【課題】洗浄後の欠陥の発生が極めて少ないフォトマスク関連基板を得られる洗浄方法及び洗浄装置提供することを目的とする。
【解決手段】フォトマスク関連基板の洗浄方法において、少なくとも、前記フォトマスク関連基板の表面の異物をあらかじめ除去する前処理工程と、該前処理工程の後に前記フォトマスク関連基板にＵＶ光を照射するＵＶ照射工程と、該ＵＶ照射工程の後に前記フォトマスク関連基板を湿式で洗浄する湿式洗浄工程とを行うことを特徴とするフォトマスク関連基板の洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】高い効率でレジストを除去することのできるレジスト除去装置およびレジスト除去方法を提供すること。
【解決手段】レジスト除去装置は、レジスト層が形成された基板を載置するための回転駆動される載置台と、当該載置台に載置される基板上に水を含有する光反応性処理液を供給するための処理液供給手段と、当該処理液供給手段によって基板上に供給された光反応性処理液よりなる液膜を介して当該基板におけるレジスト層に紫外光を照射するための紫外線ランプとを備えており、前記載置台に載置された基板におけるレジスト層上の各部分が、当該載置台の回転に伴って、前記紫外線ランプによって形成される照射領域および非照射領域を交互に通過することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ低コストでウエハ表面に形成されたレジスト膜を除去する方法及び装置を提供する。
【解決手段】表面上にレジスト膜が形成された複数のウエハを所定の間隔で平行配置するとともに、前記洗浄槽内にオゾン水を供給する。次いで、前記洗浄槽内で、前記ウエハの前記表面に沿うようにして前記オゾン水の上下流を形成し、前記レジスト膜を除去して洗浄する。次いで、洗浄後の前記オゾン水を排出する。 （もっと読む）

【課題】基板のダメージを抑制または防止しつつ、不要になった膜を基板から除去することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、ウエハＷを保持するスピンチャック７と、光を照射することで活性化する光活性化成分を含む処理液をスピンチャック７に保持されたウエハＷに供給する薬液供給ユニット２２と、スピンチャック７に保持されたウエハＷに供給される光活性化成分を含む処理液に光を照射する照射ユニット４とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板表面に残存する不要なフォトレジストを、均一に除去するフォトレジスト除去装置を提供する。
【解決手段】
洗浄対象の基板を支持して回転する支持台と、支持台の上方に、注水口を下方に向けて配設された洗浄ノズルと、洗浄ノズルに高濃度オゾン水を供給する高濃度オゾン水供給装置とを備えたフォトレジスト除去装置において、洗浄ノズルを、基板の半径方向に所定の間隔で配置された複数の単位洗浄ノズルから構成する。
基板の単位面積あたり供給されるオゾン量が均一化される。 （もっと読む）

【課題】硬化層が形成されたレジストを、基層にダメージを与えないように除去する。
【解決手段】レジスト除去方法は、イオンが注入されているレジストに、当該イオンの注入によって形成されたレジストの硬化層にアルカリ可溶性を生じさせる程度の紫外光を照射する照射工程と、前記レジストをアルカリ溶液に接触させて当該レジストをシリコン基板から剥離させる除去工程と、を含む。レジストには、１×１０^１４〜５×１０^１５個／ｃｍ^２のイオンが注入されており、前記照射工程における紫外光の照射量を少なくとも１８００ｍＪ／ｃｍ^２とし、前記除去工程では、６０℃以上に加熱された前記アルカリ溶液を用いる。 （もっと読む）

【課題】シロキサンポリマーを含む感光性組成物を基板上に塗工し、感光性組成物を硬化させることにより形成された膜を基板から剥離する方法であって、膜を基板から容易に剥離できる膜の剥離方法を提供する。
【解決手段】シロキサンポリマーと、活性エネルギー線の照射によりシロキサンポリマーを架橋させる物質とを含む感光性組成物１を基板２上に塗工した後に、感光性組成物１に活性エネルギー線を照射し、感光性組成物１を硬化させることにより形成された膜１Ａを基板から剥離する方法であって、１０〜５０℃の水中で１０〜５００ｋＨｚ及び１０Ｗ〜３ｋＷの条件で５〜６０分間、膜１Ａに超音波をあてることにより、膜１Ａを基板２から剥離する膜１Ａの剥離方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、インプリント法に用いるテンプレートに残留する異物を効果的に除去できるパターン形成用テンプレートの洗浄方法を提供する。
【解決手段】凹凸を有するパターン面を備えたテンプレート１２０を保持し、テンプレート１２０のパターン面に付着した異物を含む領域に洗浄剤４０２を供給し、テンプレート１２０のパターン面と反対側の面から放射光１０５を照射し、放射光１０５により洗浄剤４０２を光励起してラジカルを生じさせ、異物とラジカルとを反応させて異物の少なくとも一部を親水化し、親水化させた後、異物をテンプレート１２０から除去することにより、テンプレート１２０のレジスト残差１２４を除去する。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜のアッシング条件に依存せず、かつコロージョンの発生を抑制する洗浄方法が望まれている。
【解決手段】 半導体基板上に、アルミニウムを含む導電膜(45)を形成する。導電膜の上に、レジストパターン(48)を形成する。レジストパターンをマスクとして、ハロゲンを含むガスを用いて導電膜をエッチングすることにより、配線(45a,45b)を形成する。配線の形成後、レジストパターンを除去する。レジストパターンの除去後、配線が形成されている表面を薬液(62)で処理することにより、レジストパターン除去後の残渣物を除去する。薬液による処理後、４０℃以上の温水(63)を用いて、基板表面を水洗する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レジスト剥離後に、静電気で引き寄せられて再付着したゴミを洗浄するためのマスク洗浄装置及びマスク洗浄方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、プラズマアッシャーでマスクからレジストを剥離するドライ洗浄機と、前記ドライ洗浄機でレジストを剥離した後、マスクにオゾン水をかけながら２２２ｎｍＵＶ光を照射してレジストを除去するオゾン水洗浄機と、前記オゾン水洗浄機で洗浄した後、薬剤とブラシによりパーティクルを除去するＳＣ−１洗浄機と、前記ＳＣ−１洗浄機で洗浄した後、１７２ｎｍＵＶ光を照射してレジスト残渣及びフッ素樹脂のパーティクルを除去するＵＶ洗浄機と、前記ＵＶ洗浄機で洗浄した後、オゾン水と純水でマスクを濯ぐ最終洗浄機と、前記最終洗浄機で洗浄した後、加温又は冷却することによりマスクを乾燥させる乾燥機とからなることを特徴とするマスク洗浄装置の構成とした。 （もっと読む）

【課題】熱光線の波長にかかわらず、確実に吸光して局所加熱可能な表面処理方法を提供する。
【解決手段】黒系色の吸光膜９３を被処理物９０の外周部（処理すべき部位）に被膜する。照射手段３３からの熱光線３５を被処理物９０の吸光膜被膜部位の一箇所Ｐ１に局所照射するとともに、噴出部４３からオゾン（処理ガス）を局所照射箇所Ｐ１に噴き付け、吸引部５４にて局所照射箇所Ｐ１の近傍のガスを局所的に吸引する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に残存したレジストを基板表面全体に均一に、損傷を与えることなく、単位体積当りのオゾン水のフォトレジストへの反応効率を上げて効果的に剥離、除去する。
【解決手段】フォトレジスト除去装置１は、回転支持台３と、洗浄ノズル７と、高濃度オゾン水供給装置４とを備え、洗浄ノズル７は、高濃度オゾン水を注水する円筒管１１と、円筒管１１の下端に取り付けられた透明円盤１３とを有し、透明円盤１３は、回転支持台３に支持された基板９に対して一定の隙間１４を介して対向するように配置されており、円筒管１１から注水される高濃度オゾン水を、基板９表面において厚さの均一な薄液膜１５として放射方向に流しながらエキシマー光照射源８からのエキシマー光を透明円盤１３を透過させて基板９表面に照射することにより、基板９表面に残存しているフォトレジストを除去する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に残存付着するフェノール樹脂から成るレジストを、基板自体に損傷を与えることなく、速い剥離速度で効果的に剥離する。
【解決手段】ノボラック樹脂系フォトレジストが残存付着している基板の表面に、高濃度オゾン水を注水するとともに、紫外光（例えば、エキシマーレーザ光）を照射することによって、紫外光が、高濃度オゾン水のオゾンの一部からＯＨラジカルを生成し、この生成されたＯＨラジカルが、フォトレジストをポリフェノール化し、ポリフェノール化されたフォトレジストを高濃度オゾン水の残存オゾンが反応して断片化し、基板表面から剥離する。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦレジスト膜等の難剥離性膜を容易に除去することができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ＡｒＦレジスト膜を伴ったウエハからこのＡｒＦレジスト膜を除去する処理方法である。ＡｒＦレジスト膜に紫外線照射処理を施し、次にＡｒＦレジスト膜にオゾンガスと水蒸気を供給して処理することにより、このＡｒＦレジスト膜を水溶性に変性させる。その後、水溶性に変性したＡｒＦレジスト膜に純水を供給することにより、ＡｒＦレジスト膜を基板から剥離する。チャンバに水蒸気とオゾンを供給する際には、チャンバ内に収容されたウエハに結露が生じないように、チャンバへ水蒸気を一定流量で供給しながら、水蒸気に対するオゾンの供給量を減少させる。 （もっと読む）

【課題】酸化膜を湿式エッチング処理する際に、レジスト変質物が残ることのない良好なエッチングが行える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に酸化膜１を形成する工程と、上記酸化膜１上にレジストパターン２を形成する工程と、上記基板を薬液に浸漬することにより上記レジストパターン２をマスクとして上記酸化膜１をエッチングする工程と、上記基板を水洗および乾燥する工程と、上記レジストパターン２を除去する工程と、を備えた半導体装置の製造方法において、上記レジストパターン２を除去する工程は、上記基板を水洗する工程の後、乾燥することなく直ぐに、基板を硫酸と過酸化水素水との混合液に浸漬する工程であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】感光性組成物を基板上に塗布し、硬化させて得られた硬化物からなる膜を基板から剥離する方法であって、硬化物からなる膜を基板から容易に剥離することができ、基板を再利用することを可能とする膜の剥離方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシランの縮合物（Ａ）と、第１，第２の刺激により活性化する刺激剤（Ｂ）とを含む感光性組成物１を基板２上に塗布した後に、該感光性組成物１に第１の刺激を与えることにより、感光性組成物１硬化させて得られた硬化物からなる感光性組成物膜１Ｃに、第２の刺激を与えて、硬化物からなる膜１Ｃを基板２から剥離する、膜１Ｃの剥離方法。 （もっと読む）

【課題】感光性組成物を基板上に塗布し、硬化させて得られた硬化物からなる膜を基板から剥離する方法であって、硬化物からなる膜を基板から容易に剥離することができ、基板を再利用することを可能とする膜の剥離方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシランの縮合物（Ａ）と、刺激により活性化し、アルコキシシランの縮合物（Ａ）を架橋させる第１の刺激剤（Ｂ）と、第１の刺激剤（Ｂ）を活性化する刺激とは異なる刺激により活性化する第２の刺激剤（Ｃ）とを含む感光性組成物１を基板２上に塗布した後に、該感光性組成物１に第１の刺激剤（Ｂ）を活性化する刺激を与えることにより、感光性組成物を硬化させて得られた硬化物からなる膜１Ｃに、第２の刺激剤（Ｃ）を活性化する刺激を与えて、硬化物からなる膜１Ｃを基板２から剥離する、膜１Ｃの剥離方法。 （もっと読む）

【課題】 炭酸アルキレンを含有する有機被膜の剥離液をオゾン処理したときに剥離液中に生成する酸化性物質濃度を低減する技術を提供する。
【解決手段】 炭酸アルキレンを含有する剥離液を使用して基体表面上の有機被膜を除去する工程１、上記工程１において生成した有機被膜に由来する成分を含有する剥離液にオゾン含有ガスを接触させる工程２、および上記工程２において生成したオゾン含有ガスに接触した剥離液に活性エネルギー線を照射する工程３を含む基体表面上の有機被膜の除去方法。 （もっと読む）

【課題】基板に対するダメージを抑制または回避しながら、硬化層を有するレジストを基板から良好に除去することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】この基板処理装置は、基板Ｗを保持して回転させる基板保持回転機構２と、基板Ｗに閃光を照射する光照射部７と、基板Ｗにレジスト剥離液を供給するレジスト剥離液供給機構３とを備えている。基板Ｗは、硬化層を有するレジストが表面に形成されたものである。光照射部７は、閃光を発生するフラッシュランプ３５を備えている。このフラッシュランプ３５からの閃光をレジストに向けて照射することにより、硬化層が昇華および分解されて破壊される。その後に、レジストに対してレジスト剥離液を供給することより、当該レジストが基板Ｗ表面から除去される。閃光の照射に代えて、レーザ光を照射することにより、硬化層を昇華および分解させてもよい。 （もっと読む）

【課題】基板にダメージを与えることなく、基板の表面からレジスト硬化層を有するレジストを速やかに剥離（除去）することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】一体型ヘッド３には、剥離液流通管１４と、ＵＶ照射装置２５とが備えられている。基板の表面に対して、剥離液流通管１４からレジスト剥離液が供給されつつ、ＵＶ照射装置２５から紫外線が照射される。これにより、基板の表面のレジストに対して、レジスト剥離液が有する化学的エネルギーと紫外線が有するエネルギーとを同時に付与することができる。そのため、レジストの表面にレジスト硬化層が形成されていても、それらのエネルギーの相乗作用によって、レジスト硬化層を破壊することができ、そのレジスト硬化層の破壊された部分からレジストの内部にレジスト剥離液を浸透させて、レジストを速やかに剥離して除去することができる。 （もっと読む）