【課題】ガス管路１１８からウエハ端部に至るガス流路に活性化したクリーニングガスを供給して、ガス噴出部、ウエハのエッジ部分等に堆積する堆積物を除去する。
【解決手段】真空排気装置が接続可能で内部が減圧可能な真空容器と、該真空容器内にガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、前記真空容器内に配置され、その上面に試料を載置し保持する試料台と、該試料台の外周をリング状に被覆して試料台をプラズマから保護するサセプタを備えたプラズマ処理装置において、前記サセプタは、ガスを導入して蓄積するガス充填部１１３、ガス充填部に充填されたガスを試料載置面側に噴出するガス噴出部１１５と、前記プラズマの発光を前記充填部に導入する光透過窓１１１を備えた。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥および金属汚染低減が可能な半導体基体の処理方法、そのための装置、また、それを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣとＮとを含む混合ガスをプラズマ化してＣＮ活性種を生成し、生成したＣＮ活性種により半導体基体１１の半導体層の表面を処理する。特に、前記処理としては、前記半導体基体１１の表面の半導体層を前記ＣＮ活性種によりパッシベートすることを含む。さらに、そのことにより、表面汚染金属および半導体中の欠陥を除去する。 （もっと読む）

【課題】過硫酸含有硫酸溶液を用いた電子材料の洗浄を廃液を伴うことを短時間かつ効果的に行うことを可能にする。
【解決手段】７０質量％以上の硫酸溶液を電解する電解部１１と、電解部１１で電解されて得られた過硫酸含有硫酸溶液を送液する送りラインと、送りラインで送液される過硫酸含有硫酸溶液が収容される洗浄槽２１と、オゾンを生成するオゾン生成部（オゾン発生器２８）と、オゾン生成部で生成されたオゾンを洗浄槽２１内の過硫酸含有硫酸溶液に供給するオゾン供給部（オゾン供給管２６、バブリングノズル２７）を備える電子材料洗浄装置１を用いて、電解して得られた過硫酸含有硫酸溶液が収容されている洗浄槽に電子材料１００を浸漬して洗浄を行うとともに、洗浄中に洗浄槽２１内の過硫酸含有硫酸溶液にオゾンガスを供給することでオゾンの分解を促し、優れた酸化力を得る。 （もっと読む）

【課題】誘電率値に不利に影響せずに基板を効果的に洗浄することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置は、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第一比率を有する活性ガスを形成するために水素含有ガスを遠隔励起するリモートソースを有する。本装置は、基板支持体と、遠隔励起ガスをろ過して、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種の第二比率を有し、第二比率が第一比率と異なる、ろ過された励起ガスを形成するイオンフィルタと、チャンバにろ過された励起ガスを導入するガス分配器とを備えたプロセスチャンバを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング装置の温度差の大きい２つのフォーカスリングの隙間において低温の部品に堆積物が付着するのを防止する。
【解決手段】プラズマエッチング装置の処理室１５内に配置されたウエハＷの周縁を囲む内側フォーカスリング２５ａ及び外側フォーカスリング２５ｂからフォーカスリング２５を構成し、内側フォーカスリング２５ａはウエハＷに隣接して配置され且つ冷却され、外側フォーカスリング２５ｂは内側フォーカスリング２５ａを囲み且つ冷却されず、更に、ブロック部材２５ｃが、内側フォーカスリング２５ａ及び外側フォーカスリング２５ｂの間に配される。 （もっと読む）

【課題】貫通穴内にリフトピンが設けられたサセプタが配置された基板処理室内を腐食性物質でクリーニングしても、リフトピンとリフトピン挿通用穴部との間の摺動抵抗が著しく増大するという事態が発生しない基板処理装置、該基板処理装置の基板処理室のクリーニング方法、および当該基板処理装置を用いた電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置４００および基板処理室４１０のクリーニング方法では、基板１０ｓが無い状態でリフトピン４４０を下降させ、リフトピン挿通用穴部４３３をリフトピン４４０の頭部４４３によって塞いだ状態で、基板処理室４１０の内部にフッ素ラジカルを発生させる。この状態で、リフトピン挿通用穴部４３３のピン受け部４３５と頭部４４３とが全周で接する。ピン受け部４３５は平坦面になっているのに対して、頭部４４３の下面４４４には凹部４４６（環状凹部４４６ａ）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】リードタイムを短くし、処理性能において従来よりも信頼性のあるレジスト除去方法を提供する。
【解決手段】被処理物の処理表面に付着したレジスト膜を除去する方法であって、被処理物の処理表面に付着したレジスト膜に対し、大気圧から１００Ｐａの間で誘導結合プラズマ法によって生成された活性水素原子を供給することによるドライ処理と、大気圧から１００Ｐａの間で誘導結合プラズマ法によって生成された活性酸素原子を供給することによるドライ処理及び／又は薬液によるウェット処理とを行う。 （もっと読む）

【課題】 レジストの水による物性変化（膨潤性等）を利用して、レジスト膜を容易且つ確実に剥離する。これにより、資源・エネルギー多消費型技術からの脱却、すなわちレジストの除去にエネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現させる。
【解決手段】 水蒸気噴射ノズル３をラインスリットノズルが直径方向となるように配置してミスト含有水蒸気をレジスト膜の表面に噴射し、当該レジスト膜を剥離・除去する。 （もっと読む）

【課題】洗浄対象となる基板近傍にて光触媒反応を利用してＯＨラジカルを潤沢に発生させることによって、基板上に付着した有機物等のパーティクルを効果的に除去することのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象である基板Ｗ上の被処理面Ｗ１を洗浄する第１のノズル１１と、被処理面Ｗ１上に液を供給する第２のノズル１２と、を備え、第１のノズル１１は、被処理面Ｗ１に対向し液に接触する光触媒１１ａと、光触媒１１ａを保持する保持部材１１ｂと、保持部材１１ｂを透過して光触媒１１ａに光を照射する光源１１ｃとを備える。 （もっと読む）

【課題】設備コストを低減しつつ、良好なエッチング特性を得ることができるドライエッチング方法およびドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第１の反応ガスとフッ素を含む第２の反応ガスとをニッケルで形成された加熱体１１０に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第１の反応ガスおよび前記第２の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。これにより、マイクロ波を用いた従来のラジカル源と比較して、ラジカルの生成に必要な設備および電力を低コストに抑えることができる。また、反応ガスに対する加熱体１１０の耐久性が向上し、安定したエッチング特性を維持できる。 （もっと読む）

【課題】特性を向上できるＳｉＣ半導体装置の製造方法およびＳｉＣ半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体装置の製造方法は、ＳｉＣ半導体の第１の表面に第１の酸化膜を形成する工程（ステップＳ４）と、第１の酸化膜を除去する工程（ステップＳ５）と、ＳｉＣ半導体において第１の酸化膜が除去されることにより露出した第２の表面に、ＳｉＣ半導体装置を構成する第２の酸化膜を形成する工程（ステップＳ６）とを備える。第１の酸化膜を除去する工程（ステップＳ４）と、第２の酸化膜を形成する工程（ステップＳ６）との間において、ＳｉＣ半導体は大気が遮断された雰囲気内に配置される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ洗浄処理の制限を緩和し、使用勝手の良いプラズマ洗浄装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ洗浄処理のレシピ設定をする際には、パソコン１５により、プラズマエッチング（ＰＥ）方式かリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）方式かのどちらであるかを判定し、ＲＩＥ方式であればプラズマ処理制限を内部メモリから読み込む。次に、プラズマ処理パワー（Ｗ）と処理時間（秒）の積がプラズマ処理制限を超えていないか判定する。ＲＦ電源出力パワーを「５００（Ｗ）」と入力して、プラズマ処理時間を「２５（秒間）」と入力すると、パソコン１５は５００Ｗ×２５秒＝１２５００Ｗ秒と算出して、プラズマ処理制限の１００００Ｗ秒を超えたと判定して、超えた旨をモニター１７に表示させる。次に、ＲＦ電源出力パワーはそのままとし、１００００Ｗ秒÷５００Ｗ＝２０秒間を算出し、プラズマ処理時間を２０秒間として内部メモリに保存する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の均一性及び効率が向上し、電極の絶縁が容易になるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】走査ヘッドにおいては、処理ガスが流れる流路を有する構造物と、棒形状を有し表面が固体誘電体からなる被覆電極と、が結合される。被処理ワークは、支持電極の支持面に支持される。流路の入口には処理ガスが供給される。被覆電極と支持電極との間にはパルス電圧が印加される。流路及び被覆電極は、少なくとも出口寄りの部分が支持面に平行な方向以外の方向に延在する。被覆電極は、流路の中に配置され、流路の内表面との間に間隙を有し、被覆電極の放電先端は、流路の出口に露出する。走査ヘッドの先端は、支持面との間に間隙を有する。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、概して、プラズマ源装置、および、電磁エネルギー源の使用により磁性コア要素の周囲に対称的に位置決めされるプラズマ生成領域にラジカルおよび／またはガスイオンを生成することが可能なプラズマ源装置を使用する方法を提供する。概して、そのプラズマ生成領域および磁性コアの配向および形状により、プラズマ生成領域に位置するガスへの送出電磁エネルギーの効果的なおよび均一な結合が可能となる。概して、プラズマ生成領域に形成されるプラズマの特徴が改善されることにより、基板、またはプラズマ生成領域の下流に配設される処理チャンバの一部分に対して実施される堆積プロセス、エッチングプロセス、および／または洗浄プロセスを改善することが可能となる。
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この出願は、基板の少なくとも部分的な領域を処理するための複数の方法及び装置を開示する。前記方法においては、少なくとも１つの液体が基板の少なくとも１つの部分的な領域に提供され、それぞれの方法に従って所望の効果を達成するために、電磁放射がこの液体に導入される。１つの方法において、液体を提供する前にＵＶ放射によって液体のラジカルが発生され、ラジカルの発生は、少なくともラジカルの一部が基板に到達するように、液体を基板の提供する直前に行われる。基板の表面の少なくとも部分的な領域及び前記基板の表面に近い層からイオンが除去される１つの方法においては、前記基板の少なくとも部分的な領域に液体膜を形成するために、周囲温度よりも高く加熱された液体が基板に提供され、放射の少なくとも一部が基板表面に到達するように、電磁放射が前記液体膜に導入される。少なくとも部分的に疎水性の基板表面を有する基板の表面特性を、前記疎水性表面の少なくとも一部が親水性表面特性を得るように変化させる別の方法において、液体が、表面特性を変化させようとする基板の表面の少なくとも部分的な領域に提供され、所定の波長範囲のＵＶ放射が、前記液体を通って、表面特性を変化させようとする前記基板の表面の少なくとも部分的な領域まで案内される。この方法は、共通の装置において、あらゆる所望の順序で順次に及び／又は並行して行われてよい。
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【課題】真空励起管の洗浄に際し、該真空励起管の真空状態を維持しつつ、該真空励起管を洗浄する方法、及び、この方法を用いる真空処理装置を提供する。
【解決手段】
真空処理装置は、真空チャンバ２０と石英を構成材料とする放電管１０ａを備えるマイクロ波アプリケータ１０とを備えて構成され、該放電管１０ａにてアンモニアガスを励起し、その励起種を真空チャンバ内へ供給して、基板の自然酸化膜を除去するものである。また、放電管１０ａにおける真空チャンバ２０の反対側からこれを排気しつつ、三フッ化窒素ガスと塩素ガスとを放電管１０ａの真空チャン２０バ側からこれに供給して、同放電管１０ａ内にフッ化塩素を生成し、放電管１０ａの内表面に形成された窒化ケイ素とフッ化塩素とを反応させて、窒化ケイ素を放電管１０ａの内表面から排気除去する。 （もっと読む）

【課題】基板のダメージを抑制または防止しつつ、不要になった膜を基板から除去することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、ウエハＷを保持するスピンチャック７と、光を照射することで活性化する光活性化成分を含む処理液をスピンチャック７に保持されたウエハＷに供給する薬液供給ユニット２２と、スピンチャック７に保持されたウエハＷに供給される光活性化成分を含む処理液に光を照射する照射ユニット４とを含む。 （もっと読む）

【課題】照射効率の高い超音波照射装置を提供することを目的とする。
【解決手段】超音波と洗浄媒体とで基板の洗浄を行う超音波照射装置１２に、超音波を発生する振動子３２と、振動子から発生した超音波を所定の位置にライン状に集束させる、焦点を有する放物面形状３６Ａの表面を持つ反射レンズ３６と、を少なくとも備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】異常により所定の処理が停止しても、リトライ処理を行うことで、ウェハ回収作業等の実施に起因する装置稼働率の低下を抑止できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ウェハ１を搬送する搬送手段と、前記搬送手段を制御する制御手段を備えた基板処理装置であって、前記搬送手段が、前記基板を搬送中にエラーが発生して一時停止したときに、前記制御手段は、所定回数のリトライ処理を前記搬送手段に実施させても前記エラーが解消されない場合、前記搬送手段を待機状態（コマンド入力待ち状態）に移行させる。 （もっと読む）

本発明は、プラズマプロセスチャンバの内部領域に配置される少なくとも１つの部材をクリーニングガスによりクリーニングする方法であって、クリーニングガスがフッ素ガスを含み、プロセスチャンバが少なくとも１つの電極及び対応電極を、プラズマ処理、特に１ｍ^２より大の表面を有するフラットな基板のＣＶＤ処理又はＰＥＣＶＤ処理のためにプラズマを発生させるために有している、プラズマプロセスチャンバの内部領域に配置される少なくとも１つの部材をクリーニングガスによりクリーニングする方法において、内部領域にガス状のフッ素化合物を５ｍｂａｒより大の分圧で作用させることを特徴とする。プロセスチャンバの内部領域に配置される少なくとも１つの部材をクリーニングガスによりクリーニングする別の方法であって、クリーニングガスがフッ素ガスを含み、プロセスチャンバが少なくとも１つの電極及び対応電極を、特に１ｍ^２より大の表面を有するフラットな基板のＣＶＤ処理又はＰＥＣＶＤ処理のためにプラズマを発生させるために有している、プロセスチャンバの内部領域に配置される少なくとも１つの部材をクリーニングガスによりクリーニングする方法において、温度調整手段により、フッ素ガスを熱活性化し、クリーニングしたい部材が＜３５０℃の温度を有するようにした。
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