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Fターム[5F157AB47]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 被洗浄物の取扱い (8,692) | 処理槽(室)の配置 (915) | 複数の処理槽(室) (413) | 水平方向に配置 (222)

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【課題】基板をスピン乾燥する際に、基板の帯電量が面内で均一になるように制御することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置において、処理部22と、処理部22内に設けられ、基板が載置される載置台32と、載置台32の中心を回転軸として、載置台32に載置されている基板を載置台32とともに回転させる回転部35と、基板の表面に、処理部22の温度と基板の帯電量に基づいて、所定の相対湿度に調湿された気体を供給する気体供給部34と、気体供給部34を移動させる第1の移動部84とを有する。気体供給部34により基板の表面に気体を供給する位置を移動させることによって、基板の帯電量を制御する。 (もっと読む)


【課題】基板の主面への処理液の飛散を抑制しつつ基板の端面を局所的に処理できる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置100は、硬脆性基板の一種であるガラス基板(基板90)の側端面91Sをエッチングする。基板処理装置100は、その外周面が基板90の側端面91に当接される当接面を形成するスポンジ体213(当接部材)と、スポンジ体213を回転させるスポンジ体回転駆動部240(回転駆動部)と、スポンジ体213に処理液を供給する処理液供給管251(処理液供給部)とを備える。搬送ローラー31により+y方向に搬送される基板90の側端面91Sに対して、z軸回りに回転するスポンジ体213の外周面が押し当てられることにより、基板90の側端面91Sのエッチングが行われる。 (もっと読む)


【課題】乾式洗浄と湿式洗浄とを選択的に実施できる基板処理設備及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理設備は、基板が載せられた容器が置かれるポート1100及びインデックスロボット1200を有するインデックス部1000と、基板処理を遂行する処理部200と、処理部200とインデックス部1000との間に配置されてこれらの間に搬送される基板が一時的に留まるバッファユニット4000と、を含み、処理部200は、基板を搬送するための移送路に沿って配置されるグルー除去用処理モジュール、基板冷却処理モジュール、加熱処理モジュール、及び機能水処理モジュールを含む。 (もっと読む)


【課題】カップに付着した汚れにより処理室内の基板が汚れてしまうことを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置10は、基板Wを保持する基板保持部21および基板保持部21の周囲に配設されるカップ42が内部に設けられた処理室20と、基板保持部21に保持された基板Wに対して処理液を供給するためのノズル82aと、カップ42の上部に洗浄液を供給することにより当該カップ42の洗浄を行うカップ洗浄部49、49aと、を備えている。カップ42の上部には凹部42aが形成されており、カップ洗浄部49、49aは、カップ42の上部の凹部42aに洗浄液を供給するようになっている。 (もっと読む)


【課題】処理室内に複数のノズル支持アームを進出させることができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置10は、処理室20と、基板保持部21に保持された基板Wに対して流体を供給するためのノズル82aと、ノズル82aを支持するノズル支持アーム82と、処理室20に隣接して設けられ、当該処理室20から退避したノズル支持アーム82が待機するためのアーム待機部80と、を備えている。液処理装置10において、ノズル支持アーム82p〜82uは複数設けられており、ノズル支持アーム82p、82r、82tはノズル支持アーム82q、82s、82uと高さレベルが異なるようになっている。 (もっと読む)


【課題】装置の組み立て、メンテナンスが容易である液処理装置を提供する。
【解決手段】基板Wに対して液処理を行うための複数の液処理ユニット2が互いに横方向に並べて配置され、液処理ユニット2内の雰囲気を排気する排気管3は、これら複数の液処理ユニット2の下方側に、当該液処理ユニット2の並びに沿って伸びるように配置され、給液用の通流制御機器群4は前記排気管3の下方側に設けられている。給液用主配管5及び排液用主配管6は、これら通流制御機器群4の下方側にて複数の液処理ユニット2の並びに沿って各々伸びるように設けられ、前記給液用主配管5からは、複数の給液用分岐管が分岐して、前記給液用の通流制御機器402を介して各液処理ユニット2に接続され、前記排液用主配管6からは複数の排液用分岐管が分岐して各液処理ユニットに接続されている。 (もっと読む)


【課題】装置の組み立て、メンテナンスが容易である液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置1において、液処理ユニット2は、処理液により基板Wに対して液処理を行い、給液用配管561、562は、一端側が液処理ユニット2に接続され、他端側がその下方側に引き回されていて、当該液処理ユニット2に処理液を供給する。筐体基体46は、この給液用配管561、562に介在する通流制御機器群402が取り付けられ、筐体基体46内に、液処理装置1の側方に位置するメンテナンス領域に臨むように各々設けられ、通流制御機器群402よりも上流側の給液用配管561を着脱するための上流側の接続ポート403、及び下流側の給液用配管562を着脱するための下流側の接続ポート406を備える。 (もっと読む)


【課題】研磨加工後の半導体基板から残渣を効率良く除去できる洗浄方法を提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態に係る洗浄方法は、回転するロールブラシにより半導体基板上の残渣を洗浄する洗浄方法であって、ロールブラシを7.35kPa以下の第1の圧力で半導体基板に押し当てて、半導体基板上の残渣を洗浄する第1の洗浄工程と、ロールブラシを7.35kPaよりも高い第2の圧力で半導体基板に押し当てて、半導体基板上の残渣を洗浄する第2の洗浄工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行い、当該剥離処理のスループットを向上させる。
【解決手段】剥離システム1の剥離処理ステーション3は、重合ウェハTを剥離する剥離装置30と、剥離された被処理ウェハWを洗浄する第1の洗浄装置31と、剥離装置30と第1の洗浄装置31との間で被処理ウェハWを搬送する第2の搬送装置32と、剥離された支持ウェハSを洗浄する第2の洗浄装置33とを有している。第2の搬送装置32は、被処理ウェハWの接合面を支持し、且つ被処理ウェハの接合面に洗浄液を供給する供給口が形成された支持板230と、被処理ウェハWの非接合面を保持するベルヌーイチャック231とを有し、支持板230とベルヌーイチャック231で支持された被処理ウェハWの表裏面を反転自在になっている。 (もっと読む)


【課題】基板のベベル部を簡便かつ効率的に洗浄することができ、省スペース化にも有利な基板洗浄装置、これを備える塗布現像装置、および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による基板洗浄装置は、基板の裏面中心部を保持し、当該基板を回転する基板保持回転部と、第1の洗浄部、前記第1の洗浄部の周りに配置される第2の洗浄部、並びに前記第1の洗浄部および前記第2の洗浄部が取り付けられる台座を含む洗浄部材と、前記基板保持回転部に保持される前記基板の裏面に前記第1の洗浄部と前記第2の洗浄部とを接触可能に、前記基板保持回転部および前記洗浄部材を相対的に昇降する昇降部と、前記第2の洗浄部の一部を前記基板の外側に露出可能に、前記基板の裏面に沿った方向に、前記基板および前記洗浄部材を相対的に駆動する駆動部とを備える。 (もっと読む)


【課題】設備コストを低減しつつ、良好なエッチング特性を得ることができるドライエッチング方法およびドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第1の反応ガスとフッ素を含む第2の反応ガスとをニッケルで形成された加熱体110に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第1の反応ガスおよび前記第2の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。これにより、マイクロ波を用いた従来のラジカル源と比較して、ラジカルの生成に必要な設備および電力を低コストに抑えることができる。また、反応ガスに対する加熱体110の耐久性が向上し、安定したエッチング特性を維持できる。 (もっと読む)


【課題】微細バブルの洗浄に有効なより多くの性質を利用しつつ効果的な洗浄を可能にする洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】処理液をかけて被洗浄物を洗浄する洗浄方法であって、マイクロナノバブルやナノバブル等の比較的小さいサイズのバブルを含む第1処理液を前記被洗浄物にかける第1ステップ(S3)と、該第1ステップの後に、前記第1処理液に含まれるバブルより大きいサイズのマイクロバブル等のバブルを含む第2処理液を前記第1処理液が付着した状態の前記被洗浄物にかける第2ステップ(S4)とを有し、第1処理液での洗浄の後に、該第1処理液に含まれるバブルより大きいサイズのバブルを含む第2処理液での洗浄がなされるので、比較的小さいバブルの好ましい性質を利用した第1処理液による洗浄の後に、比較的大きいバブルの好ましい性質を利用した第2処理液による洗浄を行うことができるようになる。 (もっと読む)


【課題】基板の回転速度にかかわらず、基板の表面に供給した処理液を良好に回収できるようにすること。
【解決手段】本発明では、回転する基板(2)に処理液を供給して前記基板(2)の処理を行う基板液処理装置(1)において、前記基板(2)を水平に保持しながら回転させるための回転テーブル(28)と、前記基板(2)に供給された処理液を回収するために前記基板(2)の外周下方に配置した環状の回収カップ(39)と、前記回収カップ(39)の内周壁(43)と外周壁(42)との間に形成した回収溝(44)と、前記回収カップ(39)の内周壁(43)に配置し、前記回収溝(44)に向けて内側へ傾斜状に張出したカップカバー(47)とを有することにした。 (もっと読む)


【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ、被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板保持部34は液体により表面が濡れた状態の被処理基板Wを横向きに保持した状態で処理容器31内に搬入し、このとき前記基板保持部34と一体に形成され蓋部材341が処理容器31の開口部311を塞ぐ。雰囲気形成部711、39は前記処理容器内を超臨界流体の雰囲気とした後、姿勢変換機構6が処理容器31の姿勢を変換して、当該処理容器31内の被処理基板Wを縦に向ける。これにより被処理基板Wの上面の液体が流下して排出部から排出され、その後、排気部731より超臨界流体を排出することにより処理容器31内を減圧して当該超臨界流体を気体とし、乾燥された被処理基板を得る。 (もっと読む)


【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ、被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】液槽32は、被処理基板Wを液体に浸漬した状態で保持し、処理容器31では、この液槽32を内部の処理空間310に配置し、当該液槽32内の液体を超臨界状態の流体に置換して被処理基板を乾燥する処理を行う。移動機構352、353は、液槽32を、前記処理容器31内の処理位置と当該処理容器の外部の準備位置との間で移動させ、当該処理容器31に設けられた加熱機構312は、前記流体を超臨界状態としたり、その超臨界状態を維持する一方、冷却機構334、335は、前記処理容器31の外部の準備位置に移動した液槽32を冷却する。 (もっと読む)


【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ、被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】処理容器31内では、被処理基板Wが縦向きの状態で液体内に浸漬されており、この液体を超臨界状態の置換流体により押し出して処理容器31より排出する。しかる後、液体と置換された後の置換流体を処理容器31から排出して当該処理容器31内を減圧し、この置換流体を超臨界状態から気体に遷移させることにより被処理基板Wを乾燥する。 (もっと読む)


【課題】処理液を用いた基板処理を良好に行うことができるとともに、処理時間をより短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、基板Wに対して処理液による処理を施す処理チャンバ10と、基板収容器17を保持する収容器保持部4と、収容器保持部4と処理チャンバ10との間で基板Wを搬送するインデクサロボット6、シャトル搬送機構7および主搬送ロボット9を備えている。シャトル搬送機構7が備えられたシャトル搬送空間14の上部には、172nmの波長を中心とする紫外線を照射するランプハウスが設けられている。シャトル搬送機構7によって基板Wを搬送するのと同時に、搬送中の基板Wに紫外線を照射することによって、基板Wに付着している有機物を分解・除去したり、基板W表面に酸化膜を形成する処理を行う。 (もっと読む)


【課題】本発明は、生産性の低下を抑制するとともに表面処理効果の向上を図ることができる表面処理装置および表面処理方法を提供する。
【解決手段】被処理物を所定の方向に向けて搬送する搬送部と、前記被処理物に対して、プラズマ処理、紫外線照射処理、およびコロナ放電処理からなる群より選ばれた少なくとも1種の処理を施す処理部と、前記処理部を移動させる移動部と、前記移動部の制御を行う制御部と、を備え、前記制御部は、前記移動部の制御を行うことで、前記所定の方向に向けて搬送される被処理物に対して前記処理を施す際に前記処理部を前記搬送部の搬送面に沿って搬送方向に移動させるとともに、前記被処理物と前記処理部との間の相対速度を制御することを特徴とする表面処理装置が提供される。 (もっと読む)


【課題】基板に対して最終薬液処理の後に洗浄処理を行う場合に、薬液処理室の寸法上の設計の共通化を達成しつつ薬液除去効果を高めることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】搬送される基板Wに対して最終薬液処理を行う薬液処理室36と、薬液処理室36の基板搬送方向下流側に設置され基板Wに対して置換水洗処理を行う置換水洗室40とを備えた基板処理装置300において、薬液処理室36内に設けられ薬液処理を終えた基板Wに対して高圧の気体を噴出することにより基板に付着した薬液の除去を行う上下エアーナイフ37、37と、基板搬送方向下流側において薬液処理室36と隣接する薬液除去領域73内に設けられさらに基板に付着した薬液の除去を行う上下エアーナイフ71、71とを備え、薬液処理室36において薬液処理が行われた後、二対の上下エアーナイフ37、37、71、71により薬液除去が行われた基板に対して置換水洗処理を行う。 (もっと読む)


【課題】 多量の処理液を消費することなく、基板の表面全域に有効に処理液を供給することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 液寄せ部材71は、搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100における搬送方向の両側の、ガラス基板100の端縁に近接する位置において、ガラス基板100の搬送方向に沿って配設されている。搬送ローラ9により搬送されるガラス基板100の端縁と液寄せ部材71との距離Dは2mm以下となっている。また、液寄せ部材71の上面の高さ位置は、ガラス基板100の表面の高さ位置より、Hだけ高くなっている。このHの値は、処理液吐出ノズル2からガラス基板100の表面に供給された処理液の膜厚以上とすることが好ましい。 (もっと読む)


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