【課題】金属混合液を用いて基板上に金属膜を適切且つ効率よく形成する。
【解決手段】金属膜形成システム１は、ウェハＷを搬入出する搬入出ステーション２と、金属膜を形成する処理ステーション３と、搬入出ステーション２と処理ステーション３とを接続するロードロックユニット１０とを有している。処理ステーション３は、ウェハＷ上に金属混合液を塗布する塗布ユニット３０と、金属混合液が塗布されたウェハＷを熱処理する前熱処理ユニット３１と、前熱処理ユニット３１で熱処理されたウェハＷをさらに熱処理する後熱処理ユニット３２と、ウェハＷを搬送する搬送ユニット３３とを有する。塗布ユニット３０、前熱処理ユニット３１、後熱処理ユニット３２、搬送ユニット３３、ロードロックユニット１０は、それぞれ内部を不活性ガスの大気圧雰囲気又は減圧雰囲気に切り替え可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】異常が検知されていない被処理体を簡単、かつ、早く搬送することができる被処理体の搬送方法、被処理体の搬送装置、及び、プログラムを提供する。
【解決手段】ウエハボートに収納されている半導体ウエハに異常があると（ステップＳ２：Ｙｅｓ）、異常位置、及び、異常の種類を特定し（ステップＳ３）、スキップ位置を決定する（ステップＳ４）。次に、スキップ位置に収容された半導体ウエハの回収をスキップし、異常が検知されなかった半導体ウエハＷの自動回収を実施する（ステップＳ５）。続いて、ウエハボート内に半導体ウエハが残存し（ステップＳ６：Ｙｅｓ）、自動回収可能な半導体ウエハがあると（ステップＳ７：Ｙｅｓ）、自動回収可能な半導体ウエハの自動回収を実施する（ステップＳ８）。そして、残存した半導体ウエハのマニュアル回収を実施する（ステップＳ１０）。 （もっと読む）

【課題】光学条件及びレジスト種に依存することなくスリミング量を精度よく制御することができるとともに、スリミングに伴うレジスト高さの減少を生じさせることの無い半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】基板にレジスト層を形成する工程と、レジスト層に対して露光、現像を行い、レジストパターンを形成する工程と、レジストパターンを細めるスリミング工程と、細めたレジストパターンの側壁部にマスク材層を形成する工程と、細めたレジストパターンを除去する工程とを具備した半導体装置の製造方法であって、スリミング工程は、基板に膨張剤を塗布する塗布工程と、膨張剤を膨張させる工程と、膨張させた膨張剤を除去する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】成膜処理の再現性を向上させて高く維持することができると共に、成膜処理時に付着した反応副生成物の除去も短時間で容易に実施できるシャワーヘッド構造を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して成膜処理を施すための処理容器２２の天井部に設けられて所定ガスを供給するシャワーヘッド構造８０であり、複数のガス噴射孔９４が開口された底部を有する有底筒体状に形成され、カップ形状の開口側に上記天井部への取り付け用接合フランジ部が一体的に形成されたヘッド本体８２と、上記ヘッド本体の底部に設けられて、該ヘッド本体のガス噴射部を所望の温度に調整するヘッド加熱部１００とを備え、低温下による再現性を向上させた成膜処理と高温下による反応副生成物の除去を行うシャワーヘッド構造である。 （もっと読む）

【課題】フットプリントを小さくすることができ、排気と排液との分離機構を特別に設ける必要のない液処理装置を提供すること。
【解決手段】排気・排液部６は、主にウエハＷから振り切られた処理液を取り入れて排液する環状をなす排液カップ４１と、排液カップ４１の外側を囲繞するように設けられ、回転カップ３およびその周囲からの主に気体成分を取り入れて排気する排気カップ４２とを有し、回転カップ３は環状の庇部材３２を含み、排液カップ４１は、庇部材３２の下側で回転カップ３に形成された排出孔３３，３４を通してウエハＷから振り切られた処理液を取り入れて排液口４３から排液し、排気カップ４２は、庇部材３２の上側で排気カップ４２に形成された導入口４２ｂを通して回転カップ３の周囲からの気体成分を取り入れて排気口４５から排気し、排液カップ４１からの排液と排気カップ４２からの排気が独立して行われる。 （もっと読む）

【課題】金属混合液を用いて基板上に金属膜を適切且つ効率よく形成する。
【解決手段】金属膜形成システム１は、ウェハＷを搬入出する搬入出ステーション２と、ウェハＷ上に前処理液を塗布し、ウェハＷ上に下地膜を形成する前処理ステーション３と、下地膜が形成されたウェハＷ上に金属混合液を塗布し、ウェハＷ上に金属膜を形成する主処理ステーション４と、搬入出ステーション２と前処理ステーション３とを接続する第１のロードロックユニット１０と、前処理ステーション３と主処理ステーション４とを接続する第２のロードロックユニット１３とを有している。前処理ステーション３、主処理ステーション４、第１のロードロックユニット１０及び第２のロードロックユニット１３は、それぞれ内部を不活性ガスの大気圧雰囲気又は減圧雰囲気に切り替え可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】被処理体上のビアホールや配線用溝等の開口部に高密度にカーボンナノチューブ膜を埋め込むことができるカーボンナノチューブの形成方法を提供する。
【解決手段】表面に１又は複数の開口部を有し、当該開口部底面に触媒金属層が形成された被処理体を準備し（ＳＴＥＰ１）、触媒金属層に酸素プラズマ処理を施し（ＳＴＥＰ２）、酸素プラズマ処理後の触媒金属層に水素含有プラズマ処理を施して、触媒金属層の表面を活性化し（ＳＴＥＰ３）、その後、触媒金属層の上にプラズマＣＶＤによりカーボンナノチューブを成長させて、被処理体の開口部内をカーボンナノチューブで充填する（ＳＴＥＰ５）。 （もっと読む）

【課題】処理基板上を移動するノズル搬送機構に駆動部を設けないため、機構部が複雑にならず駆動機構からの発塵パーティクルによる欠陥問題のない液処理装置を提供すること。
【解決手段】塗布液ノズルを待機位置で待機させるためのノズルバス１４と、ノズルバスにおいて、塗布液ノズルから塗布液の吐出動作又は、乾燥抑制溶剤の吸引動作と排出動作とをディスペンス制御するディスペンス制御部とを備え、ノズルバスは、塗布液ノズルの塗布液を吐出する孔１００と、乾燥抑制溶剤を吸引する孔１０１とを具備すると共に、塗布液を吐出する孔の位置と乾燥抑制溶剤を吸引する孔の位置とを切り換える回動機構１１０を具備し、塗布液ノズルは乾燥抑制溶剤を吸引する時に、回動機構によりノズルバスを回動させて塗布液ノズルの塗布液を吐出する孔の位置から乾燥抑制溶剤を吸引する孔の位置に切り換え、ノズルバスの内部に設けられる乾燥抑制溶剤の貯留部から吸引を行う。 （もっと読む）

【課題】高い膜厚均一性を有するカラーレジスト膜を基板上に形成することが可能なレジスト塗布装置およびレジスト膜形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態によるレジスト塗布装置は、基板の中央部における温度よりも基板の周辺部における温度が高くなるように基板の温度を調整するよう構成された基板温度調整部と、中央部よりも周辺部において温度が高くなるように基板温度調整部により温度調整された基板上にカラーレジスト液を供給するカラーレジスト液供給部と、カラーレジスト液が供給された基板を回転する基板回転部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ＬＬＥによるダブルパターニングの２回目の現像処理において、２回目のレジストパターンの線幅を精度良く制御でき、１回目のレジストパターンの線幅も精度良く制御できる現像処理方法を提供する。
【解決手段】第１のレジストパターンが形成されている基板の表面にレジスト膜を成膜し、露光した後、第２のレジストパターンを形成するために、現像処理する現像処理方法であって、基板を静止させた状態で、第１の時間ｔ１の間、基板を現像処理する第１の工程Ｓ１９５と、基板を回転させながら、第２の時間ｔ２の間、基板を現像処理する第２の工程Ｓ１９６とを有する。第１の時間ｔ１と第２の時間ｔ２との時間比率は、第１のレジストパターンの線幅ＣＤ１が第１の所定値ＣＤ１ｔに等しくなるように調整され、第１の時間ｔ１と第２の時間ｔ２との合計時間Ｔは、第２のレジストパターンの線幅ＣＤ２が第２の所定値ＣＤ２ｔに等しくなるように調整される。 （もっと読む）