基板搬送路を搬送される被処理基板Ｇに対する熱処理空間を形成する第一のチャンバ８と、加熱または冷却温度の設定温度を変更可能であって、前記第一のチャンバ内を加熱または冷却可能な第一の加熱・冷却手段１７，１８と、前記第一のチャンバの前段に設けられ、前記基板搬送路を搬送される前記被処理基板を検出する基板検出手段４５と、前記基板検出手段の検出信号が供給されると共に、前記第一の加熱・冷却手段の制御を行う制御手段４０とを備え、前記制御手段は、前記第一のチャンバに向けて搬送される複数の被処理基板のうち、先頭の被処理基板が前記基板検出手段によって検出されると、前記第一の加熱・冷却手段の設定温度を第一の温度から第二の温度に変更する。 （もっと読む）

【課題】スループットを向上させ、処理タイミングを管理することができる基板処理システムを提供すること。
【解決手段】処理装置群に対して管理を行うグループコントローラを設ける。グループコントローラは、キャリア内の基板に対し順次複数の処理装置により処理を行ったときに最終の処理装置の処理終了時点が最も早い処理装置の組み合わせを、基板の処理レシピ及び処理状況に基づいて決定するステップと、前記処理装置の組み合わせにおいて、予め決めた一の処理装置によるロットの処理終了時点から、予め決めた下流側の処理装置による処理開始時点までの予測経過時間を、基板の処理レシピ及び処理状況に基づいて決定し、予測経過時間が設定時間内に収まるように前記一の処理装置または上流側の処理装置に基板を払い出すタイミングを決定するステップと、を行う。 （もっと読む）

【課題】アルカリ性処理液及び酸性処理液を用いても、新たなパーティクルの発生を抑制し得る基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｗとともに回転可能なプレート１ａと、プレート１ａの外側に備えられたカップ１ｈとを有する基板保持部１と、基板保持部１に保持された基板Ｗに対してアルカリを含む処理液を供給する第１の処理液供給部２ａと、基板保持部１に保持された基板Ｗに対して酸を含む処理液を供給する第２の処理液供給部２ｂとを備える処理液供給機構２と、基板保持部１の外側に設けられ、基板保持部１の周囲に設けられた外周壁３ａを備えるドレインカップ３と、ドレインカップ３の外側に設けられた外カップ４と、ドレインカップ３と外カップ４との間で昇降する昇降カップ８と、ドレインカップ３と外カップ４の間に設けられた昇降カップ８を洗浄する昇降カップ洗浄室４ｂとを具備し、昇降カップ８は、カップ１ｈの外側にある。 （もっと読む）

【課題】処理室の蓋体を安定して保持し、反転させることが可能な蓋体保持治具を提供する。
【解決手段】処理室８１の上部に設けられた蓋体８３を、当該蓋体８３から取り外された状態で保持する蓋体保持治具１において、保持部２は蓋体８３の周縁部を保持し、基体３１、３４、５３は、前記保持部２に保持された蓋体８３を反転させるために当該保持部２を水平な回転軸５２周りに回転自在に支持する。固定機構４は、前記保持部２に対して蓋体８３を固定する固定位置と、当該蓋体８３の固定が開放される開放位置と、の間で固定部材４４を移動させる。 （もっと読む）