基板処理装置、基板処理方法及びプログラムを記録した記憶媒体
【課題】基板の中心と回転中心とを一致させ基板を処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】被処理基板に処理流体を供給して基板処理を行う基板処理部と、前記被処理基板の側面に接触させ、前記被処理基板の位置を定める位置決め機構部と、前記位置決め機構部を駆動する位置決め駆動部と、前記位置決め機構部の位置を検出する検出部と、前記被処理基板の基準となる基準基板に対する前記位置決め機構部の位置を基準位置情報として記憶する記憶部と、前記基準位置情報と前記検出部において検出された前記位置決め機構部の位置情報との差を算出し、前記差より前記被処理基板の実測情報を算出する演算部と、を有することを特徴とする基板処理装置を提供することにより上記課題を解決する。
【解決手段】被処理基板に処理流体を供給して基板処理を行う基板処理部と、前記被処理基板の側面に接触させ、前記被処理基板の位置を定める位置決め機構部と、前記位置決め機構部を駆動する位置決め駆動部と、前記位置決め機構部の位置を検出する検出部と、前記被処理基板の基準となる基準基板に対する前記位置決め機構部の位置を基準位置情報として記憶する記憶部と、前記基準位置情報と前記検出部において検出された前記位置決め機構部の位置情報との差を算出し、前記差より前記被処理基板の実測情報を算出する演算部と、を有することを特徴とする基板処理装置を提供することにより上記課題を解決する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置、基板処理方法及びプログラムを記録した記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体メモリ等の半導体素子は、半導体ウエハ等の基板上において成膜、エッチング等の基板処理を行うことにより形成される。このような基板処理として、基板の周辺部を処理するベベル処理等があり、このようなベベル処理等はベベル処理を行う基板処理装置により行われる。
【０００３】
ところで、ベベル処理は、半導体ウエハ等の基板を回転させながら処理を行うものであるため、半導体ウエハ等の基板の中心と回転中心とが一致している必要があり、ベベル処理される半導体ウエハ等の基板の位置決めが極めて重要である。これは、ベベル処理が基板の側面（端部）から数ミリの領域において行われるため、基板処理装置において基板が所定の位置よりずれて設置されてしまうと、所望のベベル処理が行われず、製造される半導体素子の歩留まりの低下等を招いてしまうからである。
【０００４】
また、ベベル処理を行う基板処理装置以外にも、半導体ウエハ等の基板を回転させながら処理を行う基板処理装置として、半導体ウエハ等の基板の中心から周辺に向けて処理を行う基板処理装置、また、基板の周辺から中心に向けて処理を行う基板処理装置等があり、これらの基板処理装置においても、基板の位置決めは重要である。
【０００５】
基板を回転させて基板処理を行う装置であって、特定の領域の処理を行う基板処理装置としては、引用文献１及び２に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１４２０７７号公報
【特許文献２】特開２００９−１４７１５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、引用文献１及び２に記載された基板処理装置における回転中心に対する基板の中心の位置決めは十分ではない場合があり、この場合には、上述したように歩留まり等の低下を招いてしまう。その理由として、半導体ウエハは、製造誤差や製造の都合上、全く同一の直径の半導体ウエハを製造することは困難であり、同じ３００ｍｍウエハでも、所定の規格を満たす範囲内で、大きさが異なるものが流通しているのが現状であり、特に、３００ｍｍウエハ等の大型な基板の場合等では、回転中心に対し基板の中心を正確に位置決めすることは極めて困難であることが挙げられる。
【０００８】
このため、大きさが異なる半導体ウエハ等の基板においても、正確に基板の大きさを測定し、その情報を処理部に伝達することにより、より精密に基板を処理することのできる基板処理装置、基板処理方法及びプログラムを記録した記憶媒体が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、被処理基板に処理流体を供給して基板処理を行う基板処理部と、前記被処理基板の側面に接触させ、前記被処理基板の位置を定める位置決め機構部と、前記位置決め機構部を駆動する位置決め駆動部と、前記位置決め機構部の位置を検出する検出部と、前記被処理基板の基準となる基準基板に対する前記位置決め機構部の位置を基準位置情報として記憶する記憶部と、前記基準位置情報と前記検出部において検出された前記位置決め機構部の位置情報との差を算出し、前記差より前記被処理基板の実測情報を算出する演算部と、を有することを特徴とする。
【００１０】
また、本発明は、被処理基板に処理流体を供給して基板処理を行う基板処理方法において、基準基板についての基準基板情報を記憶する基準基板情報記憶工程と、基板載置部上に前記被処理基板を載置する基板載置工程と、前記被処理基板を位置決め機構部に接触させて、前記位置決め機構部の位置を検出する検出工程と、前記検出工程で検出された位置情報と、前記基準基板情報とに基づき、前記被処理基板の実測情報を算出する算出工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、大きさが異なる半導体ウエハ等の基板においても、正確に基板の大きさを測定し、その情報を処理部に伝達することにより、より精密に基板を処理することのできる基板処理装置、基板処理方法及びプログラムを記録した記憶媒体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施の形態における基板処理システムの横断面図
【図２】本実施の形態における基板処理システムの側面図
【図３】本実施の形態におけるベベル処理装置の説明図（１）
【図４】本実施の形態におけるベベル処理装置の説明図（２）
【図５】ブラシユニットの構成図
【図６】回転部及び真空チャック部における断面図
【図７】本実施の形態における基板位置決め装置の側面図
【図８】本実施の形態における基板位置決め装置の上面図
【図９】本実施の形態における基板位置決め方法のフローチャート
【図１０】基準基板の説明図
【図１１】本実施の形態における他の基板処理システムの構成図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明を実施するための形態について、以下に説明する。
【００１４】
（基板処理システム）
本実施の形態における基板処理システムについて説明する。
【００１５】
図１及び図２に基づき、本実施の形態における基板処理システムについて説明する。尚、図１は、この基板処理システムの横断面図であり、図２は、側面図である。この基板処理システムは、基板処理を行う基板処理部２１０と、外部と基板処理部２１０との間でウエハＷの搬入出を行う搬入出部２２０とを有している。
【００１６】
搬入出部２２０には、複数枚、例えば、２５枚のウエハを収容することのできるＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）２３１を載置するための載置台２３０と、載置台２３０に載置されたＦＯＵＰ２３１と基板処理部２１０との間でウエハＷの受け渡しを行うための搬送室２４０とが設けられている。ＦＯＵＰ２３１には、複数枚のウエハＷが、略水平状態で保持されており、鉛直方向に所定の間隔となるように収納されている。
【００１７】
載置台２３０は、搬送室２４０の側壁部２４１に沿って配置されており、例えば、３個のＦＯＵＰ２３１が所定の位置に載置されている。側壁部２４１には、ＦＯＵＰ２３１の載置場所に対応する位置に、開口部２４２が設けられており、更に、各々の開口部２４２に設けられたシャッタ２４３が開閉することにより、ＦＯＵＰ２３１との間でウエハＷの搬入出を行うことができるように構成されている。搬送室２４０内には、ＦＯＵＰ２３１と基板処理部２１０との間でウエハＷを搬送する第１のウエハ搬送機構２５０が設けられている。第１のウエハ搬送機構２５０は、進退、昇降、回転の全てが自在に構成されたピック２５１を備えており、このピック２５１上にウエハＷが保持されて搬送される。また、ピック２５１は、基板処理部２１０に設けられているウエハ受け渡しユニット２１４に進入することが可能であり、ウエハ受け渡しユニット２１４にピック２５１を進入させることにより、基板処理部２１０との間においてウエハＷの受け渡しを行うことができる。
【００１８】
基板処理部２１０は、搬送室２４０との間で受け渡しされるウエハＷを一時的に載置するウエハ受け渡しユニット２１４と、ウエハＷに対して処理を行う基板処理ユニット２７１〜２７４と、基板処理部２１０においてウエハＷの搬送を行う第２のウエハ搬送機構２６０が設けられている。また、基板処理ユニット２７１〜２７４のいずれかには、後述する本実施の形態におけるベベル処理装置等の基板処理装置と基板位置決め装置とが組み込まれている。また、第２のウエハ搬送機構２６０は、進退、昇降、回転の全てが自在に構成されたピック２６１を備えており、このピック２６１上にウエハＷが保持されて搬送される。更に、基板処理部２１０には、ベベル処理等を行うための処理液を貯蔵するための処理液貯蔵ユニット２１１と、基板処理システム全体に電力を供給するための電源ユニット２１２と、基板処理システム全体の制御を行う機械制御部２１３が設けられている。また、基板処理部２１０の天井部分には、各々のユニット及び第２のウエハ搬送機構２６０が設けられている空間に清浄な空気をダウンフローにより供給するためのファンフィルタユニット（ＦＦＵ）２１６が設けられている。
【００１９】
また、この基板処理システムは、制御部２８０が接続されている。この制御部２８０は、例えば、不図示のＣＰＵと記憶部とを備えたコンピュータにより構成されており、記憶部には、基板処理システムにおいて行われる動作を制御するためのプログラムが記憶されている。このプログラムは、例えば、ハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリカード等の記憶媒体に格納され、そこからコンピュータにインストールされる。また、この制御部２８０は、例えば、基板処理部２１０における機械制御ユニット２１３内に設けてもよい。
【００２０】
尚、本実施の形態における基板処理システムは複数の処理ユニットを有するものであるが、基板処理装置としての概念に含まれるものである。
【００２１】
（基板処理装置）
次に、本実施の形態におけるウエハＷに対して処理を行う基板処理装置について説明する。本実施の形態における基板処理装置は、前述した基板処理システムにおける基板処理ユニット２７１〜２７４のいずれかに組み込まれているものである。
【００２２】
本実施の形態における基板処理装置は、例えば、ウエハＷのベベル処理を行うベベル処理装置である。具体的には、本実施の形態におけるベベル処理装置は、ウエハＷを回転させながら、ウエハＷの側面（端部）から内側に３ｍｍ程度までの領域の処理を行う装置であり、この部分に形成されているＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜、ポリシリコン膜等をフッ酸（ＨＦ）、アンモニア（ＮＨ３）と過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）との混合溶液、フッ硝酸（フッ酸と硝酸（ＨＮＯ３）の混合液）等の処理液により、除去するための基板処理装置である。尚、本願明細書において上述したウエハＷは後述する基板３０に相当するものであり、半導体ウエハと称するものである。
【００２３】
図３及び図４に基づき、本実施の形態における基板処理装置としてベベル処理装置について説明する。本実施の形態におけるベベル処理装置は、ベベル処理に用いられた処理液を受け、ベベル処理装置の外部に排出するためのドレインカップ１１０、基板３０の上方を覆うためのトッププレート１２０、基板３０を載置し回転させるための回転部４０、ノズル部１４０及び１６０、図５に示すブラシユニット１５０を有しており、更に、後述する基板位置決め装置を有している。
図３は、ドレインカップ１１０とトッププレート１２０とが開いて基板の搬出入が可能な状態を示し、図４は、ドレインカップ１１０とトッププレート１２０とが閉じた状態を示す。尚、ベベル処理は、図４に示すようにドレインカップ１１０とトッププレート１２０とが閉じた状態で行われる。
【００２４】
図６に示すように、回転部４０は、回転伝達部４２を介してモータ４３が設けられており、載置された基板３０を回転させることができる。また、回転部４０において基板３０が載置される面には、基板吸着部となる真空チャック部４４が設けられており、不図示の真空ポンプ等に接続されている。真空チャック部４４には気体開口部４５が設けられており、真空チャック部４４における真空チャックは、基板３０を真空チャック部４４に載置した後、真空ポンプ等により排気することにより、気体開口部４５に基板３０が吸着されることにより行われる。また、真空チャック部４４においては、気体開口部４５より窒素（Ｎ２）ガス等を基板３０側に供給すること（窒素ガスブロー）により、真空チャック部４４上において基板３０を浮上させることも可能である。
【００２５】
本実施の形態では、回転部４０における真空チャック部４４上に基板３０を載置した後、ドレインカップ１１０の外側に備えられた後述する基板位置決め装置が、ドレインカップ１１０とトッププレート１２０の間に侵入することにより、基板３０の中心位置の位置決めを行う。その後、基板位置決め装置をドレインカップ１１０とトッププレート１２０の間に侵入した位置からドレインカップ１１０の外側に退避させてから、トッププレート１２０を降下させ、かつ、ドレインカップ１１０を上昇させて、トッププレート１２０とドレインカップ１１０とが接触した状態で、処理空間を形成する。その処理空間内において、基板３０を回転させて、トッププレート１２０側に設けられたノズル部１４０における第１のノズル１４１と、ドレインカップ１１０側に設けられたノズル部１６０における第２のノズル１６１より処理液を供給し、基板３０のべベル処理を行う。
【００２６】
この際、ノズル部１４０には第１のノズル１４１を基板３０の半径方向に移動させるためのモータ１４２が設けられており、ノズル部１６０には第２のノズル１６１をウエハの半径方向に移動させるためのモータ１６２が設けられている。これらの第１のノズル１４１及び第２のノズル１６１は、後述する基板位置決め装置により得られた基板３０の直径等の情報に基づいて決定された位置に、モータ１４２及びモータ１６２により、配置される。この際、ノズル駆動部となるモータ１４２及びモータ１６２は、ノズル駆動制御部１７０の制御により、第１のノズル１４１及び第２のノズル１６１を移動させる。これにより基板の大きさに依存することなく所望のベベル処理を確実に行うことができる。
【００２７】
尚、ドレインカップ１１０にはノズル部１４０の他に、不図示のノズル部を設置してもよく、また複数のノズル部を設置してもよい。このノズル部は、ノズル部１４０と略同様の構成であり、ノズル及びこのノズルを基板の半径方向に移動させるためのノズル用モータが設けられている。
【００２８】
また、本実施の形態における基板処理装置では、図５に示すように、ブラシユニット１５０を有しており、ブラシユニット１５０による処理を行うことができる。このブラシユニット１５０は、基板３０に接触して処理を行う円柱形のスポンジ等により形成されたブラシ部１５１、ブラシ部１５１を回転させるためのブラシ用モータ１５２を有し、ブラシ部１５１及びブラシ用モータ１５２を含むブラシユニット本体部１５３を移動させることのできる第１のモータ１５４及び第２のモータ１５５を有している。そして、このブラシユニット１５０は、ドレインカップ１１０とトッププレート１２０とが閉じた状態で、基板３０の処理を行う。第１のモータ１５４は、基板面に対し平行方向にブラシユニット本体部１５３を移動させることができるものであり、ブラシ部１５１の基板３０に対する水平方向の位置を調整することができる。よって、第１のモータ１５４により、基板３０の処理がなされる領域を定めることができる。また、第２のモータ１５５は、基板面に対し垂直方向にブラシユニット本体部１５３を移動させることができるものであり、ブラシ部１５１の基板３０に対する高さを調整することができる。よって、第２のモータ１５５により、ブラシ部１５１が所望の押圧力で基板３０の処理を行うことができる所定の高さに調整することができる。本実施の形態では、後述する基板位置決め装置により得られた基板３０の直径の情報に基づいて第１のモータ１５４を制御し、基板３０の大きさに対応して、ブラシ部１５１を所望の位置に移動させることができる。これにより、ブラシ部１５１による基板３０の処理を最適な位置で行うことができ、所望の処理を行うことができる。
【００２９】
（基板位置決め装置）
次に、本実施の形態における基板位置決め装置について説明する。
【００３０】
図７は、本実施の形態における基板位置決め装置の側面図であり、図８は、本実施の形態における基板位置決め装置の上面図である。本実施の形態における基板位置決め装置は、半導体ウエハ等の円形の基板の位置決めを行うものである。
【００３１】
本実施の形態における基板位置決め装置は、基板処理ユニット２７１〜２７４のいずれかに組み込まれており、第１の位置決め機構部１０と第２の位置決め機構部２０とを有している。第１の位置決め機構部１０と第２の位置決め機構部２０とは、基板３０を載置する回転部４０の回転中心４１を通る直線上に回転部４０を挟んで対向する位置に配置されている。
【００３２】
第１の位置決め機構部１０は、基板３０の側面（端部）と接触する第１の基準部１１、第１の基準部１１を支持するための支持部１２及び支持部１２を介し第１の基準部１１を基板３０の半径方向に直線的に移動させることのできる第１の駆動部１３を有している。第１の基準部１１は、基板３０と接触する接触面１４が上面から見てＶ字状に形成されており、この接触面１４において円形の基板３０の側面の２点と接触することができる。第１の基準部１１は、変形しない材料であって、金属等の不純物が混入する可能性の少ない材料が好ましく、例えば、セラミックスまたはポリエーテル・エーテル・ケトン樹脂（ＰＥＥＫ）等の樹脂材料により形成されている。支持部１２は、Ｌ字に形成されており、一方の端において、第１の基準部１１が取り付けられている。第１の基準部１１は、支持部１２に設けられたピン１５を中心に回転可能な状態で支持されるとともに、ネジ１６により固定されている。
【００３３】
この際、ピン１５を中心に第１の基準部１１を動かし、後述する基準基板１８の側面の２点と接触する位置に合わせ、ネジ１６により固定することにより、第１の基準部１１と基準基板８１とを確実に２点で接触させることができる。また、支持部１２の他方の端は、第１の駆動部１３に接続されている。第１の駆動部１３は、第１の基準部１１を基板３０の半径方向に直線的に移動させることができるものであって、所定の位置で停止させることができる位置制御可能なモータにより構成されている。例えば、位置制御を比較的正確に行うことが可能なステッピングモータ等が好ましい。
【００３４】
第２の位置決め機構部２０は、基板３０の側面と接触する第２の基準部２１、第２の基準部２１を支持するための支持部２２及び支持部２２を介し第２の基準部２１を基板３０の半径方向に直線的に移動させることのできる第２の駆動部２３を有している。
【００３５】
また、第２の基準部２１は、接触部２４、可動部２５、バネ部２６、本体部２７、位置センサ２８、連結部２９を有している。
【００３６】
接触部２４は、円筒状に形成され、円筒の中心を軸に回転可能な状態で連結部２９に取り付けられている。例えば、接触部２４はボールベアリング等により形成されている。連結部２９はバネ部２６を介し本体部２７と接続されており、バネ部２６は、連結部２９に取り付けられた接触部２４が回転部４０における回転中心４１に向かう方向に力を加えるように取り付けられている。このため、基板３０の位置決めを行い基板３０の側面と接触部２４の側面とが接触する際に、基板３０の中心が回転部４０における回転中心４１と接触部２４を結ぶ直線上からずれていたとしても、基板３０の移動に合わせて接触部２４が回転することで、基板３０は滑らかに移動することができる。また、基板３０の側面と接触部２４の側面とが接触する際に、バネ部２６が収縮することにより、基板３０に必要以上の力が加わることを防止することができる。可動部２５は、連結部２９に接続され、バネ部２６の伸縮に伴って移動する接触部２４と共に移動する。また、本体部２７に取り付けられた位置センサ２８は、可動部２５までの距離を測定することができる。このように、位置センサ２８により可動部２５までの距離を測定することにより、予め設定されている基準の距離との差を算出し、基板３０の直径を計算することができる。接触部２４は、変形しない材料であって、金属等の不純物が混入する可能性の少ない材料が好ましく、例えば、セラミックスまたはポリエーテル・エーテル・ケトン樹脂（ＰＥＥＫ）等の樹脂材料により形成されている。また、位置センサ２８は、可動部２５の位置を検出することができるものであればよく、接触式のセンサ、または、磁気センサや光学センサ等の非接触センサを用いることが可能である。
【００３７】
第２の基準部２１は、支持部２２の一方の端で接続されており、支持部２２の他方の端は、第２の駆動部２３と接続されている。第２の駆動部２３は、第２の基準部２１を基板３０の半径方向に直線的に移動させることができるものである。例えば、第２の駆動部２３は、直線的に移動可能なエアシリンダ、または、直線的に移動可能なモータ等により形成されている。尚、第１の駆動部１３の直線的な移動方向と、第２の駆動部２３の直線的な移動方向とは同一線上となるように設置されており、この線上には、回転部４０の回転中心４１が存在している。更に、第２の駆動部２３は、基板面に対し垂直方向に移動可能な不図示の昇降シリンダに接続されており、第２の基準部２１、支持部２２及び第２の駆動部２３を全体的に、基板面に対し略垂直方向に移動させることができる。
【００３８】
また、本実施の形態では、第１の位置決め機構部１０における第１の基準部１１と、回転部４０の回転中心４１と、第２の位置決め機構部２０における第２の基準部２１とは、同一線上に位置するように配置されている。
【００３９】
更に、本実施の形態では、第１の位置決め機構部１０、第２の位置決め機構部２０、回転部４０、真空チャック部４４において基板３０を真空チャックするための不図示の真空ポンプ及び真空ポンプと真空チャック部４１の接続状態を切り替えるバルブ４５、窒素ガス等を供給するためのバルブ４６等は、制御部５０と接続されており、制御部５０により、これらの制御を行うことができる。また、制御部５０は、外部記憶部６０と接続されており、外部記憶部６０には、制御部５０において制御を行うプログラムが格納されている。尚、制御部５０内には、第１の位置決め機構部１０、第２の位置決め機構部２０及び回転部４０等の制御を行う駆動制御部５１、基準位置等の情報を記憶するための記憶部５２、各種算出動作を行う演算部５３、基板の処理を実際に行う基板処理部等に計測された基板の情報を送信する送信部５４を有している。
【００４０】
（基板の計測と位置決め方法）
次に、図９に基づき、本実施の形態における基板の計測と位置決め方法について説明する。本実施の形態における基板の計測と位置決め方法は、本実施の形態における基板処理装置及び基板位置決め装置を用いて行うものである。
【００４１】
最初に、ステップ１０２（Ｓ１０２）において、基準基板を回転部４０の真空チャック部４４上に載置する。具体的には、図１０に示すように、基準基板８１は、直径が３００ｍｍの円形に形成されており、基準基板８１の中心部分に凸部８２が形成されている。また、真空チャック部４４の表面の回転中心４１となる部分には、凸部８２に対応する不図示の凹部が設けられており、真空チャック部４４の凹部に基準基板８１の凸部８２を挿入することにより、回転部４０の回転中心４１と基準基板８１の中心とが一致するように形成されている。即ち、基準基板８１において、回転部４０の回転中心４１から周囲までの距離が均一となるように形成されている。尚、本実施の形態では、基準基板８１の中心部分には凸部８２を設け、真空チャック部４４には凹部を設けた構成について説明したが、基準基板８１を真空チャック部４４上に設置した際に、回転部４０の回転中心４１と基準基板８１の中心とが一致するように、基準基板８１を設置することができる構成及び方法であれば、他の形状や方法であってもよい。
【００４２】
次に、ステップ１０４（Ｓ１０４）において、基準位置の決定を行う。具体的には、真空チャック部４４に基準基板８１を載置した状態で、第１の位置決め機構部１０及び第２の位置決め機構部２０により、基準基板８１を基準として第1の位置決め機構部１０および第２の位置決め機構部２０の基準位置を決定する。この基準位置の決定は、以下の工程により行う。
【００４３】
第１の位置決め機構部１０では、第１の駆動部１３により、第１の基準部１１を回転部４０の回転中心４１に向かう方向に、基準基板８１に接触するまで移動させる。この際、第１の基準部１１はピン１５を中心に回動し、Ｖ字状に形成された接触面１４が、基準基板８１と２点において接触するように調整する。そして、その状態で第１の基準部１１と支持部１２とを、ネジ１６で固定する。第１の位置決め機構部１０の基準位置は、回転部４０の回転中心４１に向かう方向において、第１の基準部１１が基準基板８１と２点において接触する位置に決定される。また、第２の位置決め機構部２０では、第２の駆動部２３により、第２の基準部２１を回転部４０の回転中心４１に向かう方向に移動させ、第２の基準部２１における接触部２４が基準基板８１に接触した後、位置センサ２８が検出する可動部２５までの距離が予め決められた基準の距離、例えば１ｍｍになるようにする。第２の位置決め機構部２０の基準位置は、この可動部２５までの距離が予め決められた基準の距離になる位置に決定される。この後、第１の位置決め機構部１０において、第１の駆動部１３により第１の基準部１１を基準基板８１より離れる方向に移動させ、同様に、第２の位置決め機構部２０において、第２の駆動部２３により第２の基準部２１を基準基板８１より離れる方向に移動させる。さらに、この後、基準基板８１を真空チャック部４４に設けられた凹部より取外す。
【００４４】
次に、ステップ１０６（Ｓ１０６）において、基準位置の情報が記憶される。具体的には、ステップ１０４において決定された第１の位置決め機構部１０の基準位置と、第２の位置決め機構部２０の基準位置を制御部５０内に設けられている記憶部５２に記憶させる。
【００４５】
次に、ステップ１０８（Ｓ１０８）において、基板３０を真空チャック部４４上に載置する。具体的には、基板３０を真空チャック部４４上に載置した状態で、真空チャック部４４から基板３０に向けて窒素ガスを供給し、窒素ガスブローにより基板３０を真空チャック部４４上において浮上させる。基板３０の真空チャック部４４に対する面が平坦であるため、真空チャック部４４上に載置した状態で、真空チャック部４４に吸着してしまう場合があり、この状態での吸着を避けるため、窒素ガスブローを行う。これにより基板３０を真空チャック部４４上で容易に移動させることができる。このため、この状態では、基板３０は真空チャック部４４には吸着されていない。尚、この窒素ガスブローは必要に応じて行われるものであり、窒素ガスブローを行うことなく本実施の形態における位置決めを行うことは可能である。
【００４６】
次に、ステップ１１０（Ｓ１１０）において、基板３０の計測を行う。具体的には、最初に、第１の基準部１１をステップ１０６において記憶した第１の位置決め機構部１０の基準位置まで第１の駆動部１３により移動させる。この際、真空チャック部４４に載置された基板３０が３００ｍｍよりも大きい場合や載置された位置がずれている場合には、第１の基準部１１の接触面１４が基板３０の側面と接触し、第１の基準部１１により基板３０は押されて第２の位置決め機構部２０側に移動する。一方、真空チャック部４４に載置された基板３０が３００ｍｍよりも小さい場合には、基準基板と同条件で載置されると通常は第１の基準部１１の接触面１４と基板３０の側面とは接触することなく、第１の基準部１１の接触面１４と基板３０の側面との間に隙間が形成される。
【００４７】
次に、第２の基準部２１をステップ１０６において記憶した第２の位置決め機構部２０の基準位置まで第２の駆動部２３により移動させる。この際、第２の基準部２１の接触部２４と基板３０の側面とが接触し、接触部２４は回転中心４１から離れる方向に押し込まれる。接触部２４が押し込まれるのと共に、可動部２５も回転中心４１から離れる方向に移動する。真空チャック部４４に載置された基板３０が３００ｍｍよりも大きい場合には、位置センサ２８により検出される可動部２５までの距離は、予め決められた基準の距離である１ｍｍよりも小さくなる。一方、真空チャック部４４に載置された基板３０が３００ｍｍよりも小さい場合には、位置センサ２８により検出される可動部２５までの距離は、予め決められた基準の距離である１ｍｍよりも大きくなる。これら各々の状態において、位置センサ２８により検出された可動部２５までの距離を演算部５３へ送る。
【００４８】
次に、ステップ１１２（Ｓ１１２）において、位置センサ２８により検出された可動部２５までの距離に基づき基板３０の直径の実測値を制御部５０内に設けられている演算部５３において算出する。具体的には、基準位置は可動部２５までの距離が１ｍｍとなる位置であるため、位置センサ２８で検出された距離が０．８ｍｍである場合には、基板３０の直径の実測値は３００．２ｍｍであるものと算出される。また、位置センサ２８で検出された距離が１．２ｍｍである場合には、基板３０の直径の実測値は２９９．８ｍｍであるものと算出される。
【００４９】
尚、第２の基準部２１を所定の位置まで移動させた場合に、検出値が大きく外れる場合がある。このような場合としては、接触部２４が基板３０の側面に形成されたノッチ等に接触している場合が考えられる。このため、このような場合には、ノッチが形成されている位置を避けて基板３０の計測を行う必要があるため、回転部４０により基板３０を９０°回転させて、再度、同様の計測を行う。数回行っても、検出値が大きく外れる場合には、真空チャック部４４に載置された基板３０は所定の規格を満たしていないものと考えられるため、真空チャック部４４より取り除き、次の基板３０を載置し、ステップ１０８以降のプロセスを行う。
【００５０】
次に、ステップ１１４（Ｓ１１４）において、基板３０の中心を回転中心４１に合わせる補正をするための補正値を演算部５３において算出する。即ち、ステップ１１２において算出した基板３０の直径の実測値をもとに、真空チャック部４４上に載置されている基板３０を現状の位置より移動させる距離となる補正値を算出する。具体的には、ステップ１１２において、３００．２ｍｍと算出された場合には、基準基板３０よりも０．２ｍｍ大きいため、補正値は＋０．２ｍｍの半分の＋０．１ｍｍとなる。また、２９９．８ｍｍと算出された場合には、基準基板３０よりも０．２ｍｍ小さいため、補正値は−０．２ｍｍの半分の−０．１ｍｍとなる。
【００５１】
次に、ステップ１１６（Ｓ１１６）において、実測値及び補正値についての情報を基板処理装置に送信する。具体的には、送信部５４により、基板処理装置内で基板処理を行う部分、例えば、ノズル駆動制御部１７０に基板の実測値及び補正値についての情報を送信する。
【００５２】
次に、ステップ１１８（Ｓ１１８）において、ステップ１１４で得られた補正値に基づいて駆動制御部５１が真空チャック部４４上に載置されている基板３０の位置補正を行う。具体的には、補正値が＋０．１ｍｍの場合、基板３０の中心は回転部４０の回転中心４１よりも、第２の位置決め機構部２０側に０．１ｍｍずれているため、駆動制御部５１が、第１の位置決め機構部１０の第１の駆動部１３により、第１の基準部１１を回転中心４１より離れる方向に、０．１ｍｍ移動させる。これにより、基板３０は第２の基準部２１におけるバネ部２６により、連結部２９と接触部２４を介し第１の位置決め機構部１０側に押され、基板３０である基板３０の中心と回転中心４１とが一致した状態とすることができる。また、補正値が、−０．１ｍｍの場合、基板３０の中心は回転部４０の回転中心４１よりも、第１の位置決め機構部１０側に０．１ｍｍずれているため、駆動制御部５１が、第１の位置決め機構部１０の第１の駆動部１３により、第１の基準部１１を回転中心４１に近づく方向に、０．１ｍｍ移動させる。これにより、基板３０の側面が第１の基準部１１の接触面１４を介して押され、第２の位置決め機構部２０におけるバネ部２６が縮むため、基板３０を第２の位置決め機構部２０側に移動させることができ、これにより基板３０の中心と回転中心４１とが一致した状態とすることができる。
【００５３】
次に、ステップ１２０（Ｓ１２０）において、基板３０を真空チャック部４４に吸着させる。具体的には、ステップ１１８において、基板３０の中心と回転部４０における回転中心とが一致している状態となった後、窒素ガスのブローを停止し、真空チャック部４４に接続されている真空ポンプ等により排気を行い真空チャック部４４に設けられた開口部４５を介し基板３０を真空チャック部４４に吸着させる。この後、第１の位置決め機構部１０において、第１の駆動部１３により、第１の基準部１１を回転中心４１より離れる方向に移動させることにより、基板３０の側面と第１の基準部１１の接触面１４とが接触していない状態とし、同様に、第２の位置決め機構部２０において、第２の駆動部２３により、第２の基準部２１を回転中心４１より離れる方向に移動させることにより、基板３０の側面と第２の基準部２１の接触部２４とが接触していない状態とする。これにより、基板３０の中心と回転部４０の回転中心４１とが一致した状態で真空チャック部４４に基板３０を吸着させることができる。
【００５４】
（基板処理方法）
次に、ステップ１２２（Ｓ１２２）において、ドレインカップ１１０とトッププレート１２０とを閉じて処理空間を形成し、処理空間内で基板３０を回転させる。基板３０は真空チャック部４４に吸着されており、回転中心４１と基板３０の中心とが一致した状態で回転することができる。
【００５５】
次に、ステップ１２４（Ｓ１２４）において、基板３０に対して処理を行う。具体的には、第１のノズル１４１と第２のノズル１６１による基板３０のベベル処理を行う。第１のノズル１４１と第２のノズル１６１には、予め基準基板の端部から処理幅だけ内側に入った位置にノズル位置が設定されている。基板３０のベベル処理は、送信部により送信された基板の実測値及び補正値に基づいて、予め設定されていたノズル位置からその補正値分だけノズル位置を調整して行われる。すなわち、ノズル駆動制御部１７０が、第１のノズル１４１をノズル用モータ１４２により所定の位置まで移動させ、第２のノズル１６１をノズル用モータ１６２により所定の位置まで移動させる。具体的には、基板３０のベベル処理を行う処理幅が、基板３０の端部より３mmである場合、第１のノズル１４１のノズル位置は予め基準基板８１の端部から３mm内側の位置に設定されている。実測された基板３０の直径が３００．２mmであれば、第１の位置決め機構１０の補正値が＋０．１mmであることから、基板３０の中心と回転中心４１とを合わせた時に、基板３０の端部は基準基板８１の端部より０．１mmだけ外側に位置することになる。そのため、第１のノズル１４１を、第１の位置決め機構と同様に、設定されたノズル位置から回転中心４１より離れる方向に０．１mm移動させる。また、実測された基板３０の直径が２９９．８mmであれば、第１の位置決め機構１０の補正値が−０．１mmであることから、基板３０の中心と回転中心４１とを合わせた時に、基板３０の端部は基準基板８１の端部より０．１mmだけ回転中心側に位置することになる。そのため、第１のノズル１４１を、第１の位置決め機構と同様に、設定されたノズル位置から回転中心に近づく方向に０．１mm移動させる。第２のノズル１６１についても、第１のノズル１４１と同様に、処理幅に合わせて予め設定されたノズル位置から、第１の位置決め機構の補正値分だけ移動させる。これにより、第１のノズル１４１及び第２のノズル１６１は、基板３０の実際の大きさに関わらず、基板３０の端部から所望の処理幅だけ離れた位置に正確に移動することができ、処理幅をそろえることができる。この後、第１のノズル１４１及び第２のノズル１６１より薬液を供給し、ベベル処理を行う。
【００５６】
更に、ブラシユニット１５０により基板３０の処理を行う場合にも、ノズル位置の調整と同様の制御を行い、ステップ１１６において得られた補正値に基づいて、第１のモータ１５４によりブラシ部１５１を基板３０に対する水平方向の位置が所望の位置になるように移動させることができる。これにより、基板３０の実際の大きさに関わらず、ブラシ部１５１によって所望の処理領域を正確に処理することができる。
【００５７】
ベベル処理が終了した後は、ドレインカップ１１０とトッププレート１２０とを離間し、ベベル処理がなされた基板３０は真空チャック部４４を解除することにより取外され第２のウエハ搬送機構２６０によって搬出される。そして、新たにベベル処理を行う基板３０が真空チャック部４４に載置されステップ１０８から１２４の工程を行うことによりベベル処理が行われる。
【００５８】
本実施の形態における基板処理装置としては、基板のべベル処理を行う装置、基板の中心から周囲に向けての処理を行う装置、基板の周囲から中心に向けての処理を行う装置等が挙げられ、これらの装置において本実施の形態における基板処理方法を行うことが可能である。
【００５９】
また、本実施の形態における基板処理装置及び基板処理方法は、ウエハ等の基板を回転させて処理を行う基板処理装置及び基板処理方法であれば、どのような装置であってもよい。特に、大型の基板の処理を行う場合、基板の中心と回転中心とが一致していないと、偏心により所望の回転をさせることができず、所望の処理を行うことができない場合がある。本実施の形態における基板処理装置及び基板処理方法であれば、このような場合においても所望の処理を行うことができる。
【００６０】
尚、基準基板８１を用いた基準位置検出工程は一度行えばよいため、ステップ１０８からステップ１２４の工程を繰り返すことにより、複数の基板に対して中心位置の正確な位置決めを行い、基板処理を短時間に行うことが可能である。
【００６１】
また、図１及び図２に示す基板処理システムにおいては、１つの基板処理ユニット内にある上述した基板位置決め装置により得られた基板３０の直径等の実測値及び補正値についての情報が、機械制御ユニット２１３に送信され、他の基板処理ユニットにおいて同じ基板の処理を行う場合に、送信されてきた基板の直径等の実測値及び補正値についての情報を用いて位置決めや基板処理を行う際のノズル位置の調整等の処理を行うことができる。
【００６２】
また、基板処理ユニットとは別個に、基板位置決め装置を備えたユニットを設け、この基板位置決め装置により得られた基板の直径等の実測値及び補正値についての情報を基板処理ユニットに送信してもよい。
【００６３】
具体的には、図１１に示すように、ウエハ受け渡しユニット２１４内等に基板位置決め装置を設置し、この基板位置決め装置により得られた基板の実測値及び補正値についての情報を、送信部２９０よりその基板の処理を行う基板処理ユニット２７１〜２７４に送信する。これにより、送信されてきた基板の実測値及び補正値についての情報に基づき、基板処理ユニット２７１〜２７４において、基板の中心と回転中心を合わせる位置決めや基板処理を行う際のノズル位置の調整等を行うことができる。また、基板位置決め装置により得られた基板の実測値及び補正値についての情報を送信部２９０より機械制御ユニット２１３に送信した場合、機械制御ユニット２１３から基板処理ユニット２７１〜２７４に送信してもよい。
【００６４】
このように、基板位置決め装置により得られた基板の実測値及び補正値についての情報を、他の基板処理ユニットに送信し、その情報を他の基板処理ユニットにおいて用いることで、それぞれの処理ユニットで基板の大きさを実測しなくても、正確に基板の位置決めを行うことができる。また、それぞれの処理ユニットで基板の大きさを実測する工程を省くことができるので、基板の処理時間を短縮することができる。
【００６５】
以上、本発明の実施に係る形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではない。
【符号の説明】
【００６６】
１０ 第１の位置決め機構部
１１ 第１の基準部
１２ 支持部
１３ 第１の駆動部
１４ 接触面
１５ ピン
１６ ネジ
２０ 第２の位置決め機構部
２１ 第２の基準部
２２ 支持部
２３ 第２の駆動部
２４ 接触部
２５ 可動部
２６ バネ部
２７ 本体部
２８ 位置センサ
２９ 連結部
３０ 基板
４０ 回転部
４１ 回転中心
４４ 真空チャック部
５０ 制御部
５１ 駆動制御部
５２ 記憶部
５３ 演算部
５４ 送信部
６０ 外部記憶部
１１０ ドレインカップ
１２０ トッププレート
１４０ ノズル部
１４１ 第１のノズル
１５０ ブラシユニット
１５１ ブラシ部
１６０ ノズル部
１６１ 第２のノズル
１７０ ノズル駆動制御部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置、基板処理方法及びプログラムを記録した記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体メモリ等の半導体素子は、半導体ウエハ等の基板上において成膜、エッチング等の基板処理を行うことにより形成される。このような基板処理として、基板の周辺部を処理するベベル処理等があり、このようなベベル処理等はベベル処理を行う基板処理装置により行われる。
【０００３】
ところで、ベベル処理は、半導体ウエハ等の基板を回転させながら処理を行うものであるため、半導体ウエハ等の基板の中心と回転中心とが一致している必要があり、ベベル処理される半導体ウエハ等の基板の位置決めが極めて重要である。これは、ベベル処理が基板の側面（端部）から数ミリの領域において行われるため、基板処理装置において基板が所定の位置よりずれて設置されてしまうと、所望のベベル処理が行われず、製造される半導体素子の歩留まりの低下等を招いてしまうからである。
【０００４】
また、ベベル処理を行う基板処理装置以外にも、半導体ウエハ等の基板を回転させながら処理を行う基板処理装置として、半導体ウエハ等の基板の中心から周辺に向けて処理を行う基板処理装置、また、基板の周辺から中心に向けて処理を行う基板処理装置等があり、これらの基板処理装置においても、基板の位置決めは重要である。
【０００５】
基板を回転させて基板処理を行う装置であって、特定の領域の処理を行う基板処理装置としては、引用文献１及び２に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１４２０７７号公報
【特許文献２】特開２００９−１４７１５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、引用文献１及び２に記載された基板処理装置における回転中心に対する基板の中心の位置決めは十分ではない場合があり、この場合には、上述したように歩留まり等の低下を招いてしまう。その理由として、半導体ウエハは、製造誤差や製造の都合上、全く同一の直径の半導体ウエハを製造することは困難であり、同じ３００ｍｍウエハでも、所定の規格を満たす範囲内で、大きさが異なるものが流通しているのが現状であり、特に、３００ｍｍウエハ等の大型な基板の場合等では、回転中心に対し基板の中心を正確に位置決めすることは極めて困難であることが挙げられる。
【０００８】
このため、大きさが異なる半導体ウエハ等の基板においても、正確に基板の大きさを測定し、その情報を処理部に伝達することにより、より精密に基板を処理することのできる基板処理装置、基板処理方法及びプログラムを記録した記憶媒体が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、被処理基板に処理流体を供給して基板処理を行う基板処理部と、前記被処理基板の側面に接触させ、前記被処理基板の位置を定める位置決め機構部と、前記位置決め機構部を駆動する位置決め駆動部と、前記位置決め機構部の位置を検出する検出部と、前記被処理基板の基準となる基準基板に対する前記位置決め機構部の位置を基準位置情報として記憶する記憶部と、前記基準位置情報と前記検出部において検出された前記位置決め機構部の位置情報との差を算出し、前記差より前記被処理基板の実測情報を算出する演算部と、を有することを特徴とする。
【００１０】
また、本発明は、被処理基板に処理流体を供給して基板処理を行う基板処理方法において、基準基板についての基準基板情報を記憶する基準基板情報記憶工程と、基板載置部上に前記被処理基板を載置する基板載置工程と、前記被処理基板を位置決め機構部に接触させて、前記位置決め機構部の位置を検出する検出工程と、前記検出工程で検出された位置情報と、前記基準基板情報とに基づき、前記被処理基板の実測情報を算出する算出工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、大きさが異なる半導体ウエハ等の基板においても、正確に基板の大きさを測定し、その情報を処理部に伝達することにより、より精密に基板を処理することのできる基板処理装置、基板処理方法及びプログラムを記録した記憶媒体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施の形態における基板処理システムの横断面図
【図２】本実施の形態における基板処理システムの側面図
【図３】本実施の形態におけるベベル処理装置の説明図（１）
【図４】本実施の形態におけるベベル処理装置の説明図（２）
【図５】ブラシユニットの構成図
【図６】回転部及び真空チャック部における断面図
【図７】本実施の形態における基板位置決め装置の側面図
【図８】本実施の形態における基板位置決め装置の上面図
【図９】本実施の形態における基板位置決め方法のフローチャート
【図１０】基準基板の説明図
【図１１】本実施の形態における他の基板処理システムの構成図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明を実施するための形態について、以下に説明する。
【００１４】
（基板処理システム）
本実施の形態における基板処理システムについて説明する。
【００１５】
図１及び図２に基づき、本実施の形態における基板処理システムについて説明する。尚、図１は、この基板処理システムの横断面図であり、図２は、側面図である。この基板処理システムは、基板処理を行う基板処理部２１０と、外部と基板処理部２１０との間でウエハＷの搬入出を行う搬入出部２２０とを有している。
【００１６】
搬入出部２２０には、複数枚、例えば、２５枚のウエハを収容することのできるＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）２３１を載置するための載置台２３０と、載置台２３０に載置されたＦＯＵＰ２３１と基板処理部２１０との間でウエハＷの受け渡しを行うための搬送室２４０とが設けられている。ＦＯＵＰ２３１には、複数枚のウエハＷが、略水平状態で保持されており、鉛直方向に所定の間隔となるように収納されている。
【００１７】
載置台２３０は、搬送室２４０の側壁部２４１に沿って配置されており、例えば、３個のＦＯＵＰ２３１が所定の位置に載置されている。側壁部２４１には、ＦＯＵＰ２３１の載置場所に対応する位置に、開口部２４２が設けられており、更に、各々の開口部２４２に設けられたシャッタ２４３が開閉することにより、ＦＯＵＰ２３１との間でウエハＷの搬入出を行うことができるように構成されている。搬送室２４０内には、ＦＯＵＰ２３１と基板処理部２１０との間でウエハＷを搬送する第１のウエハ搬送機構２５０が設けられている。第１のウエハ搬送機構２５０は、進退、昇降、回転の全てが自在に構成されたピック２５１を備えており、このピック２５１上にウエハＷが保持されて搬送される。また、ピック２５１は、基板処理部２１０に設けられているウエハ受け渡しユニット２１４に進入することが可能であり、ウエハ受け渡しユニット２１４にピック２５１を進入させることにより、基板処理部２１０との間においてウエハＷの受け渡しを行うことができる。
【００１８】
基板処理部２１０は、搬送室２４０との間で受け渡しされるウエハＷを一時的に載置するウエハ受け渡しユニット２１４と、ウエハＷに対して処理を行う基板処理ユニット２７１〜２７４と、基板処理部２１０においてウエハＷの搬送を行う第２のウエハ搬送機構２６０が設けられている。また、基板処理ユニット２７１〜２７４のいずれかには、後述する本実施の形態におけるベベル処理装置等の基板処理装置と基板位置決め装置とが組み込まれている。また、第２のウエハ搬送機構２６０は、進退、昇降、回転の全てが自在に構成されたピック２６１を備えており、このピック２６１上にウエハＷが保持されて搬送される。更に、基板処理部２１０には、ベベル処理等を行うための処理液を貯蔵するための処理液貯蔵ユニット２１１と、基板処理システム全体に電力を供給するための電源ユニット２１２と、基板処理システム全体の制御を行う機械制御部２１３が設けられている。また、基板処理部２１０の天井部分には、各々のユニット及び第２のウエハ搬送機構２６０が設けられている空間に清浄な空気をダウンフローにより供給するためのファンフィルタユニット（ＦＦＵ）２１６が設けられている。
【００１９】
また、この基板処理システムは、制御部２８０が接続されている。この制御部２８０は、例えば、不図示のＣＰＵと記憶部とを備えたコンピュータにより構成されており、記憶部には、基板処理システムにおいて行われる動作を制御するためのプログラムが記憶されている。このプログラムは、例えば、ハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリカード等の記憶媒体に格納され、そこからコンピュータにインストールされる。また、この制御部２８０は、例えば、基板処理部２１０における機械制御ユニット２１３内に設けてもよい。
【００２０】
尚、本実施の形態における基板処理システムは複数の処理ユニットを有するものであるが、基板処理装置としての概念に含まれるものである。
【００２１】
（基板処理装置）
次に、本実施の形態におけるウエハＷに対して処理を行う基板処理装置について説明する。本実施の形態における基板処理装置は、前述した基板処理システムにおける基板処理ユニット２７１〜２７４のいずれかに組み込まれているものである。
【００２２】
本実施の形態における基板処理装置は、例えば、ウエハＷのベベル処理を行うベベル処理装置である。具体的には、本実施の形態におけるベベル処理装置は、ウエハＷを回転させながら、ウエハＷの側面（端部）から内側に３ｍｍ程度までの領域の処理を行う装置であり、この部分に形成されているＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜、ポリシリコン膜等をフッ酸（ＨＦ）、アンモニア（ＮＨ３）と過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）との混合溶液、フッ硝酸（フッ酸と硝酸（ＨＮＯ３）の混合液）等の処理液により、除去するための基板処理装置である。尚、本願明細書において上述したウエハＷは後述する基板３０に相当するものであり、半導体ウエハと称するものである。
【００２３】
図３及び図４に基づき、本実施の形態における基板処理装置としてベベル処理装置について説明する。本実施の形態におけるベベル処理装置は、ベベル処理に用いられた処理液を受け、ベベル処理装置の外部に排出するためのドレインカップ１１０、基板３０の上方を覆うためのトッププレート１２０、基板３０を載置し回転させるための回転部４０、ノズル部１４０及び１６０、図５に示すブラシユニット１５０を有しており、更に、後述する基板位置決め装置を有している。
図３は、ドレインカップ１１０とトッププレート１２０とが開いて基板の搬出入が可能な状態を示し、図４は、ドレインカップ１１０とトッププレート１２０とが閉じた状態を示す。尚、ベベル処理は、図４に示すようにドレインカップ１１０とトッププレート１２０とが閉じた状態で行われる。
【００２４】
図６に示すように、回転部４０は、回転伝達部４２を介してモータ４３が設けられており、載置された基板３０を回転させることができる。また、回転部４０において基板３０が載置される面には、基板吸着部となる真空チャック部４４が設けられており、不図示の真空ポンプ等に接続されている。真空チャック部４４には気体開口部４５が設けられており、真空チャック部４４における真空チャックは、基板３０を真空チャック部４４に載置した後、真空ポンプ等により排気することにより、気体開口部４５に基板３０が吸着されることにより行われる。また、真空チャック部４４においては、気体開口部４５より窒素（Ｎ２）ガス等を基板３０側に供給すること（窒素ガスブロー）により、真空チャック部４４上において基板３０を浮上させることも可能である。
【００２５】
本実施の形態では、回転部４０における真空チャック部４４上に基板３０を載置した後、ドレインカップ１１０の外側に備えられた後述する基板位置決め装置が、ドレインカップ１１０とトッププレート１２０の間に侵入することにより、基板３０の中心位置の位置決めを行う。その後、基板位置決め装置をドレインカップ１１０とトッププレート１２０の間に侵入した位置からドレインカップ１１０の外側に退避させてから、トッププレート１２０を降下させ、かつ、ドレインカップ１１０を上昇させて、トッププレート１２０とドレインカップ１１０とが接触した状態で、処理空間を形成する。その処理空間内において、基板３０を回転させて、トッププレート１２０側に設けられたノズル部１４０における第１のノズル１４１と、ドレインカップ１１０側に設けられたノズル部１６０における第２のノズル１６１より処理液を供給し、基板３０のべベル処理を行う。
【００２６】
この際、ノズル部１４０には第１のノズル１４１を基板３０の半径方向に移動させるためのモータ１４２が設けられており、ノズル部１６０には第２のノズル１６１をウエハの半径方向に移動させるためのモータ１６２が設けられている。これらの第１のノズル１４１及び第２のノズル１６１は、後述する基板位置決め装置により得られた基板３０の直径等の情報に基づいて決定された位置に、モータ１４２及びモータ１６２により、配置される。この際、ノズル駆動部となるモータ１４２及びモータ１６２は、ノズル駆動制御部１７０の制御により、第１のノズル１４１及び第２のノズル１６１を移動させる。これにより基板の大きさに依存することなく所望のベベル処理を確実に行うことができる。
【００２７】
尚、ドレインカップ１１０にはノズル部１４０の他に、不図示のノズル部を設置してもよく、また複数のノズル部を設置してもよい。このノズル部は、ノズル部１４０と略同様の構成であり、ノズル及びこのノズルを基板の半径方向に移動させるためのノズル用モータが設けられている。
【００２８】
また、本実施の形態における基板処理装置では、図５に示すように、ブラシユニット１５０を有しており、ブラシユニット１５０による処理を行うことができる。このブラシユニット１５０は、基板３０に接触して処理を行う円柱形のスポンジ等により形成されたブラシ部１５１、ブラシ部１５１を回転させるためのブラシ用モータ１５２を有し、ブラシ部１５１及びブラシ用モータ１５２を含むブラシユニット本体部１５３を移動させることのできる第１のモータ１５４及び第２のモータ１５５を有している。そして、このブラシユニット１５０は、ドレインカップ１１０とトッププレート１２０とが閉じた状態で、基板３０の処理を行う。第１のモータ１５４は、基板面に対し平行方向にブラシユニット本体部１５３を移動させることができるものであり、ブラシ部１５１の基板３０に対する水平方向の位置を調整することができる。よって、第１のモータ１５４により、基板３０の処理がなされる領域を定めることができる。また、第２のモータ１５５は、基板面に対し垂直方向にブラシユニット本体部１５３を移動させることができるものであり、ブラシ部１５１の基板３０に対する高さを調整することができる。よって、第２のモータ１５５により、ブラシ部１５１が所望の押圧力で基板３０の処理を行うことができる所定の高さに調整することができる。本実施の形態では、後述する基板位置決め装置により得られた基板３０の直径の情報に基づいて第１のモータ１５４を制御し、基板３０の大きさに対応して、ブラシ部１５１を所望の位置に移動させることができる。これにより、ブラシ部１５１による基板３０の処理を最適な位置で行うことができ、所望の処理を行うことができる。
【００２９】
（基板位置決め装置）
次に、本実施の形態における基板位置決め装置について説明する。
【００３０】
図７は、本実施の形態における基板位置決め装置の側面図であり、図８は、本実施の形態における基板位置決め装置の上面図である。本実施の形態における基板位置決め装置は、半導体ウエハ等の円形の基板の位置決めを行うものである。
【００３１】
本実施の形態における基板位置決め装置は、基板処理ユニット２７１〜２７４のいずれかに組み込まれており、第１の位置決め機構部１０と第２の位置決め機構部２０とを有している。第１の位置決め機構部１０と第２の位置決め機構部２０とは、基板３０を載置する回転部４０の回転中心４１を通る直線上に回転部４０を挟んで対向する位置に配置されている。
【００３２】
第１の位置決め機構部１０は、基板３０の側面（端部）と接触する第１の基準部１１、第１の基準部１１を支持するための支持部１２及び支持部１２を介し第１の基準部１１を基板３０の半径方向に直線的に移動させることのできる第１の駆動部１３を有している。第１の基準部１１は、基板３０と接触する接触面１４が上面から見てＶ字状に形成されており、この接触面１４において円形の基板３０の側面の２点と接触することができる。第１の基準部１１は、変形しない材料であって、金属等の不純物が混入する可能性の少ない材料が好ましく、例えば、セラミックスまたはポリエーテル・エーテル・ケトン樹脂（ＰＥＥＫ）等の樹脂材料により形成されている。支持部１２は、Ｌ字に形成されており、一方の端において、第１の基準部１１が取り付けられている。第１の基準部１１は、支持部１２に設けられたピン１５を中心に回転可能な状態で支持されるとともに、ネジ１６により固定されている。
【００３３】
この際、ピン１５を中心に第１の基準部１１を動かし、後述する基準基板１８の側面の２点と接触する位置に合わせ、ネジ１６により固定することにより、第１の基準部１１と基準基板８１とを確実に２点で接触させることができる。また、支持部１２の他方の端は、第１の駆動部１３に接続されている。第１の駆動部１３は、第１の基準部１１を基板３０の半径方向に直線的に移動させることができるものであって、所定の位置で停止させることができる位置制御可能なモータにより構成されている。例えば、位置制御を比較的正確に行うことが可能なステッピングモータ等が好ましい。
【００３４】
第２の位置決め機構部２０は、基板３０の側面と接触する第２の基準部２１、第２の基準部２１を支持するための支持部２２及び支持部２２を介し第２の基準部２１を基板３０の半径方向に直線的に移動させることのできる第２の駆動部２３を有している。
【００３５】
また、第２の基準部２１は、接触部２４、可動部２５、バネ部２６、本体部２７、位置センサ２８、連結部２９を有している。
【００３６】
接触部２４は、円筒状に形成され、円筒の中心を軸に回転可能な状態で連結部２９に取り付けられている。例えば、接触部２４はボールベアリング等により形成されている。連結部２９はバネ部２６を介し本体部２７と接続されており、バネ部２６は、連結部２９に取り付けられた接触部２４が回転部４０における回転中心４１に向かう方向に力を加えるように取り付けられている。このため、基板３０の位置決めを行い基板３０の側面と接触部２４の側面とが接触する際に、基板３０の中心が回転部４０における回転中心４１と接触部２４を結ぶ直線上からずれていたとしても、基板３０の移動に合わせて接触部２４が回転することで、基板３０は滑らかに移動することができる。また、基板３０の側面と接触部２４の側面とが接触する際に、バネ部２６が収縮することにより、基板３０に必要以上の力が加わることを防止することができる。可動部２５は、連結部２９に接続され、バネ部２６の伸縮に伴って移動する接触部２４と共に移動する。また、本体部２７に取り付けられた位置センサ２８は、可動部２５までの距離を測定することができる。このように、位置センサ２８により可動部２５までの距離を測定することにより、予め設定されている基準の距離との差を算出し、基板３０の直径を計算することができる。接触部２４は、変形しない材料であって、金属等の不純物が混入する可能性の少ない材料が好ましく、例えば、セラミックスまたはポリエーテル・エーテル・ケトン樹脂（ＰＥＥＫ）等の樹脂材料により形成されている。また、位置センサ２８は、可動部２５の位置を検出することができるものであればよく、接触式のセンサ、または、磁気センサや光学センサ等の非接触センサを用いることが可能である。
【００３７】
第２の基準部２１は、支持部２２の一方の端で接続されており、支持部２２の他方の端は、第２の駆動部２３と接続されている。第２の駆動部２３は、第２の基準部２１を基板３０の半径方向に直線的に移動させることができるものである。例えば、第２の駆動部２３は、直線的に移動可能なエアシリンダ、または、直線的に移動可能なモータ等により形成されている。尚、第１の駆動部１３の直線的な移動方向と、第２の駆動部２３の直線的な移動方向とは同一線上となるように設置されており、この線上には、回転部４０の回転中心４１が存在している。更に、第２の駆動部２３は、基板面に対し垂直方向に移動可能な不図示の昇降シリンダに接続されており、第２の基準部２１、支持部２２及び第２の駆動部２３を全体的に、基板面に対し略垂直方向に移動させることができる。
【００３８】
また、本実施の形態では、第１の位置決め機構部１０における第１の基準部１１と、回転部４０の回転中心４１と、第２の位置決め機構部２０における第２の基準部２１とは、同一線上に位置するように配置されている。
【００３９】
更に、本実施の形態では、第１の位置決め機構部１０、第２の位置決め機構部２０、回転部４０、真空チャック部４４において基板３０を真空チャックするための不図示の真空ポンプ及び真空ポンプと真空チャック部４１の接続状態を切り替えるバルブ４５、窒素ガス等を供給するためのバルブ４６等は、制御部５０と接続されており、制御部５０により、これらの制御を行うことができる。また、制御部５０は、外部記憶部６０と接続されており、外部記憶部６０には、制御部５０において制御を行うプログラムが格納されている。尚、制御部５０内には、第１の位置決め機構部１０、第２の位置決め機構部２０及び回転部４０等の制御を行う駆動制御部５１、基準位置等の情報を記憶するための記憶部５２、各種算出動作を行う演算部５３、基板の処理を実際に行う基板処理部等に計測された基板の情報を送信する送信部５４を有している。
【００４０】
（基板の計測と位置決め方法）
次に、図９に基づき、本実施の形態における基板の計測と位置決め方法について説明する。本実施の形態における基板の計測と位置決め方法は、本実施の形態における基板処理装置及び基板位置決め装置を用いて行うものである。
【００４１】
最初に、ステップ１０２（Ｓ１０２）において、基準基板を回転部４０の真空チャック部４４上に載置する。具体的には、図１０に示すように、基準基板８１は、直径が３００ｍｍの円形に形成されており、基準基板８１の中心部分に凸部８２が形成されている。また、真空チャック部４４の表面の回転中心４１となる部分には、凸部８２に対応する不図示の凹部が設けられており、真空チャック部４４の凹部に基準基板８１の凸部８２を挿入することにより、回転部４０の回転中心４１と基準基板８１の中心とが一致するように形成されている。即ち、基準基板８１において、回転部４０の回転中心４１から周囲までの距離が均一となるように形成されている。尚、本実施の形態では、基準基板８１の中心部分には凸部８２を設け、真空チャック部４４には凹部を設けた構成について説明したが、基準基板８１を真空チャック部４４上に設置した際に、回転部４０の回転中心４１と基準基板８１の中心とが一致するように、基準基板８１を設置することができる構成及び方法であれば、他の形状や方法であってもよい。
【００４２】
次に、ステップ１０４（Ｓ１０４）において、基準位置の決定を行う。具体的には、真空チャック部４４に基準基板８１を載置した状態で、第１の位置決め機構部１０及び第２の位置決め機構部２０により、基準基板８１を基準として第1の位置決め機構部１０および第２の位置決め機構部２０の基準位置を決定する。この基準位置の決定は、以下の工程により行う。
【００４３】
第１の位置決め機構部１０では、第１の駆動部１３により、第１の基準部１１を回転部４０の回転中心４１に向かう方向に、基準基板８１に接触するまで移動させる。この際、第１の基準部１１はピン１５を中心に回動し、Ｖ字状に形成された接触面１４が、基準基板８１と２点において接触するように調整する。そして、その状態で第１の基準部１１と支持部１２とを、ネジ１６で固定する。第１の位置決め機構部１０の基準位置は、回転部４０の回転中心４１に向かう方向において、第１の基準部１１が基準基板８１と２点において接触する位置に決定される。また、第２の位置決め機構部２０では、第２の駆動部２３により、第２の基準部２１を回転部４０の回転中心４１に向かう方向に移動させ、第２の基準部２１における接触部２４が基準基板８１に接触した後、位置センサ２８が検出する可動部２５までの距離が予め決められた基準の距離、例えば１ｍｍになるようにする。第２の位置決め機構部２０の基準位置は、この可動部２５までの距離が予め決められた基準の距離になる位置に決定される。この後、第１の位置決め機構部１０において、第１の駆動部１３により第１の基準部１１を基準基板８１より離れる方向に移動させ、同様に、第２の位置決め機構部２０において、第２の駆動部２３により第２の基準部２１を基準基板８１より離れる方向に移動させる。さらに、この後、基準基板８１を真空チャック部４４に設けられた凹部より取外す。
【００４４】
次に、ステップ１０６（Ｓ１０６）において、基準位置の情報が記憶される。具体的には、ステップ１０４において決定された第１の位置決め機構部１０の基準位置と、第２の位置決め機構部２０の基準位置を制御部５０内に設けられている記憶部５２に記憶させる。
【００４５】
次に、ステップ１０８（Ｓ１０８）において、基板３０を真空チャック部４４上に載置する。具体的には、基板３０を真空チャック部４４上に載置した状態で、真空チャック部４４から基板３０に向けて窒素ガスを供給し、窒素ガスブローにより基板３０を真空チャック部４４上において浮上させる。基板３０の真空チャック部４４に対する面が平坦であるため、真空チャック部４４上に載置した状態で、真空チャック部４４に吸着してしまう場合があり、この状態での吸着を避けるため、窒素ガスブローを行う。これにより基板３０を真空チャック部４４上で容易に移動させることができる。このため、この状態では、基板３０は真空チャック部４４には吸着されていない。尚、この窒素ガスブローは必要に応じて行われるものであり、窒素ガスブローを行うことなく本実施の形態における位置決めを行うことは可能である。
【００４６】
次に、ステップ１１０（Ｓ１１０）において、基板３０の計測を行う。具体的には、最初に、第１の基準部１１をステップ１０６において記憶した第１の位置決め機構部１０の基準位置まで第１の駆動部１３により移動させる。この際、真空チャック部４４に載置された基板３０が３００ｍｍよりも大きい場合や載置された位置がずれている場合には、第１の基準部１１の接触面１４が基板３０の側面と接触し、第１の基準部１１により基板３０は押されて第２の位置決め機構部２０側に移動する。一方、真空チャック部４４に載置された基板３０が３００ｍｍよりも小さい場合には、基準基板と同条件で載置されると通常は第１の基準部１１の接触面１４と基板３０の側面とは接触することなく、第１の基準部１１の接触面１４と基板３０の側面との間に隙間が形成される。
【００４７】
次に、第２の基準部２１をステップ１０６において記憶した第２の位置決め機構部２０の基準位置まで第２の駆動部２３により移動させる。この際、第２の基準部２１の接触部２４と基板３０の側面とが接触し、接触部２４は回転中心４１から離れる方向に押し込まれる。接触部２４が押し込まれるのと共に、可動部２５も回転中心４１から離れる方向に移動する。真空チャック部４４に載置された基板３０が３００ｍｍよりも大きい場合には、位置センサ２８により検出される可動部２５までの距離は、予め決められた基準の距離である１ｍｍよりも小さくなる。一方、真空チャック部４４に載置された基板３０が３００ｍｍよりも小さい場合には、位置センサ２８により検出される可動部２５までの距離は、予め決められた基準の距離である１ｍｍよりも大きくなる。これら各々の状態において、位置センサ２８により検出された可動部２５までの距離を演算部５３へ送る。
【００４８】
次に、ステップ１１２（Ｓ１１２）において、位置センサ２８により検出された可動部２５までの距離に基づき基板３０の直径の実測値を制御部５０内に設けられている演算部５３において算出する。具体的には、基準位置は可動部２５までの距離が１ｍｍとなる位置であるため、位置センサ２８で検出された距離が０．８ｍｍである場合には、基板３０の直径の実測値は３００．２ｍｍであるものと算出される。また、位置センサ２８で検出された距離が１．２ｍｍである場合には、基板３０の直径の実測値は２９９．８ｍｍであるものと算出される。
【００４９】
尚、第２の基準部２１を所定の位置まで移動させた場合に、検出値が大きく外れる場合がある。このような場合としては、接触部２４が基板３０の側面に形成されたノッチ等に接触している場合が考えられる。このため、このような場合には、ノッチが形成されている位置を避けて基板３０の計測を行う必要があるため、回転部４０により基板３０を９０°回転させて、再度、同様の計測を行う。数回行っても、検出値が大きく外れる場合には、真空チャック部４４に載置された基板３０は所定の規格を満たしていないものと考えられるため、真空チャック部４４より取り除き、次の基板３０を載置し、ステップ１０８以降のプロセスを行う。
【００５０】
次に、ステップ１１４（Ｓ１１４）において、基板３０の中心を回転中心４１に合わせる補正をするための補正値を演算部５３において算出する。即ち、ステップ１１２において算出した基板３０の直径の実測値をもとに、真空チャック部４４上に載置されている基板３０を現状の位置より移動させる距離となる補正値を算出する。具体的には、ステップ１１２において、３００．２ｍｍと算出された場合には、基準基板３０よりも０．２ｍｍ大きいため、補正値は＋０．２ｍｍの半分の＋０．１ｍｍとなる。また、２９９．８ｍｍと算出された場合には、基準基板３０よりも０．２ｍｍ小さいため、補正値は−０．２ｍｍの半分の−０．１ｍｍとなる。
【００５１】
次に、ステップ１１６（Ｓ１１６）において、実測値及び補正値についての情報を基板処理装置に送信する。具体的には、送信部５４により、基板処理装置内で基板処理を行う部分、例えば、ノズル駆動制御部１７０に基板の実測値及び補正値についての情報を送信する。
【００５２】
次に、ステップ１１８（Ｓ１１８）において、ステップ１１４で得られた補正値に基づいて駆動制御部５１が真空チャック部４４上に載置されている基板３０の位置補正を行う。具体的には、補正値が＋０．１ｍｍの場合、基板３０の中心は回転部４０の回転中心４１よりも、第２の位置決め機構部２０側に０．１ｍｍずれているため、駆動制御部５１が、第１の位置決め機構部１０の第１の駆動部１３により、第１の基準部１１を回転中心４１より離れる方向に、０．１ｍｍ移動させる。これにより、基板３０は第２の基準部２１におけるバネ部２６により、連結部２９と接触部２４を介し第１の位置決め機構部１０側に押され、基板３０である基板３０の中心と回転中心４１とが一致した状態とすることができる。また、補正値が、−０．１ｍｍの場合、基板３０の中心は回転部４０の回転中心４１よりも、第１の位置決め機構部１０側に０．１ｍｍずれているため、駆動制御部５１が、第１の位置決め機構部１０の第１の駆動部１３により、第１の基準部１１を回転中心４１に近づく方向に、０．１ｍｍ移動させる。これにより、基板３０の側面が第１の基準部１１の接触面１４を介して押され、第２の位置決め機構部２０におけるバネ部２６が縮むため、基板３０を第２の位置決め機構部２０側に移動させることができ、これにより基板３０の中心と回転中心４１とが一致した状態とすることができる。
【００５３】
次に、ステップ１２０（Ｓ１２０）において、基板３０を真空チャック部４４に吸着させる。具体的には、ステップ１１８において、基板３０の中心と回転部４０における回転中心とが一致している状態となった後、窒素ガスのブローを停止し、真空チャック部４４に接続されている真空ポンプ等により排気を行い真空チャック部４４に設けられた開口部４５を介し基板３０を真空チャック部４４に吸着させる。この後、第１の位置決め機構部１０において、第１の駆動部１３により、第１の基準部１１を回転中心４１より離れる方向に移動させることにより、基板３０の側面と第１の基準部１１の接触面１４とが接触していない状態とし、同様に、第２の位置決め機構部２０において、第２の駆動部２３により、第２の基準部２１を回転中心４１より離れる方向に移動させることにより、基板３０の側面と第２の基準部２１の接触部２４とが接触していない状態とする。これにより、基板３０の中心と回転部４０の回転中心４１とが一致した状態で真空チャック部４４に基板３０を吸着させることができる。
【００５４】
（基板処理方法）
次に、ステップ１２２（Ｓ１２２）において、ドレインカップ１１０とトッププレート１２０とを閉じて処理空間を形成し、処理空間内で基板３０を回転させる。基板３０は真空チャック部４４に吸着されており、回転中心４１と基板３０の中心とが一致した状態で回転することができる。
【００５５】
次に、ステップ１２４（Ｓ１２４）において、基板３０に対して処理を行う。具体的には、第１のノズル１４１と第２のノズル１６１による基板３０のベベル処理を行う。第１のノズル１４１と第２のノズル１６１には、予め基準基板の端部から処理幅だけ内側に入った位置にノズル位置が設定されている。基板３０のベベル処理は、送信部により送信された基板の実測値及び補正値に基づいて、予め設定されていたノズル位置からその補正値分だけノズル位置を調整して行われる。すなわち、ノズル駆動制御部１７０が、第１のノズル１４１をノズル用モータ１４２により所定の位置まで移動させ、第２のノズル１６１をノズル用モータ１６２により所定の位置まで移動させる。具体的には、基板３０のベベル処理を行う処理幅が、基板３０の端部より３mmである場合、第１のノズル１４１のノズル位置は予め基準基板８１の端部から３mm内側の位置に設定されている。実測された基板３０の直径が３００．２mmであれば、第１の位置決め機構１０の補正値が＋０．１mmであることから、基板３０の中心と回転中心４１とを合わせた時に、基板３０の端部は基準基板８１の端部より０．１mmだけ外側に位置することになる。そのため、第１のノズル１４１を、第１の位置決め機構と同様に、設定されたノズル位置から回転中心４１より離れる方向に０．１mm移動させる。また、実測された基板３０の直径が２９９．８mmであれば、第１の位置決め機構１０の補正値が−０．１mmであることから、基板３０の中心と回転中心４１とを合わせた時に、基板３０の端部は基準基板８１の端部より０．１mmだけ回転中心側に位置することになる。そのため、第１のノズル１４１を、第１の位置決め機構と同様に、設定されたノズル位置から回転中心に近づく方向に０．１mm移動させる。第２のノズル１６１についても、第１のノズル１４１と同様に、処理幅に合わせて予め設定されたノズル位置から、第１の位置決め機構の補正値分だけ移動させる。これにより、第１のノズル１４１及び第２のノズル１６１は、基板３０の実際の大きさに関わらず、基板３０の端部から所望の処理幅だけ離れた位置に正確に移動することができ、処理幅をそろえることができる。この後、第１のノズル１４１及び第２のノズル１６１より薬液を供給し、ベベル処理を行う。
【００５６】
更に、ブラシユニット１５０により基板３０の処理を行う場合にも、ノズル位置の調整と同様の制御を行い、ステップ１１６において得られた補正値に基づいて、第１のモータ１５４によりブラシ部１５１を基板３０に対する水平方向の位置が所望の位置になるように移動させることができる。これにより、基板３０の実際の大きさに関わらず、ブラシ部１５１によって所望の処理領域を正確に処理することができる。
【００５７】
ベベル処理が終了した後は、ドレインカップ１１０とトッププレート１２０とを離間し、ベベル処理がなされた基板３０は真空チャック部４４を解除することにより取外され第２のウエハ搬送機構２６０によって搬出される。そして、新たにベベル処理を行う基板３０が真空チャック部４４に載置されステップ１０８から１２４の工程を行うことによりベベル処理が行われる。
【００５８】
本実施の形態における基板処理装置としては、基板のべベル処理を行う装置、基板の中心から周囲に向けての処理を行う装置、基板の周囲から中心に向けての処理を行う装置等が挙げられ、これらの装置において本実施の形態における基板処理方法を行うことが可能である。
【００５９】
また、本実施の形態における基板処理装置及び基板処理方法は、ウエハ等の基板を回転させて処理を行う基板処理装置及び基板処理方法であれば、どのような装置であってもよい。特に、大型の基板の処理を行う場合、基板の中心と回転中心とが一致していないと、偏心により所望の回転をさせることができず、所望の処理を行うことができない場合がある。本実施の形態における基板処理装置及び基板処理方法であれば、このような場合においても所望の処理を行うことができる。
【００６０】
尚、基準基板８１を用いた基準位置検出工程は一度行えばよいため、ステップ１０８からステップ１２４の工程を繰り返すことにより、複数の基板に対して中心位置の正確な位置決めを行い、基板処理を短時間に行うことが可能である。
【００６１】
また、図１及び図２に示す基板処理システムにおいては、１つの基板処理ユニット内にある上述した基板位置決め装置により得られた基板３０の直径等の実測値及び補正値についての情報が、機械制御ユニット２１３に送信され、他の基板処理ユニットにおいて同じ基板の処理を行う場合に、送信されてきた基板の直径等の実測値及び補正値についての情報を用いて位置決めや基板処理を行う際のノズル位置の調整等の処理を行うことができる。
【００６２】
また、基板処理ユニットとは別個に、基板位置決め装置を備えたユニットを設け、この基板位置決め装置により得られた基板の直径等の実測値及び補正値についての情報を基板処理ユニットに送信してもよい。
【００６３】
具体的には、図１１に示すように、ウエハ受け渡しユニット２１４内等に基板位置決め装置を設置し、この基板位置決め装置により得られた基板の実測値及び補正値についての情報を、送信部２９０よりその基板の処理を行う基板処理ユニット２７１〜２７４に送信する。これにより、送信されてきた基板の実測値及び補正値についての情報に基づき、基板処理ユニット２７１〜２７４において、基板の中心と回転中心を合わせる位置決めや基板処理を行う際のノズル位置の調整等を行うことができる。また、基板位置決め装置により得られた基板の実測値及び補正値についての情報を送信部２９０より機械制御ユニット２１３に送信した場合、機械制御ユニット２１３から基板処理ユニット２７１〜２７４に送信してもよい。
【００６４】
このように、基板位置決め装置により得られた基板の実測値及び補正値についての情報を、他の基板処理ユニットに送信し、その情報を他の基板処理ユニットにおいて用いることで、それぞれの処理ユニットで基板の大きさを実測しなくても、正確に基板の位置決めを行うことができる。また、それぞれの処理ユニットで基板の大きさを実測する工程を省くことができるので、基板の処理時間を短縮することができる。
【００６５】
以上、本発明の実施に係る形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではない。
【符号の説明】
【００６６】
１０ 第１の位置決め機構部
１１ 第１の基準部
１２ 支持部
１３ 第１の駆動部
１４ 接触面
１５ ピン
１６ ネジ
２０ 第２の位置決め機構部
２１ 第２の基準部
２２ 支持部
２３ 第２の駆動部
２４ 接触部
２５ 可動部
２６ バネ部
２７ 本体部
２８ 位置センサ
２９ 連結部
３０ 基板
４０ 回転部
４１ 回転中心
４４ 真空チャック部
５０ 制御部
５１ 駆動制御部
５２ 記憶部
５３ 演算部
５４ 送信部
６０ 外部記憶部
１１０ ドレインカップ
１２０ トッププレート
１４０ ノズル部
１４１ 第１のノズル
１５０ ブラシユニット
１５１ ブラシ部
１６０ ノズル部
１６１ 第２のノズル
１７０ ノズル駆動制御部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板に処理流体を供給して基板処理を行う基板処理部と、
前記被処理基板の側面に接触させ、前記被処理基板の位置を定める位置決め機構部と、
前記位置決め機構部を駆動する位置決め駆動部と、
前記位置決め機構部の位置を検出する検出部と、
前記被処理基板の基準となる基準基板に対する前記位置決め機構部の位置を基準位置情報として記憶する記憶部と、
前記基準位置情報と前記検出部において検出された前記位置決め機構部の位置情報との差を算出し、前記差より前記被処理基板の実測情報を算出する演算部と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記演算部において算出された前記実測情報を前記基板処理部へ送る送信部を有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記送信部は、前記実測情報を複数の前記基板処理部へ送信するものであることを特徴とする特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板処理部は、前記被処理基板の処理を行う流体を供給するためのノズルと、
前記ノズルを前記被処理基板面に沿って移動させるノズル駆動部と、
前記演算部の情報に基づいて、前記ノズルが所定の位置に移動するように前記ノズル駆動部を制御するノズル駆動制御部と、を有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記ノズルは、前記被処理基板のベベル部に処理液を供給し、ベベル処理を行うものであることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記ノズルは、前記被処理基板の中心部より周辺部に、または、前記基板の周辺部より中心部に移動させるものであることを特徴とする請求項４または５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記演算部の情報に基づいて前記位置決め駆動部を駆動させ、前記被処理基板を所定の位置に移動させるように前記位置決め駆動部を制御する位置決め駆動制御部を有することを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記実測情報は、前記被処理基板の直径の情報であることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記基板処理部と前記位置決め機構部は、異なるユニット内に設けられていることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記基板処理部と前記位置決め機構部は、１つのユニット内に設けられていることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記位置決め機構部は、
前記被処理基板の側面と接触する第１の基準部と、前記第１の基準部を移動させるための第１の駆動部とを有する第１の位置決め機構部と、
前記被処理基板の側面と接触する第２の基準部と、前記第２の基準部を移動させるための第２の駆動部とを有する第２の位置決め機構部と、
を有することを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記第１の基準部は、前記被処理基板の側面に２点以上で接触するように形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記第２の基準部は、前記被処理基板の側面に１点で接触する接触部と、前記接触部を前記第２の基準部が移動する方向に力を加えることのできる弾性部と、を有することを特徴とする請求項１１または１２に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記接触部は略円形の形状を有しており、前記円形の中心を軸に回転可能な状態で前記第２の基準部に設置されていることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
被処理基板に処理流体を供給して基板処理を行う基板処理方法において、
基準基板についての基準基板情報を記憶する基準基板情報記憶工程と、
基板載置部上に前記被処理基板を載置する基板載置工程と、
前記被処理基板を位置決め機構部に接触させて、前記位置決め機構部の位置を検出する検出工程と、
前記検出工程で検出された位置情報と、前記基準基板情報とに基づき、前記被処理基板の実測情報を算出する算出工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１６】
算出された前記被処理基板の実測情報を基板処理部に送信する送信工程を有することを特徴とする請求項１５に記載の基板処理方法。
【請求項１７】
前記送信工程で受信された前記被処理基板の実測情報に基づき、基板処理部内におけるノズルを所定の位置に移動させ、前記ノズルより処理流体を供給することにより基板処理を行う基板処理工程を有することを特徴とする請求項１６に記載の基板処理方法。
【請求項１８】
前記基準基板情報記憶工程は、
前記基準基板の中心と前記基板載置部の中心とが一致するように、前記基板載置部上に前記基準基板を載置する工程と、
第１の基準部と前記基準基板の側面とを接触させ、さらに、第２の基準部と前記基準基板の側面とを接触させて、前記位置決め機構部の基準位置を決定する基準基板位置決定工程と、
前記基準位置を前記基準基板情報として記憶する記憶工程と、
を有することを特徴とする請求項１５から１７のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１９】
前記検出工程は、前記第１の基準部と前記被処理基板の側面とを接触させ、更に、前記第２の基準部と前記被処理基板の側面とを接触させ、検出部により前記第２の基準部の位置を検出するものであることを特徴とする請求項１５から１８のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項２０】
前記算出工程は、前記検出工程において検出された値と、前記基準基板情報とに基づき、前記被処理基板の直径を算出することを特徴とする請求項１５から１９のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項２１】
前記基板載置工程、前記検出工程、前記算出工程を繰り返し行うことにより、複数の被処理基板の位置決めを行うことを特徴とする請求項１５から２０のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項２２】
コンピュータに請求項１５から２０のいずれかに記載の基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読取り可能な記録媒体。
【請求項１】
被処理基板に処理流体を供給して基板処理を行う基板処理部と、
前記被処理基板の側面に接触させ、前記被処理基板の位置を定める位置決め機構部と、
前記位置決め機構部を駆動する位置決め駆動部と、
前記位置決め機構部の位置を検出する検出部と、
前記被処理基板の基準となる基準基板に対する前記位置決め機構部の位置を基準位置情報として記憶する記憶部と、
前記基準位置情報と前記検出部において検出された前記位置決め機構部の位置情報との差を算出し、前記差より前記被処理基板の実測情報を算出する演算部と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記演算部において算出された前記実測情報を前記基板処理部へ送る送信部を有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記送信部は、前記実測情報を複数の前記基板処理部へ送信するものであることを特徴とする特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板処理部は、前記被処理基板の処理を行う流体を供給するためのノズルと、
前記ノズルを前記被処理基板面に沿って移動させるノズル駆動部と、
前記演算部の情報に基づいて、前記ノズルが所定の位置に移動するように前記ノズル駆動部を制御するノズル駆動制御部と、を有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記ノズルは、前記被処理基板のベベル部に処理液を供給し、ベベル処理を行うものであることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記ノズルは、前記被処理基板の中心部より周辺部に、または、前記基板の周辺部より中心部に移動させるものであることを特徴とする請求項４または５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記演算部の情報に基づいて前記位置決め駆動部を駆動させ、前記被処理基板を所定の位置に移動させるように前記位置決め駆動部を制御する位置決め駆動制御部を有することを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記実測情報は、前記被処理基板の直径の情報であることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記基板処理部と前記位置決め機構部は、異なるユニット内に設けられていることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記基板処理部と前記位置決め機構部は、１つのユニット内に設けられていることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記位置決め機構部は、
前記被処理基板の側面と接触する第１の基準部と、前記第１の基準部を移動させるための第１の駆動部とを有する第１の位置決め機構部と、
前記被処理基板の側面と接触する第２の基準部と、前記第２の基準部を移動させるための第２の駆動部とを有する第２の位置決め機構部と、
を有することを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記第１の基準部は、前記被処理基板の側面に２点以上で接触するように形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記第２の基準部は、前記被処理基板の側面に１点で接触する接触部と、前記接触部を前記第２の基準部が移動する方向に力を加えることのできる弾性部と、を有することを特徴とする請求項１１または１２に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記接触部は略円形の形状を有しており、前記円形の中心を軸に回転可能な状態で前記第２の基準部に設置されていることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
被処理基板に処理流体を供給して基板処理を行う基板処理方法において、
基準基板についての基準基板情報を記憶する基準基板情報記憶工程と、
基板載置部上に前記被処理基板を載置する基板載置工程と、
前記被処理基板を位置決め機構部に接触させて、前記位置決め機構部の位置を検出する検出工程と、
前記検出工程で検出された位置情報と、前記基準基板情報とに基づき、前記被処理基板の実測情報を算出する算出工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１６】
算出された前記被処理基板の実測情報を基板処理部に送信する送信工程を有することを特徴とする請求項１５に記載の基板処理方法。
【請求項１７】
前記送信工程で受信された前記被処理基板の実測情報に基づき、基板処理部内におけるノズルを所定の位置に移動させ、前記ノズルより処理流体を供給することにより基板処理を行う基板処理工程を有することを特徴とする請求項１６に記載の基板処理方法。
【請求項１８】
前記基準基板情報記憶工程は、
前記基準基板の中心と前記基板載置部の中心とが一致するように、前記基板載置部上に前記基準基板を載置する工程と、
第１の基準部と前記基準基板の側面とを接触させ、さらに、第２の基準部と前記基準基板の側面とを接触させて、前記位置決め機構部の基準位置を決定する基準基板位置決定工程と、
前記基準位置を前記基準基板情報として記憶する記憶工程と、
を有することを特徴とする請求項１５から１７のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１９】
前記検出工程は、前記第１の基準部と前記被処理基板の側面とを接触させ、更に、前記第２の基準部と前記被処理基板の側面とを接触させ、検出部により前記第２の基準部の位置を検出するものであることを特徴とする請求項１５から１８のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項２０】
前記算出工程は、前記検出工程において検出された値と、前記基準基板情報とに基づき、前記被処理基板の直径を算出することを特徴とする請求項１５から１９のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項２１】
前記基板載置工程、前記検出工程、前記算出工程を繰り返し行うことにより、複数の被処理基板の位置決めを行うことを特徴とする請求項１５から２０のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項２２】
コンピュータに請求項１５から２０のいずれかに記載の基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読取り可能な記録媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１１−２５８９２５（Ｐ２０１１−２５８９２５Ａ）
【公開日】平成２３年１２月２２日（２０１１．１２．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−５８２７９（Ｐ２０１１−５８２７９）
【出願日】平成２３年３月１６日（２０１１．３．１６）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１２月２２日（２０１１．１２．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月１６日（２０１１．３．１６）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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