【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去する基板処理方法および基板処理装置において、スループットの低下を招くことなく、しかも優れた面内均一性でパーティクル等を除去する。
【解決手段】基板Ｗの回転中心Ｐ（０）から基板Ｗの外縁側に離れた初期位置Ｐ（Ｒin）の上方に冷却ガス吐出ノズル７を配置し、回転している基板Ｗの初期位置Ｐ（Ｒin）に冷却ガスを供給して、初期位置Ｐ（Ｒin）および回転中心Ｐ（０）を含む初期領域に付着するＤＩＷを凝固させる。そして、初期凝固領域ＦＲ0の形成に続いて、ノズル７から冷却ガスを供給しながら初期位置Ｐ（Ｒin）の上方から基板Ｗの外縁部の上方まで移動させることによって、凝固される範囲を基板Ｗの外縁側に広げて基板表面Ｗｆに付着していた全ＤＩＷ（凝固対象液）を凝固して液膜ＬＦ全体を凍結する。 （もっと読む）

【課題】処理液消費量の低減を実現できるとともに、基板の広範囲に処理液を行き渡らせることができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ノズル３の対向面２３には吐出口２６が形成されている。対向面２３を、水平姿勢のウエハＷ表面に微小間隔Ｓを隔てて対向配置させる。ウエハＷの回転開始後、ウエハＷ表面の対向領域Ａ１と対向面２３との間の空間にＤＩＷを供給し、当該空間を液密状態とするとともにＤＩＷの供給を停止して、当該空間にＤＩＷの液溜まりＤＬを形成する。液溜まりＤＬの形成後、吐出口２６からＤＩＷが吐出される。ウエハＷの表面にＤＩＷの液膜が形成された後、吐出口２６からＤＩＷに代えて薬液が吐出される。ウエハＷの表面を覆う液膜が、ＤＩＷから薬液へと置換される。 （もっと読む）

【課題】樹脂膜を形成する際、一定の厚さの樹脂膜が安定的に形成される方法、さらに、この樹脂膜を用いて精度の高いパターンを形成する方法を提供する。
【解決手段】基板に樹脂膜を形成するとき、まず、無機組成物を主成分とする基板と、前記基板に形成しようとする樹脂膜との間を化学結合させる中間層を前記基板に形成する。この後、基板に対して、前記基板の縁部に形成された前記中間層の縁領域の除去処理を行う。この後、除去処理の行われた基板に樹脂膜をスピンコートし、樹脂膜を基板と化学結合させて硬化させる。最後に、硬化した前記樹脂膜に振動を与えることにより、基板の縁部に形成された樹脂膜を除去する。この樹脂膜を用いて精度の高いパターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】さほど製造工程数を多くすることなくパターン倒壊を防止できる半導体基板の表面処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の洗浄方法は、レジストに覆われた第１パターンと、前記レジストに覆われていない第２パターンとを有する半導体基板にレジスト非溶解性の第１薬液を供給して前記第２パターンに対する薬液処理を行う工程と、前記第１薬液の供給後に、前記半導体基板に撥水化剤とレジスト溶解性の第２薬液との混合液を供給し、少なくとも前記第２パターンの表面に撥水性保護膜を形成すると共に、前記レジストを剥離する工程と、前記撥水性保護膜の形成後に水を用いて前記半導体基板をリンスする工程と、リンスした前記半導体基板を乾燥させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストを除去するための溶液を均一に混合して定量を基板に提供する。
【解決手段】薬液供給ユニットは本体、第１供給管、第２供給管、及び回転防止部材を含む。本体は薬液を受け入れる円形断面を有する内部空間及び内部空間と連結されて薬液を下方に吐き出す吐出口を有する。第１供給管は本体の側面に備わって内部空間と接線形態で連結され、第１薬液が内部空間に沿って回転するように第１薬液を内部空間に供給する。第２供給管は本体を貫通して本体の中心側と隣接する端部を有し、第１薬液と混合するように第２薬液を内部空間に供給する。回転防止部材は吐出口に配置し、第１薬液と第２薬液の混合薬液が回転しながら吐き出すことを防ぐために混合薬液の回転を減少させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、リフトオフ法を用いたパターン形成方法を実施したとしても、導電性パターンのエッジ付近にバリが発生することがない、リフトオフ法を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明では、まず、導電性パターン６のエッジ部が位置するウエハ基板１の表面内に、溝２を形成する。次に、溝２が露出する開口部３ａを有するレジスト３を、ウエハ基板１上に形成する。次に、開口部３ａから露出するウエハ基板１上とレジスト３上とに、導電性膜５を形成する。そして、レジスト３を除去することにより、ウエハ基板１上に導電性パターン６を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体製造工程において、高濃度かつ高エネルギーのイオンを注入したことにより、レジスト膜に形成された硬いカーボン層を、容易に剥離することを目的とするものである。
【解決手段】本発明は、基板への高濃度かつ高エネルギーのイオン注入によりレジスト膜から水素が抜けて硬化したカーボン層に対し水蒸気雰囲気下の真空チャンバー内で発生させたプラズマを短時間照射するプラズマ処理工程と、前記カーボン層に水素が戻ったレジスト膜を常圧下において薬液で洗浄及び乾燥する薬液処理工程とからなることを特徴とするイオン注入によりカーボン層が形成されたレジストの除去方法の構成とした。 （もっと読む）

【課題】アンモニア過水処理以降に、硫酸過酸化水素水のミストが基板に付着することを防止できる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理部ＰＣは、４つの硫酸過水処理チャンバ１と、４つのアンモニア過水処理チャンバ２とを備えている。硫酸過水処理チャンバ１内において、ウエハＷに対して、ＳＰＭを用いた硫酸過水処理が行われる。硫酸過水処理後のウエハＷは、硫酸過水処理チャンバ１からアンモニア過水処理チャンバ２へ移送され、アンモニア過水処理チャンバ２内において、ＳＣ１を用いたアンモニア過水処理を受ける。アンモニア過水処理チャンバ２は、硫酸過水処理チャンバ１から隔離されているので、アンモニア過水処理チャンバ２内には、ＳＰＭのミストが存在しない。 （もっと読む）

【課題】高ドーズ量のイオン注入実施後の硬化層を有するレジスト膜を、半導体基板をほぼ酸化させず、またパーティクルを発生することなく短時間で除去できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に有機ポリマーからなるレジスト膜のパターンが形成される。次いで、当該レジスト膜パターンをマスクとして半導体基板に１×１０¹⁴ｃｍ^-2以上のドーズ量で不純物イオンが注入される。イオン注入マスクとして使用されたレジスト膜パターンが酸化工程、膨潤化工程、除去工程を順に経ることにより除去される。酸化工程では、イオン注入によりレジスト膜パターンの表面部に形成された硬化層を酸化する処理が実施される。膨潤化工程では、薬液を用いて硬化層の酸化が実施されたレジスト膜パターンを構成する有機ポリマーを膨潤させる処理が実施される。除去工程では、膨潤したレジスト膜パターンが膨潤化に使用された薬液を用いて除去される。 （もっと読む）

【課題】洗浄液のランニングコストを低減する洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄液を循環させながら基板を洗浄する洗浄槽と、洗浄槽の排気中に含まれる気化している洗浄液を液化する凝縮器と、凝縮器により液化された洗浄液を洗浄槽に還流する還流手段とを備える。前記洗浄液は炭酸エチレンを含み、凝縮器は空気を冷媒としてもよく、気化している洗浄液の液化に伴って熱気として排出する。前記洗浄装置は、さらに、前記凝縮器から排出される熱気を、洗浄液の固化防止用熱源として洗浄装置の所定箇所に供給する。 （もっと読む）

【課題】アルカノールアミン系のレジスト除去用組成物では、レジスト除去能力が十分でなく、特に有機溶媒を分解しやすく、しかも半導体、フラットパネルディスプレー材料へのダメージが大きかった。
【解決手段】Ｎ−（シアノアルキル）−Ｎ’−（２−ヒドロキシアルキル）エチレンジアミンを含んでなるレジスト除去用組成物では、レジスト除去能が高く、なおかつ有機溶媒を分解せず、半導体、フラットパネルディスプレー材料へのダメージがない。Ｎ−（シアノアルキル）−Ｎ’−（２−ヒドロキシアルキル）エチレンジアミンとしては、Ｎ−（シアノアルキル）−Ｎ’−（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン、（２−シアノエチル）−Ｎ’−（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン、Ｎ−（２−メチル−２−シアノエチル）−Ｎ’−（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン等が好ましい。 （もっと読む）

【課題】複数の吐出口から処理液を吐出させて基板に対して所定の表面処理を行う際に、基板を支持部材に均一に押圧させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】２つのノズル３Ａ，３Ｂが単一のノズルアーム３１に装着される。このノズルアーム３１が移動されてノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂの各々にノズル３Ａ，３Ｂが同時に挿入される。各ノズル３Ａ，３Ｂには単一の吐出口３０１ａが開口しているのみであり、ノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂの開口部５２１を小さくすることができる。これにより、間隙空間ＳＰに発生する気流の乱れが低減される。しかも、各ノズル３Ａ，３Ｂは互いに同一形状に形成されるとともに各ノズル挿入孔５２Ａ，５２Ｂが互いに同一形状に形成されているので、間隙空間ＳＰに発生する気流に与える影響を均一にすることができる。 （もっと読む）

【課題】微細な金属配線パターンが形成された半導体ウェハに対して、薬液やリンス液による配線への悪影響を抑制しつつウェハ上の堆積物を除去する。
【解決手段】半導体製造方法は、半導体基板上に形成された膜にエッチングを施す工程と、エッチングの後に、膜上の堆積物を剥離する薬液を所定の回転数よりも回転数が小さい状態の半導体基板に供給し、その後、半導体基板を所定の回転数よりも大きい高回転数で回転する剥離工程とを含む。この方法において、薬液が供給される時間は４５秒以内である。この方法は、剥離工程が２回以上実行されるシークエンスを含む。 （もっと読む）

【課題】簡便にかつかなりの確度を持って注入イオンなど荷電エネルギー粒子によってフォトレジストのような樹脂膜表面に形成される変質層を評価することができる樹脂膜の評価方法および当該評価方法を適用した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜２上に、絶縁膜２の表面を露出する開口部４を有する樹脂膜３が形成された基板に荷電エネルギー粒子６が照射される。次いで、荷電エネルギー粒子６が照射された基板表面の表面電位が測定される。当該測定結果に基づいて、上記樹脂膜３の表面電位と開口部に露出した絶縁膜２の表面電位との電位差が求められる。当該表面電位の電位差から、荷電エネルギー粒子６を照射した樹脂膜３に、樹脂膜除去などの所定の処理を行った際に得られる樹脂膜残渣数などの物理量が予測される。 （もっと読む）

【課題】マイクロバブルまたはナノバブルを含む処理液を使用する基板処理装置および基板処理方法において、基板に対してマイクロバブルまたはナノバブルを効果的に作用させることができる技術を提供する。
【解決手段】マイクロバブル洗浄処理部４０は、圧送される洗浄液中に注入する窒素ガスの流量を調節することにより、洗浄液中に含まれるマイクロバブルのサイズを調節することができる。このため、除去対象となるパーティクルのサイズに応じて最適なサイズのマイクロバブルを多量に供給することができ、基板に対してマイクロバブルを効果的に作用させることができる。 （もっと読む）

【課題】アルコキシシランの縮合物を含む感光性組成物を基板上に塗布し、感光性組成物を硬化させて得られた膜を基板から剥離する方法であって、酸やアルカリ、又は有機溶剤等の特殊な液を用いることなく、膜を基板から剥離することを可能とする膜の剥離方法を提供する。
【解決手段】アルコキシシランの縮合物（Ａ）と、活性エネルギー線の照射によりアルコキシシランの縮合物を架橋させる物質（Ｂ）とを含む感光性組成物１を基板２上に塗布した後に、活性エネルギー線を照射することにより感光性組成物１を硬化させて得られた膜１Ｃを基板２から剥離する方法であって、８０〜１００℃の水中で超音波を膜１Ｃにあてることにより膜１Ｃを基板２から剥離する、膜１Ｃの剥離方法。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体基板洗浄装置において、リンス終了時に、液化した添加剤が基板洗浄槽に流入することによって、ウェハを濡らし、微細構造を破壊してしまうのを防ぐこと。
【解決手段】基板処理槽２に添加剤２２、２３を含む超臨界流体を供給して被洗浄体を洗浄処理し、その後に前記超臨界流体によるリンス処理を行う洗浄方法であって、前記リンス処理時に、添加剤配管から分岐した分岐配管１１、１２の背圧弁１３、１４を開放し、前記超臨界流体を前記添加剤配管４、５及び分岐配管１１、１２に流通させて、前記添加剤配管４、５内の残留添加剤２２Ａ、２３Ａをパージする。 （もっと読む）

【課題】 排液カップに集められた処理液を速やかに排出できるとともに、基板保持体の裏面側に漏出した処理液についても確実に集液できる液処理装置を提供する。
【解決手段】 液処理装置１００は、ウエハＷを水平に保持し、ウエハＷとともに回転可能な回転プレート１１と、回転プレート１１に保持されたウエハＷを囲繞するように環状をなし、回転するウエハＷから振り切られた処理液を受け止める回転カップ４と、回転プレート１１を回転させる回転モータ３と、ウエハＷに処理液を供給する表面処理液供給ノズル５と、回転カップ４に対応した環状をなし、前記回転カップ４から排出された処理液を受け止める主液受け部５６および主液受け部５６よりも内側に設けられ、回転プレート１１の裏面に漏出した処理液を受け止める副液受け部を有する排液カップと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】いろいろな特化されたアミン化合物を含む剥離液を使用する剥離工程といろいろな種類のレジストと剥離液が使用される場合に発生したレジスト剥離廃液を経済性良く再生することに特に適したレジスト剥離廃液再生方法および再生装置を提供する。
【解決手段】本発明は、水、レジスト、アミン化合物、有機溶媒を含むレジスト剥離廃液を再生する方法であって、（ａ）レジスト剥離廃液のアミン化合物と反応し、アミン化合物が有機溶媒蒸留時に蒸留されないアミン−酸化合物を形成する酸を添加する工程；および（ｂ）前記（ａ）工程の反応物を分別蒸留させて有機溶媒のみを収得する工程を含むことを特徴とするレジスト剥離廃液の再生方法及びこれに適した再生装置に関する。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストパターンを溶解し所望のレジストパターンを形成するリフロー処理において、パターン形成されたフォトレジストの膜厚を基板面内で均一とし、且つ、パターン形成にかかる処理時間を短縮し生産効率を向上することのできる基板処理方法を提供する。
【解決手段】下地膜のエッチングマスクとして使用されたフォトレジストパターンの一部を再現像処理により除去するステップＳ２と、再現像処理により下地膜上に残存するフォトレジストパターンに露光処理を施し、フォトレジストパターンを表面改質するステップＳ３と、露光処理されたフォトレジストパターンを溶剤雰囲気に曝して溶解し、所定エリアをマスクするステップＳ４とを実行する。 （もっと読む）