説明

Fターム[5F046MA07]の内容

半導体の露光(電子、イオン線露光を除く) (57,085) | レジスト膜の剥離 (1,727) | 湿式剥離 (1,360) | 他に分類されない湿式剥離方法 (79)

Fターム[5F046MA07]に分類される特許

1 - 20 / 79


【課題】洗浄後の欠陥の発生が極めて少ないフォトマスク関連基板を得られる洗浄方法及び洗浄装置提供することを目的とする。
【解決手段】フォトマスク関連基板の洗浄方法において、少なくとも、前記フォトマスク関連基板の表面の異物をあらかじめ除去する前処理工程と、該前処理工程の後に前記フォトマスク関連基板にUV光を照射するUV照射工程と、該UV照射工程の後に前記フォトマスク関連基板を湿式で洗浄する湿式洗浄工程とを行うことを特徴とするフォトマスク関連基板の洗浄方法。 (もっと読む)


【課題】配線パターンへのダメージを抑えつつ、硬化層が形成されたレジスト膜を除去することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】硬化層を有するレジスト膜からなるマスクがその表面に形成された基板Wを処理する基板処理装置2において、基板保持部23は基板Wを裏面側から保持し、押圧部31には、この基板保持部23に保持された基板Wの硬化層を突き刺して損傷させるための多数の突起が設けられており、移動機構34、341は、基板Wの表面に対して前記突起を押し付けて硬化層に突き刺す押圧位置と、基板Wから退避させた退避位置との間で前記押圧部31を移動させる。 (もっと読む)


【課題】基板の周縁部を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 周縁部981に凝固対象液としてのDIWが付着した基板Wを略水平に保持しながら回転し、基板Wの周縁部981に、凝固手段35から凝固用気体である窒素ガスを供給して基板Wの周縁部981に付着するDIWを凝固し、凝固手段35から窒素ガスが供給されているとは離間した位置に、融解手段41から融解液であるDIWを供給してDIWの凝固体を融解する。これにより、基板Wを回転しながら連続して凝固対象液の凝固と融解を行うことが可能となり、処理に要する時間を短縮することができる。 (もっと読む)


【課題】洗浄対象となる基板近傍にて光触媒反応を利用してOHラジカルを潤沢に発生させることによって、基板上に付着した有機物等のパーティクルを効果的に除去することのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象である基板W上の被処理面W1を洗浄する第1のノズル11と、被処理面W1上に液を供給する第2のノズル12と、を備え、第1のノズル11は、被処理面W1に対向し液に接触する光触媒11aと、光触媒11aを保持する保持部材11bと、保持部材11bを透過して光触媒11aに光を照射する光源11cとを備える。 (もっと読む)


【課題】メガソニック洗浄方法及び洗浄装置を提供すること。
【解決手段】メガソニック洗浄方法として、洗浄対象体と区分される空間で、メガソニックによって洗浄液を起電させてマイクロ空洞を生成させる。生成されたマイクロ空洞のうち、安定な振動のマイクロ空洞のみを洗浄対象体がロードされた空間に移動させる。また、前記安定な振動のマイクロ空洞を利用して前記洗浄対象体の表面を洗浄する。前記方法によると、洗浄対象体内のパターンの損傷を防ぎ且つ洗浄対象体表面のパーティクルを効果的に除去することができる。 (もっと読む)


【課題】レジスト膜を剥離する際に、残すべきパターンの剥離や、バリ、ブリッジングなどの不良の発生を抑えて、歩留まり向上させる。
【解決手段】まず、基板1の一方の面にレジスト71の膜を形成する(ステップS1)。次に、レジストが形成された基板上に金属、半導体および絶縁体から選択された薄膜72を成膜する(ステップS2)。次に、薄膜72が成膜された基板1を加熱する(ステップS3)。レジスト71が付いた基板1をこのように加熱することにより、レジスト71が軟化、変形し、レジスト71上に付着した薄膜72もそれに応じて変形し、薄膜表面には皺WやクラックCが生じる。次に、高圧ジェットリフトオフ装置の高圧ジェットによりレジスト剥離液を吐出させて、レジスト71の膜とそのレジスト71上に成膜された薄膜72を除去する(ステップS4)。 (もっと読む)


【課題】処理対象物の表面の損傷を抑制して表面処理の高効率化を図ることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射部10の窓14から出力された電子ビームは、薄膜27を通過して配管24内の処理溶液80に照射され、その処理溶液80を活性化する。その活性化された処理溶液80は、溶液タンク23に注がれ、その溶液タンク23の中に入れられた処理対象物90の表面処理に使われる。処理溶液80が酸またはアルカリを含む場合、その処理溶液80に電子ビームが照射された後でも、その処理溶液80の活性化状態は充分に長い時間に亘って持続する。したがって、電子ビームが照射されて活性化された処理溶液80が処理対象物90の表面に供給される場合にも、その処理対象物90の表面処理の効率化を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】完全に乾燥させる前の少なくとも一部に液体が付着している基板表面の性状を、基板全体を乾燥させることなく疎水性から親水性に改質することで、乾燥後にウォーターマークが発生することを極力抑制するとともに、IPAなどの有機溶剤の使用を削減できるようにする。
【解決手段】液体が付着した基板表面の一部の領域に液排除ガスを吹き付けて液体を該ガスで基板表面から排除した露出領域を形成するか、または基板表面の液体の一部を吸引して基板表面の一部の領域に液体を排除した露出領域を形成し、露出領域にプラズマ含有ガスを吹き付けて該露出領域に位置する基板表面の性状を疎水性から親水性に改質する。 (もっと読む)


【課題】有機物質、特に半導体ウエハーのような支持体からのホトレジスト物質を除去する処理のための他の技術及び組成物を明らかにする。
【解決手段】物質、そして好ましくはホトレジスト、を支持体18から除去する方法であって、硫酸及び/又はその脱水種及び前駆体を含み水/硫酸モル比が5:1未満である液状硫酸組成物を該物質で被覆された支持体を実質的均一に被覆するのに有効な量で、物質で被覆された支持体上に投与することを含む方法。支持体は、液状硫酸組成物の投与前、投与中又は投与後の何れかにおいて、好ましくは、少なくとも約90℃の温度に加熱される。支持体が少なくとも約90℃の温度になった後に、液状硫酸組成物は、液状硫酸組成物の温度が水蒸気への暴露前の該液状硫酸組成物の温度よりも上昇するのに効果的な量の水蒸気に暴露される。支持体は次いで好ましくは洗浄されて物質を除去する。 (もっと読む)


【課題】耐薬品性に優れており、薬液処理に対するマスキング効果を発揮することができ、しかも剥離後の被着体への粘着剤の残渣のないマスキング用剥離性粘着テープを提供すること。
【解決手段】本発明のマスキング用剥離性粘着テープは、基材フィルムの片面に粘着層を設けてなるマスキング用剥離性粘着テープであって、前記粘着層を構成する粘着剤が、(A)常温で固体のゴム材料と、(B)末端に架橋基点を持つ液状物質と、(C)前記液状物質を架橋するための硬化剤と、を含有し、前記ゴム材料のバルク体中に、架橋後の液状物質が0.2μm〜20μmの径で分散していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 レジストの水による物性変化(膨潤性等)を利用して、レジスト膜を容易且つ確実に剥離する。これにより、資源・エネルギー多消費型技術からの脱却、すなわちレジストの除去にエネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現させる。
【解決手段】 水蒸気噴射ノズル3をラインスリットノズルが直径方向となるように配置してミスト含有水蒸気をレジスト膜の表面に噴射し、当該レジスト膜を剥離・除去する。 (もっと読む)


【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる際に用いられる半導体基板の表面処理剤を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面処理剤は、半導体基板上に形成され、少なくともそれぞれの一部にシリコンを含む膜を有し、表面が洗浄及び改質され、表面にヒドロキシル基を有する複数の凸形状パターンに対して供給されるものであって、前記ヒドロキシル基と反応する加水分解基を含み、前記シリコンを含む膜の表面に、前記シリコンを含む膜よりも水に対する濡れ性の低い撥水性保護膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】電子ビームによる処理対象物の表面の劣化を抑制可能な表面処理装置を提供する。
【解決手段】一端に第1の開口11を有し、他端に第2の開口12を有し、側面に処理液供給口13を有する反応管10と、第1の開口11の一部を塞ぐように設けられたシールド部材16aと、第2の開口12からシールド部材16aに向けて電子ビームを照射する電子ビーム照射手段20と、処理液供給口13から第1の開口11に向けて反応管10内の電子ビーム路17に処理液を噴霧する処理液噴霧手段30とを備える。 (もっと読む)


【課題】シロキサンポリマーを含む感光性組成物を基板上に塗工し、感光性組成物を硬化させることにより形成された膜を基板から剥離する方法であって、膜を基板から容易に剥離できる膜の剥離方法を提供する。
【解決手段】シロキサンポリマーと、活性エネルギー線の照射によりシロキサンポリマーを架橋させる物質とを含む感光性組成物1を基板2上に塗工した後に、感光性組成物1に活性エネルギー線を照射し、感光性組成物1を硬化させることにより形成された膜1Aを基板から剥離する方法であって、10〜50℃の水中で10〜500kHz及び10W〜3kWの条件で5〜60分間、膜1Aに超音波をあてることにより、膜1Aを基板2から剥離する膜1Aの剥離方法。 (もっと読む)


【課題】基板の一方主面に形成されたパターンへのダメージを抑制しながら基板の他方主面を良好に洗浄処理する。
【解決手段】基板Wの表面Wfに形成された液膜11fを凍結させることによって、パターンPTの間隙内部に入り込んだDIWが基板表面Wfに付着するDIWと一緒に凝固して凍結膜13fの一部となり、凍結膜13fによってパターンPTが構造的に補強される。そして、基板裏面Wbに対して低温処理液を供給しながら基板裏面Wbに形成される低温処理液の液膜11bに対して超音波振動が付加されて基板裏面Wbが超音波洗浄される。このように、凍結膜13fによりパターンPTが補強された状態のまま基板裏面Wbが超音波洗浄されるため、超音波洗浄によりパターンPTがダメージを受けることなく、基板裏面Wbを超音波洗浄によって良好に洗浄処理することができる。 (もっと読む)


【課題】基板上に形成されたパターンを破壊することなく、短時間でレジストを剥離することのできる、基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】イオン注入処理時のマスクとして基板上に形成され、イオン注入処理により表層部に硬化層が形成されたレジストに、流体を供給する工程と、前記流体を供給する工程の後に、前記レジストに、前記レジストを剥離する剥離液を供給する工程とを具備し、前記流体を供給する工程は、前記流体として、純水を流量比で1/400以上含む流体を供給する工程を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】基板洗浄装置において基板の生産性を向上させること。
【解決手段】基板洗浄装置2は、洗浄部材50により基板6を洗浄する位置から離れて設けられ、その下面がブラシ部と接触して当該ブラシ部を洗浄する洗浄面として形成されたブラシ洗浄体5と、洗浄部材を、基板を洗浄する領域とブラシ洗浄体によりブラシ部が洗浄される領域との間で移動させる移動手段と、ブラシ洗浄体の下面に洗浄部材のブラシ部を押し当て、ブラシ洗浄体と洗浄部材とを相対的に回転させるための手段と、ブラシ洗浄体とブラシ部材とを相対的に回転させているときにブラシ洗浄体の下面とブラシ部との間に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、を備える。 (もっと読む)


【課題】廃液処理の問題がなく設備費などを抑えながら、清浄効率や効果に優れた表面清浄化方法及び装置を提供する。
【解決手段】水中燃焼による表面清浄化方法であり、被洗浄物を保持しかつ被洗浄物表面を冠水ないしは水中に浸すとともに、燃焼炎を被洗浄物表面に該表面上の水を排除しながら照射し、該燃焼炎及び該燃焼炎にて発生する活性種に被洗浄物表面を曝すことにより該被洗浄物表面の汚染物を除去するようにした。また、前記燃焼炎は、保炎器を介して前記被洗浄物側へ照射されるとともに、前記被洗浄物が所定温度となるよう制御されることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】超臨界流体が基板洗浄空間内に形成する渦の中心位置を変更することができる基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、洗浄空間Sを規定する内壁25に対して所定の角度αで当該洗浄空間S内に超臨界流体を吐出させる3つ以上の流体吐出部21と、流体吐出部21にそれぞれ超臨界流体を供給するための供給流路と、供給流路から分流されて各流体吐出部21から吐出される超臨界流体の流量を制御する吐出流量制御手段30と、を備え、吐出流量制御手段30は、一部の流体吐出部21から第1の流量で超臨界流体が吐出されると共にそれ以外の流体吐出部21から第1の流量よりも小流量の第2の流量で超臨界流体が吐出され、且つ、第1の流量が分流される流体吐出部21が順次移行するように、供給流路11における超臨界流体の分流の流量を調整することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】遠心力とロータによる排液、排気効率を高めることのできる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基板処理方法は、被処理基板1を載置する試料ステージ2と、試料ステージ2内に配置するスピンロータ3と、スピンロータ3の中心部から液体を供給する供給ノズル4とを備え、スピンロータ3の回転によって、供給ノズル4から供給される液体を被処理基板1の外周方向に排出させることを特徴とする。 (もっと読む)


1 - 20 / 79