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Fターム[5F157AB89]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の取扱い (8,692) | 処理槽(室)内での洗浄時の運動 (1,468) | 回転運動 (1,212)

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Fターム[5F157AB89]に分類される特許

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【課題】硫酸の温度の変更に容易に対応可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】この基板処理装置は、硫酸と過酸化水素水とを混合して生成したレジスト剥離液を基板Wの表面に供給する。この基板処理装置は、レジスト剥離液を基板に向けて吐出するノズル2と、ノズル2に向けて過酸化水素水を流通させる過酸化水素水供給路30と、過酸化水素水供給路30上においてノズル2までの流路長が異なる複数の混合位置MP1,MP2,MP3,MP4にそれぞれ接続された複数の硫酸供給路31,32,33,34と、硫酸供給源25からの硫酸を前記複数の硫酸供給路から選択された硫酸供給路に導入する硫酸供給路選択ユニット35とを含む。 (もっと読む)


【課題】研磨後の表面粗さの悪化を抑制し、かつ、洗浄性に優れる酸性洗浄剤組成物の提供。
【解決手段】平均付加モル数が10〜90である炭素数2〜4のオキシアルキレン基と、アニオン性基(カルボン酸基を除く)又はその塩とを有する水溶性化合物、酸、及び水を含み、25℃におけるpHが0.5を超え5.0未満である、シリカ研磨材及び/又はシリカ研磨屑が付着した電子材料基板を洗浄するための電子材料基板用酸性洗浄剤組成物。 (もっと読む)


【課題】基板の表面に形成されたレジスト膜を除去する基板処理方法および基板処理装置において、処理コストおよび環境負荷の低減を図ることのできる技術を提供する。
【解決手段】基板Wの裏面Wbに温水を供給して基板Wを温め、カロ酸の固体309を保持した酸化剤保持ヘッド3を基板表面Wfに対し走査移動させる。基板表面Wfとカロ酸固体309との界面にはカロ酸が融解してなる液体層309aが形成され、基板表面Wfに付着したレジスト膜を分解除去する。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、有機残渣がベンゾトリアゾールが防錆剤の場合はもちろんのこと、カルボキシル基や水酸基などの官能基を有するHLBの高い防錆剤の場合においても、銅配線を腐食させることなく、有機残渣除去性に優れ、かつ金属残渣の除去性に優れる銅および銅合金配線半導体用の洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】
水酸基を1個以上有するアミン(A1)、および特定の化学構造を有する脂肪族ポリアミン(A2)からなる群より選ばれる1種以上のアミン(A)、2〜5個の水酸基を有し、それらの水酸基のうちの少なくとも2個が芳香環のオルト位もしくはパラ位に結合し、かつHLBが15〜40であるポリフェノール化合物(B)、塩基性化合物(C)、並びに水を必須成分とし、使用時のpHが8.0〜13.0であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を使用する。 (もっと読む)


【課題】流体メニスカス内の活性空洞によってウェハ表面を処理可能である基板処理装置を提供する。
【解決手段】該装置は、作動時に基板108の表面に近接するプロキシミティヘッド106a,106bを有する。装置は、また、プロキシミティヘッド106a,106bの表面に、プロキシミティヘッド106a,106b内に形成された空洞に通じる開口を有し、空洞は、開口を通じて基板108の表面に活性剤を送る。装置は、更に、プロキシミティヘッド106a,106bの表面に、開口を取り囲む流体メニスカスを基板108の表面上に生成するように構成された複数の導管を有する。 (もっと読む)


【解決課題】 熱膨張係数が大きく異なる基板同士を接合する場合でも貼り合わせ強度を高めて基板破損を回避することができる貼り合わせ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 30%水溶液換算のHの容量に対する29%水溶液換算のNHOHの容量が、体積比で1を超え200以下となる溶液によりハンドル基板を洗浄し、然る後にドナー基板と貼り合わせる工程を含む貼り合わせ基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】複数の半導体ウエハ等といった複数の被処理物を処理液に浸漬するに際して、これら被処理物の間で処理具合にばらつきが生じないようにする。
【解決手段】処理装置1が、処理液30が貯留される処理槽2と、処理槽2内に配置され、処理槽2内で回転する回転車4と、被処理物32をそれぞれ保持し、回転車4に取り付けられ、回転車4の第1の回転軸6を中心にした円周方向に沿って配列された複数の保持具10と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 研磨剤由来の砥粒の除去性、絶縁膜上の金属残渣と有機残渣の除去性に優れ、かつ銅配線の耐腐食性に優れる銅配線半導体用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 銅または銅合金配線を形成する半導体製造工程中の化学的機械的研磨の後に続く工程において使用される洗浄剤であって、アミン(A)、グアニジンの塩またはグアニジン誘導体の塩(B)、および水を必須成分とし、使用時のpHが8.0〜13.0であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 (もっと読む)


【課題】基板に噴霧される液体の液滴の噴霧範囲を広くすることができる二流体ノズル、基板処理装置、液体の液滴の生成方法、および基板処理方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル40の本体部42の下方において、ガス吐出口46bから下方に吐出される旋回流の液滴生成用ガスと液体吐出口44bから下方に吐出される液体とが混合されて液体の液滴が生成されるようになっている。また、ガス吐出口46bから下方に吐出される液滴生成用ガスにおける旋回流の内側の圧力を調整する圧力調整部が本体部42に設けられている。 (もっと読む)


【課題】ダウンフローを発生させるための機構を簡素化した処理装置を提供すること。
【解決手段】ダウンフローを発生させる気流発生手段150と、循環経路部材200内に配設され、ダウンフローを発生させる気体に含まれるミストを気体から分離させるミスト分離手段240と、循環経路部材200内に配設され、ミスト分離手段240によって分離されて液化したミストを回収する廃液口213と、を有し、ダウンフローを発生させる気体を処理チャンバー100と循環経路部材200との間で、循環させるようにした。 (もっと読む)


【課題】一対の回転ブラシを用いた枚葉式洗浄方法において、半導体用基板の表面について洗浄能力を高めるとともに、半導体用基板の回転駆動手段を省略できるようにする。
【解決手段】半導体用基板1をローラ4により回転自在に支持すると共に、半導体用基板1の表裏面に半導体用基板1の半径範囲に渡って各回転ブラシ2、3を接触させ、同一周速度で互いに逆方向に回転する前記2つの回転ブラシ2、3によって半導体用基板1を回転駆動する枚葉式ブラシ洗浄方法において、半導体用基板1の表面側の回転ブラシ2の周速度に対し、半導体用基板1の裏面側の回転ブラシ3の周速度を低下させ、半導体用基板1に与える総合的回転駆動力を低減させて、半導体用基板1を低速回転させ、半導体用基板1の表面に接触する回転ブラシ2と半導体用基板1の表面との間の周速度差を増大させて、半導体用基板1の表面の洗浄能力を上げ、高清浄度の洗浄を行うようにしている。 (もっと読む)


【課題】配線基板の外部端子取り付け面にストレスを与えずに一括封止後の配線基板を分割する。
【解決手段】主面に複数のデバイス領域が形成された多数個取り基板7を準備し、前記複数のデバイス領域それぞれに半導体チップを固定し、前記半導体チップ固定後、前記複数の半導体チップを一括で樹脂封止して一括封止部8を形成し、一括封止部8および多数個取り基板7をダイシングにより前記デバイス領域ごとに分割し、前記分割後、ブラシによってそれぞれの封止部の表面を擦り、その後、各半導体装置を一旦トレイのポケットに収納し、さらに、前記トレイから各半導体装置を個片搬送することにより、一括封止後の基板分割時に一括封止部8の表面を真空吸着してダイシングすることにより、多数個取り基板7の外部端子取り付け面にストレスを与えずに分割することができる。 (もっと読む)


【課題】洗浄後の基板を効率よく乾燥させることができる基板乾燥装置を提供すること。
【解決手段】基板乾燥装置1は、基板Wを回転させる回転機構10と、基板Wにリンス液流Rfを供給するリンス液ノズル20と、リンス液Rの表面張力を低下させる物質を含有する乾燥気体流Gfを供給する乾燥気体ノズル30と、リンス液ノズル20及び乾燥気体ノズル30を移動させる移動機構40とを備える。乾燥気体流Gfは、表面WAを投影面とする投影面上において乾燥気体ノズル30から吐出された位置よりも基板Wに衝突した位置の方がノズル移動方向Dnの下流側に位置しつつ、三次元空間において乾燥気体流Gfの軸線Gaと基板Wの垂線Wpとのなす角αが接触角の半分の角度である半分接触角以上かつ90°から半分接触角を差し引いた角度以下の範囲で傾斜するように、乾燥気体ノズル30が設けられている。 (もっと読む)


【課題】基板表面に残留している金属不純物を適切に除去する。
【解決手段】電気光学装置の製造方法における洗浄工程は、基板表面にオゾン水を供給するオゾン水処理工程と、オゾン水処理工程の後に基板表面に純水を供給する第1リンス処理工程と、第1リンス処理工程の後に基板表面に希フッ酸を供給する第1希フッ酸処理工程と、第1希フッ酸処理工程の後に基板表面に純水を供給する第2リンス処理工程と、第2リンス処理工程の後に基板表面に、洗浄液及び気体が混合されてなる混合流体を供給する第1混合流体処理工程と、第1混合流体処理工程の後に基板表面に純水を供給する第3リンス処理工程と、第3リンス処理工程の後に基板表面に希フッ酸を供給する第2希フッ酸処理工程と、第2希フッ酸処理工程の後に基板表面に純水を供給する第4リンス処理工程と、第4リンス処理工程の後に基板を乾燥させる乾燥工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】基板の表面から金属キャッピング層の腐食生成物を洗浄するための方法およびシステムが提供されている。一実施形態によると、処理溶液は、界面活性剤、錯化剤、および、pH調整剤を含む。界面活性剤は、ウエハ表面を湿潤を改善し、キャッピング層のさらなる腐食を抑制するよう構成される。錯化剤は、基板表面から脱着した金属イオンと結合するよう構成される。pH調整剤は、基板表面からの腐食生成物の脱着を促進するために、pHを所望のレベルに調整するよう構成される。 (もっと読む)


【課題】半導体基板表面に残存するナノパーティクルを効率的に除去するとともに、パーティクルの再付着や凝集を防止するために洗浄液の排出を促進することのできる洗浄加工布を提供する。
【解決手段】洗浄加工布は、単繊維の数平均直径が1〜1000nmであり、撚数が1000T/M以上で撚糸されたマルチフィラメントの織物または編物からなる洗浄層1がクッション材3と積層一体化されなる積層体であり、その積層体のアスカーC硬度が70以下の洗浄加工布である。 (もっと読む)


【課題】不具合が発生した場合でも、装置全体を停止することなく基板処理を継続できる可能性の高い基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板処理装置1は、基板Wを搬送するための第1、第2の基板搬送機構141a、141bと、当該基板搬送機構141a、141bの左右両側に各々設けられ、同一の処理が行われる処理ユニットの列U1〜U4と、を備えた第1、第2の処理ブロック14a、14bを備えている。処理ユニットの列U1、U3及び、他方側の処理ユニットの列U2、U4は各々共通化された処理流体の供給系3a、3bと接続されている。そしていずれかの基板搬送機構141a、141b、処理流体の供給系3a、3bに不具合が発生すると、健全な基板搬送機構141b、141a、処理流体の供給系3b、3aが受け持つ処理ユニットの列U1〜U4にて基板Wを処理する。 (もっと読む)


【課題】他の基板に優先して処理開始すべき基板と、通常のスケジュールで処理される基板とを並行して処理することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】
処理ブロック14a(14b)は、基板搬送部141a、141bを用いて、基板搬入ブロック11から搬入された基板Wに対し、複数の処理ユニット2にて同種の処理を行い、制御部5は他の基板Wよりも処理を優先する優先基板WPが搬送される場合に、複数の処理ユニット2の一部または全部が割り振られた優先処理ユニット2Pのうち、次の基板Wの搬入が可能になった優先処理ユニット2Pに、他の基板Wに優先して優先基板WPを搬入して処理を行う。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、研磨工程由来の有機残渣除去性能、銅配線の腐食抑制効果(銅腐食抑制効果)に優れ、かつ腐食防止剤が残留しない銅配線半導体用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 有機アミン、4級アンモニウム化合物、ウレア基またはチオウレア基を含有する化合物、および水を必須成分とし、pHが7〜12であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤である。 (もっと読む)


【課題】基板の乾燥後にリフトピンに処理液が残ることを防止し、このことにより液処理後の基板の裏面に処理液が付着することを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置10には、基板Wを保持する保持プレート30と、保持プレート30の上方に設けられ、基板Wを下方から支持するリフトピン22を有するリフトピンプレート20と、保持プレート30により保持された基板Wの裏面に処理液を供給する処理液供給部40とが設けられている。処理液供給部40は、リフトピンプレート20の貫通穴20aを塞ぐよう設けられたヘッド部分42を有している。処理液供給部40およびリフトピンプレート20は保持プレート30に対して相対的に昇降するようになっている。 (もっと読む)


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