基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
【課題】基板の表面にパーティクルが形成されることを防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置１は、処理液を貯留して、複数の基板Ｗを処理する処理槽１１と、処理槽１１に対して昇降自在に設けられ、基板Ｗを保持して処理液に浸漬させる基板保持部１２とを有する処理部１０と、処理部１０の上方に設けられ、処理槽１１に気体を供給する気体供給部４０と、基板の空き状態を検出する検出部７０とを備えている。処理槽１１を収容する収容ケース３０の下部に、気体供給部４０から供給された気体を排気する排気部３１が設けられている。制御部６０は、検出部７０により検出された基板Ｗの空き状態に基づいて、気体供給部４０から排気部３１に流れる気体の流量調整するように、気体供給部４０および排気部３１を制御する。
【解決手段】本発明による基板処理装置１は、処理液を貯留して、複数の基板Ｗを処理する処理槽１１と、処理槽１１に対して昇降自在に設けられ、基板Ｗを保持して処理液に浸漬させる基板保持部１２とを有する処理部１０と、処理部１０の上方に設けられ、処理槽１１に気体を供給する気体供給部４０と、基板の空き状態を検出する検出部７０とを備えている。処理槽１１を収容する収容ケース３０の下部に、気体供給部４０から供給された気体を排気する排気部３１が設けられている。制御部６０は、検出部７０により検出された基板Ｗの空き状態に基づいて、気体供給部４０から排気部３１に流れる気体の流量調整するように、気体供給部４０および排気部３１を制御する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体ウエハ等の基板（以下、単にウエハと記す）を、薬液槽に貯留されたＳＰＭ液（硫酸と過酸化水素水の混合溶液）に浸漬して洗浄処理する基板処理装置が知られている。このような基板処理装置においては、複数（例えば、５０枚）のウエハが、ウエハボードにより略垂直状態に保持されて、薬液槽に貯留された高温（例えば、約１３０℃）のＳＰＭ液に浸漬されて、ウエハに付着された有機性の汚れや金属不純物が除去されるようになっている。ウエハが洗浄処理されている間、薬液槽の上方に設けられたファンフィルターユニット（ＦＦＵ）から薬液槽に向かって清浄な空気が吐出され（ダウンフロー）、薬液から気化したガスが上昇して拡散されることを防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１６４５５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような基板処理装置において、ＳＰＭ液により洗浄処理されたウエハを引き上げる際、ウエハ間にファンフィルターユニットから吐出された空気が流れ込むことがある。この場合、ウエハの上端部（具体的には、ウエハを搬送する搬送機構との接触点）に付着し、高温のＳＰＭ液によって溶解された有機物が、ダウンフローの影響を受け、ウエハの表面上に垂れて、筋状のパーティクルが形成されるという問題がある。
【０００５】
本発明は、このようなことを考慮してなされたものであり、基板の表面にパーティクルが形成されることを防止することができる基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、処理液を貯留して、複数の基板を処理する処理槽と、当該処理槽に対して昇降自在に設けられ、前記基板を保持して処理液に浸漬させる基板保持部とを有する処理部と、前記処理部の上方に設けられ、前記処理槽に気体を供給する気体供給部と、前記基板の空き状態を検出する検出部と、前記処理槽を収容する収容ケースと、前記収容ケースの下部に設けられ、前記気体供給部から供給された気体を排気する排気部と、前記気体供給部および前記排気部を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記検出部により検出された前記基板の空き状態に基づいて、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を調整するように、当該気体供給部および当該排気部を制御することを特徴とする基板処理装置である。
【０００７】
本発明による基板処理装置において、前記制御部は、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を、前記基板を処理する際に、第１の流量とすると共に、前記検出部により検出された前記基板の空き状態に基づいて前記基板間のギャップを算出し、少なくとも一組の当該基板間のギャップが所定の範囲にある場合、処理された当該基板を前記基板保持部により上昇させる際に、当該第１の流量より小さい第２の流量とするように、当該気体供給部および当該排気部を制御するようにしてもよい。
【０００８】
本発明による基板処理装置において、前記処理部により処理された前記基板を更に処理する第２の処理部と、前記処理部から前記第２の処理部に、前記基板保持部により上昇した前記基板を搬送する搬送機構と、を更に備え、前記制御部は、前記基板保持部により前記基板を上昇させる際に前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を前記第２の流量とした場合、前記搬送機構により前記処理部から前記第２の処理部に当該基板を搬送する際に、当該気体供給部から当該排気部に流れる気体の流量を当該第２の流量とするように、当該気体供給部および当該排気部を制御するようにしてもよい。
【０００９】
本発明による基板処理装置において、前記第２の処理部は、前記ケースに収容され、第２の処理液を貯留して、前記基板を処理する第２の処理槽と、当該第２の処理槽に対して昇降自在に設けられ、当該基板を受けて保持し、第２の処理液に浸漬させる基板保持部とを有し、前記制御部は、前記搬送機構により前記基板を搬送する際に前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を前記第２の流量とした場合に、前記第２の処理部の前記気体保持部により当該基板を下降させる際に、当該気体供給部から当該排気部に流れる気体の流量を当該第２の流量とするように、当該気体供給部から当該排気部を制御するようにしてもよい。
【００１０】
本発明による基板処理装置において、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量が前記第２の流量である場合、前記基板間における気体の流速が、０．５ｍ／秒以下であるようにしてもよい。
【００１１】
本発明による基板処理装置において、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量が前記第２の流量である場合、前記基板間における気体の流速が、０．３ｍ／秒以下であるようにしてもよい。
【００１２】
本発明は、複数の基板を処理部の基板保持部により保持する工程と、前記基板の空き状態を検出する工程と、処理液が貯留された前記処理部の処理槽において、前記基板保持部により保持された前記基板を処理液に浸漬させ、処理する工程と、前記基板保持部により、処理された前記基板を上昇させる工程と、を備え、前記基板を上昇させる工程において、検出された前記基板の空き状態に基づいて、前記処理槽の上方に設けられ、当該処理槽に気体を供給する気体供給部から、当該処理槽を収容する収容ケースの下部に設けられ、当該気体供給部から供給された気体を排気する排気部に流れる気体の流量が調整されることを特徴とする基板処理方法である。
【００１３】
本発明による基板処理方法において、前記基板を処理する工程において、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を第１の流量とし、前記基板を上昇させる工程において、検出された前記基板の空き状態に基づいて当該基板間のギャップを算出し、少なくとも一組の前記基板間のギャップが所定の範囲にある場合に、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を、前記第１の流量より小さい第２の流量とするようにしてもよい。
【００１４】
本発明による基板処理方法において、第２の処理部において、前記処理部により処理された前記基板を更に処理する工程と、前記処理部から前記第２の処理部に、前記基板保持部により上昇した前記基板を搬送する工程と、を更に備え、前記基板を上昇させる工程において前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を前記第２の流量とした場合、前記基板を搬送する工程において、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を当該第２の流量とするようにしてもよい。
【００１５】
本発明による基板処理方法において、前記第２の処理部の基板保持部により、前記処理部から搬送された前記基板を下降させる工程であって、前記第２の処理部の第２の処理槽に貯留された第２の処理液に当該基板を浸漬させる工程を更に備え、前記基板を搬送する工程において前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を前記第２の流量とした場合、前記基板を下降させる工程において、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を当該第２の流量とするようにしてもよい。
【００１６】
本発明による基板処理方法において、前記気体供給部から前記排気部に前記第２の流量で気体が流れる際、前記基板間を流れる気体の流速が、０．５ｍ／秒以下であるようにしてもよい。
【００１７】
本発明による基板処理方法において、前記気体供給部から前記排気部に前記第２の流量で気体が流れる際、前記基板間を流れる気体の流速が、０．３ｍ／秒以下であるようにしてもよい。
【００１８】
本発明は、基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体であって、この基板処理方法は、複数の基板を処理部の基板保持部により保持する工程と、前記基板の空き状態を検出する工程と、処理液が貯留された前記処理部の処理槽において、前記基板保持部により保持された前記基板を処理液に浸漬させ、処理する工程と、前記基板保持部により、処理された前記基板を上昇させる工程と、を備え、前記基板を上昇させる工程において、検出された前記基板間の空き状態に基づいて、前記処理槽の上方に設けられ、当該処理槽に気体を供給する気体供給部から、当該処理槽を収容する収容ケースの下部に設けられ、当該気体供給部から供給された気体を排気する排気部に流れる気体の流量が調整されることを特徴とする記録媒体である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、基板の表面にパーティクルが形成されることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態における基板処理装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態における基板処理装置の洗浄処理ユニットを示す断面構成図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施の形態において、図２とは異なる方向から見た基板処理装置の洗浄処理ユニットを示す断面構成図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態における基板処理方法のフローチャートを示す図である。
【図５】図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の第２の実施の形態において、ウエハ間における気体の流れを説明するための図である。
【図６】図６は、本発明の第２の実施の形態の変形例として、基板処理装置の洗浄処理ユニットを示す断面構成図である。
【図７】図７は、本発明の第２の実施の形態の変形例として、基板処理方法のフローチャートを示す図である。
【図８】図８は、本発明の実施例において、ウエハ間の空気の流速の測定ポイントを示す正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
【００２２】
第１の実施の形態
まず、図１乃至図４を用いて、本発明の第１の実施の形態について説明する。図１乃至図４は、第１の実施の形態における基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体の一実施の形態を説明するための図である。
【００２３】
まず、基板処理装置１の全体構成について説明する。
【００２４】
図１に示すように、基板処理装置１は、ウエハＷが収納された収納容器１００を搬入出すると共に、保管する収納容器搬入出部２と、ウエハＷに所定の薬液を用いて洗浄処理を行う洗浄処理ユニット３と、洗浄処理後のウエハＷの乾燥処理を行う乾燥処理ユニット４と、収納容器搬入出部２と洗浄処理ユニット３および乾燥処理ユニット４との間でウエハＷを搬送するインターフェース部５とを備えている。このうち、乾燥処理ユニット４は、インターフェース部５と洗浄処理ユニット３との間に配置されている。ここで、上述した収納容器１００は、各々が１枚のウエハＷを略水平方向に収納するような複数の収納部分（図示せず）を有し、これらの収納部分が、上下方向に並ぶように、所定間隔を空けて設けられている。また、収納容器１００は、その一側面がウエハＷの搬入出口となっている。
【００２５】
収納容器搬入出部２は、収納容器１００を上下方向に並ぶように載置するための収納容器搬入出ステージ２ａと、収納容器１００に対するウエハＷの授受を行うウエハ出し入れステージ２ｂと、収納容器搬入出ステージ２ａと出し入れステージとのの間で収納容器１００を搬送する収納容器搬送装置２ｃとを有している。また、収納容器搬入出部２には、収納容器１００を保管する収納容器ストック部２ｄが設けられている。
【００２６】
収納容器搬入出部２とインターフェース部５との間は壁部６により仕切られており、この壁部６のウエハ出し入れステージ２ｂに対応する位置に、開口６ａが上下２段に形成されている。このうち下側の開口６ａは、収納容器１００から洗浄処理前のウエハＷを搬出するためのウエハ搬出用になっており、上側の開口６ａは、収納容器１００に洗浄処理後のウエハＷを搬入するためのウエハ搬入用になっている。
【００２７】
インターフェース部５の下側の開口６ａの近傍には、ウエハ出し入れステージ２ｂ上の収納容器１００内の洗浄処理前のウエハＷの空き状態を検出する第１の検出部７が設けられている。この第１の検出部７は、少なくとも一対の発光素子と受光素子とからなるセンサ部分を有し、このセンサ部分が収納容器１００の各収納部分に収納されたウエハＷのスキャンを行い、収納容器１００のウエハＷの空き状態、すなわち各収納部分にウエハＷが収納されているか否かを検出すると共に、各収納部分に収納された各ウエハＷの収納状態、例えば、ウエハＷが斜めに収納されていないか否か等、を検出するようになっている。
【００２８】
また、インターフェース部５の上側の開口６ａの近傍には、ウエハ出し入れステージ２ｂ上の収納容器１００内の洗浄処理後のウエハＷの検出を行う第２の検出部８が設けられている。この第２の検出部８は、少なくとも一対の発光素子と受光素子とからなるセンサ部分を有し、このセンサ部分が収納容器１００の各収納部分に収納されたウエハＷのスキャンを行い、収納容器１００のウエハＷの空き状態、すなわち、各収納部分にウエハＷが収納されているか否かを検出するようになっている。
【００２９】
インターフェース部５には、ウエハＷを搬送するウエハ搬送装置９が設けられ、このウエハ搬送装置９は、インターフェース部５から乾燥処理ユニット４を通って洗浄処理ユニット３へ延びるガイドレール９ａに沿って移動可能に構成されている。また、インターフェース部５には、ウエハ出し入れステージ２ｂとウエハ搬送装置９との間でウエハＷの移載を行うためのウエハ移載装置５ａが設けられている。このウエハ移載装置５ａは、収納容器１００に対して略水平状態でウエハＷを授受すると共に、ウエハ搬送装置９に対して略垂直状態でウエハＷを授受するようになっている。
【００３０】
次に、基板処理装置の洗浄処理ユニット３について詳述する。
【００３１】
すなわち、図２および図３に示すように、基板処理装置１の洗浄処理ユニット３は、複数の基板（例えば、半導体ウエハ、以下単にウエハＷと記す）を薬液処理する薬液処理部（処理部）１０と、薬液処理されたウエハＷをリンス処理するリンス処理部（第２の処理部）２０と、薬液処理部１０からリンス処理部２０に、ウエハＷを搬送するユニット内搬送機構（搬送機構）５０とを備えている。
【００３２】
このうち、薬液処理部１０は、高温（約１３０℃）の薬液（処理液、ＳＰＭ液）を貯留して、ウエハＷを薬液処理する薬液槽（処理槽）１１と、この薬液槽１１に対して昇降自在に設けられ、ウエハＷを略垂直状態に保持して薬液に浸漬させるウエハボード（基板保持部）１２とを有している。このうちウエハボード１２は、複数の溝（図示せず）を有し、各溝にウエハＷが係合して、ウエハＷが略垂直状態に保持されるようになっている。なお、ＳＰＭ液は、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）が各々所定濃度で混合された溶液をいう。
【００３３】
薬液槽１１は、薬液を貯留する内槽１１ａと、この内槽１１ａの周囲に設けられ、内槽１１ａからオーバーフローする薬液を受ける外槽１１ｂとを含んでいる。このうち、内槽１１ａには、図示しない硫酸供給部および過酸化水素水供給部が連結され、外槽１１ｂと内槽１１ａとの間に、外槽１１ｂにオーバーフローした薬液を内槽１１ａに戻す循環ライン（図示せず）が連結されている。また、内槽１１ａには、貯留された薬液を加熱するヒータ（図示せず）が設けられ、このヒータは、制御部６０に接続されている。
【００３４】
薬液処理部１０のウエハボード１２に、ボード駆動部１３が連結され、ウエハボード１２が昇降するようになっている。なお、このボード駆動部１３は、後述する制御部６０に接続され、制御部６０からの制御信号に基づいて、駆動されるようになっている。
【００３５】
リンス処理部２０は、図２に示すように、リンス液（第２の処理液、例えば、純水）を貯留して、ウエハＷをリンス処理するリンス槽（第２の処理槽）２１と、このリンス槽２１に対して昇降自在に設けられ、ウエハＷを略垂直状態に保持してリンス液に浸漬させるウエハボード２２とを有している。
【００３６】
リンス槽２１は、リンス液を貯留する内槽２１ａと、この内槽２１ａの周囲に設けられ、内槽２１ａからオーバーフローするリンス液を受ける外槽２１ｂとを含んでいる。このうち、内槽２１ａには、図示しないリンス液供給部が連結され、外槽２１ｂと内槽２１ａとの間に、外槽２１ｂにオーバーフローしたリンス液を内槽２１ａに戻す循環ライン（図示せず）が連結されている。
【００３７】
リンス処理部２０のウエハボード２２に、ボード駆動部２３が連結され、ウエハボード２２が昇降するようになっている。なお、このボード駆動部２３は、制御部６０に接続され、制御部６０からの制御信号に基づいて、駆動されるようになっている。
【００３８】
薬液槽１１およびリンス槽２１は、収容ケース３０に収容されている。この収容ケース３０の下部には、後述するファンフィルターユニット４０から供給された空気を排気する第１排気部（排気部）３１が設けられている。この第１排気部３１は、収容ケース３０の下部に連結された第１排気ライン３２と、この第１排気ライン３２に設けられ、第１排気ライン３２を通る空気の流量を調整する第１排気開閉弁３３とを有している。このうち第１排気開閉弁３３は、制御部６０に接続され、制御部６０によりその開度が調整されるようになっている。
【００３９】
薬液処理部１０およびリンス処理部２０の上方に、薬液槽１１に清浄な空気をダウンフローとして供給するファンフィルターユニット（気体供給部、ＦＦＵ）４０が設けられている。このファンフィルターユニット４０から供給された清浄な空気（気体）は、薬液槽１１に貯留された薬液の上方に向かって吐出され、収容ケース３０内を流れて、第１排気部３１に排気されるようになっている。このようにして、薬液から蒸発して気化したガスを、ファンフィルターユニット４０から供給された清浄な空気と共に第１排気部３１に案内し、薬液から気化したガスが上昇して拡散することを防止している。また、ファンフィルターユニット４０から吐出された清浄な空気は、リンス槽２１に貯留されたリンス液の上方にも向かって吐出されており、リンス処理部２０に搬送されてリンス処理前のウエハＷに残存している薬液から気化したガスを、ファンフィルターユニット４０から供給された清浄な空気と共に収容ケース３０内を流れて、第１排気部３１に排気し、薬液から気化したガスが上昇して拡散することを防止している。なお、ファンフィルターユニット４０は、制御部６０に接続され、制御部６０により、吐出される清浄な空気の流量が制御されるようになっている。
【００４０】
ユニット内搬送機構５０は、搬送アーム５１と、この搬送アーム５１を駆動する搬送駆動部５２とを有している。このうち搬送駆動部５２は、収容ケース３０の外方に配置されたボックス５３に覆われ、搬送アーム５１は、ボックス５３から薬液槽１１またはリンス槽２１の上方に延びている。また、ファンフィルターユニット４０から吐出された空気の一部が、ボックス５３内にも流れ込むようになっている。このボックス５３内に流れ込んだ空気は、ボックス５３の下部に設けられた第２排気部５４により排気されるようになっている。この第２排気部５４は、ボックス５３の下部に連結された第２排気ライン５５と、この第２排気ライン５５に設けられ、第２排気ライン５５を通る空気の流量を調整する第２排気開閉弁５６とを有している。なお、搬送駆動部５２および第２排気開閉弁５６は、制御部６０に接続され、制御部６０により制御されるようになっている。
【００４１】
上述したように、ファンフィルターユニット４０および第１排気開閉弁３３に、これらを制御する制御部６０が接続されている。この制御部６０は、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を、ウエハＷを薬液処理する際に、第１の流量とすると共に、薬液処理されたウエハＷを薬液処理部１０のウエハボード１２により上昇させる際に、第１の流量より小さい第２の流量とするように、ファンフィルターユニット４０および第１排気開閉弁３３を制御する。
【００４２】
また、洗浄処理ユニット３には、図１に示すように、他の薬液を用いてウエハＷを洗浄するための薬液処理部３ａ、３ｄと、リンス処理部３ｂ、３ｅと、ユニット内搬送機構３ｃ、３ｆとが設けられている。
【００４３】
乾燥処理ユニット４は、ウエハ搬送装置９のチャックを洗浄するチャック洗浄機構と、洗浄処理されたウエハＷを水洗する水洗槽と、水洗槽の上部に設けられ、例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の蒸気が供給されて、水洗されたウエハＷを乾燥する乾燥室（図示せず）と、水洗槽と乾燥室との間でウエハＷを搬送するユニット内搬送機構とを有している。
【００４４】
制御部６０は、図２に示すように、ユニット内搬送機構５０により薬液処理部１０からリンス処理部２０にウエハＷを搬送する際に、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を、上述した第２の流量とするように、ファンフィルターユニット４０および第１排気開閉弁３３を制御する。
【００４５】
さらに、制御部６０は、ユニット内搬送機構５０により搬送されたウエハＷを、リンス処理部２０のウエハボード２２により保持して下降する際においても、ファンフィルターユニット４０から薬液処理部１０の第１排気部３１に流れる空気の流量を、上述した第２の流量に維持するように、ファンフィルターユニット４０および第１排気開閉弁３３を制御する。
【００４６】
具体的には、制御部６０は、ファンフィルターユニット４０から吐出される空気の流量、および薬液処理部１０の第１排気開閉弁３３の開度の両方（あるいは一方）を調整して、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を制御する。
【００４７】
また、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量が第２の流量となっている場合、薬液処理部１０により保持されたウエハＷ間における空気の流速は、０．５ｍ／秒以下、とりわけ０．３ｍ／秒以下であることが好ましい。
【００４８】
ところで、図２に示すように、制御部６０には、工程管理者等が基板処理装置１を管理するために、コマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置１の稼働状況等を可視化して表示するディスプレイ等からなる入出力装置６１が接続されている。また、制御部６０は、基板処理装置１で実行される処理を実現するためのプログラム等が記録された記録媒体６２にアクセス可能となっている。記録媒体６２は、ＲＯＭおよびＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、およびフレキシブルディスク等のディスク状記録媒体等、既知の記録媒体６２から構成され得る。このようにして、制御部６０が、記録媒体６２に予め記録されたプログラム等を実行することによって、基板処理装置１においてウエハＷの処理が行われるようになっている。
【００４９】
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用、すなわち、本実施の形態による基板処理方法について説明する。なお、以下に説明する基板処理方法を実行するための各構成要素の動作は、予め記録媒体６２に記録されたプログラムに基づいた制御部６０からの制御信号によって制御される。
【００５０】
まず、図１に示すように、収納部分によって複数のウエハＷが略水平状態で収納された収納容器１００が、収納容器搬入出ステージ２ａに載置される。収納容器搬入出ステージ２ａに載置された収納容器１００が、収納容器搬送装置２ｃにより搬入用のウエハ出し入れステージ２ｂに搬送される。次に、ウエハ出し入れステージ２ｂに載置された収納容器１００について、第１の検出部７により、壁部６の下側の開口６ａを介して収納容器１００内のウエハＷの検出が行われる。
【００５１】
その後、ウエハ移載装置５ａにより、ウエハ出し入れステージ２ｂ上の収納容器１００からウエハ搬送装置９にウエハＷが受け渡される。
【００５２】
ウエハＷを受け取ったウエハ搬送装置９は、ガイドレール９ａに沿って洗浄処理ユニット３の薬液槽１１の位置に移動し、ウエハＷが洗浄処理ユニット３のユニット内搬送機構５０に渡され、ウエハＷが、後述するように、洗浄処理される。その後、各薬液処理部３ａ、３ｄ、各リンス処理部３ｂ、３ｅにより、ウエハＷは順次洗浄処理される。
【００５３】
洗浄処理が終了したウエハＷは、ウエハ搬送装置９により乾燥処理ユニット４に搬送され、乾燥処理される。その後、ウエハ搬送装置９によって、インターフェース部５に戻される。
【００５４】
インターフェース部５において、ウエハ移載装置５ａにより、ウエハ搬送装置９からウエハ出し入れステージ２ｂに載置された搬出用の空の収納容器１００に引き渡され、第２の検出部８によりウエハＷの検出が行われる。
【００５５】
その後、ウエハ出し入れステージ２ｂ上の収納容器１００が、収納容器搬送装置２ｃにより、収納容器搬入出ステージ２ａに搬送される。
【００５６】
次に、洗浄処理ユニット３の薬液処理部１０およびリンス処理部２０におけるウエハＷの処理方法について説明する。
【００５７】
この場合、まず、図４に示すように、ファンフィルターユニット４０から、薬液槽１１およびリンス槽２１に向かって、清浄な空気が吐出される（ステップＳ１）。この際、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量が第１の流量（通常時の流量）となるように、ファンフィルターユニット４０が駆動されると共に、第１排気部３１の第１排気開閉弁３３の開度が調整される。なお、ファンフィルターユニット４０から吐出された空気の一部は、収容ケース３０の外方に設けられたボックス５３内に流れ込むが、制御部６０により第２排気開閉弁５６の開度が調整され、第２排気ライン５５を通って排気される。
【００５８】
ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量が第１の流量で安定した後、薬液処理部１０の薬液槽１１に薬液が貯留されると共に、リンス処理部２０のリンス槽２１にリンス液が貯留される（ステップＳ２）。この場合、図示しない硫酸供給部および過酸化水素水供給部から薬液槽１１の内槽１１ａに、硫酸および過酸化水素水が、所定濃度で混合されるように、供給される。この際、硫酸および過酸化水素水は、薬液槽１１の内槽１１ａから外槽１１ｂにオーバーフローするまで供給され、薬液槽１１に設けられた図示しないヒータにより加熱される。その後、以下の工程を行っている間、薬液槽１１の内槽１１ａに貯留された硫酸および過酸化水素水は、所定濃度に維持される。また、リンス槽２１の内槽２１ａには、図示しないリンス液供給部から、リンス液が、リンス槽２１の内槽２１ａから外槽２１ｂにオーバーフローするまで供給される。
【００５９】
次に、ユニット内搬送機構５０により搬送された複数のウエハＷが、薬液処理部１０のウエハボード１２に引き渡されて保持される（ステップＳ３）。
【００６０】
ウエハＷが薬液処理部１０のウエハボード１２に保持された後、薬液処理部１０のボード駆動部１３が駆動されて、ウエハＷを保持したウエハボード１２が下降する（ステップＳ４）。
【００６１】
このウエハボード１２の下降により、薬液が貯留された薬液処理部１０の薬液槽１１において、ウエハボード１２により保持されたウエハＷが、薬液に浸漬して、所定時間、薬液処理される（ステップＳ５）。なお、上述したステップＳ２〜Ｓ５においては、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量は第１の流量に維持される。
【００６２】
次に、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量が、第１の流量より小さい第２の流量となるように、ファンフィルターユニット４０から吐出される空気の流量および第１排気部３１の第１排気開閉弁３３の開度が調整される。このことにより、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量が低減される（ステップＳ６）。なお、このステップＳ６は、上述したステップＳ５におけるウエハＷの薬液処理が終了する直前、例えば、終了の１分前に行うことが好ましい。このことにより、後述するステップＳ７におけるウエハＷを上昇させる前に、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を安定させることができる。
【００６３】
その後、薬液処理部１０のボード駆動部１３が駆動されて、薬液処理されたウエハＷが上昇する（ステップＳ７）。
【００６４】
次に、薬液処理部１０のウエハボード１２により上昇したウエハＷが、ユニット内搬送機構５０に引き渡され、薬液処理部１０からリンス処理部２０に搬送される（ステップＳ８）。
【００６５】
ユニット内搬送機構５０によりリンス処理部２０に搬送されたウエハＷは、リンス処理部２０のウエハボード２２に引き渡されて保持される（ステップＳ９）。
【００６６】
ウエハＷがリンス処理部２０のウエハボード２２に保持された後、リンス処理部２０のボード駆動部２３が駆動されて、ウエハＷを保持したウエハボード２２が下降する（ステップＳ１０）。
【００６７】
このウエハボード２２の下降により、リンス液が貯留されたリンス処理部２０のリンス槽２１において、ウエハボード２２により保持されたウエハＷが、リンス液に浸漬して、所定時間、リンス処理される（ステップＳ１１）。なお、上述したステップＳ７〜Ｓ１１において、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量は、第２の流量に維持される。
【００６８】
ここで、ウエハＷ全体が、リンス液に浸漬した後、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量が第１の流量となるように、ファンフィルターユニット４０から吐出される空気の流量および第１排気部３１の第１排気開閉弁３３の開度が調整される。このことにより、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量が、通常時の第１の流量に戻る（ステップＳ１２）。
【００６９】
ウエハＷのリンス処理が終了した後、リンス処理部２０のボード駆動部２３が駆動されて、リンス処理されたウエハＷが上昇する（ステップＳ１３）。なお、この間、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量は、第１の流量に維持される。
【００７０】
その後、リンス処理部２０のウエハボード２２により上昇したウエハＷが、ユニット内搬送機構５０に引き渡され、下流の工程へ搬送される。
【００７１】
上述した工程を繰り返すことにより、複数のウエハＷを、順次、薬液処理してリンス処理し、洗浄することができる。
【００７２】
このように本実施の形態によれば、薬液処理されたウエハＷを薬液から引き上げる際のファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を、ウエハＷを薬液処理する際の流量より小さくすることができる。このことにより、ウエハＷ間に流れ込む空気の流速を低減することができ、ウエハＷの上端部から、溶解した有機物が、ダウンフローの影響を受けて、ウエハ表面上を垂れてパーティクルが形成されることを防止することができる。
【００７３】
また、本実施の形態によれば、薬液処理されたウエハＷを、薬液処理部１０からリンス処理部２０に搬送する際、およびリンス処理部２０のウエハボード２２によりリンス槽２１に向けて下降させる際においても、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を、ウエハＷを薬液処理する際の流量より小さくすることができる。このことにより、薬液処理されたウエハＷがリンス処理されるまでの間、ウエハＷ間に流れ込む空気の流速を低減することができ、ウエハＷの表面上にパーティクルが形成されることを防止することができる。
【００７４】
第２の実施の形態
次に、図５により、本発明の第２の実施の形態における基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体について説明する。ここで図５は、第２の実施の形態における基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体の一実施の形態を説明するための図である。
【００７５】
図５に示す第２の実施の形態において、検出部により検出されたウエハの空き状態に基づいて、ファンフィルターユニットから第１排気部に流れる空気の流量を調整する点が主に異なり、他の構成は、図１乃至図４に示す第１の実施の形態と略同一である。なお、図５において、図１乃至図４に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【００７６】
本実施の形態においては、ウエハ出し入れステージ２ｂ上の収納容器１００に収納された洗浄処理前のウエハＷの空き状態が第１の検出部（検出部）７により検出され、この検出されたウエハＷの空き状態に基づいて、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量が調整されるようになっている。
【００７７】
すなわち、制御部６０は、第１の検出部７により検出されたウエハＷの空き状態に基づいて、ウエハボード１２に保持されるウエハＷ間のギャップ（図５中の寸法ｘ）を算出し、少なくとも一組のウエハＷ間のギャップが所定の範囲にある場合に、薬液処理されたウエハＷをウエハボード１２により上昇させる際のファンフィルターユニット４０から第１排気部３２に流れる空気の流量を、ウエハＷを薬液処理する際の流量（第１の流量）より小さい第２の流量とするように、ファンフィルターユニット４０から吐出される空気の流量および第１排気部３１の第１排気開閉弁３３を制御する。
【００７８】
ここで、図５（ａ）に示すように、例えば、５０枚のウエハＷを保持可能なウエハボード１２に５０枚のウエハＷが保持されている場合、各ウエハＷ間のギャップ（この場合、ｘ＝３ｍｍ）は、比較的小さい。このため、各ウエハＷ間に、ファンフィルターユニット４０から吐出された空気が流れにくくなり、各ウエハＷ間の空気の流速は小さくなる。このため、ダウンフローの影響が少なくなり、ウエハＷの表面上に、パーティクルが形成され難くなる。一方、図５（ｂ）に示すように、例えば、上述のウエハボード１２に２５枚のウエハＷが、略等間隔に保持されている場合、各ウエハＷ間のギャップ（この場合、ｘ＝６ｍｍ）は、比較的大きくなる。このため、各ウエハＷ間に、ファンフィルターユニット４０から吐出された空気が流れやすくなり、ウエハＷの上端部に残存している溶解した有機物が、ダウンフローの影響を受け、ウエハＷの表面上にパーティクルが形成され易くなっている。しかしながら、図５（ｃ）に示すように、例えば、上述のウエハボード１２にウエハＷが１枚だけ保持されている場合には、ウエハＷの周囲に大きな空間が形成されるため、ファンフィルターユニット４０から吐出された空気は、ウエハＷから離れて流れる。このため、ダウンフローの影響が少なくなり、ウエハＷの表面上にパーティクルが形成され難くなっている。
【００７９】
このことにより、制御部６０が、少なくとも一組のウエハＷ間のギャップが所定値の範囲（例えば、６ｍｍ以上）にある場合に、薬液処理されたウエハＷを上昇させる際、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を上述の第１の流量より小さい第２の流量とすることが効果的である。一方、ウエハＷ間のギャップが所定の範囲に含まれない場合には、薬液処理されたウエハＷを上昇させる際であっても、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を第１の流量に維持することができ、薬液から気化したガスが上昇して拡散することを防止することができる。
【００８０】
このように本実施の形態によれば、ウエハＷ間のギャップが上述した所定の範囲にある場合に、薬液処理されたウエハＷを上昇させる際に、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を、ウエハＷを薬液処理する際の流量より小さくすることができる。このことにより、ウエハＷ間にファンフィルターユニット４０からの空気がダウンフローとして流れ込む場合に限り、その流量を低減して、ウエハＷの表面上にパーティクルが形成されることを防止することができる。一方、ウエハＷ間のギャップが上述した所定の範囲に含まれない場合には、薬液処理されたウエハＷを上昇させる際であっても、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を通常の流量（第１の流量）に維持することができ、薬液から気化したガスが上昇して拡散されることを防止することができる。
【００８１】
なお、本実施の形態においては、ウエハ出し入れステージ２ｂ上の収納容器１００に収納された洗浄処理前のウエハＷの空き状態を第１の検出部７により検出して、この検出されたウエハＷの空き状態に基づいて、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量が調整される例について説明した。しかしながら、このことに限られることなく、ウエハＷの空き状態を検出する検出部として、第３の検出部７０を、図６に示すように、薬液槽１１の上方に設けるようにしても良い。すなわち、薬液槽１１の上方に、薬液処理部１０のウエハボード１２に保持されたウエハＷの空き状態を検出する第３の検出部７０が設けられ、制御部６０は、この第３の検出部７０により検出されたウエハＷの空き状態に基づいて、各ウエハＷ間のギャップを算出し、少なくとも一組のウエハＷ間のギャップが所定の範囲にある場合に、薬液処理されたウエハＷをウエハボード１２により上昇させる際のファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を、第２の流量とするように、ファンフィルターユニット４０および第１排気部３１を制御する。なお、この第３の検出部７０は、上述した第１の検出部７と同様に、少なくとも一対の発光素子と受光素子とからなるセンサ部分を有し、このセンサ部分が、ウエハボード１２に保持されたウエハＷのスキャンを行い、ウエハＷの空き状態、すなわち、ウエハボード１２の各溝（図示せず）にウエハＷが係合しているか否かを検出するように構成されている。
【００８２】
この場合、図７に示すように、ステップＳ３において、ウエハＷを薬液処理部１０のウエハボード１２に保持した後、この保持されたウエハＷの空き状態が、第３の検出部７０により検出される（ステップ２１）。その後、このウエハボード１２を下降させて薬液処理させる（ステップＳ４、Ｓ５）。
【００８３】
次に、ステップＳ２１において検出されたウエハＷの空き状態に基づいて、各ウエハＷ間のギャップが算出され、この算出されたウエハＷ間のギャップが所定の範囲にある場合には、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量が、第１の流量より小さい第２の流量となるように、ファンフィルターユニット４０から吐出される空気の流量および第１排気部３１の第１排気開閉弁３３の開度が調整される。このことにより、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量が低減される（ステップＳ２２）。なお、このステップＳ２２は、上述したステップＳ５におけるウエハＷの薬液処理が終了する直前、例えば、終了の１分前に行うことが好ましい。このことにより、ステップＳ７におけるウエハＷを上昇させる前に、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を安定させることができる。その後、このウエハボード１２が上昇する（ステップＳ７）。
【００８４】
なお、上述のステップＳ２２においてファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を第２の流量とした場合、ステップＳ１１において、ウエハＷ全体がリンス液に浸漬した後、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量が第１の流量となるように、ファンフィルターユニット４０から吐出される空気の流量および第１排気部３１の第１排気開閉弁３３の開度が調整される。このことにより、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量が、通常時の第１の流量に戻る（ステップＳ２３）。
【００８５】
以上、本発明による実施の形態について説明してきたが、当然のことながら、本発明の要旨の範囲内で、種々の変形も可能である。以下、代表的な変形例について説明する。
【００８６】
本実施の形態においては、薬液槽１１およびリンス槽２１が、一つの収容ケース３０に収容されている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、薬液槽１１およびリンス槽２１が、別々の収容ケース３０に収容されるようにしても良い。すなわち、薬液槽１１が、薬液槽用収容ケースに収容され、この薬液槽用収容ケースの下部に、空気を排気する薬液槽用排気部が設けられ、この薬液槽用排気部が、薬液槽用排気ラインと薬液槽用排気開閉弁とを有するようにすると共に、リンス槽２１が、リンス槽用収容ケースに収容され、このリンス槽用収容ケースの下部に、空気を排気するリンス槽用排気部が設けられ、このリンス槽用排気部が、リンス槽用排気ラインとリンス槽用排気開閉弁とを有するようにしても良い（いずれも図示せず）。この場合、制御部６０は、ファンフィルターユニット４０から薬液槽用排気部およびリンス槽用排気部に流れる空気の流量を制御するために、ファンフィルターユニット４０から吐出される空気の流量、薬液槽用排気開閉弁の開度、およびリンス槽用排気開閉弁の開度を調整すれば良い。
【００８７】
また、本実施の形態においては、薬液としてのＳＰＭ液により薬液処理されたウエハＷが、第２の処理部としてのリンス処理部２０においてリンス処理される例について説明した。しかしながら、この第２の処理部は、リンス処理部２０からなる場合に限られることはなく、ＳＰＭ液とは異なる他の薬液によりウエハＷを更に薬液処理する処理部であっても良い。
【００８８】
また、本実施の形態においては、薬液槽１１に貯留された高温のＳＰＭ液によりウエハＷを薬液処理する例について述べた。しかしながら、このことに限られることはなく、薬液槽１１に他の薬液を貯留してウエハＷを薬液処理する場合にも、本発明を適用することができる。
【００８９】
なお、以上の説明においては、本発明による基板処理方法、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体６２、および基板処理装置１を、半導体ウエハＷの薬液処理に適用した例を示している。しかしながらこのことに限られることはなく、ＬＣＤ基板またはＣＤ基板等、種々の基板等の薬液処理に本発明を適用することも可能である。
【実施例】
【００９０】
ウエハＷ間の空気の流速と、ウエハＷの表面上のパーティクルの形成の有無との関係について調べた。
【００９１】
すなわち、ウエハボード１２に保持されたウエハＷのうち中央付近のウエハＷ間の空気の流速を測定するために、図８に示すように、３箇所の流速の測定ポイントＰ１、Ｐ２、Ｐ３を設けた。なお、この場合のウエハＷ間のギャップｘ（図５参照）は、６ｍｍとしており、最大で５０枚のウエハＷを保持可能なウエハボード１２に、２５枚のウエハＷを、略等間隔に配置した場合に相当している。
【００９２】
ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を第１の流量と第２の流量とした場合において、各測定ポイントＰ１、Ｐ２、Ｐ３における空気の流速を測定すると共に、各ポイントＰ１、Ｐ２、Ｐ３の付近においてウエハＷの表面上にパーティクルが形成されているか否かを調べた。その結果を、表１に示す。なお、ここでは、図示しないが、薬液処理部１０と、測定ポイントＰ１の側で隣接するリンス処理部２０に、排気部がそれぞれ設けられ、リンス処理部２０の排気開閉弁の開度が小さくなっており、このことにより、ファンフィルターユニット４０のリンス処理部２０の側の部分から吐出された空気が、薬液槽１１に流れ、その影響で、Ｐ１における空気の流速が、Ｐ２、Ｐ３における空気の流速より大きくなっている。また、測定は、ウエハＷの略下半分を、図８に示すように、を薬液に浸漬させた状態で行った。
【００９３】
【表１】
【００９４】
この表１に示されているように、測定ポイントＰ１において、ウエハＷ間の空気の流速が、０．６１ｍ／秒である場合に、ダウンフローの影響を受けて、ウエハＷの上端部から、溶解した有機物がウエハＷの表面上を垂れてパーティクルが形成されることが確認できた。このことにより、ウエハＷ間の空気の流速を、少なくとも０．５ｍ／秒以下、好ましくは、０．３ｍ／秒以下とすることにより、ウエハＷの表面上にパーティクルが形成されることを防止することができるといえる。なお、本実施例においては、図８に示すように、ウエハＷの略下半分を薬液に浸漬させた状態でウエハＷ間の空気の流速を測定しているが、ウエハＷの薬液への浸漬状態および浸漬の有無に関わらず、ウエハＷ間の全領域にわたって、空気の流速が、０．５ｍ／秒以下、とりわけ、０．３ｍ／秒以下であることが好ましい。
【符号の説明】
【００９５】
１ 基板処理装置
２ 収納容器搬入出部
２ａ 収納容器搬入出ステージ
２ｂ ウエハ出し入れステージ
２ｃ 収納容器搬送装置
２ｄ 収納容器ストック部
３ 洗浄処理ユニット
３ａ、３ｄ 薬液処理部
３ｂ、３ｅ リンス処理部
３ｃ、３ｆ ユニット内搬送機構
４ 乾燥処理ユニット
４ａ チャック洗浄機構
４ｂ 水洗槽
４ｃ ユニット内搬送機構
５ インターフェース部
５ａ ウエハ移載装置
６ 壁部
６ａ 開口
７ 第１の検出部
８ 第２の検出部
９ ウエハ搬送装置
９ａ ガイドレール
１０ 薬液処理部
１１ 薬液槽
１１ａ 内槽
１１ｂ 外槽
１２ ウエハボード
１３ ボード駆動部
２０ リンス処理部
２１ リンス槽
２１ａ 内槽
２１ｂ 外槽
２２ ウエハボード
２３ ボード駆動部
３０ 収容ケース
３１ 第１排気部
３２ 第１排気ライン
３３ 第１排気開閉弁
４０ ファンフィルターユニット
５０ ユニット内搬送機構
５１ 搬送アーム
５２ 搬送駆動部
５３ ボックス
５４ 第２排気部
５５ 第２排気ライン
５６ 第２排気開閉弁
６０ 制御部
６１ 入出力装置
６２ 記録媒体
７０ 第３の検出部
１００ 収納容器
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体ウエハ等の基板（以下、単にウエハと記す）を、薬液槽に貯留されたＳＰＭ液（硫酸と過酸化水素水の混合溶液）に浸漬して洗浄処理する基板処理装置が知られている。このような基板処理装置においては、複数（例えば、５０枚）のウエハが、ウエハボードにより略垂直状態に保持されて、薬液槽に貯留された高温（例えば、約１３０℃）のＳＰＭ液に浸漬されて、ウエハに付着された有機性の汚れや金属不純物が除去されるようになっている。ウエハが洗浄処理されている間、薬液槽の上方に設けられたファンフィルターユニット（ＦＦＵ）から薬液槽に向かって清浄な空気が吐出され（ダウンフロー）、薬液から気化したガスが上昇して拡散されることを防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１６４５５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような基板処理装置において、ＳＰＭ液により洗浄処理されたウエハを引き上げる際、ウエハ間にファンフィルターユニットから吐出された空気が流れ込むことがある。この場合、ウエハの上端部（具体的には、ウエハを搬送する搬送機構との接触点）に付着し、高温のＳＰＭ液によって溶解された有機物が、ダウンフローの影響を受け、ウエハの表面上に垂れて、筋状のパーティクルが形成されるという問題がある。
【０００５】
本発明は、このようなことを考慮してなされたものであり、基板の表面にパーティクルが形成されることを防止することができる基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、処理液を貯留して、複数の基板を処理する処理槽と、当該処理槽に対して昇降自在に設けられ、前記基板を保持して処理液に浸漬させる基板保持部とを有する処理部と、前記処理部の上方に設けられ、前記処理槽に気体を供給する気体供給部と、前記基板の空き状態を検出する検出部と、前記処理槽を収容する収容ケースと、前記収容ケースの下部に設けられ、前記気体供給部から供給された気体を排気する排気部と、前記気体供給部および前記排気部を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記検出部により検出された前記基板の空き状態に基づいて、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を調整するように、当該気体供給部および当該排気部を制御することを特徴とする基板処理装置である。
【０００７】
本発明による基板処理装置において、前記制御部は、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を、前記基板を処理する際に、第１の流量とすると共に、前記検出部により検出された前記基板の空き状態に基づいて前記基板間のギャップを算出し、少なくとも一組の当該基板間のギャップが所定の範囲にある場合、処理された当該基板を前記基板保持部により上昇させる際に、当該第１の流量より小さい第２の流量とするように、当該気体供給部および当該排気部を制御するようにしてもよい。
【０００８】
本発明による基板処理装置において、前記処理部により処理された前記基板を更に処理する第２の処理部と、前記処理部から前記第２の処理部に、前記基板保持部により上昇した前記基板を搬送する搬送機構と、を更に備え、前記制御部は、前記基板保持部により前記基板を上昇させる際に前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を前記第２の流量とした場合、前記搬送機構により前記処理部から前記第２の処理部に当該基板を搬送する際に、当該気体供給部から当該排気部に流れる気体の流量を当該第２の流量とするように、当該気体供給部および当該排気部を制御するようにしてもよい。
【０００９】
本発明による基板処理装置において、前記第２の処理部は、前記ケースに収容され、第２の処理液を貯留して、前記基板を処理する第２の処理槽と、当該第２の処理槽に対して昇降自在に設けられ、当該基板を受けて保持し、第２の処理液に浸漬させる基板保持部とを有し、前記制御部は、前記搬送機構により前記基板を搬送する際に前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を前記第２の流量とした場合に、前記第２の処理部の前記気体保持部により当該基板を下降させる際に、当該気体供給部から当該排気部に流れる気体の流量を当該第２の流量とするように、当該気体供給部から当該排気部を制御するようにしてもよい。
【００１０】
本発明による基板処理装置において、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量が前記第２の流量である場合、前記基板間における気体の流速が、０．５ｍ／秒以下であるようにしてもよい。
【００１１】
本発明による基板処理装置において、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量が前記第２の流量である場合、前記基板間における気体の流速が、０．３ｍ／秒以下であるようにしてもよい。
【００１２】
本発明は、複数の基板を処理部の基板保持部により保持する工程と、前記基板の空き状態を検出する工程と、処理液が貯留された前記処理部の処理槽において、前記基板保持部により保持された前記基板を処理液に浸漬させ、処理する工程と、前記基板保持部により、処理された前記基板を上昇させる工程と、を備え、前記基板を上昇させる工程において、検出された前記基板の空き状態に基づいて、前記処理槽の上方に設けられ、当該処理槽に気体を供給する気体供給部から、当該処理槽を収容する収容ケースの下部に設けられ、当該気体供給部から供給された気体を排気する排気部に流れる気体の流量が調整されることを特徴とする基板処理方法である。
【００１３】
本発明による基板処理方法において、前記基板を処理する工程において、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を第１の流量とし、前記基板を上昇させる工程において、検出された前記基板の空き状態に基づいて当該基板間のギャップを算出し、少なくとも一組の前記基板間のギャップが所定の範囲にある場合に、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を、前記第１の流量より小さい第２の流量とするようにしてもよい。
【００１４】
本発明による基板処理方法において、第２の処理部において、前記処理部により処理された前記基板を更に処理する工程と、前記処理部から前記第２の処理部に、前記基板保持部により上昇した前記基板を搬送する工程と、を更に備え、前記基板を上昇させる工程において前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を前記第２の流量とした場合、前記基板を搬送する工程において、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を当該第２の流量とするようにしてもよい。
【００１５】
本発明による基板処理方法において、前記第２の処理部の基板保持部により、前記処理部から搬送された前記基板を下降させる工程であって、前記第２の処理部の第２の処理槽に貯留された第２の処理液に当該基板を浸漬させる工程を更に備え、前記基板を搬送する工程において前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を前記第２の流量とした場合、前記基板を下降させる工程において、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を当該第２の流量とするようにしてもよい。
【００１６】
本発明による基板処理方法において、前記気体供給部から前記排気部に前記第２の流量で気体が流れる際、前記基板間を流れる気体の流速が、０．５ｍ／秒以下であるようにしてもよい。
【００１７】
本発明による基板処理方法において、前記気体供給部から前記排気部に前記第２の流量で気体が流れる際、前記基板間を流れる気体の流速が、０．３ｍ／秒以下であるようにしてもよい。
【００１８】
本発明は、基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体であって、この基板処理方法は、複数の基板を処理部の基板保持部により保持する工程と、前記基板の空き状態を検出する工程と、処理液が貯留された前記処理部の処理槽において、前記基板保持部により保持された前記基板を処理液に浸漬させ、処理する工程と、前記基板保持部により、処理された前記基板を上昇させる工程と、を備え、前記基板を上昇させる工程において、検出された前記基板間の空き状態に基づいて、前記処理槽の上方に設けられ、当該処理槽に気体を供給する気体供給部から、当該処理槽を収容する収容ケースの下部に設けられ、当該気体供給部から供給された気体を排気する排気部に流れる気体の流量が調整されることを特徴とする記録媒体である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、基板の表面にパーティクルが形成されることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態における基板処理装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態における基板処理装置の洗浄処理ユニットを示す断面構成図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施の形態において、図２とは異なる方向から見た基板処理装置の洗浄処理ユニットを示す断面構成図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態における基板処理方法のフローチャートを示す図である。
【図５】図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の第２の実施の形態において、ウエハ間における気体の流れを説明するための図である。
【図６】図６は、本発明の第２の実施の形態の変形例として、基板処理装置の洗浄処理ユニットを示す断面構成図である。
【図７】図７は、本発明の第２の実施の形態の変形例として、基板処理方法のフローチャートを示す図である。
【図８】図８は、本発明の実施例において、ウエハ間の空気の流速の測定ポイントを示す正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
【００２２】
第１の実施の形態
まず、図１乃至図４を用いて、本発明の第１の実施の形態について説明する。図１乃至図４は、第１の実施の形態における基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体の一実施の形態を説明するための図である。
【００２３】
まず、基板処理装置１の全体構成について説明する。
【００２４】
図１に示すように、基板処理装置１は、ウエハＷが収納された収納容器１００を搬入出すると共に、保管する収納容器搬入出部２と、ウエハＷに所定の薬液を用いて洗浄処理を行う洗浄処理ユニット３と、洗浄処理後のウエハＷの乾燥処理を行う乾燥処理ユニット４と、収納容器搬入出部２と洗浄処理ユニット３および乾燥処理ユニット４との間でウエハＷを搬送するインターフェース部５とを備えている。このうち、乾燥処理ユニット４は、インターフェース部５と洗浄処理ユニット３との間に配置されている。ここで、上述した収納容器１００は、各々が１枚のウエハＷを略水平方向に収納するような複数の収納部分（図示せず）を有し、これらの収納部分が、上下方向に並ぶように、所定間隔を空けて設けられている。また、収納容器１００は、その一側面がウエハＷの搬入出口となっている。
【００２５】
収納容器搬入出部２は、収納容器１００を上下方向に並ぶように載置するための収納容器搬入出ステージ２ａと、収納容器１００に対するウエハＷの授受を行うウエハ出し入れステージ２ｂと、収納容器搬入出ステージ２ａと出し入れステージとのの間で収納容器１００を搬送する収納容器搬送装置２ｃとを有している。また、収納容器搬入出部２には、収納容器１００を保管する収納容器ストック部２ｄが設けられている。
【００２６】
収納容器搬入出部２とインターフェース部５との間は壁部６により仕切られており、この壁部６のウエハ出し入れステージ２ｂに対応する位置に、開口６ａが上下２段に形成されている。このうち下側の開口６ａは、収納容器１００から洗浄処理前のウエハＷを搬出するためのウエハ搬出用になっており、上側の開口６ａは、収納容器１００に洗浄処理後のウエハＷを搬入するためのウエハ搬入用になっている。
【００２７】
インターフェース部５の下側の開口６ａの近傍には、ウエハ出し入れステージ２ｂ上の収納容器１００内の洗浄処理前のウエハＷの空き状態を検出する第１の検出部７が設けられている。この第１の検出部７は、少なくとも一対の発光素子と受光素子とからなるセンサ部分を有し、このセンサ部分が収納容器１００の各収納部分に収納されたウエハＷのスキャンを行い、収納容器１００のウエハＷの空き状態、すなわち各収納部分にウエハＷが収納されているか否かを検出すると共に、各収納部分に収納された各ウエハＷの収納状態、例えば、ウエハＷが斜めに収納されていないか否か等、を検出するようになっている。
【００２８】
また、インターフェース部５の上側の開口６ａの近傍には、ウエハ出し入れステージ２ｂ上の収納容器１００内の洗浄処理後のウエハＷの検出を行う第２の検出部８が設けられている。この第２の検出部８は、少なくとも一対の発光素子と受光素子とからなるセンサ部分を有し、このセンサ部分が収納容器１００の各収納部分に収納されたウエハＷのスキャンを行い、収納容器１００のウエハＷの空き状態、すなわち、各収納部分にウエハＷが収納されているか否かを検出するようになっている。
【００２９】
インターフェース部５には、ウエハＷを搬送するウエハ搬送装置９が設けられ、このウエハ搬送装置９は、インターフェース部５から乾燥処理ユニット４を通って洗浄処理ユニット３へ延びるガイドレール９ａに沿って移動可能に構成されている。また、インターフェース部５には、ウエハ出し入れステージ２ｂとウエハ搬送装置９との間でウエハＷの移載を行うためのウエハ移載装置５ａが設けられている。このウエハ移載装置５ａは、収納容器１００に対して略水平状態でウエハＷを授受すると共に、ウエハ搬送装置９に対して略垂直状態でウエハＷを授受するようになっている。
【００３０】
次に、基板処理装置の洗浄処理ユニット３について詳述する。
【００３１】
すなわち、図２および図３に示すように、基板処理装置１の洗浄処理ユニット３は、複数の基板（例えば、半導体ウエハ、以下単にウエハＷと記す）を薬液処理する薬液処理部（処理部）１０と、薬液処理されたウエハＷをリンス処理するリンス処理部（第２の処理部）２０と、薬液処理部１０からリンス処理部２０に、ウエハＷを搬送するユニット内搬送機構（搬送機構）５０とを備えている。
【００３２】
このうち、薬液処理部１０は、高温（約１３０℃）の薬液（処理液、ＳＰＭ液）を貯留して、ウエハＷを薬液処理する薬液槽（処理槽）１１と、この薬液槽１１に対して昇降自在に設けられ、ウエハＷを略垂直状態に保持して薬液に浸漬させるウエハボード（基板保持部）１２とを有している。このうちウエハボード１２は、複数の溝（図示せず）を有し、各溝にウエハＷが係合して、ウエハＷが略垂直状態に保持されるようになっている。なお、ＳＰＭ液は、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）と過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）が各々所定濃度で混合された溶液をいう。
【００３３】
薬液槽１１は、薬液を貯留する内槽１１ａと、この内槽１１ａの周囲に設けられ、内槽１１ａからオーバーフローする薬液を受ける外槽１１ｂとを含んでいる。このうち、内槽１１ａには、図示しない硫酸供給部および過酸化水素水供給部が連結され、外槽１１ｂと内槽１１ａとの間に、外槽１１ｂにオーバーフローした薬液を内槽１１ａに戻す循環ライン（図示せず）が連結されている。また、内槽１１ａには、貯留された薬液を加熱するヒータ（図示せず）が設けられ、このヒータは、制御部６０に接続されている。
【００３４】
薬液処理部１０のウエハボード１２に、ボード駆動部１３が連結され、ウエハボード１２が昇降するようになっている。なお、このボード駆動部１３は、後述する制御部６０に接続され、制御部６０からの制御信号に基づいて、駆動されるようになっている。
【００３５】
リンス処理部２０は、図２に示すように、リンス液（第２の処理液、例えば、純水）を貯留して、ウエハＷをリンス処理するリンス槽（第２の処理槽）２１と、このリンス槽２１に対して昇降自在に設けられ、ウエハＷを略垂直状態に保持してリンス液に浸漬させるウエハボード２２とを有している。
【００３６】
リンス槽２１は、リンス液を貯留する内槽２１ａと、この内槽２１ａの周囲に設けられ、内槽２１ａからオーバーフローするリンス液を受ける外槽２１ｂとを含んでいる。このうち、内槽２１ａには、図示しないリンス液供給部が連結され、外槽２１ｂと内槽２１ａとの間に、外槽２１ｂにオーバーフローしたリンス液を内槽２１ａに戻す循環ライン（図示せず）が連結されている。
【００３７】
リンス処理部２０のウエハボード２２に、ボード駆動部２３が連結され、ウエハボード２２が昇降するようになっている。なお、このボード駆動部２３は、制御部６０に接続され、制御部６０からの制御信号に基づいて、駆動されるようになっている。
【００３８】
薬液槽１１およびリンス槽２１は、収容ケース３０に収容されている。この収容ケース３０の下部には、後述するファンフィルターユニット４０から供給された空気を排気する第１排気部（排気部）３１が設けられている。この第１排気部３１は、収容ケース３０の下部に連結された第１排気ライン３２と、この第１排気ライン３２に設けられ、第１排気ライン３２を通る空気の流量を調整する第１排気開閉弁３３とを有している。このうち第１排気開閉弁３３は、制御部６０に接続され、制御部６０によりその開度が調整されるようになっている。
【００３９】
薬液処理部１０およびリンス処理部２０の上方に、薬液槽１１に清浄な空気をダウンフローとして供給するファンフィルターユニット（気体供給部、ＦＦＵ）４０が設けられている。このファンフィルターユニット４０から供給された清浄な空気（気体）は、薬液槽１１に貯留された薬液の上方に向かって吐出され、収容ケース３０内を流れて、第１排気部３１に排気されるようになっている。このようにして、薬液から蒸発して気化したガスを、ファンフィルターユニット４０から供給された清浄な空気と共に第１排気部３１に案内し、薬液から気化したガスが上昇して拡散することを防止している。また、ファンフィルターユニット４０から吐出された清浄な空気は、リンス槽２１に貯留されたリンス液の上方にも向かって吐出されており、リンス処理部２０に搬送されてリンス処理前のウエハＷに残存している薬液から気化したガスを、ファンフィルターユニット４０から供給された清浄な空気と共に収容ケース３０内を流れて、第１排気部３１に排気し、薬液から気化したガスが上昇して拡散することを防止している。なお、ファンフィルターユニット４０は、制御部６０に接続され、制御部６０により、吐出される清浄な空気の流量が制御されるようになっている。
【００４０】
ユニット内搬送機構５０は、搬送アーム５１と、この搬送アーム５１を駆動する搬送駆動部５２とを有している。このうち搬送駆動部５２は、収容ケース３０の外方に配置されたボックス５３に覆われ、搬送アーム５１は、ボックス５３から薬液槽１１またはリンス槽２１の上方に延びている。また、ファンフィルターユニット４０から吐出された空気の一部が、ボックス５３内にも流れ込むようになっている。このボックス５３内に流れ込んだ空気は、ボックス５３の下部に設けられた第２排気部５４により排気されるようになっている。この第２排気部５４は、ボックス５３の下部に連結された第２排気ライン５５と、この第２排気ライン５５に設けられ、第２排気ライン５５を通る空気の流量を調整する第２排気開閉弁５６とを有している。なお、搬送駆動部５２および第２排気開閉弁５６は、制御部６０に接続され、制御部６０により制御されるようになっている。
【００４１】
上述したように、ファンフィルターユニット４０および第１排気開閉弁３３に、これらを制御する制御部６０が接続されている。この制御部６０は、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を、ウエハＷを薬液処理する際に、第１の流量とすると共に、薬液処理されたウエハＷを薬液処理部１０のウエハボード１２により上昇させる際に、第１の流量より小さい第２の流量とするように、ファンフィルターユニット４０および第１排気開閉弁３３を制御する。
【００４２】
また、洗浄処理ユニット３には、図１に示すように、他の薬液を用いてウエハＷを洗浄するための薬液処理部３ａ、３ｄと、リンス処理部３ｂ、３ｅと、ユニット内搬送機構３ｃ、３ｆとが設けられている。
【００４３】
乾燥処理ユニット４は、ウエハ搬送装置９のチャックを洗浄するチャック洗浄機構と、洗浄処理されたウエハＷを水洗する水洗槽と、水洗槽の上部に設けられ、例えばイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の蒸気が供給されて、水洗されたウエハＷを乾燥する乾燥室（図示せず）と、水洗槽と乾燥室との間でウエハＷを搬送するユニット内搬送機構とを有している。
【００４４】
制御部６０は、図２に示すように、ユニット内搬送機構５０により薬液処理部１０からリンス処理部２０にウエハＷを搬送する際に、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を、上述した第２の流量とするように、ファンフィルターユニット４０および第１排気開閉弁３３を制御する。
【００４５】
さらに、制御部６０は、ユニット内搬送機構５０により搬送されたウエハＷを、リンス処理部２０のウエハボード２２により保持して下降する際においても、ファンフィルターユニット４０から薬液処理部１０の第１排気部３１に流れる空気の流量を、上述した第２の流量に維持するように、ファンフィルターユニット４０および第１排気開閉弁３３を制御する。
【００４６】
具体的には、制御部６０は、ファンフィルターユニット４０から吐出される空気の流量、および薬液処理部１０の第１排気開閉弁３３の開度の両方（あるいは一方）を調整して、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を制御する。
【００４７】
また、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量が第２の流量となっている場合、薬液処理部１０により保持されたウエハＷ間における空気の流速は、０．５ｍ／秒以下、とりわけ０．３ｍ／秒以下であることが好ましい。
【００４８】
ところで、図２に示すように、制御部６０には、工程管理者等が基板処理装置１を管理するために、コマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置１の稼働状況等を可視化して表示するディスプレイ等からなる入出力装置６１が接続されている。また、制御部６０は、基板処理装置１で実行される処理を実現するためのプログラム等が記録された記録媒体６２にアクセス可能となっている。記録媒体６２は、ＲＯＭおよびＲＡＭ等のメモリ、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、およびフレキシブルディスク等のディスク状記録媒体等、既知の記録媒体６２から構成され得る。このようにして、制御部６０が、記録媒体６２に予め記録されたプログラム等を実行することによって、基板処理装置１においてウエハＷの処理が行われるようになっている。
【００４９】
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用、すなわち、本実施の形態による基板処理方法について説明する。なお、以下に説明する基板処理方法を実行するための各構成要素の動作は、予め記録媒体６２に記録されたプログラムに基づいた制御部６０からの制御信号によって制御される。
【００５０】
まず、図１に示すように、収納部分によって複数のウエハＷが略水平状態で収納された収納容器１００が、収納容器搬入出ステージ２ａに載置される。収納容器搬入出ステージ２ａに載置された収納容器１００が、収納容器搬送装置２ｃにより搬入用のウエハ出し入れステージ２ｂに搬送される。次に、ウエハ出し入れステージ２ｂに載置された収納容器１００について、第１の検出部７により、壁部６の下側の開口６ａを介して収納容器１００内のウエハＷの検出が行われる。
【００５１】
その後、ウエハ移載装置５ａにより、ウエハ出し入れステージ２ｂ上の収納容器１００からウエハ搬送装置９にウエハＷが受け渡される。
【００５２】
ウエハＷを受け取ったウエハ搬送装置９は、ガイドレール９ａに沿って洗浄処理ユニット３の薬液槽１１の位置に移動し、ウエハＷが洗浄処理ユニット３のユニット内搬送機構５０に渡され、ウエハＷが、後述するように、洗浄処理される。その後、各薬液処理部３ａ、３ｄ、各リンス処理部３ｂ、３ｅにより、ウエハＷは順次洗浄処理される。
【００５３】
洗浄処理が終了したウエハＷは、ウエハ搬送装置９により乾燥処理ユニット４に搬送され、乾燥処理される。その後、ウエハ搬送装置９によって、インターフェース部５に戻される。
【００５４】
インターフェース部５において、ウエハ移載装置５ａにより、ウエハ搬送装置９からウエハ出し入れステージ２ｂに載置された搬出用の空の収納容器１００に引き渡され、第２の検出部８によりウエハＷの検出が行われる。
【００５５】
その後、ウエハ出し入れステージ２ｂ上の収納容器１００が、収納容器搬送装置２ｃにより、収納容器搬入出ステージ２ａに搬送される。
【００５６】
次に、洗浄処理ユニット３の薬液処理部１０およびリンス処理部２０におけるウエハＷの処理方法について説明する。
【００５７】
この場合、まず、図４に示すように、ファンフィルターユニット４０から、薬液槽１１およびリンス槽２１に向かって、清浄な空気が吐出される（ステップＳ１）。この際、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量が第１の流量（通常時の流量）となるように、ファンフィルターユニット４０が駆動されると共に、第１排気部３１の第１排気開閉弁３３の開度が調整される。なお、ファンフィルターユニット４０から吐出された空気の一部は、収容ケース３０の外方に設けられたボックス５３内に流れ込むが、制御部６０により第２排気開閉弁５６の開度が調整され、第２排気ライン５５を通って排気される。
【００５８】
ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量が第１の流量で安定した後、薬液処理部１０の薬液槽１１に薬液が貯留されると共に、リンス処理部２０のリンス槽２１にリンス液が貯留される（ステップＳ２）。この場合、図示しない硫酸供給部および過酸化水素水供給部から薬液槽１１の内槽１１ａに、硫酸および過酸化水素水が、所定濃度で混合されるように、供給される。この際、硫酸および過酸化水素水は、薬液槽１１の内槽１１ａから外槽１１ｂにオーバーフローするまで供給され、薬液槽１１に設けられた図示しないヒータにより加熱される。その後、以下の工程を行っている間、薬液槽１１の内槽１１ａに貯留された硫酸および過酸化水素水は、所定濃度に維持される。また、リンス槽２１の内槽２１ａには、図示しないリンス液供給部から、リンス液が、リンス槽２１の内槽２１ａから外槽２１ｂにオーバーフローするまで供給される。
【００５９】
次に、ユニット内搬送機構５０により搬送された複数のウエハＷが、薬液処理部１０のウエハボード１２に引き渡されて保持される（ステップＳ３）。
【００６０】
ウエハＷが薬液処理部１０のウエハボード１２に保持された後、薬液処理部１０のボード駆動部１３が駆動されて、ウエハＷを保持したウエハボード１２が下降する（ステップＳ４）。
【００６１】
このウエハボード１２の下降により、薬液が貯留された薬液処理部１０の薬液槽１１において、ウエハボード１２により保持されたウエハＷが、薬液に浸漬して、所定時間、薬液処理される（ステップＳ５）。なお、上述したステップＳ２〜Ｓ５においては、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量は第１の流量に維持される。
【００６２】
次に、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量が、第１の流量より小さい第２の流量となるように、ファンフィルターユニット４０から吐出される空気の流量および第１排気部３１の第１排気開閉弁３３の開度が調整される。このことにより、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量が低減される（ステップＳ６）。なお、このステップＳ６は、上述したステップＳ５におけるウエハＷの薬液処理が終了する直前、例えば、終了の１分前に行うことが好ましい。このことにより、後述するステップＳ７におけるウエハＷを上昇させる前に、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を安定させることができる。
【００６３】
その後、薬液処理部１０のボード駆動部１３が駆動されて、薬液処理されたウエハＷが上昇する（ステップＳ７）。
【００６４】
次に、薬液処理部１０のウエハボード１２により上昇したウエハＷが、ユニット内搬送機構５０に引き渡され、薬液処理部１０からリンス処理部２０に搬送される（ステップＳ８）。
【００６５】
ユニット内搬送機構５０によりリンス処理部２０に搬送されたウエハＷは、リンス処理部２０のウエハボード２２に引き渡されて保持される（ステップＳ９）。
【００６６】
ウエハＷがリンス処理部２０のウエハボード２２に保持された後、リンス処理部２０のボード駆動部２３が駆動されて、ウエハＷを保持したウエハボード２２が下降する（ステップＳ１０）。
【００６７】
このウエハボード２２の下降により、リンス液が貯留されたリンス処理部２０のリンス槽２１において、ウエハボード２２により保持されたウエハＷが、リンス液に浸漬して、所定時間、リンス処理される（ステップＳ１１）。なお、上述したステップＳ７〜Ｓ１１において、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量は、第２の流量に維持される。
【００６８】
ここで、ウエハＷ全体が、リンス液に浸漬した後、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量が第１の流量となるように、ファンフィルターユニット４０から吐出される空気の流量および第１排気部３１の第１排気開閉弁３３の開度が調整される。このことにより、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量が、通常時の第１の流量に戻る（ステップＳ１２）。
【００６９】
ウエハＷのリンス処理が終了した後、リンス処理部２０のボード駆動部２３が駆動されて、リンス処理されたウエハＷが上昇する（ステップＳ１３）。なお、この間、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量は、第１の流量に維持される。
【００７０】
その後、リンス処理部２０のウエハボード２２により上昇したウエハＷが、ユニット内搬送機構５０に引き渡され、下流の工程へ搬送される。
【００７１】
上述した工程を繰り返すことにより、複数のウエハＷを、順次、薬液処理してリンス処理し、洗浄することができる。
【００７２】
このように本実施の形態によれば、薬液処理されたウエハＷを薬液から引き上げる際のファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を、ウエハＷを薬液処理する際の流量より小さくすることができる。このことにより、ウエハＷ間に流れ込む空気の流速を低減することができ、ウエハＷの上端部から、溶解した有機物が、ダウンフローの影響を受けて、ウエハ表面上を垂れてパーティクルが形成されることを防止することができる。
【００７３】
また、本実施の形態によれば、薬液処理されたウエハＷを、薬液処理部１０からリンス処理部２０に搬送する際、およびリンス処理部２０のウエハボード２２によりリンス槽２１に向けて下降させる際においても、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を、ウエハＷを薬液処理する際の流量より小さくすることができる。このことにより、薬液処理されたウエハＷがリンス処理されるまでの間、ウエハＷ間に流れ込む空気の流速を低減することができ、ウエハＷの表面上にパーティクルが形成されることを防止することができる。
【００７４】
第２の実施の形態
次に、図５により、本発明の第２の実施の形態における基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体について説明する。ここで図５は、第２の実施の形態における基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体の一実施の形態を説明するための図である。
【００７５】
図５に示す第２の実施の形態において、検出部により検出されたウエハの空き状態に基づいて、ファンフィルターユニットから第１排気部に流れる空気の流量を調整する点が主に異なり、他の構成は、図１乃至図４に示す第１の実施の形態と略同一である。なお、図５において、図１乃至図４に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【００７６】
本実施の形態においては、ウエハ出し入れステージ２ｂ上の収納容器１００に収納された洗浄処理前のウエハＷの空き状態が第１の検出部（検出部）７により検出され、この検出されたウエハＷの空き状態に基づいて、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量が調整されるようになっている。
【００７７】
すなわち、制御部６０は、第１の検出部７により検出されたウエハＷの空き状態に基づいて、ウエハボード１２に保持されるウエハＷ間のギャップ（図５中の寸法ｘ）を算出し、少なくとも一組のウエハＷ間のギャップが所定の範囲にある場合に、薬液処理されたウエハＷをウエハボード１２により上昇させる際のファンフィルターユニット４０から第１排気部３２に流れる空気の流量を、ウエハＷを薬液処理する際の流量（第１の流量）より小さい第２の流量とするように、ファンフィルターユニット４０から吐出される空気の流量および第１排気部３１の第１排気開閉弁３３を制御する。
【００７８】
ここで、図５（ａ）に示すように、例えば、５０枚のウエハＷを保持可能なウエハボード１２に５０枚のウエハＷが保持されている場合、各ウエハＷ間のギャップ（この場合、ｘ＝３ｍｍ）は、比較的小さい。このため、各ウエハＷ間に、ファンフィルターユニット４０から吐出された空気が流れにくくなり、各ウエハＷ間の空気の流速は小さくなる。このため、ダウンフローの影響が少なくなり、ウエハＷの表面上に、パーティクルが形成され難くなる。一方、図５（ｂ）に示すように、例えば、上述のウエハボード１２に２５枚のウエハＷが、略等間隔に保持されている場合、各ウエハＷ間のギャップ（この場合、ｘ＝６ｍｍ）は、比較的大きくなる。このため、各ウエハＷ間に、ファンフィルターユニット４０から吐出された空気が流れやすくなり、ウエハＷの上端部に残存している溶解した有機物が、ダウンフローの影響を受け、ウエハＷの表面上にパーティクルが形成され易くなっている。しかしながら、図５（ｃ）に示すように、例えば、上述のウエハボード１２にウエハＷが１枚だけ保持されている場合には、ウエハＷの周囲に大きな空間が形成されるため、ファンフィルターユニット４０から吐出された空気は、ウエハＷから離れて流れる。このため、ダウンフローの影響が少なくなり、ウエハＷの表面上にパーティクルが形成され難くなっている。
【００７９】
このことにより、制御部６０が、少なくとも一組のウエハＷ間のギャップが所定値の範囲（例えば、６ｍｍ以上）にある場合に、薬液処理されたウエハＷを上昇させる際、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を上述の第１の流量より小さい第２の流量とすることが効果的である。一方、ウエハＷ間のギャップが所定の範囲に含まれない場合には、薬液処理されたウエハＷを上昇させる際であっても、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を第１の流量に維持することができ、薬液から気化したガスが上昇して拡散することを防止することができる。
【００８０】
このように本実施の形態によれば、ウエハＷ間のギャップが上述した所定の範囲にある場合に、薬液処理されたウエハＷを上昇させる際に、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を、ウエハＷを薬液処理する際の流量より小さくすることができる。このことにより、ウエハＷ間にファンフィルターユニット４０からの空気がダウンフローとして流れ込む場合に限り、その流量を低減して、ウエハＷの表面上にパーティクルが形成されることを防止することができる。一方、ウエハＷ間のギャップが上述した所定の範囲に含まれない場合には、薬液処理されたウエハＷを上昇させる際であっても、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を通常の流量（第１の流量）に維持することができ、薬液から気化したガスが上昇して拡散されることを防止することができる。
【００８１】
なお、本実施の形態においては、ウエハ出し入れステージ２ｂ上の収納容器１００に収納された洗浄処理前のウエハＷの空き状態を第１の検出部７により検出して、この検出されたウエハＷの空き状態に基づいて、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量が調整される例について説明した。しかしながら、このことに限られることなく、ウエハＷの空き状態を検出する検出部として、第３の検出部７０を、図６に示すように、薬液槽１１の上方に設けるようにしても良い。すなわち、薬液槽１１の上方に、薬液処理部１０のウエハボード１２に保持されたウエハＷの空き状態を検出する第３の検出部７０が設けられ、制御部６０は、この第３の検出部７０により検出されたウエハＷの空き状態に基づいて、各ウエハＷ間のギャップを算出し、少なくとも一組のウエハＷ間のギャップが所定の範囲にある場合に、薬液処理されたウエハＷをウエハボード１２により上昇させる際のファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を、第２の流量とするように、ファンフィルターユニット４０および第１排気部３１を制御する。なお、この第３の検出部７０は、上述した第１の検出部７と同様に、少なくとも一対の発光素子と受光素子とからなるセンサ部分を有し、このセンサ部分が、ウエハボード１２に保持されたウエハＷのスキャンを行い、ウエハＷの空き状態、すなわち、ウエハボード１２の各溝（図示せず）にウエハＷが係合しているか否かを検出するように構成されている。
【００８２】
この場合、図７に示すように、ステップＳ３において、ウエハＷを薬液処理部１０のウエハボード１２に保持した後、この保持されたウエハＷの空き状態が、第３の検出部７０により検出される（ステップ２１）。その後、このウエハボード１２を下降させて薬液処理させる（ステップＳ４、Ｓ５）。
【００８３】
次に、ステップＳ２１において検出されたウエハＷの空き状態に基づいて、各ウエハＷ間のギャップが算出され、この算出されたウエハＷ間のギャップが所定の範囲にある場合には、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量が、第１の流量より小さい第２の流量となるように、ファンフィルターユニット４０から吐出される空気の流量および第１排気部３１の第１排気開閉弁３３の開度が調整される。このことにより、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量が低減される（ステップＳ２２）。なお、このステップＳ２２は、上述したステップＳ５におけるウエハＷの薬液処理が終了する直前、例えば、終了の１分前に行うことが好ましい。このことにより、ステップＳ７におけるウエハＷを上昇させる前に、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を安定させることができる。その後、このウエハボード１２が上昇する（ステップＳ７）。
【００８４】
なお、上述のステップＳ２２においてファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を第２の流量とした場合、ステップＳ１１において、ウエハＷ全体がリンス液に浸漬した後、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量が第１の流量となるように、ファンフィルターユニット４０から吐出される空気の流量および第１排気部３１の第１排気開閉弁３３の開度が調整される。このことにより、ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量が、通常時の第１の流量に戻る（ステップＳ２３）。
【００８５】
以上、本発明による実施の形態について説明してきたが、当然のことながら、本発明の要旨の範囲内で、種々の変形も可能である。以下、代表的な変形例について説明する。
【００８６】
本実施の形態においては、薬液槽１１およびリンス槽２１が、一つの収容ケース３０に収容されている例について説明した。しかしながら、このことに限られることはなく、薬液槽１１およびリンス槽２１が、別々の収容ケース３０に収容されるようにしても良い。すなわち、薬液槽１１が、薬液槽用収容ケースに収容され、この薬液槽用収容ケースの下部に、空気を排気する薬液槽用排気部が設けられ、この薬液槽用排気部が、薬液槽用排気ラインと薬液槽用排気開閉弁とを有するようにすると共に、リンス槽２１が、リンス槽用収容ケースに収容され、このリンス槽用収容ケースの下部に、空気を排気するリンス槽用排気部が設けられ、このリンス槽用排気部が、リンス槽用排気ラインとリンス槽用排気開閉弁とを有するようにしても良い（いずれも図示せず）。この場合、制御部６０は、ファンフィルターユニット４０から薬液槽用排気部およびリンス槽用排気部に流れる空気の流量を制御するために、ファンフィルターユニット４０から吐出される空気の流量、薬液槽用排気開閉弁の開度、およびリンス槽用排気開閉弁の開度を調整すれば良い。
【００８７】
また、本実施の形態においては、薬液としてのＳＰＭ液により薬液処理されたウエハＷが、第２の処理部としてのリンス処理部２０においてリンス処理される例について説明した。しかしながら、この第２の処理部は、リンス処理部２０からなる場合に限られることはなく、ＳＰＭ液とは異なる他の薬液によりウエハＷを更に薬液処理する処理部であっても良い。
【００８８】
また、本実施の形態においては、薬液槽１１に貯留された高温のＳＰＭ液によりウエハＷを薬液処理する例について述べた。しかしながら、このことに限られることはなく、薬液槽１１に他の薬液を貯留してウエハＷを薬液処理する場合にも、本発明を適用することができる。
【００８９】
なお、以上の説明においては、本発明による基板処理方法、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体６２、および基板処理装置１を、半導体ウエハＷの薬液処理に適用した例を示している。しかしながらこのことに限られることはなく、ＬＣＤ基板またはＣＤ基板等、種々の基板等の薬液処理に本発明を適用することも可能である。
【実施例】
【００９０】
ウエハＷ間の空気の流速と、ウエハＷの表面上のパーティクルの形成の有無との関係について調べた。
【００９１】
すなわち、ウエハボード１２に保持されたウエハＷのうち中央付近のウエハＷ間の空気の流速を測定するために、図８に示すように、３箇所の流速の測定ポイントＰ１、Ｐ２、Ｐ３を設けた。なお、この場合のウエハＷ間のギャップｘ（図５参照）は、６ｍｍとしており、最大で５０枚のウエハＷを保持可能なウエハボード１２に、２５枚のウエハＷを、略等間隔に配置した場合に相当している。
【００９２】
ファンフィルターユニット４０から第１排気部３１に流れる空気の流量を第１の流量と第２の流量とした場合において、各測定ポイントＰ１、Ｐ２、Ｐ３における空気の流速を測定すると共に、各ポイントＰ１、Ｐ２、Ｐ３の付近においてウエハＷの表面上にパーティクルが形成されているか否かを調べた。その結果を、表１に示す。なお、ここでは、図示しないが、薬液処理部１０と、測定ポイントＰ１の側で隣接するリンス処理部２０に、排気部がそれぞれ設けられ、リンス処理部２０の排気開閉弁の開度が小さくなっており、このことにより、ファンフィルターユニット４０のリンス処理部２０の側の部分から吐出された空気が、薬液槽１１に流れ、その影響で、Ｐ１における空気の流速が、Ｐ２、Ｐ３における空気の流速より大きくなっている。また、測定は、ウエハＷの略下半分を、図８に示すように、を薬液に浸漬させた状態で行った。
【００９３】
【表１】
【００９４】
この表１に示されているように、測定ポイントＰ１において、ウエハＷ間の空気の流速が、０．６１ｍ／秒である場合に、ダウンフローの影響を受けて、ウエハＷの上端部から、溶解した有機物がウエハＷの表面上を垂れてパーティクルが形成されることが確認できた。このことにより、ウエハＷ間の空気の流速を、少なくとも０．５ｍ／秒以下、好ましくは、０．３ｍ／秒以下とすることにより、ウエハＷの表面上にパーティクルが形成されることを防止することができるといえる。なお、本実施例においては、図８に示すように、ウエハＷの略下半分を薬液に浸漬させた状態でウエハＷ間の空気の流速を測定しているが、ウエハＷの薬液への浸漬状態および浸漬の有無に関わらず、ウエハＷ間の全領域にわたって、空気の流速が、０．５ｍ／秒以下、とりわけ、０．３ｍ／秒以下であることが好ましい。
【符号の説明】
【００９５】
１ 基板処理装置
２ 収納容器搬入出部
２ａ 収納容器搬入出ステージ
２ｂ ウエハ出し入れステージ
２ｃ 収納容器搬送装置
２ｄ 収納容器ストック部
３ 洗浄処理ユニット
３ａ、３ｄ 薬液処理部
３ｂ、３ｅ リンス処理部
３ｃ、３ｆ ユニット内搬送機構
４ 乾燥処理ユニット
４ａ チャック洗浄機構
４ｂ 水洗槽
４ｃ ユニット内搬送機構
５ インターフェース部
５ａ ウエハ移載装置
６ 壁部
６ａ 開口
７ 第１の検出部
８ 第２の検出部
９ ウエハ搬送装置
９ａ ガイドレール
１０ 薬液処理部
１１ 薬液槽
１１ａ 内槽
１１ｂ 外槽
１２ ウエハボード
１３ ボード駆動部
２０ リンス処理部
２１ リンス槽
２１ａ 内槽
２１ｂ 外槽
２２ ウエハボード
２３ ボード駆動部
３０ 収容ケース
３１ 第１排気部
３２ 第１排気ライン
３３ 第１排気開閉弁
４０ ファンフィルターユニット
５０ ユニット内搬送機構
５１ 搬送アーム
５２ 搬送駆動部
５３ ボックス
５４ 第２排気部
５５ 第２排気ライン
５６ 第２排気開閉弁
６０ 制御部
６１ 入出力装置
６２ 記録媒体
７０ 第３の検出部
１００ 収納容器
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液を貯留して、複数の基板を処理する処理槽と、当該処理槽に対して昇降自在に設けられ、前記基板を保持して処理液に浸漬させる基板保持部とを有する処理部と、
前記処理部の上方に設けられ、前記処理槽に気体を供給する気体供給部と、
前記基板の空き状態を検出する検出部と、
前記処理槽を収容する収容ケースと、
前記収容ケースの下部に設けられ、前記気体供給部から供給された気体を排気する排気部と、
前記気体供給部および前記排気部を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記検出部により検出された前記基板の空き状態に基づいて、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を調整するように、当該気体供給部および当該排気部を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を、前記基板を処理する際に、第１の流量とすると共に、前記検出部により検出された前記基板の空き状態に基づいて前記基板間のギャップを算出し、少なくとも一組の当該基板間のギャップが所定の範囲にある場合、処理された当該基板を前記基板保持部により上昇させる際に、当該第１の流量より小さい第２の流量とするように、当該気体供給部および当該排気部を制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理部により処理された前記基板を更に処理する第２の処理部と、
前記処理部から前記第２の処理部に、前記基板保持部により上昇した前記基板を搬送する搬送機構と、を更に備え、
前記制御部は、前記基板保持部により前記基板を上昇させる際に前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を前記第２の流量とした場合、前記搬送機構により前記処理部から前記第２の処理部に当該基板を搬送する際に、当該気体供給部から当該排気部に流れる気体の流量を当該第２の流量とするように、当該気体供給部および当該排気部を制御することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第２の処理部は、前記ケースに収容され、第２の処理液を貯留して、前記基板を処理する第２の処理槽と、当該第２の処理槽に対して昇降自在に設けられ、当該基板を受けて保持し、第２の処理液に浸漬させる基板保持部とを有し、
前記制御部は、前記搬送機構により前記基板を搬送する際に前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を前記第２の流量とした場合に、前記第２の処理部の前記気体保持部により当該基板を下降させる際に、当該気体供給部から当該排気部に流れる気体の流量を当該第２の流量とするように、当該気体供給部から当該排気部を制御することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量が前記第２の流量である場合、前記基板間における気体の流速が、０．５ｍ／秒以下であることを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量が前記第２の流量である場合、前記基板間における気体の流速が、０．３ｍ／秒以下であることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
複数の基板を処理部の基板保持部により保持する工程と、
前記基板の空き状態を検出する工程と、
処理液が貯留された前記処理部の処理槽において、前記基板保持部により保持された前記基板を処理液に浸漬させ、処理する工程と、
前記基板保持部により、処理された前記基板を上昇させる工程と、を備え、
前記基板を上昇させる工程において、検出された前記基板の空き状態に基づいて、前記処理槽の上方に設けられ、当該処理槽に気体を供給する気体供給部から、当該処理槽を収容する収容ケースの下部に設けられ、当該気体供給部から供給された気体を排気する排気部に流れる気体の流量が調整されることを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
前記基板を処理する工程において、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を第１の流量とし、
前記基板を上昇させる工程において、検出された前記基板の空き状態に基づいて当該基板間のギャップを算出し、少なくとも一組の前記基板間のギャップが所定の範囲にある場合に、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を、前記第１の流量より小さい第２の流量とすることを特徴とする請求項７に記載の基板処理方法。
【請求項９】
第２の処理部において、前記処理部により処理された前記基板を更に処理する工程と、
前記処理部から前記第２の処理部に、前記基板保持部により上昇した前記基板を搬送する工程と、を更に備え、
前記基板を上昇させる工程において前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を前記第２の流量とした場合、前記基板を搬送する工程において、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を当該第２の流量とすることを特徴とする請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記第２の処理部の基板保持部により、前記処理部から搬送された前記基板を下降させる工程であって、前記第２の処理部の第２の処理槽に貯留された第２の処理液に当該基板を浸漬させる工程を更に備え、
前記基板を搬送する工程において前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を前記第２の流量とした場合、前記基板を下降させる工程において、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を当該第２の流量とすることを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記気体供給部から前記排気部に前記第２の流量で気体が流れる際、前記基板間を流れる気体の流速が、０．５ｍ／秒以下であることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記気体供給部から前記排気部に前記第２の流量で気体が流れる際、前記基板間を流れる気体の流速が、０．３ｍ／秒以下であることを特徴とする請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体であって、
この基板処理方法は、
複数の基板を処理部の基板保持部により保持する工程と、
前記基板の空き状態を検出する工程と、
処理液が貯留された前記処理部の処理槽において、前記基板保持部により保持された前記基板を処理液に浸漬させ、処理する工程と、
前記基板保持部により、処理された前記基板を上昇させる工程と、を備え、
前記基板を上昇させる工程において、検出された前記基板間の空き状態に基づいて、前記処理槽の上方に設けられ、当該処理槽に気体を供給する気体供給部から、当該処理槽を収容する収容ケースの下部に設けられ、当該気体供給部から供給された気体を排気する排気部に流れる気体の流量が調整されることを特徴とする記録媒体。
【請求項１】
処理液を貯留して、複数の基板を処理する処理槽と、当該処理槽に対して昇降自在に設けられ、前記基板を保持して処理液に浸漬させる基板保持部とを有する処理部と、
前記処理部の上方に設けられ、前記処理槽に気体を供給する気体供給部と、
前記基板の空き状態を検出する検出部と、
前記処理槽を収容する収容ケースと、
前記収容ケースの下部に設けられ、前記気体供給部から供給された気体を排気する排気部と、
前記気体供給部および前記排気部を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記検出部により検出された前記基板の空き状態に基づいて、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を調整するように、当該気体供給部および当該排気部を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を、前記基板を処理する際に、第１の流量とすると共に、前記検出部により検出された前記基板の空き状態に基づいて前記基板間のギャップを算出し、少なくとも一組の当該基板間のギャップが所定の範囲にある場合、処理された当該基板を前記基板保持部により上昇させる際に、当該第１の流量より小さい第２の流量とするように、当該気体供給部および当該排気部を制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理部により処理された前記基板を更に処理する第２の処理部と、
前記処理部から前記第２の処理部に、前記基板保持部により上昇した前記基板を搬送する搬送機構と、を更に備え、
前記制御部は、前記基板保持部により前記基板を上昇させる際に前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を前記第２の流量とした場合、前記搬送機構により前記処理部から前記第２の処理部に当該基板を搬送する際に、当該気体供給部から当該排気部に流れる気体の流量を当該第２の流量とするように、当該気体供給部および当該排気部を制御することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第２の処理部は、前記ケースに収容され、第２の処理液を貯留して、前記基板を処理する第２の処理槽と、当該第２の処理槽に対して昇降自在に設けられ、当該基板を受けて保持し、第２の処理液に浸漬させる基板保持部とを有し、
前記制御部は、前記搬送機構により前記基板を搬送する際に前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を前記第２の流量とした場合に、前記第２の処理部の前記気体保持部により当該基板を下降させる際に、当該気体供給部から当該排気部に流れる気体の流量を当該第２の流量とするように、当該気体供給部から当該排気部を制御することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量が前記第２の流量である場合、前記基板間における気体の流速が、０．５ｍ／秒以下であることを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量が前記第２の流量である場合、前記基板間における気体の流速が、０．３ｍ／秒以下であることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
複数の基板を処理部の基板保持部により保持する工程と、
前記基板の空き状態を検出する工程と、
処理液が貯留された前記処理部の処理槽において、前記基板保持部により保持された前記基板を処理液に浸漬させ、処理する工程と、
前記基板保持部により、処理された前記基板を上昇させる工程と、を備え、
前記基板を上昇させる工程において、検出された前記基板の空き状態に基づいて、前記処理槽の上方に設けられ、当該処理槽に気体を供給する気体供給部から、当該処理槽を収容する収容ケースの下部に設けられ、当該気体供給部から供給された気体を排気する排気部に流れる気体の流量が調整されることを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
前記基板を処理する工程において、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を第１の流量とし、
前記基板を上昇させる工程において、検出された前記基板の空き状態に基づいて当該基板間のギャップを算出し、少なくとも一組の前記基板間のギャップが所定の範囲にある場合に、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を、前記第１の流量より小さい第２の流量とすることを特徴とする請求項７に記載の基板処理方法。
【請求項９】
第２の処理部において、前記処理部により処理された前記基板を更に処理する工程と、
前記処理部から前記第２の処理部に、前記基板保持部により上昇した前記基板を搬送する工程と、を更に備え、
前記基板を上昇させる工程において前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を前記第２の流量とした場合、前記基板を搬送する工程において、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を当該第２の流量とすることを特徴とする請求項８に記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記第２の処理部の基板保持部により、前記処理部から搬送された前記基板を下降させる工程であって、前記第２の処理部の第２の処理槽に貯留された第２の処理液に当該基板を浸漬させる工程を更に備え、
前記基板を搬送する工程において前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を前記第２の流量とした場合、前記基板を下降させる工程において、前記気体供給部から前記排気部に流れる気体の流量を当該第２の流量とすることを特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記気体供給部から前記排気部に前記第２の流量で気体が流れる際、前記基板間を流れる気体の流速が、０．５ｍ／秒以下であることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれかに記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記気体供給部から前記排気部に前記第２の流量で気体が流れる際、前記基板間を流れる気体の流速が、０．３ｍ／秒以下であることを特徴とする請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体であって、
この基板処理方法は、
複数の基板を処理部の基板保持部により保持する工程と、
前記基板の空き状態を検出する工程と、
処理液が貯留された前記処理部の処理槽において、前記基板保持部により保持された前記基板を処理液に浸漬させ、処理する工程と、
前記基板保持部により、処理された前記基板を上昇させる工程と、を備え、
前記基板を上昇させる工程において、検出された前記基板間の空き状態に基づいて、前記処理槽の上方に設けられ、当該処理槽に気体を供給する気体供給部から、当該処理槽を収容する収容ケースの下部に設けられ、当該気体供給部から供給された気体を排気する排気部に流れる気体の流量が調整されることを特徴とする記録媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１２−４３７９（Ｐ２０１２−４３７９Ａ）
【公開日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１３８５０２（Ｐ２０１０−１３８５０２）
【出願日】平成２２年６月１７日（２０１０．６．１７）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年６月１７日（２０１０．６．１７）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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