【課題】１つの液処理装置にて異なる種類の液処理を行うにあたって、各液処理時に基板の周辺の処理液由来の雰囲気が拡散することを防止ないし抑制しつつ、クロスコンタミネーションを防止する。
【解決手段】基板処理装置は、基板（Ｗ）を水平に保持して回転させる基板保持部と、基板に対して第１の処理液および第２の処理液をそれぞれ第１処理液供給ノズルおよび第２処理液供給ノズルと、基板に供給された後の処理液を受けるための液受けカップ（４０，４２，４４）と、液受けカップの周囲に配設され、その上端が前記液受けカップの上方にある上昇位置と、前記上昇位置よりも下方に位置する下降位置との間で昇降自在な、上部に上部開口（５０ｎ）が形成された筒状の第１カップ外周筒（５０Ａ）と、その外側の第２カップ外周筒（５０Ｂ）を備えている。使用される処理液に応じて、カップ外周筒５０Ａ、５０Ｂを使い分ける。 （もっと読む）

【課題】液滴が衝突する基板内の衝突位置での膜厚のばらつきを低減することにより、処理の均一性を向上させること。
【解決手段】洗浄ノズル５は、複数の噴射口３１が形成された噴射部６と、吐出口３６が形成された吐出部７とを含む。複数の噴射口３１は、複数の液滴がそれぞれ基板Ｗ内の複数の衝突位置Ｐ１に衝突するように形成されている。吐出口３６は、各衝突位置Ｐ１からの距離Ｄが等しい基板Ｗ内の着液位置Ｐ２に保護液が着液するように形成されている。洗浄ノズル５は、吐出口３６から吐出された保護液の液膜によって覆われている基板Ｗに複数の噴射口３１から噴射された複数の液滴を衝突させる。 （もっと読む）

【課題】液滴が衝突する基板の各位置での膜厚のばらつきを低減し、基板の処理品質を向上させること。
【解決手段】複数の噴射口２８からそれぞれ基板の上面内の複数の噴射位置に向けて処理液の液滴が噴射される。これと並行して、複数の吐出口３５からそれぞれ基板の上面内の複数の着液位置に向けて保護液が吐出される。複数の吐出口３５から吐出された保護液は、複数の液膜を形成する。複数の液膜は、それぞれ異なる噴射位置を覆う。処理液の液滴は、保護液の液膜に覆われている噴射位置に向けて噴射される。 （もっと読む）

【課題】ＳＰＭ処理時に天板に付着したヒュームが、ＳＰＭ処理の後に実施される乾燥工程等の他の工程時に基板に付着してしまうことを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】天板３２は、基板保持部２１に保持された基板Ｗを上方から覆う進出位置と、水平方向において進出位置から退避した位置である退避位置との間で水平方向に移動するようになっている。回転カップ４０の周囲には、上部に上部開口５０ｎが形成された筒状のカップ外周筒５０が昇降自在に設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板を上方から覆うための天板の下面に天板洗浄液を全面に供給することができ、天板の下面に付着したＳＰＭ液の液滴や飛沫等が天板の下面に残留することを抑制することができる液処理装置および天板洗浄方法を提供する。
【解決手段】天板３２の下面に対して下方から天板洗浄液を供給する天板洗浄液供給ノズル８２ａが一のノズル支持アーム８２ｑにより支持されており、このノズル支持アーム８２ｑは、天板３２の下方にノズル８２ａが位置するような天板洗浄位置と、天板３２の下方の領域から外方に退避した退避位置との間で移動するようになっている。 （もっと読む）

【課題】基板の全面を十分に洗浄することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板を保持して回転させるスピンチャック２と、スピンチャック２に保持された基板Ｗに向けて処理液の液滴を吐出するノズル４とを含む。ノズル４には、処理液の液滴を吐出する複数の吐出口３３が一列に並べられた列Ｌ１が複数列配置されている。ノズル４はノズルアーム１８に保持されて、スピンチャック２に保持された基板Ｗの主面に垂直な垂直方向Ｄ１から見たときに基板Ｗの主面の回転中心Ｃ１を通る軌跡Ｘ１に沿って移動する。ノズル４は、垂直方向Ｄ１から見たときに複数の列Ｌ１と軌跡Ｘ１とが交差するようにノズルアーム１８に保持される。 （もっと読む）

【課題】基板の処理に使用される処理液の消費量を低減すること。
【解決手段】基板処理装置は、処理液を吸収可能で弾性変形可能なスポンジ４１と、スポンジ４１に処理液を供給する貯留槽４０と、基板Ｗを保持する基板搬送ロボット２１とを含む。基板搬送ロボット２１は、スポンジ４１と基板Ｗとを相対移動させてスポンジ４１と基板Ｗの下面とを接触させることにより、スポンジ４１に吸収されている処理液を基板Ｗの下面に供給させる。 （もっと読む）

【課題】 水蒸気と水の混相流体による基板処理において、広い面積のレジスト膜を剥離可能な添加剤の提供。
【解決手段】 連続相の水蒸気と分散相の水とを含む混相流体を噴射して基板上のレジストを剥離するために添加される界面活性剤であって、
前記界面活性剤が、一級アルキル部位と、ポリオキシエチレン部位とを有するノニオン系界面活性剤であることを特徴とする、レジスト剥離用界面活性剤。 （もっと読む）

【課題】基板表面の洗浄均一性を向上できる流体供給部材、液処理装置、および液処理方法を提供する。
【解決手段】開示される流体供給部材は、第１の点から第２の点まで第１の方向に延在する本体部と、前記本体部に設けられ、前記第１の方向に交差する第２の方向に開口し、前記第１の方向に配列される複数の流体吐出部とを備える。前記複数の流体吐出部のうち、前記第１の点側の前記流体吐出部の開口角度は、前記第２の点側の前記流体吐出部の開口角度よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】基板の下面に効率良く液体洗浄および二流体洗浄を行うことができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置（１０）は、基板保持部に保持された基板（Ｗ）の下方に位置して基板の下面に液体と気体とを混合してなる二流体を吐出することができるように構成されたノズル（６０）を備える。ノズルは、液体を吐出するための複数の液体吐出路（６７ａ）と、気体を吐出するための複数の気体吐出路（６７ｂ）とを有している。ノズルは、複数の液体吐出路にそれぞれ対応する複数の液体吐出口（６１）を有している。液体吐出口は、基板保持部に保持された基板の周縁部から内方に向かうように基板の下方に延びる水平線上に形成されている。液体吐出口は、気体吐出路に気体が供給されずに液体吐出路に液体が供給されているときに、液体吐出口から基板の下面に向けて吐出される液体の吐出方向が、基板の下面を含む平面に対して前記回転駆動部により回転させられる基板の回転方向に或る角度を成して傾斜するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】処理室内に複数のノズル支持アームを進出させることができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、処理室２０と、基板保持部２１に保持された基板Ｗに対して流体を供給するためのノズル８２ａと、ノズル８２ａを支持するノズル支持アーム８２と、処理室２０に隣接して設けられ、当該処理室２０から退避したノズル支持アーム８２が待機するためのアーム待機部８０と、を備えている。液処理装置１０において、ノズル支持アーム８２ｐ〜８２ｕは複数設けられており、ノズル支持アーム８２ｐ、８２ｒ、８２ｔはノズル支持アーム８２ｑ、８２ｓ、８２ｕと高さレベルが異なるようになっている。 （もっと読む）

【課題】ノズル支持アームをその長手方向軸を中心として回転させることができる場合でも、ノズルに接続される配管における配管抵抗を小さくすることができ、またこの配管の占めるスペースを小さくすることにより省スペース化を図ることができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０において、ノズル支持アーム８２は、当該ノズル支持アーム８２の移動方向に沿った長手方向軸を中心として回転可能となっており、ノズル支持アーム８２は、ノズル８２ａに流体を送るための配管８３ｐ〜８３ｕを有し、配管８３ｐ〜８３ｕは可撓性材料から形成されている。配管８３ｐ〜８３ｕは、ノズル支持アーム８２が退避位置にあるときにノズル支持アーム８２の後端部で当該ノズル支持アーム８２の延びる方向に直交する平面上で渦巻き形状となるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】スプレノズルの先端部付近に残留した薬液の被処理膜上への滴下を抑制できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、スプレノズル２０と、スプレノズル２０を支持部材１２に対して高さ方向及び水平方向に相対移動させるノズル移動機構２１と、基材Ｗを回転させる回転駆動部１４とを備える。ノズル移動機構２１は、待機位置よりも上方の第１の上方位置から第２の上方位置まで基材Ｗに近づく方向へ水平移動させ、第２の上方位置から下方位置へ下降させる。その後に、スプレノズル移動機構２１は、ウエハＷ上の吐出位置にスプレノズル２０を水平移動させる。 （もっと読む）

【課題】 この発明は基板に所定温度に加熱された処理液を確実に供給することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理液が貯えられる貯液タンク３２と、貯液タンクに貯えられた処理液を基板に噴射するための上部ノズル体３１に給液管路３３を通じて供給する供給ポンプ３４と、給液管路に設けられ上部ノズル体に供給する処理液を所定温度に加熱する第１の加熱ヒータ３７と、上記貯液タンク内の処理液を加熱する第２の加熱ヒータ４２が設けられ、この第２の加熱ヒータ４２によって加熱された処理液を上記第１の加熱ヒータ３７によって上記所定温度にさらに加熱することを特徴とする基板の処理装置。 （もっと読む）

【課題】基板を良好に撥水処理することができる基板液処理装置及び基板液処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板（２）を撥水処理液で撥水処理する基板液処理装置（１）及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、混合タンク（５３）の内部で撥水処理液を加水分解させることなく希釈できる第１の希釈液と撥水処理液とを混合して第１の希釈撥水処理液を生成し、第１の希釈撥水処理液で基板（２）を撥水処理することにした。また、混合タンク（５３）から第１の希釈撥水処理液を供給する第１供給流路（５４）の中途部に撥水処理液を希釈する第２の希釈液を供給し、第１の希釈撥水処理液を第２の希釈液で希釈して第２の希釈撥水処理液を生成し、第２の希釈撥水処理液で基板（２）を撥水処理することにした。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、超音波による洗浄装置および洗浄方法に関するものである。
【解決手段】 本発明の洗浄装置は、超音波を発生する超音波振動子と、超音波振動子に固定されて超音波を洗浄液に照射する超音波照射面が扁平な振動体とを具備する振動体ユニットと、振動体ユニットを回転して超音波照射面に交わる方向を軸として超音波照射面の角度を変える照射面角度制御部と、洗浄対象の基板を保持し基板を回転させる基板回転部と、振動体の超音波照射面を洗浄面に向けて一定間隔を保持しながら振動体ユニットを移動させる振動体移動機構と、超音波照射面と洗浄面との間に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、を備えるよう構成する。 （もっと読む）

【課題】高撥水性材料を塗布した基板においても、短時間で高い洗浄効果を得ることができる基板洗浄方法、基板洗浄装置及び基板洗浄用記憶媒体を提供する。
【解決手段】回路パターンが形成された半導体ウエハＷの中心部Ｃに、処理雰囲気温度（２３℃）より高い温度の洗浄液Ｒを供給してウエハの表面全体に液膜を形成し、洗浄液の供給位置をウエハの中心部からウエハの周縁に向かって一定の距離だけ移動させると共に、ウエハの中心部にガスＧを吐出して乾燥領域Ｄを形成させ、この乾燥領域がウエハの周縁部に広がる速度と略同一の速度で洗浄液の供給位置を移動させることにより、レジスト膜の回路パターン間に残存する溶解生成物を洗浄液で掻き出しながら、ウエハの表面を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】ノズルの動作を簡単に教示することができる基板処理装置およびティーチング方法を提供する。
【解決手段】記録開始指令が制御部４に入力されると、ＣＰＵ２３は、記録開始指令が入力されてからの経過時間をタイマー２５によって計測させる。さらに、ＣＰＵ２３は、ノズルの位置を検出するエンコーダ２２の出力と経過時間とをメモリー２４に記憶させる。そして、記録終了指令が制御部４に入力されると、ＣＰＵ２３は、エンコーダ２２の出力と経過時間の記憶を終了させる。記録開始指令の発生から記録終了指令の発生までのエンコーダ２２の出力は、経過時間と関連付けられて１つの動作データとしてメモリー２４に記憶される。 （もっと読む）