基板処理装置
【課題】基板のダメージを抑制または防止しつつ、不要になった膜を基板から除去することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、ウエハＷを保持するスピンチャック７と、光を照射することで活性化する光活性化成分を含む処理液をスピンチャック７に保持されたウエハＷに供給する薬液供給ユニット２２と、スピンチャック７に保持されたウエハＷに供給される光活性化成分を含む処理液に光を照射する照射ユニット４とを含む。
【解決手段】基板処理装置１は、ウエハＷを保持するスピンチャック７と、光を照射することで活性化する光活性化成分を含む処理液をスピンチャック７に保持されたウエハＷに供給する薬液供給ユニット２２と、スピンチャック７に保持されたウエハＷに供給される光活性化成分を含む処理液に光を照射する照射ユニット４とを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、半導体ウエハなどの基板から不要になったレジストを除去するレジスト除去処理が行われる（たとえば特許文献１、２参照）。特許文献１に係るレジスト除去処理では、基板の表面にプラズマが照射されて、基板上のレジストがアッシングされる（アッシング処理）。そして、基板の表面にポリマー除去液が供給されてアッシングされたレジストが除去される。これにより、基板の表面から不要となったレジストが除去される。また、特許文献２に係るレジスト除去処理では、硫酸と過酸化水素水との混合液であるＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）が高温状態で基板の表面に供給される。基板上のレジストは、高温のＳＰＭによる強酸化力によって基板の表面から除去される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１９１５１１号公報
【特許文献２】特開２００８−２３５３４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、レジストのアッシングのためのプラズマの照射は、基板の表面のレジストで覆われていない部分（たとえば酸化膜や金属膜）にダメージを与えてしまう。そのため、ＦＥＯＬ（Front End of the Line：半導体製造プロセスにおける第１層目のメタル配線までの工程）では、アッシング処理による基板のダメージを回避するために、高温のＳＰＭを基板に供給してレジストを除去する場合がある。しかしながら、高温のＳＰＭを用いた場合でも、基板におけるレジストの下地となる部分が金属や有機物によって構成されている場合には、高温のＳＰＭによる強酸化力によって基板にダメージ（たとえば、金属や有機物の腐食）が生じるおそれがある。さらに、高温のＳＰＭを用いる場合には、耐熱性を有する部品を用いる必要があり、基板処理装置の部品の選定が困難になる。
【０００５】
一方、ＢＥＯＬ（Back End of the Line：前工程の後に多層配線を形成する工程）では、ＢＥＯＬにおいて形成されるパターンの大きさが相対的に大きいから、アッシング処理によるダメージが半導体装置の特性に与える影響は大きくなかった。より具体的には、たとえば、アッシング処理によるダメージによって、絶縁されるべき部分が絶縁不良になるなどの問題が生じることはなかった。しかしながら、今後、パターンが微細化していくと、アッシング処理によるダメージが半導体装置の特性に与える影響が大きくなってしまう。そのため、高温のＳＰＭを用いてレジストを除去するなどの他の方法を用いて、アッシング処理によるダメージを回避する必要がある。しかしながら、高温のＳＰＭを用いる場合には、ＦＥＯＬにおける場合と同様に、高温のＳＰＭによる強酸化力によって基板にダメージが生じるおそれがあり、かつ、耐熱性を有する部品で基板処理装置を構成する必要がある。
【０００６】
そこで、この発明の目的は、基板のダメージを抑制または防止しつつ、不要になった膜を基板から除去することができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を保持する基板保持手段（７、６１）と、光を照射することで活性化する光活性化成分を含む処理液を前記基板保持手段に保持された基板に供給する処理液供給手段（２２、２２２、３２２、４２２）と、前記基板保持手段に保持された基板に供給される前記光活性化成分を含む処理液に光を照射する照射手段（４、２０４、３０４）とを含む、基板処理装置（１、２０１、３０１、４０１）である。なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表すものとする。
【０００８】
この発明によれば、光を照射することで活性化する光活性化成分を含む処理液を処理液供給手段によって基板保持手段に保持された基板に供給することができる。また、照射手段によって、基板に供給される光活性化成分を含む処理液に光を照射することができる。したがって、処理液に含まれる光活性化成分を照射手段からの光によって活性化させて、活性化した状態の光活性化成分を含む処理液を基板に供給することができる。これにより、除去することが比較的困難な不要な膜（たとえば、レジストや反射防止膜）が基板に形成されている場合でも、この活性化した光活性化成分を含む処理液によって当該不要な膜を基板から除去することができる。
【０００９】
また、アッシング処理を行わずに基板から不要な膜を除去できるので、アッシング処理によるダメージが基板に生じることを防止することができる。さらに、高温のＳＰＭを用いて基板からレジストを除去する場合と異なり、処理液を高温にしなくてもよいので、耐熱性を有する部品を用いる必要がない。そのため、基板処理装置の部品の選定が容易である。
【００１０】
請求項２記載の発明は、前記処理液供給手段は、前記光活性化成分を含む処理液を貯留する処理液貯留部（２６）と、処理液貯留部に貯留された処理液を前記基板保持手段に保持された基板に導くための処理液供給配管（２７）とを含むものであり、前記照射手段は、前記処理液供給配管を流通する処理液に光を照射するものである、請求項１記載の基板処理装置である。
【００１１】
この発明によれば、処理液貯留部に貯留された前記光活性化成分を含む処理液が処理液供給配管を介して基板保持手段に保持された基板に導かれる。したがって、照射手段からの光が処理液供給配管を流通する処理液に照射されることにより、基板に供給される処理液に確実に光を照射することができる。これにより、活性化した状態の光活性化成分を含む処理液を確実に基板に供給することができる。
【００１２】
請求項３記載の発明は、前記処理液供給手段は、前記光活性化成分を含む処理液を貯留する処理液貯留部と、処理液貯留部に貯留された処理液を前記基板保持手段に保持された基板に導くための処理液供給配管とを含むものであり、前記照射手段は、前記処理液貯留部に貯留された処理液に光を照射するものである、請求項１または２記載の基板処理装置である。
【００１３】
この発明によれば、処理液貯留部に貯留された処理液に光が照射されるので、配管内を流れる処理液に光を照射する場合に比べて、処理液への光の照射時間を増加させることができる。したがって、光活性化成分が照射時間の増加に伴ってより活性化する場合には、より活性度の高い光活性化成分を含む処理液を基板に供給することができる。これにより、不要になった膜を基板から確実に除去することができる。
【００１４】
請求項４記載の発明は、前記処理液供給手段は、前記光活性化成分を含む処理液を貯留する処理液貯留部と、処理液貯留部に貯留された処理液を前記基板保持手段に保持された基板に導くための処理液供給配管と、前記処理液貯留部および前記処理液供給配管に連結され、前記処理液貯留部に貯留された処理液を循環させるための循環配管（２８）とを含むものであり、前記照射手段は、前記循環配管を流通する処理液に光を照射するものである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
【００１５】
この発明によれば、循環配管を流通する処理液に光が照射されるので、処理液貯留部に貯留された処理液を循環させることにより、処理液に繰り返し光が照射されて、処理液への光の照射時間を増加させることができる。また、処理液貯留部に貯留された処理液に光が照射される場合に比べて、処理液に均一に光を照射することができる。これにより、処理液に含まれる光活性化成分を確実に活性化させることができる。
【００１６】
請求項５記載の発明は、前記処理液供給手段は、前記光活性化成分を含む処理液を吐出する処理液ノズル（４１、５９）を含むものであり、前記照射手段は、前記処理液ノズル内を流通する処理液、または前記処理液ノズルから吐出された処理液に光を照射するものである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置である。前記照射手段は、前記処理液ノズルから吐出され、前記基板保持手段に保持された基板に達する前の処理液に光を照射するものであってもよいし、前記処理液ノズルから吐出され、前記基板保持手段に保持された基板に保持された処理液に光を照射するものであってもよい。
【００１７】
この発明によれば、照射手段からの光が、処理液ノズル内を流通する処理液、または処理液ノズルから吐出された処理液に照射されるので、たとえば、光の照射後活性状態が短時間しか維持されない光活性化成分を含む処理液を基板に供給する場合であっても、活性化した状態の光活性化成分を含む処理液を確実に基板に供給することができる。また、処理液ノズル内を流通する処理液、または基板保持手段に保持された基板に達する前の処理液に光を照射することにより、基板に光を直接照射することなく、活性化した状態の光活性化成分を含む処理液を確実に基板に供給することができる。これにより、光の照射を避けたい基板を処理する場合でも、基板に対する光の照射を防止しつつ、活性化した状態の光活性化成分を含む処理液を確実に基板に供給することができる。
【００１８】
請求項６記載の発明は、前記基板保持手段は、一枚の基板を保持するものであり、前記基板保持手段に保持された基板の一方の主面に対向する対向部材（９）と、前記一方の主面と前記対向部材との間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段（１５、１６、１７、１８）とをさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この発明によれば、不活性ガス供給手段によって、基板の一方の主面と対向部材との間に不活性ガスを供給することにより、基板の一方の主面と対向部材との間の雰囲気を窒素ガス雰囲気に置換することができる。これにより、基板の一方の主面近傍の酸素濃度を低下させた状態で、前記光活性化成分を含む処理液を基板の一方の主面に供給することができる。したがって、たとえば、処理液の作用によって酸化され易い膜や配線（たとえば、銅膜や銅配線）が基板の一方の主面に形成されている場合でも、この膜と酸素との反応を抑制または防止して、当該膜の酸化を抑制または防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。
【図２】照射ユニットの構造を説明するための模式図である。
【図３】基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。
【図４】第１実施形態に係る基板処理装置によるウエハの処理の一例を説明するための工程図である。
【図５】第２実施形態に係る照射ユニットの他の配置例について説明するための模式図である。
【図６】第２実施形態に係る照射ユニットのさらに他の配置例について説明するための模式図である。
【図７】第２実施形態に係る照射ユニットのさらに他の配置例について説明するための模式図である。
【図８】第２実施形態に係る照射ユニットのさらに他の配置例について説明するための模式図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。
【図１０】二流体ノズルおよび照射ユニットの断面図である。
【図１１】図１０におけるＸＩ−ＸＩ線に沿う照射ユニットの要部の部分断面図である。
【図１２】第２実施形態に係る照射ユニットの他の配置例について説明するための模式図である。
【図１３】本発明の第３実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。
【図１４】本発明の第４実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す模式図である。この基板処理装置１は、基板の一例である半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）からレジストや反射防止膜などの不要になった膜その他の不要物を除去する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、ウエハＷを処理するための処理ユニット２と、ウエハＷに処理液を供給する処理液供給ユニット３と、ウエハＷに供給される処理液に光を照射する照射ユニット４（照射手段）とを備えている。
【００２１】
処理ユニット２は、隔壁５で区画された処理室６内に、ウエハＷを水平に保持して回転させるスピンチャック７（基板保持手段）と、スピンチャック７に保持されたウエハＷから排出される処理液を受け止めて捕獲するためのカップ８と、スピンチャック７の上方に配置された遮断板９（対向部材）とを備えている。
スピンチャック７は、一枚のウエハＷを水平に保持してウエハＷの中央部を通る鉛直軸線まわりに回転させるものである。スピンチャック７は、図１に示すように、ウエハＷの周端面を挟持して当該ウエハＷを保持する挟持式のチャックであってもよいし、ウエハＷの下面（裏面）を吸着して当該ウエハＷを保持するバキューム式のチャックであってもよい。
【００２２】
カップ８は、スピンチャック７を取り囲んでいる。カップ８は、スピンチャック７に保持されたウエハＷから排出される処理液を捕獲するための２つの処理液捕獲部（リンス液捕獲部１０および薬液捕獲部１１）を有している。カップ８は、内部の経路を切り替えることにより、ウエハＷから排出されるリンス液および薬液を、それぞれ、リンス液捕獲部１０および薬液捕獲部１１に導くことができる。
【００２３】
遮断板９は、ウエハＷとほぼ同じ直径（あるいはウエハＷよりも少し大きい直径）を有する円板状の部材である。遮断板９の下面は水平な平坦面である。遮断板９の下面は、スピンチャック７に保持されたウエハＷの上面に対向する基板対向面に相当する。遮断板９は、支軸１２の下端に連結されており、遮断板９の中心軸線は、スピンチャック７の回転軸線を通る鉛直な軸線上に位置している。
【００２４】
また、遮断板９の中央部には、遮断板９を鉛直方向に貫通する貫通孔が形成されている。貫通孔の下端は、遮断板９の下面中央部に位置する開口となっている。支軸１２は中空軸であり、その内部空間は貫通孔に連通されている。支軸１２の内周には、処理液供給管１３が非接触状態で挿通している。処理液供給管１３の下端は遮断板９の貫通孔内に達しており、処理液供給管１３の下端には、処理液を吐出する処理液吐出口１４が形成されている。後述するように、処理液供給管１３は、処理液供給ユニット３の一部である。
【００２５】
また、処理液供給管１３の周囲には、気体が流通する筒状の気体流通路１５が形成されている。また、支軸１２の上端部には、気体バルブ１６が介装された気体供給管１７が接続されている。気体流通路１５には、この気体供給管１７を介して不活性ガスの一例である窒素ガスが供給される。気体流通路１５に供給される気体は、窒素ガスに限らず、ヘリウムガスや、アルゴンガスなどのその他の不活性ガスであってもよい。
【００２６】
気体流通路１５に供給された窒素ガスは、気体流通路１５内を下方に向かって流れ、遮断板９の内周面（貫通孔を区画する面）と処理液供給管１３の下端との間から下方に向けて吐出される。遮断板９の内周面と処理液供給管１３の下端との間の空間は、気体を吐出する気体吐出口１８として機能する。この実施形態では、気体流通路１５、気体バルブ１６、気体供給管１７、および気体吐出口１８によって、不活性ガス供給手段が構成されている。
【００２７】
また、遮断板９および支軸１２は、遮断板９の中心軸線まわりに回転可能とされている。また、遮断板９および支軸１２は、鉛直方向に昇降可能とされている。支軸１２には、遮断板昇降機構１９および遮断板回転機構２０が結合されている。遮断板昇降機構１９の駆動力を支軸１２に入力させることにより、遮断板９の下面がスピンチャック７に保持されたウエハＷの上面に近接する近接位置（図１において二点鎖線で示す位置）と、スピンチャック７の上方に大きく退避した退避位置との間で支軸１２および遮断板９を一体的に昇降させることができる。また、遮断板回転機構２０の駆動力を支軸１２に入力させることにより、スピンチャック７と共通の鉛直な回転軸線まわりに支軸１２および遮断板９を一体的に回転させることができる。
【００２８】
処理液供給ユニット３は、スピンチャック７に保持されたウエハＷにリンス液を供給するためのリンス液供給ユニット２１と、スピンチャック７に保持されたウエハＷに薬液を供給するための薬液供給ユニット２２（処理液供給手段）とを備えている。
リンス液供給ユニット２１は、リンス液を吐出するリンス液ノズル２３と、リンス液ノズル２３にリンス液を供給するリンス液供給管２４とを備えている。リンス液ノズル２３は、たとえば、連続流の状態でリンス液を吐出する、いわゆるストレートノズルである。リンス液ノズル２３は、吐出したリンス液がスピンチャック７に保持されたウエハＷの上面中央部に着液するように配置されている。また、リンス液供給管２４には、リンス液ノズル２３へのリンス液の供給および供給停止を切り替えるためのリンス液バルブ２５が介装されている。リンス液としては、純水（脱イオン水）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水や、希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水などを例示することができる。
【００２９】
薬液供給ユニット２２は、前述の処理液供給管１３と、薬液を貯留する薬液タンク２６（処理液貯留部）と、薬液タンク２６に貯留された薬液を処理液供給管１３に導く薬液供給配管２７（処理液供給配管）と、薬液タンク２６に貯留された薬液を循環させる循環配管２８と、カップ８により捕獲された薬液を薬液タンク２６に回収する回収配管２９とを備えている。
【００３０】
薬液供給配管２７の一端は、薬液タンク２６に連結されており、薬液供給配管２７の他端は、処理液供給管１３に連結されている。また、薬液供給配管２７には、ポンプ３０、フィルタ３１、および供給バルブ３２が介装されている。薬液タンク２６内の薬液は、ポンプ３０の吸引力によって薬液供給配管２７に取り込まれる。ポンプ３０は、たとえば常時駆動されており、薬液タンク２６内の薬液は、常時、薬液供給配管２７に取り込まれている。また、フィルタ３１は、薬液供給配管２７内を流通する薬液から異物を除去することができる。照射ユニット４は、たとえば、薬液供給配管２７における供給バルブ３２よりも下流側の位置に介装されている。
【００３１】
循環配管２８の一端は、薬液タンク２６に連結されており、循環配管２８の他端は、薬液供給配管２７における供給バルブ３２が介装された位置よりも上流側に連結されている。循環配管２８には、循環バルブ３３が介装されている。供給バルブ３２が開かれ、循環バルブ３３が閉じられることにより、ポンプ３０の吸引力によって薬液供給配管２７に取り込まれた薬液が、処理液供給管１３に供給される。また、供給バルブ３２が閉じられ、循環バルブ３３が開かれることにより、ポンプ３０の吸引力によって薬液供給配管２７に取り込まれた薬液が、循環配管２８を通って薬液タンク２６に帰還する。これにより、薬液タンク２６内の薬液が、薬液供給配管２７の一部および循環配管２８によって構成された循環経路Ｃ１を循環する。この実施形態では、処理液供給管１３に薬液を供給しないときは、供給バルブ３２が閉じられ、循環バルブ３３が開かれて、薬液タンク２６内の薬液が循環経路Ｃ１を常時循環する。
【００３２】
また、回収配管２９の一端は、薬液タンク２６に連結されており、回収配管２９の他端は、カップ８に設けられた薬液捕獲部１１に連結されている。薬液捕獲部１１に捕獲された薬液は、回収配管２９を通じて薬液タンク２６に導かれる。これにより、薬液捕獲部１１に捕獲された薬液が薬液タンク２６に回収される。
薬液タンク２６には、光を照射することで活性化する光活性化成分を含む薬液が貯留されている。光活性化成分を含む薬液とは、光が照射されることにより、ウエハＷから除去される膜（たとえばレジストや反射防止膜）の分子間の結合を切断する作用を有するようになる添加剤を含んだ薬液である。この添加剤の作用により、ウエハＷ上の不要な膜が分子レベルで分解され、薬液に溶解されることにより、ウエハＷ上から容易に剥離される。
【００３３】
図２は、照射ユニット４の構造を説明するための模式図である。
照射ユニット４は、本体３４および光源３５を備えている。本体３４は、処理液に光を照射するための照射室３６と、この照射室３６内に挿入された筒状部材３７とを含む。照射室３６には、入口３８および出口３９が連通されており、入口３８および出口３９には、それぞれ、薬液供給配管２７が接続されている。薬液供給配管２７から供給される薬液は、入口３８を通って照射室３６に入り、出口３９を通って照射室３６から出ていく。このとき、薬液供給配管２７から供給された薬液は、照射室３６に入った後にすぐに出口３９に向かうのではなく、照射室３６内で一定時間貯留された後に出口３９に向かう。より具体的には、照射室３６内の流路面積は、薬液供給配管２７の流路面積よりも大きい。そのため、入口３８から照射室３６内に入った薬液は、一旦、照射室３６内に貯留されてゆっくりと出口３９に達する。これにより、照射室３６に供給された薬液に光を照射する時間が確保されている。
【００３４】
また、筒状部材３７は、たとえば石英ガラス製であり、薬液に対する耐性を有し、さらに、光を透過させることができる。また、光源３５としては、たとえばキセノンランプが用いられている。光源３５から発せられる光の波長は、たとえば紫外線領域〜５００ｎｍの範囲内にある。光源３５は、たとえば棒状に形成され、筒状部材３７内に挿入されている。したがって、光活性化成分を含む薬液が照射室３６に貯留された状態で光源３５が光を発すると、光源３５からの光が筒状部材３７を透過して、照射室３６内の薬液に光が照射される。これにより、薬液に含まれる光活性化成分が活性化する。また、前述のように、入口３８から照射室３６内に入った薬液は、一旦、照射室３６内に貯留されてゆっくりと出口３９に達するので、その間に、光源３５からの光によって薬液を充分に照射することができ、薬液中の光活性化成分を充分に活性化させることができる。
【００３５】
図３は、基板処理装置１の電気的構成を説明するためのブロック図である。
基板処理装置１は、マイクロコンピュータを含む構成の制御部４０を備えている。制御部４０は、遮断板昇降機構１９、遮断板回転機構２０、およびポンプ３０などの動作を制御する。また、基板処理装置１に備えられたバルブの開閉は、制御部４０によって制御される。
【００３６】
図４は、基板処理装置１によるウエハＷの処理の一例を説明するための工程図である。
以下では、図１および図４を参照して、不要になったレジストおよび反射防止膜のマスクをウエハＷから除去するときのウエハＷの処理の一例について説明する。処理対象のウエハＷは、金属配線の一例である銅配線、および絶縁材料の一例である有機系のＬｏｗ−ｋ材料（比誘電率が酸化シリコンよりも小さな材料）により形成された絶縁膜を含む下地の上に、反射防止膜およびレジストのマスクが形成されたものである。銅配線および絶縁膜の一部は、反射防止膜およびレジストによって覆われておらず露出されている。
【００３７】
未処理のウエハＷは、図示しない搬送ロボットによって処理室６に搬入され、デバイス形成面である表面を上に向けてスピンチャック７に渡される（ステップＳ１）。ウエハＷが処理室６に搬入されるとき、処理室６内の構成は、搬送ロボットやウエハＷとの衝突を避けるためにスピンチャック７の上方から退避されている。
次に、光活性化成分を含む薬液によってレジストを除去するレジスト除去処理が行われる（ステップＳ２）。具体的には、制御部４０によりスピンチャック７が制御されて、ウエハＷが所定の回転速度で回転させられる。また、制御部４０により遮断板昇降機構１９が制御されて、遮断板９の下面がスピンチャック７に保持されたウエハＷの上面に近接する近接位置に遮断板９が移動させられる。そして、制御部４０により気体バルブ１６、供給バルブ３２、循環バルブ３３が制御されて、気体吐出口１８および処理液吐出口１４からそれぞれ窒素ガスおよび薬液がウエハＷの上面中央部に向けて吐出される。このとき、遮断板９は、制御部４０により遮断板回転機構２０が制御されて、スピンチャック７によるウエハＷの回転にほぼ同期して（あるいは若干異なる回転速度で）回転していてもよい。また、遮断板９は、非回転状態とされていてもよい。
【００３８】
気体吐出口１８から吐出された窒素ガスは、スピンチャック７に保持されたウエハＷの上面と遮断板９の下面との間の空間を外方（ウエハＷの回転軸線から離れる方向）に向かって広がっていく。したがって、ウエハＷの上面と遮断板９の下面との間の空間に存在する空気は、窒素ガスによって外方に押されて、当該空間から排出される。これにより、ウエハＷの上面と遮断板９の下面との間の雰囲気が窒素ガス雰囲気に置換され、ウエハＷの上面近傍の酸素濃度が低下する（酸素濃度がたとえば２％以下に低下する。）。
【００３９】
また、処理液吐出口１４から吐出された薬液は、ウエハＷの上面中央部に着液し、ウエハＷの回転による遠心力を受けてウエハＷ上を外方に広がっていく。これにより、ウエハＷの上面全域に薬液が供給される。また、ウエハＷの上面に供給され、ウエハＷの上面周縁部に達した薬液は、ウエハＷの回転による遠心力によってウエハＷの周囲に振り切られる。そして、振り切られた薬液は、カップ８によって捕獲され、回収配管２９を介して薬液タンク２６に回収される。
【００４０】
処理液吐出口１４から吐出され、ウエハＷの上面に供給された薬液は、薬液タンク２６から処理液吐出口１４に至る過程で、照射ユニット４による光の照射を受けている。したがって、ウエハＷに供給された薬液に含まれる光活性化成分は、照射ユニット４による光の照射を受けて活性化している。そのため、ウエハＷの上面には、活性化した状態の光活性化成分を含む薬液が供給される。これにより、反射防止膜およびレジストにおける分子間の強固な結合が断ち切られ、反射防止膜およびレジストが薬液に溶解する。これにより、不要になった反射防止膜およびレジストをウエハＷから剥離させて除去することができる。（レジスト除去処理）。レジスト除去処理が所定時間にわたって行われると、気体吐出口１８からの窒素ガスの吐出、および処理液吐出口１４からの薬液の吐出が停止される。そして、制御部４０により遮断板昇降機構１９が制御されて、遮断板９がスピンチャック７の上方に退避させられる。また、遮断板９が回転している場合には、制御部４０により遮断板回転機構２０が制御されて、遮断板９の回転が停止される。
【００４１】
次に、リンス液の一例である純水によってウエハＷを洗い流すリンス処理が行われる（ステップＳ３）。具体的には、制御部４０によりリンス液バルブ２５が開かれて、回転状態のウエハＷの上面中央部に向けてリンス液ノズル２３から純水が吐出される。リンス液ノズル２３から吐出された純水は、ウエハＷの上面中央部に着液し、ウエハＷの回転による遠心力を受けてウエハＷ上を外方に広がっていく。これにより、ウエハＷの上面全域にリンス液が供給され、ウエハＷ上の薬液が純水によって洗い流される。このようにして、ウエハＷ上から薬液が除去され、ウエハＷの上面に対するリンス処理が行われる。また、ウエハＷの上面に供給され、ウエハＷの上面周縁部に達した純水は、ウエハＷの回転による遠心力によってウエハＷの周囲に振り切られる。そして、振り切られた純水は、カップ８によって捕獲され、リンス液捕獲部１０に導かれる。リンス処理が所定時間にわたって行われると、制御部４０によりリンス液バルブ２５が閉じられて、リンス液ノズル２３からの純水の吐出が停止される。
【００４２】
次に、ウエハＷを乾燥させる乾燥処理（スピンドライ）が行われる（ステップＳ４）。具体的には、制御部４０によりスピンチャック７が制御されて、ウエハＷが高回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）で回転させられる。これにより、ウエハＷに付着している純水に大きな遠心力が作用して、純水がウエハＷの周囲に振り切られる。このようにして、ウエハＷから純水が除去され、ウエハＷに対する乾燥処理が行われる。乾燥処理が所定時間にわたって行われた後は、スピンチャック７によるウエハＷの回転が停止される。その後、処理済みのウエハＷが搬送ロボットによって処理室６から搬出される（ステップＳ５）。
【００４３】
以上のように本実施形態では、ウエハＷに供給される薬液に光を照射することにより、活性化した状態の光活性化成分を含む薬液をウエハＷの上面に供給することができる。これにより、不要になった反射防止膜およびレジストをウエハＷから確実に除去することができる。また、光活性化成分の作用を用いてウエハＷから反射防止膜およびレジストを除去するので、レジスト除去液として高温のＳＰＭを用いた場合に比べて、反射防止膜およびレジストの下地となる部分にダメージが生じることを抑制または防止することができる。さらに、光活性化成分に光を照射して光活性化成分を活性化させるので、光活性化成分を含む薬液を高温にしなくてもよい。したがって、基板処理装置１において薬液に接する部分に耐熱性を持たせる必要がなく、基板処理装置１の部品の選定を容易にすることができる。
【００４４】
さらにまた、前述のウエハＷの処理例では、ウエハＷの上面近傍の酸素濃度を低下させた状態でレジスト除去処理が行われる。したがって、配線材料として銅のように酸化され易い材料が用いられている場合でも、レジスト除去処理中に銅配線と雰囲気中の酸素とが反応して、銅配線が酸化されることを抑制または防止することができる。しかも、前述の実施形態では、薬液供給配管２７の途中部において薬液に光が照射されるので、光源３５からの光は、ウエハＷに照射されない。すなわち、この第１実施形態に係る基板処理装置１では、ウエハＷに直接光を照射することなく、薬液に含まれる光活性化成分を活性化させることができる。したがって、銅のように光の照射によって腐食され易い材料で配線が形成されており、光の照射を避けたいウエハＷを処理する場合でも、光源３５の光によって銅配線が腐食されることを防止することができる。したがって、ウエハＷに形成されるデバイスの特性が低下することを抑制または防止することができる。
【００４５】
なお、前述の第１実施形態に係る基板処理装置１の説明では、照射ユニット４が薬液供給配管２７における供給バルブ３２よりも下流側の位置に介装されているが、照射ユニット４の位置は、前述の位置に限定されない。具体的には、照射ユニット４は、図５に示すように、薬液供給配管２７における循環配管２８が連結された位置よりも上流側に介装されていてもよいし、図６に示すように、循環配管２８に介装されていてもよい。すなわち、照射ユニット４は、循環経路Ｃ１の途中部に配置されていてもよい。また、図７に示すように、照射ユニット４は回収配管２９に介装されていてもよいし、図８に示すように、照射ユニット４の光源３５を薬液タンク２６内に配置して、薬液タンク２６内に貯留された薬液に光を照射してもよい。さらに、照射ユニット４を複数設けて、前述の位置の２箇所以上に照射ユニット４を配置してもよい。
【００４６】
図８に示すように、薬液タンク２６内に貯留された薬液に光を照射することにより、配管内を流れる薬液に光を照射する場合に比べて、薬液に対する光の照射時間を増加させることができる。したがって、光活性化成分が照射時間の増加に伴ってより活性化する場合には、より活性度の高い光活性化成分を含む薬液をウエハＷに供給することができる。
また、図５および図６に示すように、循環経路Ｃ１の途中部に照射ユニット４を配置することにより、循環経路Ｃ１を循環する薬液に光を照射することができる。したがって、ウエハＷに供給される薬液に対して繰り返し光を照射することができるので、薬液に対する光の照射時間を増加させることができる。さらに、配管を流れる薬液に光を照射するので、薬液タンク２６に貯留された薬液に光を照射する場合に比べて、薬液に均一に光を照射することができる。これにより、薬液中に含まれる光活性化成分を確実に活性化させることができる。
【００４７】
図９は、本発明の第２実施形態に係る基板処理装置２０１の概略構成を示す模式図である。また、図１０は、二流体ノズル４１および照射ユニット２０４の断面図であり、図１１は、図１０におけるＸＩ−ＸＩ線に沿う照射ユニット２０４の要部の部分断面図である。この図９〜図１１において、前述の図１〜８に示された各部と同等の構成部分については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００４８】
この第２実施形態と前述の第１実施形態との主要な相違点は、ウエハＷに処理液を供給するための構成と、照射ユニットの配置である。すなわち、第１実施形態では、遮断板９の下面中央部から処理液が吐出されるように構成されているのに対し、この第２実施形態では、処理液の液滴を生成することができる二流体ノズル４１（処理液ノズル）によってウエハＷに処理液が供給されるように構成されている。また、第１実施形態では、照射ユニット４が配管２７〜２９の途中部または薬液タンク２６内に配置されているのに対し、この第２実施形態では、照射ユニット２０４（照射手段）が二流体ノズル４１の吐出口の近傍に配置されている。以下では、図９を参照して、薬液供給ユニット２２２（処理液供給手段）について説明する。
【００４９】
薬液供給ユニット２２２は、二流体ノズル４１を備えている。二流体ノズル４１は、たとえば、ケーシング外で処理液と気体とを混合させて処理液の液滴を生成する外部混合型の二流体ノズル４１である。二流体ノズル４１は、吐出口が下方に向けられた状態で、スピンチャック７の上方に配置されている。二流体ノズル４１は、水平に延びるノズルアーム４２に連結されている。ノズルアーム４２には、鉛直方向に延びる支持軸４３が結合されている。支持軸４３は、その中心軸線まわりに揺動可能とされている。
【００５０】
支持軸４３には、ノズル揺動機構４４が結合されている。ノズル揺動機構４４の駆動力が支持軸４３に入力されることにより、二流体ノズル４１およびノズルアーム４２が、支持軸４３の中心軸線まわりに一体的に水平移動する。これにより、スピンチャック７に保持されたウエハＷの上方に二流体ノズル４１を配置したり、スピンチャック７の上方から二流体ノズル４１を退避させたりすることができる。また、ウエハＷの上方で、二流体ノズル４１を水平移動させることができる。
【００５１】
また、二流体ノズル４１には、処理液供給管４５および気体供給管４６が接続されている。二流体ノズル４１には、処理液供給管４５を介して光活性化成分を含む薬液が供給される。また、二流体ノズル４１には、気体供給管４６を介して気体の一例である窒素ガスが供給される。処理液供給管４５には、二流体ノズル４１への薬液の供給および供給停止を切り換えるための処理液バルブ４７が介装されている。また、気体供給管４６には、二流体ノズル４１への気体の供給および供給停止を切り換えるための気体バルブ４８が介装されている。
【００５２】
次に図１０を参照して、二流体ノズル４１の構造について説明する。
二流体ノズル４１は、円柱状であり、ケーシングを構成する外筒４９と、外筒４９の内部に嵌め込まれた内筒５０とを有している。内筒５０および外筒４９は、それぞれ共通の中心軸線Ｌ１上に同軸配置されており、互いに連結されている。内筒５０の内部空間は、処理液供給管４５（図９参照）からの薬液が流通する直線状の処理液流路５１となっており、内筒５０と外筒４９との間には、気体供給管４６からの窒素ガスが流通する円筒状の気体流路５２が形成されている。
【００５３】
処理液流路５１は、内筒５０の上端で処理液導入口５３として開口しており、内筒５０の下端で中心軸線Ｌ１上に中心を有する円状の処理液吐出口５４として開口している。処理液流路５１には、処理液導入口５３を介して処理液供給管４５からの薬液が導入される。また、処理液流路５１に導入された薬液は、処理液吐出口５４から下方に向けて吐出される。
【００５４】
一方、気体流路５２は、内筒５０および外筒４９の上端部で閉塞されており、内筒５０および外筒４９の下端で処理液吐出口５４を取り囲む円環状の気体吐出口５５として開口している。気体流路５２の下端部は、気体流路５２の長さ方向における中間部よりも流路面積が小さくされている。気体流路５２の下端部は下方に向かって小径となっている。気体流路５２は、円筒状の間隙であり、気体吐出口５５の中心は、中心軸線Ｌ１上に位置している。
【００５５】
外筒４９には、気体供給管４６が接続されている。気体供給管４６の内部空間は、気体流路５２に連通されている。気体供給管４６を流通する窒素ガスは、気体流路５２に供給され、気体吐出口５５から下方に向けて吐出される。処理液吐出口５４から薬液を吐出させつつ、気体吐出口５５から窒素ガスを吐出させることにより、二流体ノズル４１の近傍で薬液に窒素ガスを衝突させて薬液の液滴を生成することができる。
【００５６】
次に、図１０および図１１を参照して、照射ユニット２０４について説明する。
照射ユニット２０４は、光源３５と、筒状体５６と、光伝達部材の一例である光ファイバ５７とを備えている。光源３５および筒状体５６は、光ファイバ５７によって連結されている。また、図１０に示すように、筒状体５６は、二流体ノズル４１の吐出口５４、５５の近傍に配置されている。二流体ノズル４１により生成された薬液の液滴は、筒状体５６の内周を通って、スピンチャック７に保持されたウエハＷの上面に供給される。筒状体５６の内周面は円筒状に形成されており、光を全反射することができる。筒状体５６の内周面は光を反射することができる反射面である。また、筒状体５６は、たとえば連結部材５８によって二流体ノズル４１に連結されている。筒状体５６は、二流体ノズル４１とともに一体的に水平移動する。
【００５７】
光源３５の発する光は、光ファイバ５７によって筒状体５６の内側の空間に伝達される。筒状体５６の内側の空間に伝達された光は、図１１に示すように、筒状体５６の内周面に当たって全反射を繰り返しながら、筒状体５６の内側の空間に拡散する。したがって、二流体ノズル４１により生成された薬液の液滴が、筒状体５６の内側の空間を通過することにより、当該薬液の液滴に光が均一に照射され、液滴に含まれる光活性化成分が活性化する。
【００５８】
次に、図９および図１０を参照して、この第２実施形態に係る基板処理装置２０１によるレジスト除去処理について説明する。なお、その他の処理工程は第１実施形態と同様である。
この第２実施形態に係る基板処理装置２０１によるレジスト除去処理では、回転状態のウエハＷの上面（ウエハＷの表面）に向けて、処理液吐出口５４および気体吐出口５５からそれぞれ光活性化成分を含む薬液および窒素ガスが吐出される。処理液吐出口５４から吐出された薬液は、気体吐出口５５から吐出された窒素ガスに衝突して液滴になる。そして、薬液の液滴が回転状態のウエハＷの上面に衝突する。また、処理液吐出口５４および気体吐出口５５からそれぞれ薬液および窒素ガスが吐出されている間、二流体ノズル４１がウエハＷの上方で水平移動させられる。これにより、ウエハＷの上面に対する薬液の衝突位置が、ウエハＷの上面における回転中心とウエハＷの上面周縁部との間で移動して、ウエハＷの上面が薬液の液滴によってスキャンされる。これにより、ウエハＷの上面全域に薬液が供給される。
【００５９】
このように、この第２実施形態に係る基板処理装置２０１によるレジスト除去処理では、薬液の液滴をウエハＷの上面に衝突させながら、当該ウエハＷの上面全域に薬液が供給される。したがって、ウエハＷ上に形成された反射防止膜およびレジストには、薬液の液滴の衝突による物理的な力が作用する。また、二流体ノズル４１により生成された薬液の液滴は、照射ユニット２０４による光の照射を受けて活性化している。したがって、ウエハＷ上に保持された反射防止膜およびレジストは、液滴の衝突による物理的な力、および薬液による化学的な力によってウエハＷから除去される。これにより、不要になった反射防止膜およびレジストをウエハＷから短時間で容易に除去することができる。
【００６０】
さらに、二流体ノズル４１により生成された薬液の液滴は、照射ユニット２０４による光の照射を受けた後すぐにウエハＷの上面に供給されるので、たとえば、光活性化成分の活性化した状態が光の照射後短時間しか維持されない場合でも、活性化した状態の光活性化成分を含む薬液を確実にウエハＷの上面に供給することができる。これにより、反射防止膜およびレジストをウエハＷから確実に除去することができる。さらにまた、薬液に対する光の照射は、薬液がウエハＷに達する前に行われるので、光源３５からの光がウエハＷに照射されることを防止することができる。したがって、光の照射を避けたいウエハＷを処理する場合でも、ウエハＷに対する光の照射を防止しつつ、反射防止膜およびレジストをウエハＷから確実に除去することができる。なお、前述の第２実施形態に係る基板処理装置２０１の説明では、処理液ノズルとして二流体ノズル４１が用いられているが、処理液ノズルの構成はこれに限定されない。具体的には、二流体ノズル４１に代えて、連続流の状態で処理液を吐出する、いわゆるストレートノズルを処理液ノズルとして用いてもよい。この場合、ストレートノズルは、スピンチャック７の斜め上方に固定的に配置されて、ウエハＷの上面に対して斜め上方から処理液を供給する構成であってもよく、また、スピンチャック７によるウエハＷの回転軸線上に固定的に配置されて、ウエハＷの上面に対して鉛直上方から処理液を供給する構成であってもよい。また、ストレートノズルは、スピンチャック７の上方において水平面内で揺動可能なアームに取り付けられて、アームの揺動によりウエハＷの上面における処理液の着液位置が面内で移動するように構成されていてもよい。さらに、二流体ノズル４１およびストレートノズルのいずれのノズルを処理液ノズルとして用いる場合でも、超音波付与装置を設けて、ノズル内を流通する薬液、またはノズルから吐出された薬液に超音波が付与されてもよい。
【００６１】
また、前述の第２実施形態に係る基板処理装置２０１の説明では、照射ユニット２０４が二流体ノズル４１の吐出口の近傍に配置されているが、照射ユニット２０４の位置はこれに限定されない。具体的には、たとえば、二流体ノズル４１の外筒４９および内筒５０を石英ガラスなどの光を透過させることができる材料で形成して、図１２に示すように、二流体ノズル４１の周囲に筒状体５６を配置してもよい。この場合、外筒４９および内筒５０が光を透過させることができるので、筒状体５６の内側の空間で光を拡散させることにより、光源３５からの光が外筒４９および内筒５０を透過して、二流体ノズル４１内を流通する薬液に照射される。これにより、薬液に含まれる光活性化成分を活性化させることができる。また、二流体ノズルに代えてストレートノズルを用いて、ストレートノズル本体を石英ガラスなどの光を透過させることができる材料で形成することにより、二流体ノズル同様、ノズル内を流通する薬液に光が照射されるように構成されてもよい。
【００６２】
図１３は、本発明の第３実施形態に係る基板処理装置３０１の概略構成を示す模式図である。この図１３において、前述の図１〜図１２に示された各部と同等の構成部分については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
この第３実施形態と前述の第２実施形態との主要な相違点は、前述の第２実施形態では、二流体ノズル４１から吐出された直後の処理液、または二流体ノズル４１内を流通する処理液に光が照射されるのに対し、この第３実施形態では、ウエハＷ上に保持された処理液に光が照射されることにある。すなわち、スピンチャック７の上方に複数の光源３５が配置されており、これらの光源３５によって照射ユニット３０４（照射手段）が構成されている。薬液供給ユニット３２２（処理液供給手段）は、光活性化成分を含む薬液をウエハＷの上面に供給するための薬液ノズル５９（処理液ノズル）を備えており、スピンチャック７に保持されたウエハＷの上面には、薬液ノズル５９から吐出された薬液が供給される。そして、ウエハＷの上面に供給された薬液に含まれる光活性化成分は、ウエハＷ上で照射ユニット３０４からの光の照射を受けて活性化する。したがって、ウエハＷの上面には活性化した直後の光活性化成分を含む薬液が供給される。
【００６３】
図１４は、本発明の第４実施形態に係る基板処理装置４０１の概略構成を示す模式図である。この図１４において、前述の図１〜図１３に示された各部と同等の構成部分については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
この第４実施形態と前述の第１〜３実施形態との主要な相違点は、前述の第１〜３実施形態に係る基板処理装置１、２０１、３０１は、ウエハＷを一枚ずつ処理する枚葉式の装置であるのに対し、この第４実施形態に係る基板処理装置４０１は、複数枚のウエハＷを一括して処理することができるバッチ式の装置であることにある。
【００６４】
基板処理装置４０１は、複数枚のウエハＷを一括して処理するための処理槽６０と、処理槽６０内で複数枚のウエハＷを一括して保持するウエハ保持部材６１（基板保持手段）と、光活性化成分を含む薬液を処理槽６０に供給する薬液供給ユニット４２２（処理液供給手段）と、照射ユニット４とを備えている。
処理槽６０は、内部に薬液を貯留することができ、内部に貯留された薬液に複数枚のウエハＷを一括して浸漬させることができる。また、ウエハ保持部材６１は、処理槽６０の内部に配置されており、複数枚のウエハＷを垂直姿勢で一括して保持することができる。ウエハ保持部材６１は、たとえば複数の棒状部材からなるものであり、各ウエハＷの周端面の複数箇所を下方から支持して保持することができる。
【００６５】
薬液供給ユニット４２２は、薬液タンク２６と、薬液供給配管２７と、循環配管２８と、回収配管２９とを備えている。薬液供給配管２７の一端は、薬液タンク２６に連結されており、薬液供給配管２７の他端は、処理槽６０に連結されている。また、回収配管２９の一端は、薬液タンク２６に連結されており、回収配管２９の他端は、処理槽６０に連結されている。回収配管２９には、処理槽６０から薬液タンク２６への薬液の回収および回収停止を切り替えるための回収バルブ６２が介装されている。
【００６６】
照射ユニット４は、たとえば、薬液供給配管２７における供給バルブ３２よりも下流側の位置に介装されている。照射ユニット４の位置は、前述の位置に限らず、図１４において二点鎖線で示すように、循環経路Ｃ１の途中部に設けられていてもよいし、回収配管２９に介装されていてもよい。また、同じく二点鎖線で示すように、光源３５を処理槽６０内に配置して、処理槽６０内に貯留された薬液に光を照射してもよい。
【００６７】
この発明の実施の形態の説明は以上であるが、この発明は、前述の第１〜第４実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。たとえば、前述の第２実施形態では、二流体ノズル４１から吐出された薬液、または二流体ノズル４１内を流通する薬液に光が照射される場合について説明したが、これに限らない。たとえば、二流体ノズル４１内を流通する薬液、および二流体ノズル４１から吐出された薬液の両方に光を照射してもよい。また、二流体ノズル４１内を流通する薬液、および二流体ノズル４１から吐出された薬液の少なくとも一方への光の照射に加えて、二流体ノズル４１に供給される薬液に光を照射してもよい。
【００６８】
同様に、前述の第３実施形態では、ウエハＷ上に保持された薬液に光が照射される場合について説明したが、薬液ノズル５９（図１３参照）に供給される薬液、および薬液ノズル５９内を流通する薬液に光を照射してもよい。
また、前述の第１〜第４実施形態において、ウエハＷに供給される光活性化成分を含む薬液、またはウエハＷ上に保持された光活性化成分を含む薬液を加熱して当該薬液を昇温させてもよい。より具体的には、たとえば、第１実施形態に係る基板処理装置１において、循環経路Ｃ１にヒータを設けて、循環経路Ｃ１を流れる薬液を加熱してもよい。この場合、光活性化成分が温度上昇に伴ってより活性化する場合には、薬液を加熱することによって、より活性度の高い光活性化成分を含む薬液をウエハＷに供給することができる。
【００６９】
また、前述の第１〜第４実施形態では、処理対象となる基板としてウエハＷを取り上げたが、ウエハＷに限らず、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などの他の種類の基板が処理対象とされてもよい。その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００７０】
１ 基板処理装置
４ 照射ユニット（照射手段）
７ スピンチャック（基板保持手段）
９ 遮断板（対向部材）
１４ 処理液吐出口
１５ 気体流通路（不活性ガス供給手段）
１６ 気体バルブ（不活性ガス供給手段）
１７ 気体供給管（不活性ガス供給手段）
１８ 気体吐出口（不活性ガス供給手段）
２２ 薬液供給ユニット（処理液供給手段）
２６ 薬液タンク（処理液貯留部）
２７ 薬液供給配管（処理液供給配管）
２８ 循環配管
２９ 回収配管
３５ 光源
４１ 二流体ノズル（処理液ノズル）
６１ ウエハ保持部材（基板保持手段）
２０１ 基板処理装置
２０４ 照射ユニット（照射手段）
２２２ 薬液供給ユニット（処理液供給手段）
３０１ 基板処理装置
３０４ 照射ユニット（照射手段）
３２２ 薬液供給ユニット（処理液供給手段）
４０１ 基板処理装置
４２２ 薬液供給ユニット（処理液供給手段）
Ｗ ウエハ（基板）
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、半導体ウエハなどの基板から不要になったレジストを除去するレジスト除去処理が行われる（たとえば特許文献１、２参照）。特許文献１に係るレジスト除去処理では、基板の表面にプラズマが照射されて、基板上のレジストがアッシングされる（アッシング処理）。そして、基板の表面にポリマー除去液が供給されてアッシングされたレジストが除去される。これにより、基板の表面から不要となったレジストが除去される。また、特許文献２に係るレジスト除去処理では、硫酸と過酸化水素水との混合液であるＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）が高温状態で基板の表面に供給される。基板上のレジストは、高温のＳＰＭによる強酸化力によって基板の表面から除去される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１９１５１１号公報
【特許文献２】特開２００８−２３５３４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、レジストのアッシングのためのプラズマの照射は、基板の表面のレジストで覆われていない部分（たとえば酸化膜や金属膜）にダメージを与えてしまう。そのため、ＦＥＯＬ（Front End of the Line：半導体製造プロセスにおける第１層目のメタル配線までの工程）では、アッシング処理による基板のダメージを回避するために、高温のＳＰＭを基板に供給してレジストを除去する場合がある。しかしながら、高温のＳＰＭを用いた場合でも、基板におけるレジストの下地となる部分が金属や有機物によって構成されている場合には、高温のＳＰＭによる強酸化力によって基板にダメージ（たとえば、金属や有機物の腐食）が生じるおそれがある。さらに、高温のＳＰＭを用いる場合には、耐熱性を有する部品を用いる必要があり、基板処理装置の部品の選定が困難になる。
【０００５】
一方、ＢＥＯＬ（Back End of the Line：前工程の後に多層配線を形成する工程）では、ＢＥＯＬにおいて形成されるパターンの大きさが相対的に大きいから、アッシング処理によるダメージが半導体装置の特性に与える影響は大きくなかった。より具体的には、たとえば、アッシング処理によるダメージによって、絶縁されるべき部分が絶縁不良になるなどの問題が生じることはなかった。しかしながら、今後、パターンが微細化していくと、アッシング処理によるダメージが半導体装置の特性に与える影響が大きくなってしまう。そのため、高温のＳＰＭを用いてレジストを除去するなどの他の方法を用いて、アッシング処理によるダメージを回避する必要がある。しかしながら、高温のＳＰＭを用いる場合には、ＦＥＯＬにおける場合と同様に、高温のＳＰＭによる強酸化力によって基板にダメージが生じるおそれがあり、かつ、耐熱性を有する部品で基板処理装置を構成する必要がある。
【０００６】
そこで、この発明の目的は、基板のダメージを抑制または防止しつつ、不要になった膜を基板から除去することができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を保持する基板保持手段（７、６１）と、光を照射することで活性化する光活性化成分を含む処理液を前記基板保持手段に保持された基板に供給する処理液供給手段（２２、２２２、３２２、４２２）と、前記基板保持手段に保持された基板に供給される前記光活性化成分を含む処理液に光を照射する照射手段（４、２０４、３０４）とを含む、基板処理装置（１、２０１、３０１、４０１）である。なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表すものとする。
【０００８】
この発明によれば、光を照射することで活性化する光活性化成分を含む処理液を処理液供給手段によって基板保持手段に保持された基板に供給することができる。また、照射手段によって、基板に供給される光活性化成分を含む処理液に光を照射することができる。したがって、処理液に含まれる光活性化成分を照射手段からの光によって活性化させて、活性化した状態の光活性化成分を含む処理液を基板に供給することができる。これにより、除去することが比較的困難な不要な膜（たとえば、レジストや反射防止膜）が基板に形成されている場合でも、この活性化した光活性化成分を含む処理液によって当該不要な膜を基板から除去することができる。
【０００９】
また、アッシング処理を行わずに基板から不要な膜を除去できるので、アッシング処理によるダメージが基板に生じることを防止することができる。さらに、高温のＳＰＭを用いて基板からレジストを除去する場合と異なり、処理液を高温にしなくてもよいので、耐熱性を有する部品を用いる必要がない。そのため、基板処理装置の部品の選定が容易である。
【００１０】
請求項２記載の発明は、前記処理液供給手段は、前記光活性化成分を含む処理液を貯留する処理液貯留部（２６）と、処理液貯留部に貯留された処理液を前記基板保持手段に保持された基板に導くための処理液供給配管（２７）とを含むものであり、前記照射手段は、前記処理液供給配管を流通する処理液に光を照射するものである、請求項１記載の基板処理装置である。
【００１１】
この発明によれば、処理液貯留部に貯留された前記光活性化成分を含む処理液が処理液供給配管を介して基板保持手段に保持された基板に導かれる。したがって、照射手段からの光が処理液供給配管を流通する処理液に照射されることにより、基板に供給される処理液に確実に光を照射することができる。これにより、活性化した状態の光活性化成分を含む処理液を確実に基板に供給することができる。
【００１２】
請求項３記載の発明は、前記処理液供給手段は、前記光活性化成分を含む処理液を貯留する処理液貯留部と、処理液貯留部に貯留された処理液を前記基板保持手段に保持された基板に導くための処理液供給配管とを含むものであり、前記照射手段は、前記処理液貯留部に貯留された処理液に光を照射するものである、請求項１または２記載の基板処理装置である。
【００１３】
この発明によれば、処理液貯留部に貯留された処理液に光が照射されるので、配管内を流れる処理液に光を照射する場合に比べて、処理液への光の照射時間を増加させることができる。したがって、光活性化成分が照射時間の増加に伴ってより活性化する場合には、より活性度の高い光活性化成分を含む処理液を基板に供給することができる。これにより、不要になった膜を基板から確実に除去することができる。
【００１４】
請求項４記載の発明は、前記処理液供給手段は、前記光活性化成分を含む処理液を貯留する処理液貯留部と、処理液貯留部に貯留された処理液を前記基板保持手段に保持された基板に導くための処理液供給配管と、前記処理液貯留部および前記処理液供給配管に連結され、前記処理液貯留部に貯留された処理液を循環させるための循環配管（２８）とを含むものであり、前記照射手段は、前記循環配管を流通する処理液に光を照射するものである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
【００１５】
この発明によれば、循環配管を流通する処理液に光が照射されるので、処理液貯留部に貯留された処理液を循環させることにより、処理液に繰り返し光が照射されて、処理液への光の照射時間を増加させることができる。また、処理液貯留部に貯留された処理液に光が照射される場合に比べて、処理液に均一に光を照射することができる。これにより、処理液に含まれる光活性化成分を確実に活性化させることができる。
【００１６】
請求項５記載の発明は、前記処理液供給手段は、前記光活性化成分を含む処理液を吐出する処理液ノズル（４１、５９）を含むものであり、前記照射手段は、前記処理液ノズル内を流通する処理液、または前記処理液ノズルから吐出された処理液に光を照射するものである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置である。前記照射手段は、前記処理液ノズルから吐出され、前記基板保持手段に保持された基板に達する前の処理液に光を照射するものであってもよいし、前記処理液ノズルから吐出され、前記基板保持手段に保持された基板に保持された処理液に光を照射するものであってもよい。
【００１７】
この発明によれば、照射手段からの光が、処理液ノズル内を流通する処理液、または処理液ノズルから吐出された処理液に照射されるので、たとえば、光の照射後活性状態が短時間しか維持されない光活性化成分を含む処理液を基板に供給する場合であっても、活性化した状態の光活性化成分を含む処理液を確実に基板に供給することができる。また、処理液ノズル内を流通する処理液、または基板保持手段に保持された基板に達する前の処理液に光を照射することにより、基板に光を直接照射することなく、活性化した状態の光活性化成分を含む処理液を確実に基板に供給することができる。これにより、光の照射を避けたい基板を処理する場合でも、基板に対する光の照射を防止しつつ、活性化した状態の光活性化成分を含む処理液を確実に基板に供給することができる。
【００１８】
請求項６記載の発明は、前記基板保持手段は、一枚の基板を保持するものであり、前記基板保持手段に保持された基板の一方の主面に対向する対向部材（９）と、前記一方の主面と前記対向部材との間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段（１５、１６、１７、１８）とをさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この発明によれば、不活性ガス供給手段によって、基板の一方の主面と対向部材との間に不活性ガスを供給することにより、基板の一方の主面と対向部材との間の雰囲気を窒素ガス雰囲気に置換することができる。これにより、基板の一方の主面近傍の酸素濃度を低下させた状態で、前記光活性化成分を含む処理液を基板の一方の主面に供給することができる。したがって、たとえば、処理液の作用によって酸化され易い膜や配線（たとえば、銅膜や銅配線）が基板の一方の主面に形成されている場合でも、この膜と酸素との反応を抑制または防止して、当該膜の酸化を抑制または防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。
【図２】照射ユニットの構造を説明するための模式図である。
【図３】基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。
【図４】第１実施形態に係る基板処理装置によるウエハの処理の一例を説明するための工程図である。
【図５】第２実施形態に係る照射ユニットの他の配置例について説明するための模式図である。
【図６】第２実施形態に係る照射ユニットのさらに他の配置例について説明するための模式図である。
【図７】第２実施形態に係る照射ユニットのさらに他の配置例について説明するための模式図である。
【図８】第２実施形態に係る照射ユニットのさらに他の配置例について説明するための模式図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。
【図１０】二流体ノズルおよび照射ユニットの断面図である。
【図１１】図１０におけるＸＩ−ＸＩ線に沿う照射ユニットの要部の部分断面図である。
【図１２】第２実施形態に係る照射ユニットの他の配置例について説明するための模式図である。
【図１３】本発明の第３実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。
【図１４】本発明の第４実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す模式図である。この基板処理装置１は、基板の一例である半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）からレジストや反射防止膜などの不要になった膜その他の不要物を除去する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、ウエハＷを処理するための処理ユニット２と、ウエハＷに処理液を供給する処理液供給ユニット３と、ウエハＷに供給される処理液に光を照射する照射ユニット４（照射手段）とを備えている。
【００２１】
処理ユニット２は、隔壁５で区画された処理室６内に、ウエハＷを水平に保持して回転させるスピンチャック７（基板保持手段）と、スピンチャック７に保持されたウエハＷから排出される処理液を受け止めて捕獲するためのカップ８と、スピンチャック７の上方に配置された遮断板９（対向部材）とを備えている。
スピンチャック７は、一枚のウエハＷを水平に保持してウエハＷの中央部を通る鉛直軸線まわりに回転させるものである。スピンチャック７は、図１に示すように、ウエハＷの周端面を挟持して当該ウエハＷを保持する挟持式のチャックであってもよいし、ウエハＷの下面（裏面）を吸着して当該ウエハＷを保持するバキューム式のチャックであってもよい。
【００２２】
カップ８は、スピンチャック７を取り囲んでいる。カップ８は、スピンチャック７に保持されたウエハＷから排出される処理液を捕獲するための２つの処理液捕獲部（リンス液捕獲部１０および薬液捕獲部１１）を有している。カップ８は、内部の経路を切り替えることにより、ウエハＷから排出されるリンス液および薬液を、それぞれ、リンス液捕獲部１０および薬液捕獲部１１に導くことができる。
【００２３】
遮断板９は、ウエハＷとほぼ同じ直径（あるいはウエハＷよりも少し大きい直径）を有する円板状の部材である。遮断板９の下面は水平な平坦面である。遮断板９の下面は、スピンチャック７に保持されたウエハＷの上面に対向する基板対向面に相当する。遮断板９は、支軸１２の下端に連結されており、遮断板９の中心軸線は、スピンチャック７の回転軸線を通る鉛直な軸線上に位置している。
【００２４】
また、遮断板９の中央部には、遮断板９を鉛直方向に貫通する貫通孔が形成されている。貫通孔の下端は、遮断板９の下面中央部に位置する開口となっている。支軸１２は中空軸であり、その内部空間は貫通孔に連通されている。支軸１２の内周には、処理液供給管１３が非接触状態で挿通している。処理液供給管１３の下端は遮断板９の貫通孔内に達しており、処理液供給管１３の下端には、処理液を吐出する処理液吐出口１４が形成されている。後述するように、処理液供給管１３は、処理液供給ユニット３の一部である。
【００２５】
また、処理液供給管１３の周囲には、気体が流通する筒状の気体流通路１５が形成されている。また、支軸１２の上端部には、気体バルブ１６が介装された気体供給管１７が接続されている。気体流通路１５には、この気体供給管１７を介して不活性ガスの一例である窒素ガスが供給される。気体流通路１５に供給される気体は、窒素ガスに限らず、ヘリウムガスや、アルゴンガスなどのその他の不活性ガスであってもよい。
【００２６】
気体流通路１５に供給された窒素ガスは、気体流通路１５内を下方に向かって流れ、遮断板９の内周面（貫通孔を区画する面）と処理液供給管１３の下端との間から下方に向けて吐出される。遮断板９の内周面と処理液供給管１３の下端との間の空間は、気体を吐出する気体吐出口１８として機能する。この実施形態では、気体流通路１５、気体バルブ１６、気体供給管１７、および気体吐出口１８によって、不活性ガス供給手段が構成されている。
【００２７】
また、遮断板９および支軸１２は、遮断板９の中心軸線まわりに回転可能とされている。また、遮断板９および支軸１２は、鉛直方向に昇降可能とされている。支軸１２には、遮断板昇降機構１９および遮断板回転機構２０が結合されている。遮断板昇降機構１９の駆動力を支軸１２に入力させることにより、遮断板９の下面がスピンチャック７に保持されたウエハＷの上面に近接する近接位置（図１において二点鎖線で示す位置）と、スピンチャック７の上方に大きく退避した退避位置との間で支軸１２および遮断板９を一体的に昇降させることができる。また、遮断板回転機構２０の駆動力を支軸１２に入力させることにより、スピンチャック７と共通の鉛直な回転軸線まわりに支軸１２および遮断板９を一体的に回転させることができる。
【００２８】
処理液供給ユニット３は、スピンチャック７に保持されたウエハＷにリンス液を供給するためのリンス液供給ユニット２１と、スピンチャック７に保持されたウエハＷに薬液を供給するための薬液供給ユニット２２（処理液供給手段）とを備えている。
リンス液供給ユニット２１は、リンス液を吐出するリンス液ノズル２３と、リンス液ノズル２３にリンス液を供給するリンス液供給管２４とを備えている。リンス液ノズル２３は、たとえば、連続流の状態でリンス液を吐出する、いわゆるストレートノズルである。リンス液ノズル２３は、吐出したリンス液がスピンチャック７に保持されたウエハＷの上面中央部に着液するように配置されている。また、リンス液供給管２４には、リンス液ノズル２３へのリンス液の供給および供給停止を切り替えるためのリンス液バルブ２５が介装されている。リンス液としては、純水（脱イオン水）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水や、希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水などを例示することができる。
【００２９】
薬液供給ユニット２２は、前述の処理液供給管１３と、薬液を貯留する薬液タンク２６（処理液貯留部）と、薬液タンク２６に貯留された薬液を処理液供給管１３に導く薬液供給配管２７（処理液供給配管）と、薬液タンク２６に貯留された薬液を循環させる循環配管２８と、カップ８により捕獲された薬液を薬液タンク２６に回収する回収配管２９とを備えている。
【００３０】
薬液供給配管２７の一端は、薬液タンク２６に連結されており、薬液供給配管２７の他端は、処理液供給管１３に連結されている。また、薬液供給配管２７には、ポンプ３０、フィルタ３１、および供給バルブ３２が介装されている。薬液タンク２６内の薬液は、ポンプ３０の吸引力によって薬液供給配管２７に取り込まれる。ポンプ３０は、たとえば常時駆動されており、薬液タンク２６内の薬液は、常時、薬液供給配管２７に取り込まれている。また、フィルタ３１は、薬液供給配管２７内を流通する薬液から異物を除去することができる。照射ユニット４は、たとえば、薬液供給配管２７における供給バルブ３２よりも下流側の位置に介装されている。
【００３１】
循環配管２８の一端は、薬液タンク２６に連結されており、循環配管２８の他端は、薬液供給配管２７における供給バルブ３２が介装された位置よりも上流側に連結されている。循環配管２８には、循環バルブ３３が介装されている。供給バルブ３２が開かれ、循環バルブ３３が閉じられることにより、ポンプ３０の吸引力によって薬液供給配管２７に取り込まれた薬液が、処理液供給管１３に供給される。また、供給バルブ３２が閉じられ、循環バルブ３３が開かれることにより、ポンプ３０の吸引力によって薬液供給配管２７に取り込まれた薬液が、循環配管２８を通って薬液タンク２６に帰還する。これにより、薬液タンク２６内の薬液が、薬液供給配管２７の一部および循環配管２８によって構成された循環経路Ｃ１を循環する。この実施形態では、処理液供給管１３に薬液を供給しないときは、供給バルブ３２が閉じられ、循環バルブ３３が開かれて、薬液タンク２６内の薬液が循環経路Ｃ１を常時循環する。
【００３２】
また、回収配管２９の一端は、薬液タンク２６に連結されており、回収配管２９の他端は、カップ８に設けられた薬液捕獲部１１に連結されている。薬液捕獲部１１に捕獲された薬液は、回収配管２９を通じて薬液タンク２６に導かれる。これにより、薬液捕獲部１１に捕獲された薬液が薬液タンク２６に回収される。
薬液タンク２６には、光を照射することで活性化する光活性化成分を含む薬液が貯留されている。光活性化成分を含む薬液とは、光が照射されることにより、ウエハＷから除去される膜（たとえばレジストや反射防止膜）の分子間の結合を切断する作用を有するようになる添加剤を含んだ薬液である。この添加剤の作用により、ウエハＷ上の不要な膜が分子レベルで分解され、薬液に溶解されることにより、ウエハＷ上から容易に剥離される。
【００３３】
図２は、照射ユニット４の構造を説明するための模式図である。
照射ユニット４は、本体３４および光源３５を備えている。本体３４は、処理液に光を照射するための照射室３６と、この照射室３６内に挿入された筒状部材３７とを含む。照射室３６には、入口３８および出口３９が連通されており、入口３８および出口３９には、それぞれ、薬液供給配管２７が接続されている。薬液供給配管２７から供給される薬液は、入口３８を通って照射室３６に入り、出口３９を通って照射室３６から出ていく。このとき、薬液供給配管２７から供給された薬液は、照射室３６に入った後にすぐに出口３９に向かうのではなく、照射室３６内で一定時間貯留された後に出口３９に向かう。より具体的には、照射室３６内の流路面積は、薬液供給配管２７の流路面積よりも大きい。そのため、入口３８から照射室３６内に入った薬液は、一旦、照射室３６内に貯留されてゆっくりと出口３９に達する。これにより、照射室３６に供給された薬液に光を照射する時間が確保されている。
【００３４】
また、筒状部材３７は、たとえば石英ガラス製であり、薬液に対する耐性を有し、さらに、光を透過させることができる。また、光源３５としては、たとえばキセノンランプが用いられている。光源３５から発せられる光の波長は、たとえば紫外線領域〜５００ｎｍの範囲内にある。光源３５は、たとえば棒状に形成され、筒状部材３７内に挿入されている。したがって、光活性化成分を含む薬液が照射室３６に貯留された状態で光源３５が光を発すると、光源３５からの光が筒状部材３７を透過して、照射室３６内の薬液に光が照射される。これにより、薬液に含まれる光活性化成分が活性化する。また、前述のように、入口３８から照射室３６内に入った薬液は、一旦、照射室３６内に貯留されてゆっくりと出口３９に達するので、その間に、光源３５からの光によって薬液を充分に照射することができ、薬液中の光活性化成分を充分に活性化させることができる。
【００３５】
図３は、基板処理装置１の電気的構成を説明するためのブロック図である。
基板処理装置１は、マイクロコンピュータを含む構成の制御部４０を備えている。制御部４０は、遮断板昇降機構１９、遮断板回転機構２０、およびポンプ３０などの動作を制御する。また、基板処理装置１に備えられたバルブの開閉は、制御部４０によって制御される。
【００３６】
図４は、基板処理装置１によるウエハＷの処理の一例を説明するための工程図である。
以下では、図１および図４を参照して、不要になったレジストおよび反射防止膜のマスクをウエハＷから除去するときのウエハＷの処理の一例について説明する。処理対象のウエハＷは、金属配線の一例である銅配線、および絶縁材料の一例である有機系のＬｏｗ−ｋ材料（比誘電率が酸化シリコンよりも小さな材料）により形成された絶縁膜を含む下地の上に、反射防止膜およびレジストのマスクが形成されたものである。銅配線および絶縁膜の一部は、反射防止膜およびレジストによって覆われておらず露出されている。
【００３７】
未処理のウエハＷは、図示しない搬送ロボットによって処理室６に搬入され、デバイス形成面である表面を上に向けてスピンチャック７に渡される（ステップＳ１）。ウエハＷが処理室６に搬入されるとき、処理室６内の構成は、搬送ロボットやウエハＷとの衝突を避けるためにスピンチャック７の上方から退避されている。
次に、光活性化成分を含む薬液によってレジストを除去するレジスト除去処理が行われる（ステップＳ２）。具体的には、制御部４０によりスピンチャック７が制御されて、ウエハＷが所定の回転速度で回転させられる。また、制御部４０により遮断板昇降機構１９が制御されて、遮断板９の下面がスピンチャック７に保持されたウエハＷの上面に近接する近接位置に遮断板９が移動させられる。そして、制御部４０により気体バルブ１６、供給バルブ３２、循環バルブ３３が制御されて、気体吐出口１８および処理液吐出口１４からそれぞれ窒素ガスおよび薬液がウエハＷの上面中央部に向けて吐出される。このとき、遮断板９は、制御部４０により遮断板回転機構２０が制御されて、スピンチャック７によるウエハＷの回転にほぼ同期して（あるいは若干異なる回転速度で）回転していてもよい。また、遮断板９は、非回転状態とされていてもよい。
【００３８】
気体吐出口１８から吐出された窒素ガスは、スピンチャック７に保持されたウエハＷの上面と遮断板９の下面との間の空間を外方（ウエハＷの回転軸線から離れる方向）に向かって広がっていく。したがって、ウエハＷの上面と遮断板９の下面との間の空間に存在する空気は、窒素ガスによって外方に押されて、当該空間から排出される。これにより、ウエハＷの上面と遮断板９の下面との間の雰囲気が窒素ガス雰囲気に置換され、ウエハＷの上面近傍の酸素濃度が低下する（酸素濃度がたとえば２％以下に低下する。）。
【００３９】
また、処理液吐出口１４から吐出された薬液は、ウエハＷの上面中央部に着液し、ウエハＷの回転による遠心力を受けてウエハＷ上を外方に広がっていく。これにより、ウエハＷの上面全域に薬液が供給される。また、ウエハＷの上面に供給され、ウエハＷの上面周縁部に達した薬液は、ウエハＷの回転による遠心力によってウエハＷの周囲に振り切られる。そして、振り切られた薬液は、カップ８によって捕獲され、回収配管２９を介して薬液タンク２６に回収される。
【００４０】
処理液吐出口１４から吐出され、ウエハＷの上面に供給された薬液は、薬液タンク２６から処理液吐出口１４に至る過程で、照射ユニット４による光の照射を受けている。したがって、ウエハＷに供給された薬液に含まれる光活性化成分は、照射ユニット４による光の照射を受けて活性化している。そのため、ウエハＷの上面には、活性化した状態の光活性化成分を含む薬液が供給される。これにより、反射防止膜およびレジストにおける分子間の強固な結合が断ち切られ、反射防止膜およびレジストが薬液に溶解する。これにより、不要になった反射防止膜およびレジストをウエハＷから剥離させて除去することができる。（レジスト除去処理）。レジスト除去処理が所定時間にわたって行われると、気体吐出口１８からの窒素ガスの吐出、および処理液吐出口１４からの薬液の吐出が停止される。そして、制御部４０により遮断板昇降機構１９が制御されて、遮断板９がスピンチャック７の上方に退避させられる。また、遮断板９が回転している場合には、制御部４０により遮断板回転機構２０が制御されて、遮断板９の回転が停止される。
【００４１】
次に、リンス液の一例である純水によってウエハＷを洗い流すリンス処理が行われる（ステップＳ３）。具体的には、制御部４０によりリンス液バルブ２５が開かれて、回転状態のウエハＷの上面中央部に向けてリンス液ノズル２３から純水が吐出される。リンス液ノズル２３から吐出された純水は、ウエハＷの上面中央部に着液し、ウエハＷの回転による遠心力を受けてウエハＷ上を外方に広がっていく。これにより、ウエハＷの上面全域にリンス液が供給され、ウエハＷ上の薬液が純水によって洗い流される。このようにして、ウエハＷ上から薬液が除去され、ウエハＷの上面に対するリンス処理が行われる。また、ウエハＷの上面に供給され、ウエハＷの上面周縁部に達した純水は、ウエハＷの回転による遠心力によってウエハＷの周囲に振り切られる。そして、振り切られた純水は、カップ８によって捕獲され、リンス液捕獲部１０に導かれる。リンス処理が所定時間にわたって行われると、制御部４０によりリンス液バルブ２５が閉じられて、リンス液ノズル２３からの純水の吐出が停止される。
【００４２】
次に、ウエハＷを乾燥させる乾燥処理（スピンドライ）が行われる（ステップＳ４）。具体的には、制御部４０によりスピンチャック７が制御されて、ウエハＷが高回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）で回転させられる。これにより、ウエハＷに付着している純水に大きな遠心力が作用して、純水がウエハＷの周囲に振り切られる。このようにして、ウエハＷから純水が除去され、ウエハＷに対する乾燥処理が行われる。乾燥処理が所定時間にわたって行われた後は、スピンチャック７によるウエハＷの回転が停止される。その後、処理済みのウエハＷが搬送ロボットによって処理室６から搬出される（ステップＳ５）。
【００４３】
以上のように本実施形態では、ウエハＷに供給される薬液に光を照射することにより、活性化した状態の光活性化成分を含む薬液をウエハＷの上面に供給することができる。これにより、不要になった反射防止膜およびレジストをウエハＷから確実に除去することができる。また、光活性化成分の作用を用いてウエハＷから反射防止膜およびレジストを除去するので、レジスト除去液として高温のＳＰＭを用いた場合に比べて、反射防止膜およびレジストの下地となる部分にダメージが生じることを抑制または防止することができる。さらに、光活性化成分に光を照射して光活性化成分を活性化させるので、光活性化成分を含む薬液を高温にしなくてもよい。したがって、基板処理装置１において薬液に接する部分に耐熱性を持たせる必要がなく、基板処理装置１の部品の選定を容易にすることができる。
【００４４】
さらにまた、前述のウエハＷの処理例では、ウエハＷの上面近傍の酸素濃度を低下させた状態でレジスト除去処理が行われる。したがって、配線材料として銅のように酸化され易い材料が用いられている場合でも、レジスト除去処理中に銅配線と雰囲気中の酸素とが反応して、銅配線が酸化されることを抑制または防止することができる。しかも、前述の実施形態では、薬液供給配管２７の途中部において薬液に光が照射されるので、光源３５からの光は、ウエハＷに照射されない。すなわち、この第１実施形態に係る基板処理装置１では、ウエハＷに直接光を照射することなく、薬液に含まれる光活性化成分を活性化させることができる。したがって、銅のように光の照射によって腐食され易い材料で配線が形成されており、光の照射を避けたいウエハＷを処理する場合でも、光源３５の光によって銅配線が腐食されることを防止することができる。したがって、ウエハＷに形成されるデバイスの特性が低下することを抑制または防止することができる。
【００４５】
なお、前述の第１実施形態に係る基板処理装置１の説明では、照射ユニット４が薬液供給配管２７における供給バルブ３２よりも下流側の位置に介装されているが、照射ユニット４の位置は、前述の位置に限定されない。具体的には、照射ユニット４は、図５に示すように、薬液供給配管２７における循環配管２８が連結された位置よりも上流側に介装されていてもよいし、図６に示すように、循環配管２８に介装されていてもよい。すなわち、照射ユニット４は、循環経路Ｃ１の途中部に配置されていてもよい。また、図７に示すように、照射ユニット４は回収配管２９に介装されていてもよいし、図８に示すように、照射ユニット４の光源３５を薬液タンク２６内に配置して、薬液タンク２６内に貯留された薬液に光を照射してもよい。さらに、照射ユニット４を複数設けて、前述の位置の２箇所以上に照射ユニット４を配置してもよい。
【００４６】
図８に示すように、薬液タンク２６内に貯留された薬液に光を照射することにより、配管内を流れる薬液に光を照射する場合に比べて、薬液に対する光の照射時間を増加させることができる。したがって、光活性化成分が照射時間の増加に伴ってより活性化する場合には、より活性度の高い光活性化成分を含む薬液をウエハＷに供給することができる。
また、図５および図６に示すように、循環経路Ｃ１の途中部に照射ユニット４を配置することにより、循環経路Ｃ１を循環する薬液に光を照射することができる。したがって、ウエハＷに供給される薬液に対して繰り返し光を照射することができるので、薬液に対する光の照射時間を増加させることができる。さらに、配管を流れる薬液に光を照射するので、薬液タンク２６に貯留された薬液に光を照射する場合に比べて、薬液に均一に光を照射することができる。これにより、薬液中に含まれる光活性化成分を確実に活性化させることができる。
【００４７】
図９は、本発明の第２実施形態に係る基板処理装置２０１の概略構成を示す模式図である。また、図１０は、二流体ノズル４１および照射ユニット２０４の断面図であり、図１１は、図１０におけるＸＩ−ＸＩ線に沿う照射ユニット２０４の要部の部分断面図である。この図９〜図１１において、前述の図１〜８に示された各部と同等の構成部分については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００４８】
この第２実施形態と前述の第１実施形態との主要な相違点は、ウエハＷに処理液を供給するための構成と、照射ユニットの配置である。すなわち、第１実施形態では、遮断板９の下面中央部から処理液が吐出されるように構成されているのに対し、この第２実施形態では、処理液の液滴を生成することができる二流体ノズル４１（処理液ノズル）によってウエハＷに処理液が供給されるように構成されている。また、第１実施形態では、照射ユニット４が配管２７〜２９の途中部または薬液タンク２６内に配置されているのに対し、この第２実施形態では、照射ユニット２０４（照射手段）が二流体ノズル４１の吐出口の近傍に配置されている。以下では、図９を参照して、薬液供給ユニット２２２（処理液供給手段）について説明する。
【００４９】
薬液供給ユニット２２２は、二流体ノズル４１を備えている。二流体ノズル４１は、たとえば、ケーシング外で処理液と気体とを混合させて処理液の液滴を生成する外部混合型の二流体ノズル４１である。二流体ノズル４１は、吐出口が下方に向けられた状態で、スピンチャック７の上方に配置されている。二流体ノズル４１は、水平に延びるノズルアーム４２に連結されている。ノズルアーム４２には、鉛直方向に延びる支持軸４３が結合されている。支持軸４３は、その中心軸線まわりに揺動可能とされている。
【００５０】
支持軸４３には、ノズル揺動機構４４が結合されている。ノズル揺動機構４４の駆動力が支持軸４３に入力されることにより、二流体ノズル４１およびノズルアーム４２が、支持軸４３の中心軸線まわりに一体的に水平移動する。これにより、スピンチャック７に保持されたウエハＷの上方に二流体ノズル４１を配置したり、スピンチャック７の上方から二流体ノズル４１を退避させたりすることができる。また、ウエハＷの上方で、二流体ノズル４１を水平移動させることができる。
【００５１】
また、二流体ノズル４１には、処理液供給管４５および気体供給管４６が接続されている。二流体ノズル４１には、処理液供給管４５を介して光活性化成分を含む薬液が供給される。また、二流体ノズル４１には、気体供給管４６を介して気体の一例である窒素ガスが供給される。処理液供給管４５には、二流体ノズル４１への薬液の供給および供給停止を切り換えるための処理液バルブ４７が介装されている。また、気体供給管４６には、二流体ノズル４１への気体の供給および供給停止を切り換えるための気体バルブ４８が介装されている。
【００５２】
次に図１０を参照して、二流体ノズル４１の構造について説明する。
二流体ノズル４１は、円柱状であり、ケーシングを構成する外筒４９と、外筒４９の内部に嵌め込まれた内筒５０とを有している。内筒５０および外筒４９は、それぞれ共通の中心軸線Ｌ１上に同軸配置されており、互いに連結されている。内筒５０の内部空間は、処理液供給管４５（図９参照）からの薬液が流通する直線状の処理液流路５１となっており、内筒５０と外筒４９との間には、気体供給管４６からの窒素ガスが流通する円筒状の気体流路５２が形成されている。
【００５３】
処理液流路５１は、内筒５０の上端で処理液導入口５３として開口しており、内筒５０の下端で中心軸線Ｌ１上に中心を有する円状の処理液吐出口５４として開口している。処理液流路５１には、処理液導入口５３を介して処理液供給管４５からの薬液が導入される。また、処理液流路５１に導入された薬液は、処理液吐出口５４から下方に向けて吐出される。
【００５４】
一方、気体流路５２は、内筒５０および外筒４９の上端部で閉塞されており、内筒５０および外筒４９の下端で処理液吐出口５４を取り囲む円環状の気体吐出口５５として開口している。気体流路５２の下端部は、気体流路５２の長さ方向における中間部よりも流路面積が小さくされている。気体流路５２の下端部は下方に向かって小径となっている。気体流路５２は、円筒状の間隙であり、気体吐出口５５の中心は、中心軸線Ｌ１上に位置している。
【００５５】
外筒４９には、気体供給管４６が接続されている。気体供給管４６の内部空間は、気体流路５２に連通されている。気体供給管４６を流通する窒素ガスは、気体流路５２に供給され、気体吐出口５５から下方に向けて吐出される。処理液吐出口５４から薬液を吐出させつつ、気体吐出口５５から窒素ガスを吐出させることにより、二流体ノズル４１の近傍で薬液に窒素ガスを衝突させて薬液の液滴を生成することができる。
【００５６】
次に、図１０および図１１を参照して、照射ユニット２０４について説明する。
照射ユニット２０４は、光源３５と、筒状体５６と、光伝達部材の一例である光ファイバ５７とを備えている。光源３５および筒状体５６は、光ファイバ５７によって連結されている。また、図１０に示すように、筒状体５６は、二流体ノズル４１の吐出口５４、５５の近傍に配置されている。二流体ノズル４１により生成された薬液の液滴は、筒状体５６の内周を通って、スピンチャック７に保持されたウエハＷの上面に供給される。筒状体５６の内周面は円筒状に形成されており、光を全反射することができる。筒状体５６の内周面は光を反射することができる反射面である。また、筒状体５６は、たとえば連結部材５８によって二流体ノズル４１に連結されている。筒状体５６は、二流体ノズル４１とともに一体的に水平移動する。
【００５７】
光源３５の発する光は、光ファイバ５７によって筒状体５６の内側の空間に伝達される。筒状体５６の内側の空間に伝達された光は、図１１に示すように、筒状体５６の内周面に当たって全反射を繰り返しながら、筒状体５６の内側の空間に拡散する。したがって、二流体ノズル４１により生成された薬液の液滴が、筒状体５６の内側の空間を通過することにより、当該薬液の液滴に光が均一に照射され、液滴に含まれる光活性化成分が活性化する。
【００５８】
次に、図９および図１０を参照して、この第２実施形態に係る基板処理装置２０１によるレジスト除去処理について説明する。なお、その他の処理工程は第１実施形態と同様である。
この第２実施形態に係る基板処理装置２０１によるレジスト除去処理では、回転状態のウエハＷの上面（ウエハＷの表面）に向けて、処理液吐出口５４および気体吐出口５５からそれぞれ光活性化成分を含む薬液および窒素ガスが吐出される。処理液吐出口５４から吐出された薬液は、気体吐出口５５から吐出された窒素ガスに衝突して液滴になる。そして、薬液の液滴が回転状態のウエハＷの上面に衝突する。また、処理液吐出口５４および気体吐出口５５からそれぞれ薬液および窒素ガスが吐出されている間、二流体ノズル４１がウエハＷの上方で水平移動させられる。これにより、ウエハＷの上面に対する薬液の衝突位置が、ウエハＷの上面における回転中心とウエハＷの上面周縁部との間で移動して、ウエハＷの上面が薬液の液滴によってスキャンされる。これにより、ウエハＷの上面全域に薬液が供給される。
【００５９】
このように、この第２実施形態に係る基板処理装置２０１によるレジスト除去処理では、薬液の液滴をウエハＷの上面に衝突させながら、当該ウエハＷの上面全域に薬液が供給される。したがって、ウエハＷ上に形成された反射防止膜およびレジストには、薬液の液滴の衝突による物理的な力が作用する。また、二流体ノズル４１により生成された薬液の液滴は、照射ユニット２０４による光の照射を受けて活性化している。したがって、ウエハＷ上に保持された反射防止膜およびレジストは、液滴の衝突による物理的な力、および薬液による化学的な力によってウエハＷから除去される。これにより、不要になった反射防止膜およびレジストをウエハＷから短時間で容易に除去することができる。
【００６０】
さらに、二流体ノズル４１により生成された薬液の液滴は、照射ユニット２０４による光の照射を受けた後すぐにウエハＷの上面に供給されるので、たとえば、光活性化成分の活性化した状態が光の照射後短時間しか維持されない場合でも、活性化した状態の光活性化成分を含む薬液を確実にウエハＷの上面に供給することができる。これにより、反射防止膜およびレジストをウエハＷから確実に除去することができる。さらにまた、薬液に対する光の照射は、薬液がウエハＷに達する前に行われるので、光源３５からの光がウエハＷに照射されることを防止することができる。したがって、光の照射を避けたいウエハＷを処理する場合でも、ウエハＷに対する光の照射を防止しつつ、反射防止膜およびレジストをウエハＷから確実に除去することができる。なお、前述の第２実施形態に係る基板処理装置２０１の説明では、処理液ノズルとして二流体ノズル４１が用いられているが、処理液ノズルの構成はこれに限定されない。具体的には、二流体ノズル４１に代えて、連続流の状態で処理液を吐出する、いわゆるストレートノズルを処理液ノズルとして用いてもよい。この場合、ストレートノズルは、スピンチャック７の斜め上方に固定的に配置されて、ウエハＷの上面に対して斜め上方から処理液を供給する構成であってもよく、また、スピンチャック７によるウエハＷの回転軸線上に固定的に配置されて、ウエハＷの上面に対して鉛直上方から処理液を供給する構成であってもよい。また、ストレートノズルは、スピンチャック７の上方において水平面内で揺動可能なアームに取り付けられて、アームの揺動によりウエハＷの上面における処理液の着液位置が面内で移動するように構成されていてもよい。さらに、二流体ノズル４１およびストレートノズルのいずれのノズルを処理液ノズルとして用いる場合でも、超音波付与装置を設けて、ノズル内を流通する薬液、またはノズルから吐出された薬液に超音波が付与されてもよい。
【００６１】
また、前述の第２実施形態に係る基板処理装置２０１の説明では、照射ユニット２０４が二流体ノズル４１の吐出口の近傍に配置されているが、照射ユニット２０４の位置はこれに限定されない。具体的には、たとえば、二流体ノズル４１の外筒４９および内筒５０を石英ガラスなどの光を透過させることができる材料で形成して、図１２に示すように、二流体ノズル４１の周囲に筒状体５６を配置してもよい。この場合、外筒４９および内筒５０が光を透過させることができるので、筒状体５６の内側の空間で光を拡散させることにより、光源３５からの光が外筒４９および内筒５０を透過して、二流体ノズル４１内を流通する薬液に照射される。これにより、薬液に含まれる光活性化成分を活性化させることができる。また、二流体ノズルに代えてストレートノズルを用いて、ストレートノズル本体を石英ガラスなどの光を透過させることができる材料で形成することにより、二流体ノズル同様、ノズル内を流通する薬液に光が照射されるように構成されてもよい。
【００６２】
図１３は、本発明の第３実施形態に係る基板処理装置３０１の概略構成を示す模式図である。この図１３において、前述の図１〜図１２に示された各部と同等の構成部分については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
この第３実施形態と前述の第２実施形態との主要な相違点は、前述の第２実施形態では、二流体ノズル４１から吐出された直後の処理液、または二流体ノズル４１内を流通する処理液に光が照射されるのに対し、この第３実施形態では、ウエハＷ上に保持された処理液に光が照射されることにある。すなわち、スピンチャック７の上方に複数の光源３５が配置されており、これらの光源３５によって照射ユニット３０４（照射手段）が構成されている。薬液供給ユニット３２２（処理液供給手段）は、光活性化成分を含む薬液をウエハＷの上面に供給するための薬液ノズル５９（処理液ノズル）を備えており、スピンチャック７に保持されたウエハＷの上面には、薬液ノズル５９から吐出された薬液が供給される。そして、ウエハＷの上面に供給された薬液に含まれる光活性化成分は、ウエハＷ上で照射ユニット３０４からの光の照射を受けて活性化する。したがって、ウエハＷの上面には活性化した直後の光活性化成分を含む薬液が供給される。
【００６３】
図１４は、本発明の第４実施形態に係る基板処理装置４０１の概略構成を示す模式図である。この図１４において、前述の図１〜図１３に示された各部と同等の構成部分については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
この第４実施形態と前述の第１〜３実施形態との主要な相違点は、前述の第１〜３実施形態に係る基板処理装置１、２０１、３０１は、ウエハＷを一枚ずつ処理する枚葉式の装置であるのに対し、この第４実施形態に係る基板処理装置４０１は、複数枚のウエハＷを一括して処理することができるバッチ式の装置であることにある。
【００６４】
基板処理装置４０１は、複数枚のウエハＷを一括して処理するための処理槽６０と、処理槽６０内で複数枚のウエハＷを一括して保持するウエハ保持部材６１（基板保持手段）と、光活性化成分を含む薬液を処理槽６０に供給する薬液供給ユニット４２２（処理液供給手段）と、照射ユニット４とを備えている。
処理槽６０は、内部に薬液を貯留することができ、内部に貯留された薬液に複数枚のウエハＷを一括して浸漬させることができる。また、ウエハ保持部材６１は、処理槽６０の内部に配置されており、複数枚のウエハＷを垂直姿勢で一括して保持することができる。ウエハ保持部材６１は、たとえば複数の棒状部材からなるものであり、各ウエハＷの周端面の複数箇所を下方から支持して保持することができる。
【００６５】
薬液供給ユニット４２２は、薬液タンク２６と、薬液供給配管２７と、循環配管２８と、回収配管２９とを備えている。薬液供給配管２７の一端は、薬液タンク２６に連結されており、薬液供給配管２７の他端は、処理槽６０に連結されている。また、回収配管２９の一端は、薬液タンク２６に連結されており、回収配管２９の他端は、処理槽６０に連結されている。回収配管２９には、処理槽６０から薬液タンク２６への薬液の回収および回収停止を切り替えるための回収バルブ６２が介装されている。
【００６６】
照射ユニット４は、たとえば、薬液供給配管２７における供給バルブ３２よりも下流側の位置に介装されている。照射ユニット４の位置は、前述の位置に限らず、図１４において二点鎖線で示すように、循環経路Ｃ１の途中部に設けられていてもよいし、回収配管２９に介装されていてもよい。また、同じく二点鎖線で示すように、光源３５を処理槽６０内に配置して、処理槽６０内に貯留された薬液に光を照射してもよい。
【００６７】
この発明の実施の形態の説明は以上であるが、この発明は、前述の第１〜第４実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。たとえば、前述の第２実施形態では、二流体ノズル４１から吐出された薬液、または二流体ノズル４１内を流通する薬液に光が照射される場合について説明したが、これに限らない。たとえば、二流体ノズル４１内を流通する薬液、および二流体ノズル４１から吐出された薬液の両方に光を照射してもよい。また、二流体ノズル４１内を流通する薬液、および二流体ノズル４１から吐出された薬液の少なくとも一方への光の照射に加えて、二流体ノズル４１に供給される薬液に光を照射してもよい。
【００６８】
同様に、前述の第３実施形態では、ウエハＷ上に保持された薬液に光が照射される場合について説明したが、薬液ノズル５９（図１３参照）に供給される薬液、および薬液ノズル５９内を流通する薬液に光を照射してもよい。
また、前述の第１〜第４実施形態において、ウエハＷに供給される光活性化成分を含む薬液、またはウエハＷ上に保持された光活性化成分を含む薬液を加熱して当該薬液を昇温させてもよい。より具体的には、たとえば、第１実施形態に係る基板処理装置１において、循環経路Ｃ１にヒータを設けて、循環経路Ｃ１を流れる薬液を加熱してもよい。この場合、光活性化成分が温度上昇に伴ってより活性化する場合には、薬液を加熱することによって、より活性度の高い光活性化成分を含む薬液をウエハＷに供給することができる。
【００６９】
また、前述の第１〜第４実施形態では、処理対象となる基板としてウエハＷを取り上げたが、ウエハＷに限らず、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などの他の種類の基板が処理対象とされてもよい。その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００７０】
１ 基板処理装置
４ 照射ユニット（照射手段）
７ スピンチャック（基板保持手段）
９ 遮断板（対向部材）
１４ 処理液吐出口
１５ 気体流通路（不活性ガス供給手段）
１６ 気体バルブ（不活性ガス供給手段）
１７ 気体供給管（不活性ガス供給手段）
１８ 気体吐出口（不活性ガス供給手段）
２２ 薬液供給ユニット（処理液供給手段）
２６ 薬液タンク（処理液貯留部）
２７ 薬液供給配管（処理液供給配管）
２８ 循環配管
２９ 回収配管
３５ 光源
４１ 二流体ノズル（処理液ノズル）
６１ ウエハ保持部材（基板保持手段）
２０１ 基板処理装置
２０４ 照射ユニット（照射手段）
２２２ 薬液供給ユニット（処理液供給手段）
３０１ 基板処理装置
３０４ 照射ユニット（照射手段）
３２２ 薬液供給ユニット（処理液供給手段）
４０１ 基板処理装置
４２２ 薬液供給ユニット（処理液供給手段）
Ｗ ウエハ（基板）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板保持手段と、
光を照射することで活性化する光活性化成分を含む処理液を前記基板保持手段に保持された基板に供給する処理液供給手段と、
前記基板保持手段に保持された基板に供給される前記光活性化成分を含む処理液に光を照射する照射手段とを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記処理液供給手段は、前記光活性化成分を含む処理液を貯留する処理液貯留部と、処理液貯留部に貯留された処理液を前記基板保持手段に保持された基板に導くための処理液供給配管とを含むものであり、
前記照射手段は、前記処理液供給配管を流通する処理液に光を照射するものである、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理液供給手段は、前記光活性化成分を含む処理液を貯留する処理液貯留部と、処理液貯留部に貯留された処理液を前記基板保持手段に保持された基板に導くための処理液供給配管とを含むものであり、
前記照射手段は、前記処理液貯留部に貯留された処理液に光を照射するものである、請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記処理液供給手段は、前記光活性化成分を含む処理液を貯留する処理液貯留部と、処理液貯留部に貯留された処理液を前記基板保持手段に保持された基板に導くための処理液供給配管と、前記処理液貯留部および前記処理液供給配管に連結され、前記処理液貯留部に貯留された処理液を循環させるための循環配管とを含むものであり、
前記照射手段は、前記循環配管を流通する処理液に光を照射するものである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記処理液供給手段は、前記光活性化成分を含む処理液を吐出する処理液ノズルを含むものであり、
前記照射手段は、前記処理液ノズル内を流通する処理液、または前記処理液ノズルから吐出された処理液に光を照射するものである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板保持手段は、一枚の基板を保持するものであり、
前記基板保持手段に保持された基板の一方の主面に対向する対向部材と、
前記一方の主面と前記対向部材との間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とをさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１】
基板を保持する基板保持手段と、
光を照射することで活性化する光活性化成分を含む処理液を前記基板保持手段に保持された基板に供給する処理液供給手段と、
前記基板保持手段に保持された基板に供給される前記光活性化成分を含む処理液に光を照射する照射手段とを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記処理液供給手段は、前記光活性化成分を含む処理液を貯留する処理液貯留部と、処理液貯留部に貯留された処理液を前記基板保持手段に保持された基板に導くための処理液供給配管とを含むものであり、
前記照射手段は、前記処理液供給配管を流通する処理液に光を照射するものである、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理液供給手段は、前記光活性化成分を含む処理液を貯留する処理液貯留部と、処理液貯留部に貯留された処理液を前記基板保持手段に保持された基板に導くための処理液供給配管とを含むものであり、
前記照射手段は、前記処理液貯留部に貯留された処理液に光を照射するものである、請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記処理液供給手段は、前記光活性化成分を含む処理液を貯留する処理液貯留部と、処理液貯留部に貯留された処理液を前記基板保持手段に保持された基板に導くための処理液供給配管と、前記処理液貯留部および前記処理液供給配管に連結され、前記処理液貯留部に貯留された処理液を循環させるための循環配管とを含むものであり、
前記照射手段は、前記循環配管を流通する処理液に光を照射するものである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記処理液供給手段は、前記光活性化成分を含む処理液を吐出する処理液ノズルを含むものであり、
前記照射手段は、前記処理液ノズル内を流通する処理液、または前記処理液ノズルから吐出された処理液に光を照射するものである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板保持手段は、一枚の基板を保持するものであり、
前記基板保持手段に保持された基板の一方の主面に対向する対向部材と、
前記一方の主面と前記対向部材との間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とをさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１１−６１０３４（Ｐ２０１１−６１０３４Ａ）
【公開日】平成２３年３月２４日（２０１１．３．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２０９６３８（Ｐ２００９−２０９６３８）
【出願日】平成２１年９月１０日（２００９．９．１０）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年３月２４日（２０１１．３．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年９月１０日（２００９．９．１０）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
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