【課題】製造コストを増大させることなくウエハの上面に固着した異物を除去可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、収縮層形成工程と、亀裂形成工程と、除去工程とを含む。収縮層形成工程では、半導体装置の構成材料が積層されたウエハの上面に、前記構成材料よりも収縮率が高い収縮層を形成する。亀裂形成工程では、前記収縮層を収縮させて該収縮層に亀裂を形成する。除去工程では、前記亀裂が形成された前記収縮層を前記ウエハの上面から除去する。 （もっと読む）

【課題】エッチング等における基板に付着するパーティクルを減らす。
【解決手段】基板を、前記基板を洗浄するための薬液に浸漬させ、前記薬液に前記基板を浸漬させた状態で、前記薬液内における前記基板の上方に網部を設置し、前記基板を取り出す方向に前記網部を移動させることにより、パーティクルを前記薬液内から除去し、前記薬液内より前記パーティクルが除去された後に、前記基板を前記薬液より取り出すことを特徴とする基板処理方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハの分割溝に滞留している粉塵を除去可能な粉塵除去方法を提供することである。
【解決手段】 外周部が環状フレームに貼着された粘着テープ上に貼着され、複数の分割溝により個々のデバイスに分割されたウエーハの該分割溝から粉塵を除去する粉塵除去方法であって、ウエーハが貼着された粘着テープ側を下方に露出するように環状フレームを支持するフレーム支持工程と、該粘着テープに配設されたウエーハを挟むように該粘着テープ側及びウエーハ側に一対の帯電板を位置付けるとともに該帯電板に直流高電圧を印加して該分割溝に滞留した粉塵を強制的に排出する電圧印加工程と、ウエーハの表面を洗浄して排出した粉塵をウエーハの表面から除去する洗浄工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸パターンが形成されたウェハのパターン倒れを防止する洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウエハ１の表面に凸部３及び凹部４からなる凹凸パターンを形成し、該凹凸パターンの少なくとも凹部４に液体９が保持された状態で、ジアルキルシリル化合物を含有しかつ酸及び塩基を含有しない撥水性保護膜形成用薬液を表面に保持させて、撥水性保護膜１０を形成し、該撥水性保護膜１０がウェハ１の表面に保持されている状態で、液体９を凹部４から除去する。 （もっと読む）

【課題】希釈された溶液を用いて、貴金属を含む被処理膜等を迅速に且つ効果的にエッチングでき、且つ、設備の稼働率を向上できるようにする。
【解決手段】薬液を調合する薬液調合槽２４と、調合された薬液を貯蔵する薬液貯蔵槽２８と、貯蔵された薬液を用いて半導体基板を処理する処理チャンバ２１とを有する半導体装置の製造装置を用いた半導体装置の製造方法は、薬液調合槽２４において、酸化剤と錯化剤とを混合して第１の薬液を調合し、薬液調合槽２４において、第１の薬液を活性化する。続いて、薬液貯蔵槽２８において、活性化された第１の薬液と純水とを混合し、第１の薬液の濃度及び温度を調整することにより、第１の薬液を希釈した第２の薬液を調整する。続いて、処理チャンバ２１に投入された半導体基板に第２の薬液を供給する。 （もっと読む）

【課題】配管を介して供給される冷却流体によって基板を処理する基板処理装置において、低い温度に保たれた冷却流体を安定的に基板に供給する。
【解決手段】二重配管７１により冷却ガスが処理チャンバ１内の冷却ガス吐出ノズル３に供給される。二重配管７１は円環プレート８１に保持され、さらに円環プレート８１がベローズ８２により処理チャンバ１に対して移動自在に連結されている。このため、二重配管７１のうち処理チャンバ１内でノズル３と接続された冷却ガス供給管部７１Ｂは、冷却ガス吐出ノズル３の走査移動に伴い大きく移動変位するが、その移動に伴いプレート８１が移動して冷却ガス吐出ノズル３との距離がほぼ一定値に保たれて冷却ガス供給管部７１Ｂはほぼ直線状態を維持したまま変位する。このように冷却ガス供給管部７１Ｂが湾曲変形するのを抑制し、冷却ガス供給管部７１Ｂの移動により発生する負荷が抑制される。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理方法を提供する。
【解決手段】薬液を用いて半導体基板を洗浄し、純水を用いて前記薬液を除去し、前記半導体基板表面に撥水性保護膜を形成し、純水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記半導体基板を乾燥させる （もっと読む）

【課題】真空室において収集したパーティクルを効果的に除去する処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置のロードロック室２６内にウエハ載置台１８に載置されたウエハ８Ａから熱泳動によってパーティクルＰを収集する集塵体４０ａを設け、集塵体４０ａからパーティクルを除去する手段として亜音速のガスを集塵体４０ａとウエハ載置台１８との間の密閉された空間Ｈ_２に流して集塵体に付着したパーティクルＰをガスと共にロードロック室２６の外部に回収する。 （もっと読む）

【課題】金属イオン等の異物を確実に除去することができる微小気泡生成装置微小気泡生成方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】微小気泡を含む液体２３を生成する微小気泡生成装置１０は、微小気泡を含む液体２３を生成する微小気泡液生成部１２と、微小気泡液生成部１２から供給される微小気泡を含む液体２３から、異物を除去する異物除去機構部３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の保持面から剥がれ易く且つ低コストで製造することができ、しかもパーティクル吸着性能が高いクリーニングウエハを提供する。
【解決手段】クリーニングウエハ１は、基板２と吸着フィルム３とを備える。基板２は、半導体ウエハ等に対応した円板体であり、反りが発生し難いポリカーボネートを使用する。吸着フィルム３は、接着剤４を介して、基板２の表面２ａのほぼ全面に貼り付けられている。かかる吸着フィルム３は、保持面に接触させた際に、保持面上のパーティクルをファンデルワールス力で吸着することができる表面構造と柔軟性とを有している。好ましくは、吸着フィルム３をシリコーンゴムで形成する。 （もっと読む）

【課題】 配線層や絶縁膜表面の付着物質を効率よく除去することができるポストＣＭＰ処理液を提供する。
【解決手段】 水と、ポリフェノールと、陰イオン性界面活性剤と、エチレンジアミン四酢酸と、表面にカルボキシル基およびスルホニル基を有し、一次粒子径が１０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の樹脂粒子と、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドとを含有する処理液である。ｐＨが４以上９以下であり、絶縁膜および導電膜の研磨速度が１０ｎｍ／ｍｉｎ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】搬送物通過用開口部が形成された境界部を介して直列に隣接配置された複数のクリーンルーム内を連続搬送される平面状の搬送物の除塵方法及び装置において、平面状の搬送物への異物付着による欠陥を抑制して高得率で製造することができる搬送物の除塵方法及び装置を提供する。
【解決手段】搬送物通過用開口部４０が形成された境界部を介して直列に隣接配置された複数のクリーンルーム１、２内を連続搬送される平面状の搬送物１５の除塵方法において、搬送物通過用開口部４０の位置に、搬送物１５の表裏面のうち一方面をローラ５０で支持しながら、該ローラ５０に対向配置された加圧風噴出装置４８により搬送物１５の他方面に気体を吹き付けて搬送物１５に付着した異物を風圧により除去する除塵工程を設ける。 （もっと読む）