【課題】 本発明は、洗浄によるウェーハの表面粗さの悪化を低減し、かつ、効果的にウェーハの洗浄を行うことができる半導体ウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウェーハを洗浄する方法であって、前記半導体ウェーハをＳＣ１洗浄液により洗浄する工程と、前記ＳＣ１洗浄液により洗浄された半導体ウェーハをフッ酸により洗浄する工程と、前記フッ酸により洗浄された半導体ウェーハを、オゾン濃度が３ｐｐｍ以上のオゾン水により洗浄する工程とを含み、前記ＳＣ１洗浄液による半導体ウェーハのエッチング代を０．１〜２．０ｎｍとすることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の基板を洗浄する際に、基板に十分な薬液を供給すると共に、除去対象物を基板に再付着させることなく除去する。
【解決手段】基板洗浄装置は、薬液カップ１３と、薬液カップ１３内に薬液を供給する第１の吐出口１５と、薬液カップ１３から薬液を排出するための排液口１４とを備える。薬液カップ１３内に、薬液カップ１３の底部から離れて略水平に基板１２が配置される。第１の吐出口１５から供給される薬液が薬液カップ１３内に蓄積されて基板１２の下面と接触することにより、該下面の洗浄を行なう。 （もっと読む）

【課題】エッチング処理中に、チャンバの構成部品の表面上にもポリマー堆積物が形成され、時間が経つと、剥離、剥がれ落ちて、パーティクル汚染源となる。そのパーティクルを低減できるプラズマ反応室の構成部品を提供する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバに用いられる構成部品を、洗浄し、ポリマーの付着を促進する表面粗さに粗面化し、セラミック又は高温ポリマー等の被覆材料３２を構成部品の面上にプラズマ溶射する。構成部品としては、チャンバ壁、チャンバライナ３０、バッフルリング、ガス供給板２２、プラズマ閉じ込めリング１４及びライナ支持体が含まれる。ポリマーの付着を向上させることによって、プラズマ溶射構成部品の面は、処理チャンバ内のパーティクル汚染レベルを低下し、それによって歩留まりを改善し、チャンバ構成部品を洗浄及び／又は取り替えるのに必要な停止時間を減らすことができる。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の一つの実施形態は、集積回路の製造方法である。製造方法は、まず、金属-誘電体ダマシン・メタライゼーション（金属化）層を備える基板を準備し、金属上にキャップを析出させる。キャップの析出後、アミンを加えてｐＨを約７から１３に調節した洗浄溶液で基板を洗浄する。本発明の別の実施形態は、基板の洗浄方法である。本発明のさらに別の実施形態は、洗浄溶液の組成である。 （もっと読む）

【課題】汚染および表面分解を最小限に抑えるための層間絶縁膜の表面改質
【解決手段】半導体システムは、誘電体層（１０４）を提供することと、誘電体層（１０４）内に、誘電体層（１０４）の上部に露出される導体（１０８）を提供することと、露出された導体（１０８）をキャッピングすることと、誘電体層（１０４）の表面を改質することであって、導体（１０８）を低ｐＨ溶液に溶解させて誘電体層（１０４）から導体（１０８）イオンを洗浄すること、導体（１０８）イオン下方の誘電体層（１０４）を溶解させること、機械的に強化された洗浄を行うこと、または誘電体層（１０４）上に疎水性層（８００）を化学吸着させることを含むことと、を含む。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】非ニュートン流体に変換される前駆物質流体を液相で保持するのに充分な圧力を、半導体ウエハが存在する容積内で維持する。前駆物質流体を液相で保持しつつ、半導体ウエハから除去するべき物質の近傍に前駆物質流体を供給する。半導体ウエハが存在する所定の容積内を減圧することにより、ウエハ上に位置する前駆物質流体が非ニュートン流体に変換される。非ニュートン流体への変換の際における前駆物質流体の膨張の作用と、ウエハに対する前駆物質流体の相対的な移動の作用とにより、変換後の非ニュートン流体が半導体ウエハから物質を除去する。 （もっと読む）