【課題】過硫酸含有硫酸溶液を用いた電子材料の洗浄を廃液を伴うことを短時間かつ効果的に行うことを可能にする。
【解決手段】７０質量％以上の硫酸溶液を電解する電解部１１と、電解部１１で電解されて得られた過硫酸含有硫酸溶液を送液する送りラインと、送りラインで送液される過硫酸含有硫酸溶液が収容される洗浄槽２１と、オゾンを生成するオゾン生成部（オゾン発生器２８）と、オゾン生成部で生成されたオゾンを洗浄槽２１内の過硫酸含有硫酸溶液に供給するオゾン供給部（オゾン供給管２６、バブリングノズル２７）を備える電子材料洗浄装置１を用いて、電解して得られた過硫酸含有硫酸溶液が収容されている洗浄槽に電子材料１００を浸漬して洗浄を行うとともに、洗浄中に洗浄槽２１内の過硫酸含有硫酸溶液にオゾンガスを供給することでオゾンの分解を促し、優れた酸化力を得る。 （もっと読む）

【課題】過硫酸を含む硫酸溶液を洗浄液として、循環利用して電子材料を洗浄する際に、洗浄排液の廃棄と循環とを効果的に選り分けることを可能にする。
【解決手段】過硫酸を含む硫酸溶液を洗浄液として電子材料に供給することにより該電子材料に前記洗浄液を接触させて該電子材料を枚葉式で洗浄し、洗浄排液を系内に循環させ過硫酸を再生して前記洗浄液として再利用する洗浄方法において、前記電子材料ごとの洗浄開始から洗浄終了までの間に、前記洗浄開始から、第１のタイミングまでは、前記洗浄排液を系内に循環させ、前記第１のタイミング後、第２のタイミングまでは、前記洗浄排液を系外に廃棄し、前記第２タイミング後、洗浄終了まで、前記洗浄排液を系内に循環させることで、レジスト濃度の高い時間帯の洗浄排液は系外に廃棄し、それ以外の時間帯の洗浄排液は系内に循環し再利用することが可能になり、効果的な選り分けが可能になる。 （もっと読む）

【課題】酸化性物質を含む硫酸溶液に水溶液を混合して電子材料を洗浄する際に、水溶液使用量、廃液処理量、硫酸濃度の低下を招く課題を解決する。
【解決手段】過硫酸物質を含む硫酸濃度７０質量％以上の硫酸溶液を洗浄液として電子材料に供給することにより前記洗浄液を前記電子材料に接触させて前記電子材料を洗浄する枚葉式の電子材料洗浄方法において、前記洗浄液に水溶液を混合させて、混合直後に該洗浄液を前記電子材料に接触させる第１洗浄工程と、該第１洗浄工程の後に、前記洗浄液に前記水溶液を混合させることなく前記洗浄液を前記電子材料に接触させる第２洗浄工程とを含むことで、洗浄効果を良好に維持したままで、水溶液使用量、廃液使用量、硫酸濃度の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面のフォトレジスト膜などの有機物または金属粒子などを除去する洗浄工程を簡略化し、半導体装置の製造コストを低減する。
【解決手段】ＳＰＭ洗浄、ＡＰＭ洗浄およびＨＰＭ洗浄を行わず、過硫酸生成装置を用いて生成された過硫酸を含む硫酸溶液を用いて半導体ウエハの表面を洗浄し、フォトレジスト膜などの有機物または金属粒子などを除去した後に、半導体ウエハを純水洗浄し、乾燥させる。これにより、過酸化水素水の補充を必要とするＳＰＭ洗浄を行う場合に比べて高いレジスト除去性能を維持し、また、少ない工程で洗浄を完了することができる。 （もっと読む）

【課題】配線パターンへのダメージを抑えつつ、硬化層が形成されたレジスト膜を除去することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】硬化層を有するレジスト膜からなるマスクがその表面に形成された基板Ｗを処理する基板処理装置２において、基板保持部２３は基板Ｗを裏面側から保持し、押圧部３１には、この基板保持部２３に保持された基板Ｗの硬化層を突き刺して損傷させるための多数の突起が設けられており、移動機構３４、３４１は、基板Ｗの表面に対して前記突起を押し付けて硬化層に突き刺す押圧位置と、基板Ｗから退避させた退避位置との間で前記押圧部３１を移動させる。 （もっと読む）

【課題】その表面にレジスト膜からなるマスクが形成され、周縁部のレジスト膜の膜厚が中央領域よりも厚い基板にダメージを与えずに、当該基板の表面に形成されたレジスト膜を確実に除去できる技術を提供すること。
【解決手段】前記基板の表面全体にレジスト膜を酸化するための酸化性の処理流体を供給し、レジスト膜を除去する第１の工程と、前記基板の周縁部に当該基板の辺に沿ってアルカリ性の処理液をノズルから吐出して、基板の端部のレジストを除去する第２の工程と、を実施することにより、基板の端部におけるレジスト膜の残留を防ぎ、基板に与えるダメージを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】ＳＰＭ法において、ウエハ等を効果的に洗浄することを可能にし、所望によっては洗浄後の溶液の循環使用を可能にする。
【解決手段】洗浄方法として、硫酸溶液と過酸化水素水とを混合した後、混合液を加熱して被洗浄材の洗浄に供するものとし、洗浄システムでは、硫酸溶液と過酸化水素水とを混合して貯液する混合貯液部と、前記混合貯液部から供給される混合液を通液しつつ加熱する加熱器と、前記加熱器から供給される加熱混合液を洗浄液として用いる洗浄部と、を備えるものとすることで、硫酸溶液と過酸化水素水との混合によって、酸化力の強い混合溶液が得られ、混合後、加熱された混合溶液を用いて被洗浄材を効果的に洗浄できる。 （もっと読む）

【課題】優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅をほとんど腐食しない安価なレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】アルカノールアミンと芳香族有機酸を含むレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離する。アルカノールアミンは、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルエタノールアミン、アミノエトキシエタノール、及びＮ，Ｎ−ジメチルアミノエトキシエタノール、プロパノールアミンからなる群より選ばれる少なくとも一種である。芳香族有機酸が、芳香族スルホン酸及び芳香族カルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも一種である。 （もっと読む）

【課題】基板のリンス処理時に、基板が熱変形したり、処理液とリンス液とが反応したりするのを防止して、リンス液の飛散を防止すること。
【解決手段】本発明では、基板の表面を処理液で液処理した後に処理液よりも低温のリンス液でリンス処理する基板液処理において、液処理とリンス処理との間に基板の表面の温度を処理液の液温未満かつリンス液の液温より高い温度にする中間処理を行うことにした。中間処理は、処理液の液温未満かつリンス液の液温より高い温度の中間処理液を基板に供給することにした。また、中間処理液を基板の裏面のみに供給することにした。また、処理液及びリンス液の供給を停止した状態で基板を回転させることにした。また、液処理時に処理液として反応熱の生成を伴う化学反応を行う複数種類の薬液の混合液を基板に供給するとともに、中間処理時にいずれかの薬液の供給を停止することにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲート絶縁膜や基板などを損傷させることなく、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性により優れた半導体基板の洗浄方法を提供することを目的とする。
【解決手段】発泡剤成分および発泡助剤成分を半導体基板に供給して、前記発泡剤成分と前記発泡助剤成分との混合液中で半導体基板を洗浄する、半導体基板の洗浄方法であって、前記発泡剤成分が炭酸塩を含有し、前記発泡助剤成分が酸性化合物を含有し、前記混合液のｐＨが７．５未満である、半導体基板の洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】レジスト剥離液成分含有水から効率よくレジスト剥離液を回収することができるレジスト剥離液の再生方法及び装置を提供する。
【解決手段】吸着工程では、レジスト剥離液成分含有水（原水）が原水供給ライン１１から吸着材充填塔１内に供給され、該原水中のレジスト剥離液成分が吸着材１ａに吸着される。レジスト剥離液成分が吸着された処理水は、処理水抜出ライン１２から抜き出されて系外に排出される。脱離工程では、過熱水蒸気が過熱水蒸気供給ライン１３ａから吸着材充填塔１内に供給され、吸着材１ａに吸着されたレジスト剥離液成分が脱離される。この脱離したレジスト剥離液成分と過熱水蒸気との混合流体（気体）が、混合流体抜出ライン１４ａから抜き出され、蒸留塔２に供給される。この蒸留塔２内において、レジスト剥離液成分（アルカノールアミン、有機溶媒等）と水蒸気とが分留される（蒸留工程）。 （もっと読む）

【課題】電子材料の洗浄における例えばレジストの剥離処理等に要する時間を短縮し、さらにレジスト剥離後のウエット洗浄によりレジスト残渣を短時間に確実に除去し得る低コストで省資源化の可能な洗浄方法を提供する。
【解決手段】キャリアガス制御弁１４を開成し、これとともに加圧ガス制御弁１９を開成して所定の圧力で加圧ガスを供給することにより加圧板１６を押圧して、気体貯槽１５内のキャリアガスＧを所定の圧力として、キャリアガス供給配管７に供給する。これとともに洗浄液Ｗ１を二流体ノズル８へ供給する。このようにして二流体ノズル８で混合された洗浄液Ｗ１とキャリアガスＧとから生成される液滴Ｗ２の噴流を、シリコンウエハ５に接触させて、該シリコンウエハ５の表面を洗浄する。洗浄液Ｗ１としては、硫酸を電気分解して得られる過硫酸を含有する硫酸溶液が好ましい。 （もっと読む）

【課題】過硫酸含有濃硫酸溶液などの流体を短時間で高温に加熱できる流体加熱方法、液体加熱装置、ならびに電子材料の洗浄方法および洗浄システムを提供する。
【解決手段】流路厚みまたは流路径が１０ｍｍ以下の流路に液体を通液し、該流路の厚み方向または周囲の一方向から流路面に向けてマイクロ波を照射し、流路厚みまたは流路径が２５ｍｍ以下の流路には厚み方向両側または全周囲から流路面に向けてマイクロ波を照射することで、流路内を通液される液体を瞬時に均一に加熱でき、液体を加熱することによる化学変化などを抑制することができ、過硫酸を洗浄液として用いる電子材料の洗浄システムなどに好適に利用することができる。 （もっと読む）

【課題】電子材料のレジストの剥離処理に要する時間を短縮し、さらにレジスト剥離後のウエット洗浄によりレジスト残渣を短時間に確実に除去し得る電子材料洗浄システムを提供する。
【解決手段】電子材料洗浄システムは、薬液洗浄手段１とウエット洗浄手段２と枚葉式洗浄装置３とを備える。薬液洗浄手段１は、機能性薬液貯留槽６と、この機能性薬液貯留槽６に濃硫酸電解ライン７を介して接続した電解反応装置８とを有する。この機能性薬液貯留槽６は、機能性薬液供給ライン１０を介して枚葉式洗浄装置３に機能性薬液Ｗ１を供給可能となっている。ウエット洗浄手段２は、純水の供給ライン２１と窒素ガス源に連通した窒素ガス供給ライン２２と、これら純水供給ライン２１及び窒素ガス供給ライン２２がそれぞれ接続した内部混合型の二流体ノズル２３とを備える。二流体ノズル２３の先端から窒素ガスと超純水とから生成される液滴Ｗ２を噴射可能となっている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハー洗浄プロセスにおける、完全ケミカルフリー・純水フリータイプのドライ型アッシングレス洗浄システム並びに洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面にレジストを有している基体を加温又は加熱せしめ、該加温又は加熱された半導体ウエハー表面上のレジストに対して、極低温マイクロソリッド微粒化ノズルから極低温マイクロ・ナノソリッド噴霧流体のジェット流を衝突させる。 （もっと読む）

【課題】ウエハを保持する保持部材等の劣化促進を抑制することを課題とする。
【解決手段】保持部材に保持されたウエハ上に６０℃以上の第１の液体を供給し、ウエハ上に形成された第１の層の一部を除去する第１除去工程（ステップＳ１）と、第１除去工程の後、ウエハを冷却する工程（ステップＳ２）と、ウエハを冷却する工程の後、保持部材に保持されたウエハ上に６０℃以上の第１の液体を供給し、第１除去工程で除去できなかった第１の層を除去する第２除去工程（ステップＳ３）と、を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】硫酸と過酸化水素水との混合液を用いて被処理基板から汚染物質を除去する処理にあたり、前記混合液による汚染物質の除去能の低下を抑制することが可能な基板処理装置などを提供する。
【解決手段】
処理槽２１には、被処理基板Ｗを浸漬し処理するための硫酸と過酸化水素水との混合液が貯溜され、加熱部４１２は、処理槽２１内の混合液を循環させる循環路４１０、２２に設けられて混合液を加熱し、過酸化水素水供給部４２０は、循環路４１０、２２における加熱部４１２の下流側であって、当該循環路４１０、２２の出口の直前位置にて混合液に過酸化水素水を補充供給する。制御部５は、液温検出部２５の温度検出値に基づいて処理槽２１内の液温を１３５℃〜１７０℃の範囲の設定温度に調節すると共に、加熱によって蒸発した混合液を補充するために硫酸供給部４３０より硫酸を補充供給するように制御信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜を剥離する際に、残すべきパターンの剥離や、バリ、ブリッジングなどの不良の発生を抑えて、歩留まり向上させる。
【解決手段】まず、基板１の一方の面にレジスト７１の膜を形成する（ステップＳ１）。次に、レジストが形成された基板上に金属、半導体および絶縁体から選択された薄膜７２を成膜する（ステップＳ２）。次に、薄膜７２が成膜された基板１を加熱する（ステップＳ３）。レジスト７１が付いた基板１をこのように加熱することにより、レジスト７１が軟化、変形し、レジスト７１上に付着した薄膜７２もそれに応じて変形し、薄膜表面には皺ＷやクラックＣが生じる。次に、高圧ジェットリフトオフ装置の高圧ジェットによりレジスト剥離液を吐出させて、レジスト７１の膜とそのレジスト７１上に成膜された薄膜７２を除去する（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】水蒸気と水とを組み合わせて照射する洗浄方法において、水分子の浸透時間に制限されず対象物を傷めることなく確実に洗浄する方法の提供。
【解決手段】水蒸気供給部Ａ、純水供給部Ｂ、水蒸気流体調整部Ｃ、混相流体照射部Ｄ、ウェハ保持・回転・上下機構部Ｅを有する構成であって、混相流体照射部Ｄの混合部１４４は、照射ノズル１４１の上流側に設置されており、該混合部１４４及び照射ノズル１４１は内壁面が略連続的な曲面を形成するとともに、該混合部１４４内壁面の一部に水導入部を有し、該照射ノズル１４１は、ノズル上流側からノズル出口へと向かうに従って縮径し、更に、最小断面積となるのど部を境に、拡径する末広構造を有し、前記混合部１４４内を流動する水蒸気に水を混合して、前記ノズル１４１の出口から混相流体として噴射することにより、対象物に液滴が衝突する際のキャビテーションを制御する。 （もっと読む）

【課題】硬化層が形成されたレジストを、基層にダメージを与えないように除去する。
【解決手段】レジスト除去方法は、イオンが注入されているレジストに、当該イオンの注入によって形成されたレジストの硬化層にアルカリ可溶性を生じさせる程度の紫外光を照射する照射工程と、前記レジストをアルカリ溶液に接触させて当該レジストをシリコン基板から剥離させる除去工程と、を含む。レジストには、１×１０^１４〜５×１０^１５個／ｃｍ^２のイオンが注入されており、前記照射工程における紫外光の照射量を少なくとも１８００ｍＪ／ｃｍ^２とし、前記除去工程では、６０℃以上に加熱された前記アルカリ溶液を用いる。 （もっと読む）