【課題】液処理と乾燥処理を異なる高さ位置で行うことができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部を回転させる回転駆動部と、前記基板保持部を上昇及び下降させる基板保持部昇降部材と、前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板に前記処理液を供給するときに、前記基板を囲う液受けカップと、前記基板に前記処理液を供給するときに、前記基板と前記液受けカップの上方に位置し、前記基板を乾燥するときに、前記基板を囲い、かつ前記液受けカップの上方に位置する乾燥カップとを備えることを特徴とする液処理装置により上記の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】混合すると反応熱を生じる第１処理液と第２処理液の混合液を用いて基板を処理するにあたって、基板温度の面内均一性を高めることができる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板の中心領域に向けて第１および第２処理液を供給する第１供給部（３２、２００）と、中心領域を取り囲む環状の周縁領域に向けて第１および第２処理液を供給する第２供給部（１２０，１３０）とを備えている。第１供給部および第２供給部にはそれぞれ、第１処理液を供給する第１処理液供給管と第２処理液を供給する第２処理液供給管が接続されている。第１供給部は、第１および第２処理液との混合液を基板の中心領域に向けて吐出するように構成された中心部吐出口を有しており、第２供給部は、基板の周縁領域内の半径方向の異なる位置に向けて第１処理液を吐出する複数の第１吐出口と、基板の周縁領域内の半径方向の異なる位置に向けて第２処理液を吐出する複数の第２吐出口とを有している。 （もっと読む）

【課題】銅配線に対する腐食性が低いこととともに、酸化銅系の化合物残渣やシリコン酸化物系の化合物残渣に対する除去能力が優れた、銅配線工程で使用されるフォトレジスト又はフォトレジスト残渣除去組成物を提供する。
【解決手段】リン酸、リン酸塩、硫酸及び硫酸塩からなる群から選択される少なくとも１種と、クエン酸、リンゴ酸、乳酸、コハク酸、マロン酸及び酢酸からなる群から選択される少なくとも１種と、組成物全量に対して０．０１〜２重量％のフッ化水素酸及び／又はフッ化アンモニウム等のフッ化水素酸塩と水とを含有するレジスト残渣除去組成物。 （もっと読む）

【課題】基板を液層に浸漬して洗浄した後、回転して液膜処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】液体を貯留し、液層を形成する貯留槽と、基板を回転可能に水平に支持し、前記貯留槽に対する離間距離を増減可能な基板支持部と、前記貯留槽の外周側に設けられ、前記基板支持部が前記貯留槽から離間した位置において前記基板を回転することにより前記基板から振り払われる液体を受けるカップ部とを備える基板処理装置により上記の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】基板を液層に浸漬して液処理した後、その液層を排出することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部の下方に設けられた貯留槽と、前記貯留槽の外周側に該貯留槽を囲むように設けられた環状のカップ部と、を有し、前記貯留槽は、前記基板支持部により支持される前記基板の下面に対向するように設けられた円形の底部と、前記底部の外周部に該底部を囲むように設けられた周壁を含む堰部と、を含み、前記底部と前記堰部との相対的な位置関係を変化させることによって、前記貯留槽に液体を貯留し又は前記貯留槽の液体を排出し、前記カップ部は、前記排出された液体を収容することを特徴とする液処理装置により上記の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】基板の液処理時に遮蔽扉に付着した処理液によって、基板の乾燥処理時にパーティクルが発生してしまうのを防止すること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置（１）において、処理液で基板（６）の液処理を行う液処理槽（７）と、前記液処理槽（７）の上方に設けられ、前記基板（６）の乾燥処理を行う乾燥処理槽（２２）と、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）との間に設けられ、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）とを遮蔽可能な遮蔽扉（３３）と、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）との間で前記基板（６）の搬送を行う基板搬送手段（５）と、前記遮蔽扉（３３）に洗浄液を供給する洗浄液供給手段（３６）とを設けることにした。 （もっと読む）

【課題】シリコン表面にウォーターマークが残ることを防止しつつ、洗浄装置の省スペース化に寄与することができる基板の洗浄方法及び、基板の洗浄装置を提供する。
【解決手段】まず、ウェハーをフッ酸槽４に運び、このフッ酸槽４内でＨＦ溶液によるウェットエッチングを行ってウェハーのシリコン表面を露出させる。次に、ウェハーを純水リンス槽５に運び、この純水リンス槽５内でウェハーをリンスする。そして、ウェハーを乾燥装置６に運び、この乾燥装置６内でウェハーを乾燥させる。このように、ＨＦ溶液によるエッチングと、リンスとを行った後で、ウェハーを一旦乾燥させる。次に、ウェハーをアルカリ槽２に運び、このアルカリ槽２内でウェハーをアルカリ洗浄して、シリコン表面に薄いケミカル酸化膜を形成する。その後、ウェハーを純水リンス槽３に運び、純水リンス槽３内でウェハーをリンスする。 （もっと読む）

【課題】処理液による処理の際に電荷の移動による基板の損傷を防止する。
【解決手段】基板処理装置１では、二酸化炭素溶解ユニット６２により純水に対する二酸化炭素の溶解量を制御することにより除電液の比抵抗が目標比抵抗とされる。続いて、除電液供給部６により、ＳＰＭ液よりも比抵抗が大きい除電液が基板９上に供給され、基板９の上面９１全体が除電液にてパドルされることにより、基板９が比較的緩やかに除電される。そして、除電処理の終了後に、処理液供給部３により基板９上にＳＰＭ液が供給されてＳＰＭ処理が行われる。これにより、ＳＰＭ処理の際に、基板９からＳＰＭ液へと大量の電荷が急激に移動することが防止され、基板９の損傷を防止することができる。また、除電液の比抵抗を目標比抵抗に維持することにより、基板９の損傷が生じない範囲で、基板９の除電効率を向上し、除電処理に要する時間を短くすることができる。 （もっと読む）

【課題】処理液による処理の際に電荷の移動による基板の損傷を防止するとともに、処理液と他の液体との混合による悪影響を防止する。
【解決手段】基板処理装置１では、除電液供給部６により、ＳＰＭ液よりも比抵抗が大きい除電液が基板９上に供給され、基板９の上面９１全体が除電液にてパドルされることにより、基板９が比較的緩やかに除電される。続いて、基板回転機構５により基板９が回転することにより、基板９上から除電液が除去された後、処理液供給部３により基板９上にＳＰＭ液が供給されてＳＰＭ処理が行われる。これにより、ＳＰＭ処理の際に、基板９からＳＰＭ液へと大量の電荷が急激に移動することが防止され、基板９の損傷を防止することができる。また、除電液とＳＰＭ液との混合による悪影響（例えば、除電液中の水とＳＰＭ液中の硫酸との反応熱による基板９の損傷）を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】液滴が衝突する基板内の衝突位置での膜厚のばらつきを低減することにより、処理の均一性を向上させること。
【解決手段】洗浄ノズル５は、複数の噴射口３１が形成された噴射部６と、吐出口３６が形成された吐出部７とを含む。複数の噴射口３１は、複数の液滴がそれぞれ基板Ｗ内の複数の衝突位置Ｐ１に衝突するように形成されている。吐出口３６は、各衝突位置Ｐ１からの距離Ｄが等しい基板Ｗ内の着液位置Ｐ２に保護液が着液するように形成されている。洗浄ノズル５は、吐出口３６から吐出された保護液の液膜によって覆われている基板Ｗに複数の噴射口３１から噴射された複数の液滴を衝突させる。 （もっと読む）

【課題】少ない薬液で、かつ短時間で基板上の膜を良好にエッチングする。
【解決手段】フェムト秒レーザービームＬＢを膜Ｆの加工対象部位に照射し、フェムト秒レーザービームＬＢが照射された表面領域に凹凸形状を有する加工部ＷＲを形成する。この基板Ｗ上のレーザー処理済膜Ｆの表面に薬液が供給されてエッチング処理が実行される。このとき、加工部ＷＲの表面は凹凸形状を有しているため、薬液の接液面積が増大し、その結果、レーザー加工処理が施されていない場合に比べ、エッチング処理に要する時間および薬液量を削減することができる。 （もっと読む）

【課題】パターンにダメージが発生することを抑制または防止しつつ、パーティクルの除去率を向上させること。
【解決手段】噴射ノズル５から基板Ｗの上面に向けて複数の処理液の液滴を噴射させながら、基板Ｗに対して噴射ノズル５を移動させて、基板Ｗに対する液滴の衝突位置を移動させる。基板Ｗに付着しているパーティクルは、液滴の衝突によって除去される。基板Ｗの上面に向けて噴射された液滴の断面積と液滴の数との積である総液滴衝突面積は、基板Ｗの上面の面積の１４倍以上である。 （もっと読む）

【課題】排気効率およびスペース効率を改善し、液切り乾燥直後の乾いた基板にミストが付着するのを十全に防止する。
【解決手段】上部および下部エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌがそれらの間を通過する基板Ｇに対してナイフ状の鋭利な高圧エア流を吹き付けることにより、両エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌの上流側の空間に多量のミストが発生する。基板Ｇの上で発生したミストの大部分は、下流側のＦＦＵ１３６から隙間Ｋを通って廻ってくる空気および入口１１８から入ってくる空気と一緒に上部排気口１２４に吸い込まれる。基板Ｇの下で発生したミストは、その全部がＦＦＵ１３６から廻ってくる空気および入口１１８から入ってくる空気と一緒に下部排気口１２６，１２８に吸い込まれる。 （もっと読む）

【課題】詳細には超臨界工程を遂行する基板処理装置及びこれを利用する基板処理方法が提供される。
【解決手段】本発明による基板処理装置の一実施形態は、一側面に開口が形成され、工程が遂行される空間を提供するハウジングと、前記開口を開閉するドアと、前記ドアに設置され、基板が安着される支持部材と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板に形成した液膜を冷却し凝固させる基板処理装置および基板処理方法において、ノズルに霜が付着するのを抑制し、霜に起因する基板の汚染を防止する。
【解決手段】基板上から側方に退避した退避位置において、冷却ガスノズル３のガス吐出口３０に対して上面３７ａが平面となった整流部材３７を近接対向配置し、ガス吐出口３０から少量の冷却ガスを吐出させる。不使用時にも冷却ガスを吐出させるアイドリングを行っておくことにより、ノズルの温度上昇を抑制し必要時に直ちに冷温の冷却ガスを吐出させることができる。また、アイドリング時に整流部材３７を配置し、ガス吐出口３０周りの隙間から冷却ガスを吹き出させることにより、高湿度の周囲雰囲気がノズル内に侵入するのを抑制し、ノズル内に下が付着するのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ミストを発生しやすい処理室のメンテナンス性を確保しつつ、室内の排気効率および排気能力の均一性を向上させること。
【解決手段】ブロー洗浄室Ｒ2の室内排気機構１１２において、第１の仕切板１１４は、上部２流体ノズル１０４Ｕより高くて排気ポート１０６，１０８より低い位置に配置され、ブロー洗浄室Ｒ2の室内空間を縦方向で上部空間ＵＲ2と下部空間ＬＲ2とに分割する。ここで、第１の仕切板１１４と上流側隔壁８６との間には、チャンバ幅方向（Ｙ方向）に一列に延びる２つのスリット開口１１６，１１８が形成される。また、第２の仕切板１２４は、第１の仕切板１１４の上に拡がる上部空間ＵＲ2を、横方向で、第１の開口１１６と第１の排気ポート１０６との間に延在する第１の排気空間１２０と、第２の開口１１８と第２の排気ポート１０８との間に延在する第２の排気空間１２２とに分割する。 （もっと読む）

【課題】基板の膜種、表面状態、基板の検出位置等に影響されることなく、基板の保持状態を正確に検出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置において、基板を載置する載置台３２と、載置台３２を基板とともに回転させる回転部３５と、基板の表面に光を照射する光源８８と、基板の表面に照射された光が表面で反射した光の光量を検出する検出部８９と、回転部３５及び検出部８９の動作を制御する制御部１００とを有し、制御部１００は、検出した光量の検出値が予め決められた所定値よりも小さいか否かを判定する判定処理を、回転部３５により基板の検出位置を変えながら複数回行い、検出値が所定値よりも小さいと判定された回数の合計が予め決められた回数に達したとき、基板の保持状態が正常でないと判定する。 （もっと読む）

【課題】薬液処理時に発生しうる薬液雰囲気の拡散を防止しつつ、ウエハのパターン形成面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、ウエハＷの上方に設けられ、ウエハＷに薬液を吐出する吐出口を有する処理流体ノズル６５と、処理流体ノズル６５に薬液を供給する処理流体供給機構７０と、処理流体ノズル６５によりウエハＷに薬液が吐出される際にウエハＷを上方から覆うことができるカバー機構６０と、を備えている。カバー機構６０は、カバー機構６０がウエハＷを上方から覆う下降位置と、下降位置よりも上方に位置する上昇位置との間で、昇降駆動機構７８により上下方向に駆動される。また液処理装置１０は、カバー機構６０が上昇位置にある時にカバー機構６０とウエハＷとの間でウエハＷをカバー機構６０から遮蔽することができる遮蔽機構３０をさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】薬液処理時に発生しうる薬液雰囲気の拡散を防止しつつ、ウエハのパターン形成面を効率良く処理することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、ウエハＷの上方に設けられ、ウエハＷに薬液を吐出する吐出口を有する処理流体ノズル６５と、処理流体ノズル６５に薬液を供給する処理流体供給機構７０と、処理流体ノズル６５によりウエハＷに薬液が吐出される際にウエハＷを上方から覆うことができるカバー機構６０と、を備えている。カバー機構６０は、カバー機構６０がウエハＷを上方から覆う下降位置と、下降位置よりも上方に位置する上昇位置との間で、昇降駆動機構７８により上下方向に駆動される。また液処理装置１０は、カバー機構６０が上昇位置にある時にウエハＷをカバー機構６０から上下方向において遮蔽することができ、清浄ガスのダウンフローを生成するエアフード３１をさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】簡略な装置構成で電解装置への固形物の混入を防止して連続的かつ安定的な運転を実現する硫酸溶液供給システム及び硫酸溶液供給方法を提供する。
【解決手段】硫酸溶液を冷却する冷却器２５、硫酸溶液を電解する電解セル４、バッチ式洗浄機２で使用された硫酸溶液を冷却器２５、電解セル４をこの順に介してバッチ式洗浄機２に戻す電解側循環ラインと、バッチ式洗浄機２で使用された硫酸溶液を冷却器２５を介さずにバッチ式洗浄機２に戻す使用側循環ラインを備え、電解側循環ラインと使用側循環ラインが、バッチ式洗浄機２から排液された硫酸溶液が流れる共通した共通排液ライン１０を有し、共通排液ライン１０の下流側端部にある分岐点１０ａからそれぞれが分岐しており、共通排液ライン１０に固形物を捕捉する洗浄機側フィルタ２１を備える。 （もっと読む）