【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、溶液を、溶液の触媒として作用する転写部の裏面に供給し、転写部の表面を半導体基板の表面に接触すべく転写部の裏面を押圧し、転写部の裏面を押圧したまま水平移動し、水平移動とともに、裏面に供給された溶液を、接触している転写部の表面及び半導体基板の表面に貫通する転写部の裏面の穴に挿入する。
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【課題】中間層の一部が露出している支持基板であっても、それに適切な処理を加えることにより、半導体デバイスを歩留まりよく製造することができる半導体デバイスの製造方法およびエピタキシャル成長用の支持基板を提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層４０をエピタキシャル成長させることができる下地基板１０と、下地基板１０上に全面的に配置された中間層２０と、中間層２０上に部分的に配置されたＧａＮ層３０ａとを含み、ＧａＮ層３０ａと中間層２０の一部とが露出している支持基板２を形成する工程と、支持基板２の中間層２０が露出している部分２０ｐ，２０ｑ，２０ｒを選択的に除去することにより、下地基板１０の一部を露出させる工程と、ＧａＮ層３０ａ上に、ＩＩＩ族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は光電素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による光電素子であって、表面及び表面と垂直する法線方向を有する基板と、基板の表面に位置して表面と接触する第一半導体層と、第一半導体層と基板の表面の間に位置する少なくとも一つの空洞構造とを有し、少なくとも一つの空洞構造は幅と高さを有し、幅は空洞構造における表面に平行する方向の最大寸法であり、高さは空洞構造における法線方向に平行する方向の最大寸法であり、高さは幅より小さい。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光及び検査光において吸収体層での反射率を低減でき、ＥＵＶ光および検査光の両方において高コントラストな反射型フォトマスクを提供する。
【解決手段】基板１と基板１上に形成された反射体層２と、反射体層２上に形成された吸収体層３を持つＥＵＶマスクブランクにおいて、吸収体層３の表面に所定の大小二つの表面粗さの凹凸４を形成する。 （もっと読む）

【課題】テクスチャの密度や大きさを制御してより光反射率の低い半導体ウェハや半導体薄膜を得ることができる太陽光発電装置の製造方法を得ること。
【解決手段】有機物とハロゲン酸塩とを含むエッチング液を用いて、第１導電型の半導体ウェハの第１の主面をエッチングしてテクスチャを形成する工程と、テクスチャを形成した半導体ウェハの表面に第２導電型の拡散層を形成する工程と、半導体ウェハの端面に形成された拡散層を除去する工程と、半導体ウェハの第１の主面上に反射防止膜を形成する工程と、半導体ウェハの第１の主面および第１の主面に対向する第２の主面上に、所定の形状の電極を印刷し、焼成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を備えた微細な３次元構造パターンの形成に好適なパターン形成方法及びパターン形成体を提供する。
【解決手段】基板上に第１層目のハードマスク層を形成し、基板上の第１層目のハードマスク層を備えた面に、順に、第２層目から第Ｎ層目までのハードマスク層を形成し、第Ｎ層目のハードマスク層のパターニング処理し、順に、第（Ｎ−１）層目から第１層目までのハードマスク層のパターニング処理し、パターニングされた第１層目から第Ｎ層目までのハードマスク層をエッチングマスクとして基板に第１段目の異方性エッチングしてパターニング処理することを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】ノズル列全体が位置合わせされたノズルデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】垂直壁を有する穴に接続されたテーパー部を有する流体吐出ノズルについて記載する。ノズルの列がダイ全体に渡って形成され、複数のダイが半導体基板に形成されたときでも、テーパー部と穴とが互いに位置合わせされるように、ノズルのテーパー部と垂直壁を有する穴との両方は、半導体層の片面から形成される。 （もっと読む）

本発明は、エッチングすべき少なくとも１つの材料（４）を含む構造体（１）をエッチングするための方法に関し、この方法は、エッチングすべき前記材料（４）と反応できる少なくとも１つの化学種を選択するステップと、前記化学種を放出できる少なくとも１つの可溶性化合物を選択するステップと、前記化合物および懸濁状態にある粒子または固体の粒（１３）の粉体を含む溶液（１１）を製造するステップと、前記溶液内に前記エッチングすべき材料を入れるステップと、前記化学種を発生し、これら化学種がエッチングすべき前記材料と反応し、それによって可溶性化合物または沈殿物を生成するように活性キャビテーションバブルを発生できる、少なくとも１つの周波数の高周波超音波を前記溶液内に発生するステップとを備える。
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【課題】シリコン基体の破損、損傷を生ずることなく安定に生産でき、かつアスペクト比が高い細孔が得られ、面積の大きいものであっても容易に生産できる高規則性ポーラスシリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】ポーラスアルミナ膜２をシリコン基体１の表面に固定してドライエッチングを行い、前記シリコン基体１の表面に前記ポーラスアルミナ膜２の細孔と同じ配列の窪み３を形成し、次いで前記シリコン基体１を陽極としてフッ化水素酸を含む水溶液中で電解エッチングを行い、前記窪み３を選択的に溶解して細孔を形成し、ポーラスシリコン４を製造する。 （もっと読む）

【課題】供給した薬液が処理対象膜上で弾かれることなく、薬液を処理対象膜上に液の膜厚が均一となるよう供給できることにより、処理対象膜を所望の形状に正確にパターニングすることができる構成を有する電気光学装置の製造装置を提供する。
【解決手段】基板１０’が載置されるステージ９２と、ステージ９２に載置される基板１０’の処理面１０’ｓに対向して設けられる、対向面９１ｔに複数の現像液吐出口９１ｈが形成された平板状の現像液供給ノズル９１と、現像液吐出口９１ｈに対応してそれぞれ設けられた、現像液吐出口９１ｈから吐出される現像液Ｇの流量を、現像液吐出口９１ｈ毎に調整する流量調整部９４と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

加工されるべき部分が予め定められたパターンに制限される表面加工は、（ａ）加工されるべき表面の領域であって、前記予め定められたパターンの部分を少なくとも覆う領域上に第一の試薬の層を提供する工程と；（ｂ）前記表面を加工するために必要とされる更なる試薬である一つ以上の更なる試薬を提供する工程と；（ｃ）前記予め定められたパターンに従って加工されるべき領域上に少なくとも一つの更なる試薬を塗布する工程と、により達成され、それにより、第一の試薬は予め定められたパターンの部分のみにおいて表面を加工すべく、一つ以上の更なる試薬と反応する。同加工は、二つ以上の成分を有するエッチャントが使用されるエッチングに特に適用可能である。その場合、少なくとも第一のエッチャント成分は表面上に適用され、かつ少なくとも一つの更なるエッチャント成分が予め定められたパターンに適用される。
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【課題】基板上の微細パターンを損傷させることなく、効率の高い基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】単数枚または複数枚の基板を１バッチとし、１バッチの基板をウェットエッチング液に浸漬する工程と、超音波洗浄する工程と、乾燥する工程とを備えるバッチ式ディップ処理方式による基板の洗浄方法であって、超音波洗浄工程は、大気圧下における溶存ガスの飽和度が６０％〜１００％である洗浄水を用い、超音波の周波数が５００ｋＨｚ以上、超音波の出力が０．０２Ｗ／ｃｍ²〜０．５Ｗ／ｃｍ²である。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つのシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）表面層とこのＳｉＧｅ層に接する歪みシリコン（ｓＳｉ）層とを含むウエハを処理する方法に関し、このｓＳｉ層は、ＳｉＧｅ層をエッチングすることによって露出されており、この方法は、（ａ）ＳｉＧｅ層の第１選択エッチング、場合によりその後の酸化洗浄ステップと；（ｂ）脱イオン水を使用する濯ぎステップと；（ｃ）乾燥と；（ｄ）第２選択エッチングステップとのステップを含む。本発明は、少なくとも１つの歪みシリコン（ｓＳｉ）表面層を含むウエハに関し、前記ｓＳｉ表面層の厚さは、少なくとも５ｎｍ及び最大１００μｍであり、欠陥が最大２００個／ウエハである。 （もっと読む）

【課題】非透明な基板上に形成した窒化物化合物半導体層を化学的なエッチング処理によって基板から剥（はく）離させることにより、基板を再利用することができるようにする。
【解決手段】基板と、該基板上に形成されたIII-V 族の窒化物化合物半導体層と、前記基板と窒化物化合物半導体層との間に形成されたＡｌ_x Ｇａ_1-x Ａｓ層（ｘ≧０．６）とを有する。 （もっと読む）

本発明は、シリコン表面および層、ならびに適切なシリコン化合物から形成されているガラス状表面における極めて微細な線または構造の全面または選択エッチングに適しているエッチングペーストの形の粒子含有エッチング媒体に関する。本発明はまた、このタイプの表面をエッチングする方法における、本発明によるペーストの使用にも関する。 （もっと読む）

【課題】結晶異方性エッチングと等方性エッチングの組み合わにより、裏面側からの基板エッチングで裏面側での広がりの小さな貫通孔を形成できる振動センサの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１２の表面にＳｉＯ_２薄膜からなる保護膜２０を形成し、その一部を除去して開口したエッチング窓２２に多結晶Ｓｉからなる犠牲層２３を成膜する。犠牲層２３の上からＳｉ基板１２表面にＳｉＯ_２からなる保護膜２４を成膜し、その上から多結晶Ｓｉからなる素子薄膜１３を成膜する。裏面の保護膜２１に裏面エッチング窓２６を開口する。ＴＭＡＨにＳｉ基板１２を浸漬して裏面エッチング窓２６からＳｉ基板１２を結晶異方性エッチングし、Ｓｉ基板１２に貫通孔１４を設ける。犠牲層２３が貫通孔１４内に露出したら、犠牲層２３がエッチング除去し、保護膜２４とＳｉ基板１２の間に隙間１９を生成し、Ｓｉ基板１２を表面側と裏面側から結晶異方性エッチングする。 （もっと読む）

【課題】 減圧手段、脱気手段を備えたエッチング方法及び装置では、しくみが大掛かりとなり、装置が大型化し、さらにはコスト高となる。
【解決手段】 多孔質体を超音波を印加しながらエッチングする方法において、印加する超音波を減衰材料を用いて、容易かつ継続的な方法で制御することにより、多孔質体を均一にエッチングすることができる装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体層に含まれる成分に起因する汚染を抑制しつつ、異なる成分を含む半導体層を半導体基板上に形成する。
【解決手段】半導体ウェハＷ１の表面に選択エピタキシャル成長にて半導体層１１および保護膜１２を形成した後、半導体ウェハＷ１の外周部の保護膜１２を露出させるレジストパターン１３を形成し、レジストパターン１３をマスクとして保護膜１２をエッチングすることにより、半導体ウェハＷ１の外周部の保護膜１２を除去し、レジストパターン１３および保護膜１２をマスクとして半導体層１１をエッチングすることにより、半導体ウェハＷ１の外周部の半導体層１１を除去する。 （もっと読む）

【課題】ピペラジンよりも更に高温時のシリコンエッチング速度が速く、室温時のシリコンエッチング速度が遅いアミンが要求されている。本発明は、室温ではポリシリコンのエッチングを抑制し、加温した状態ではポリシリコンのエッチング速度を促進できるエッチング用組成物を提供する。
【解決手段】ピペラジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ”，Ｎ”−ペンタメチルジエチレントリアミン及び水を含んでなるシリコンエッチング用組成物を用いる。 （もっと読む）

本発明は、回転するウェーハの上にエッチング液（１１）を供給して、エッチングを行うためのシリコン−ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）の表面層（２１）を少なくとも１つ有するウェーハ（２０）を湿式化学エッチングする方法であって、当該ウェーハの中心から所定の距離に固定された位置からエッチング液（１１）を供給する第一エッチング工程、および当該エッチング液（１１）を、当該ウェーハの中心から当該ウェーハの半径（Ｒ）よりも短い最長距離にわたって、半径方向に供給する第二エッチング工程を含むことを特徴とする方法に関する。 （もっと読む）