説明

東京エレクトロン株式会社により出願された特許

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【課題】被処理体の膜厚の面内均一性を向上させることが可能な支持体構造を提供する。
【解決手段】複数の被処理体Wを収容した状態で処理ガスを一端から他端に向けて流して所定の処理を行うようにした処理容器構造42内で前記被処理体を支持する支持体構造において、天板部48と、底部50と、前記天板部と前記底部とを連結し、前記被処理体を支持する複数の支持部88がその長さ方向に沿って形成されると共に前記支持部のピッチは前記処理ガスの流れ方向の上流側よりも下流側が大きくなるように設定された複数の支持支柱60とを備える。これにより、被処理体の膜厚の面内均一性を向上させる。 (もっと読む)


【課題】塗布液例えばレジスト液の供給量が少ない場合でも、基板の表面に均一に塗布膜を形成することができる技術を提供する。
【解決手段】塗布方法は、基板(W)の中心にプリウエット液を供給するとともに基板を回転させてプリウエット液を第1の基板の表面全体に拡散させるプリウエット工程と、プリウエット液が供給された基板に塗布液(例えばレジスト液)を供給し、これを乾燥させることにより前記第1の基板の表面に塗布膜を形成する塗布膜形成工程とを備える。プリウエット液として、塗布膜成分(例えばレジスト成分)を溶解しうる溶剤と、この溶剤よりも表面張力が高い高表面張力液体とを混合することにより得た塗布液よりも表面張力が高い混合液体を用いる。溶剤と高表面張力液体とを別個に用意し、プリウエット液を供給する際に溶剤と高表面張力液体とを混合する。 (もっと読む)


【課題】 静電吸着電極の破損部位の補修を簡易かつ適切に行なうことができる補修方法を提供すること。
【解決手段】 基材41の表面を覆う被膜が形成され、該被膜は、電極層43と、該電極層43より下層の第1の絶縁層42と、電極層43より上層の第2の絶縁層44と、を含むように構成されており、電極層43に電圧を印加することにより基板を吸着保持する静電吸着電極の補修方法であって、第2の絶縁層44の表面層を全体的に所定の厚さで除去する工程と、表面層が除去された部分に絶縁材料からなる補修被膜66を溶射により形成する被膜再生工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】基板の表面にパーティクルが形成されることを防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置1は、処理液を貯留して、複数の基板Wを処理する処理槽11と、処理槽11に対して昇降自在に設けられ、基板Wを保持して処理液に浸漬させる基板保持部12とを有する処理部10と、処理部10の上方に設けられ、処理槽11に気体を供給する気体供給部40と、基板の空き状態を検出する検出部70とを備えている。処理槽11を収容する収容ケース30の下部に、気体供給部40から供給された気体を排気する排気部31が設けられている。制御部60は、検出部70により検出された基板Wの空き状態に基づいて、気体供給部40から排気部31に流れる気体の流量調整するように、気体供給部40および排気部31を制御する。 (もっと読む)


【課題】基板のリンス処理時に、基板が熱変形したり、処理液とリンス液とが反応したりするのを防止して、リンス液の飛散を防止すること。
【解決手段】本発明では、基板の表面を処理液で液処理した後に処理液よりも低温のリンス液でリンス処理する基板液処理において、液処理とリンス処理との間に基板の表面の温度を処理液の液温未満かつリンス液の液温より高い温度にする中間処理を行うことにした。中間処理は、処理液の液温未満かつリンス液の液温より高い温度の中間処理液を基板に供給することにした。また、中間処理液を基板の裏面のみに供給することにした。また、処理液及びリンス液の供給を停止した状態で基板を回転させることにした。また、液処理時に処理液として反応熱の生成を伴う化学反応を行う複数種類の薬液の混合液を基板に供給するとともに、中間処理時にいずれかの薬液の供給を停止することにした。 (もっと読む)


【課題】基板の回転速度にかかわらず、基板の表面に供給した処理液を良好に回収できるようにすること。
【解決手段】本発明では、回転する基板(2)に処理液を供給して前記基板(2)の処理を行う基板液処理装置(1)において、前記基板(2)を水平に保持しながら回転させるための回転テーブル(28)と、前記基板(2)に供給された処理液を回収するために前記基板(2)の外周下方に配置した環状の回収カップ(39)と、前記回収カップ(39)の内周壁(43)と外周壁(42)との間に形成した回収溝(44)と、前記回収カップ(39)の内周壁(43)に配置し、前記回収溝(44)に向けて内側へ傾斜状に張出したカップカバー(47)とを有することにした。 (もっと読む)


【課題】ポンプを用いて基台内を循環させる液体を貯留するタンク内の液面が変化してもタンク内の液面を一定の範囲に維持してポンプに起因する脈動を常に確実且つ安定的に軽減することができる脈動軽減装置及び検査装置を提供する。
【解決手段】本発明の脈動軽減装置16は、循環配管12に接続されて空間部を残して冷媒を貯留する第2タンク16Aと、第2タンク16A内の冷媒の液面を検出する第1、第2液面センサ16B、16Cと、第1、第2液面センサ16B、16Cに電気的に接続され且つこれらのセンサ16B、16Cからの検出信号に基づいて作動する空気制御装置16Dと、を備え、第2タンク16Aの空間部を満たす空気等の気体がポンプ13から冷媒を吐出する際の脈動を軽減する緩衝体として働くように構成されている。 (もっと読む)


【課題】基板の中心と回転中心とを一致させ基板を処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板に処理流体を供給して基板処理を行う基板処理部と、前記被処理基板の側面に接触させ、前記被処理基板の位置を定める位置決め機構部と、前記位置決め機構部を駆動する位置決め駆動部と、前記位置決め機構部の位置を検出する検出部と、前記被処理基板の基準となる基準基板に対する前記位置決め機構部の位置を基準位置情報として記憶する記憶部と、前記基準位置情報と前記検出部において検出された前記位置決め機構部の位置情報との差を算出し、前記差より前記被処理基板の実測情報を算出する演算部と、を有することを特徴とする基板処理装置を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】誘電体窓の内側に設けられた誘電体保護カバーが局部的に削られて消耗することを抑制することができ、誘電体保護カバーの長寿命化により生産性の向上を図ることのできるプラズマ処理装置及びその誘電体窓構造を提供する。
【解決手段】誘電体窓の外側に配設された高周波アンテナに高周波電力を印加して処理空間に誘導結合プラズマを発生させるプラズマ処理装置であって、誘電体窓は、処理空間と高周波アンテナとの間に介在するように配設され誘電体からなる窓部材と、窓部材を支持するための梁部材と、窓部材の処理空間側の面、及び、梁部材の処理空間側の面を覆いプラズマから保護する誘電体保護カバーと、少なくとも、梁部材と誘電体保護カバーとの間に設けられ、保護カバーの誘電率よりも低い誘電率を有する材料で形成された低誘電率誘電体層とを具備している。 (もっと読む)


【課題】半導体製造に係る基板処理装置に用いられる、新規で有用な石英部材を提供する。
【解決手段】半導体製造に係る基板処理装置に用いられる石英部材101であって、前記石英部材自身の金属汚染物質を検出するためのエッチング液を保持する凹状のエッチング液保持部102を備えたことを特徴とする石英部材101が提供される。 (もっと読む)


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