【課題】過硫酸含有硫酸溶液を用いた電子材料の洗浄を廃液を伴うことを短時間かつ効果的に行うことを可能にする。
【解決手段】７０質量％以上の硫酸溶液を電解する電解部１１と、電解部１１で電解されて得られた過硫酸含有硫酸溶液を送液する送りラインと、送りラインで送液される過硫酸含有硫酸溶液が収容される洗浄槽２１と、オゾンを生成するオゾン生成部（オゾン発生器２８）と、オゾン生成部で生成されたオゾンを洗浄槽２１内の過硫酸含有硫酸溶液に供給するオゾン供給部（オゾン供給管２６、バブリングノズル２７）を備える電子材料洗浄装置１を用いて、電解して得られた過硫酸含有硫酸溶液が収容されている洗浄槽に電子材料１００を浸漬して洗浄を行うとともに、洗浄中に洗浄槽２１内の過硫酸含有硫酸溶液にオゾンガスを供給することでオゾンの分解を促し、優れた酸化力を得る。 （もっと読む）

【課題】基板の下面に薬液を吐出するノズルと、基板の下面に処理液とガスを混合した二流体を吐出するノズルとを有する液処理装置において、ガス吐出用のラインに薬液が侵入することを防止する。
【解決手段】装置は、基板の下面に薬液を含む処理流体を吐出するための第１の吐出口６１と、基板の下面に処理液とガスとを混合した二流体を吐出するための第２の吐出口６２と、を有するノズル６０とを備える。ノズルの第２の吐出口の部分において第２の吐出口に処理液を導くための処理液吐出路６７ｂと第２の吐出口にガスを導くためのガス吐出路６８ｂが合流している。二流体スプレー処理を実行する際は、二流体スプレー処理の実行に必要な第１の流量でガスが第２の吐出口に流され、二流体スプレー処理を実行しない場合には、少なくとも第１の吐出口から第１の薬液が吐出されているときには、第１の流量よりも少ない第２の流量でガスが第２の吐出口に流される。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去する基板処理方法および基板処理装置において、スループットの低下を招くことなく、しかも優れた面内均一性でパーティクル等を除去する。
【解決手段】基板Ｗの回転中心Ｐ（０）から基板Ｗの外縁側に離れた初期位置Ｐ（Ｒin）の上方に冷却ガス吐出ノズル７を配置し、回転している基板Ｗの初期位置Ｐ（Ｒin）に冷却ガスを供給して、初期位置Ｐ（Ｒin）および回転中心Ｐ（０）を含む初期領域に付着するＤＩＷを凝固させる。そして、初期凝固領域ＦＲ0の形成に続いて、ノズル７から冷却ガスを供給しながら初期位置Ｐ（Ｒin）の上方から基板Ｗの外縁部の上方まで移動させることによって、凝固される範囲を基板Ｗの外縁側に広げて基板表面Ｗｆに付着していた全ＤＩＷ（凝固対象液）を凝固して液膜ＬＦ全体を凍結する。 （もっと読む）

【課題】水蒸気中の不純物を低減することで基板上の微粒子等を確実に除去すること。
【解決手段】純水ＰＷを加熱沸騰させて水蒸気を発生させる石英ガラス製の水蒸気発生容器１１０と、水蒸気発生容器１１０に純水ＰＷを供給する純水供給部４００と、水蒸気発生容器１１０で発生した飽和水蒸気ＳＶを加熱して過熱水蒸気ＨＶを生成する石英ガラス製の過熱水蒸気生成容器１５０と、過熱水蒸気生成容器１５０で発生した過熱水蒸気ＨＶを基板Ｗの表面に噴射させる基板処理装置３００とを備えている。 （もっと読む）

【課題】その表面にレジスト膜からなるマスクが形成され、周縁部のレジスト膜の膜厚が中央領域よりも厚い基板にダメージを与えずに、当該基板の表面に形成されたレジスト膜を確実に除去できる技術を提供すること。
【解決手段】前記基板の表面全体にレジスト膜を酸化するための酸化性の処理流体を供給し、レジスト膜を除去する第１の工程と、前記基板の周縁部に当該基板の辺に沿ってアルカリ性の処理液をノズルから吐出して、基板の端部のレジストを除去する第２の工程と、を実施することにより、基板の端部におけるレジスト膜の残留を防ぎ、基板に与えるダメージを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 洗浄液に溶解している気体の濃度を制御することで、被洗浄物へ洗浄効果を高めると同時に、気泡による被洗浄物へのダメージを最小限に抑えることができる超音波洗浄装置を提供すること。
【解決手段】 超音波洗浄装置１は、洗浄液７００に対して超音波振動を照射する振動子２００と、超音波振動を照射された洗浄液７００を用いて被洗浄物８００を超音波洗浄処理する洗浄処理部１００と、振動子２００を超音波振動させるために、電気信号を振動子２００に付与する発振器３００と、洗浄液７００に気体４１０を溶解する気体溶解部４００と、洗浄液７００において超音波振動から音圧Ｐを測定する音圧測定部５６０と、洗浄液７００を脱気する脱気部５８０と、音圧測定部５６０によって測定された音圧Ｐを基に、脱気部５８０を制御して洗浄液７００に対する気体４１０の脱気量を制御する制御部６００とを有している。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、被処理物の処理面における発火を検出することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、被処理物の処理面に有機溶媒を供給し、前記供給された有機溶媒を蒸散させる基板処理装置であって、前記処理面に有機溶媒を供給する有機溶媒供給部と、前記処理面における発火を検出する検出部と、を備えたこと、を特徴とする基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の洗浄、乾燥残りを抑制し、効果的な洗浄を行うことができる枚葉式洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】枚葉式洗浄装置において、少なくとも、円筒状の凹部及び該凹部の内壁面に沿って液体及び／又は気体を吐出する吐出口を有する旋回流形成部を少なくとも一つ有し、前記被洗浄物の洗浄及び／又は乾燥させる少なくとも片面に前記旋回流形成部が近接するように配設される洗浄テーブルと、前記洗浄テーブルの周辺に配設され、前記洗浄テーブルの旋回流形成部に近接する前記被洗浄物の側面に接触して固定保持する保持体とを具備し、前記旋回流形成部の吐出口から液体及び／又は気体を吐出させ、前記保持体で前記被洗浄物の側面を固定保持し、該吐出させた液体及び／又は気体によって前記被洗浄物の少なくとも片面を洗浄及び／又は乾燥するものである枚葉式洗浄装置。 （もっと読む）

【課題】洗浄液の液滴が噴射されるべき箇所における基板の表面の洗浄液の液膜の厚さを制御して所望の厚さで一定にすることができ、基板のデバイスパターンの破壊を抑制しながら、基板の表面に付着したパーティクル等を十分に除去することができ、基板に対する洗浄性能を向上させることができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、保持部１２により保持された基板Ｗに対して洗浄液の液滴を噴射する二流体ノズル３０と、保持部１２により保持された基板Ｗにガスを噴射するガスノズル４０と、を備えている。保持部１２により保持された基板Ｗにおいてガスノズル４０によりガスが噴射される位置が二流体ノズル３０により洗浄液の液滴が噴射される位置よりも基板Ｗの回転方向において上流側となるよう、二流体ノズル３０およびガスノズル４０が配置されている。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路装置の量産プロセスにおいては、多層レジストパターンの再生時等に、多層レジスト膜の中間膜であるシリコン含有レジスト膜を除去する必要があるが、シリコンを含有するため通常のレジスト剥離液や酸素プラズマ処理では、除去困難であることが明らかとなった。これは、シリコンを含まないレジスト等の除去液や酸素プラズマによる処理は、通常、シリコンの除去能力が低いからである。
【解決手段】本願の一つの発明は、半導体集積回路装置の製造プロセス中におけるウエハ上の多層レジスト膜のシリコン含有中間層の除去工程において、多層レジスト膜に対して、オゾン処理を施した後、薬液を用いたウエット処理を実施するものである。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ上に生じるパーティクルを低減する超臨界乾燥方法を提供する。
【解決手段】超臨界乾燥方法は、表面が薬液で濡れた半導体基板をチャンバ２１０内に導入する工程と、前記チャンバ内に超臨界流体を供給する工程と、前記チャンバ内の温度を前記薬液の臨界温度以上に調整し、圧力を前記薬液の臨界圧力以上に調整して、前記薬液を超臨界状態にする工程と、前記チャンバ内の圧力を下げ、前記超臨界状態の薬液を気体に変化させて、前記チャンバから排出する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】レジスト剥離液成分含有水から効率よくレジスト剥離液を回収することができるレジスト剥離液の再生方法及び装置を提供する。
【解決手段】吸着工程では、レジスト剥離液成分含有水（原水）が原水供給ライン１１から吸着材充填塔１内に供給され、該原水中のレジスト剥離液成分が吸着材１ａに吸着される。レジスト剥離液成分が吸着された処理水は、処理水抜出ライン１２から抜き出されて系外に排出される。脱離工程では、過熱水蒸気が過熱水蒸気供給ライン１３ａから吸着材充填塔１内に供給され、吸着材１ａに吸着されたレジスト剥離液成分が脱離される。この脱離したレジスト剥離液成分と過熱水蒸気との混合流体（気体）が、混合流体抜出ライン１４ａから抜き出され、蒸留塔２に供給される。この蒸留塔２内において、レジスト剥離液成分（アルカノールアミン、有機溶媒等）と水蒸気とが分留される（蒸留工程）。 （もっと読む）

【課題】電子材料の洗浄における例えばレジストの剥離処理等に要する時間を短縮し、さらにレジスト剥離後のウエット洗浄によりレジスト残渣を短時間に確実に除去し得る低コストで省資源化の可能な洗浄方法を提供する。
【解決手段】キャリアガス制御弁１４を開成し、これとともに加圧ガス制御弁１９を開成して所定の圧力で加圧ガスを供給することにより加圧板１６を押圧して、気体貯槽１５内のキャリアガスＧを所定の圧力として、キャリアガス供給配管７に供給する。これとともに洗浄液Ｗ１を二流体ノズル８へ供給する。このようにして二流体ノズル８で混合された洗浄液Ｗ１とキャリアガスＧとから生成される液滴Ｗ２の噴流を、シリコンウエハ５に接触させて、該シリコンウエハ５の表面を洗浄する。洗浄液Ｗ１としては、硫酸を電気分解して得られる過硫酸を含有する硫酸溶液が好ましい。 （もっと読む）

【課題】レジスト以外の基板材料を酸化させること無く、溶剤を用いた従来のレジスト除去方法に比べてレジストを効果的に除去することができるレジスト除去装置を提供することにある。
【解決手段】レジストを成膜したウェハＷからレジストを除去するレジスト除去装置に、有機系溶剤分子が複数集合してなるクラスターをウェハＷに噴射するクラスター噴射手段３を備える。 （もっと読む）

【課題】電子材料のレジストの剥離処理に要する時間を短縮し、さらにレジスト剥離後のウエット洗浄によりレジスト残渣を短時間に確実に除去し得る電子材料洗浄システムを提供する。
【解決手段】電子材料洗浄システムは、薬液洗浄手段１とウエット洗浄手段２と枚葉式洗浄装置３とを備える。薬液洗浄手段１は、機能性薬液貯留槽６と、この機能性薬液貯留槽６に濃硫酸電解ライン７を介して接続した電解反応装置８とを有する。この機能性薬液貯留槽６は、機能性薬液供給ライン１０を介して枚葉式洗浄装置３に機能性薬液Ｗ１を供給可能となっている。ウエット洗浄手段２は、純水の供給ライン２１と窒素ガス源に連通した窒素ガス供給ライン２２と、これら純水供給ライン２１及び窒素ガス供給ライン２２がそれぞれ接続した内部混合型の二流体ノズル２３とを備える。二流体ノズル２３の先端から窒素ガスと超純水とから生成される液滴Ｗ２を噴射可能となっている。 （もっと読む）

【課題】薬液の溶存酸素を低減して基板の処理効率を向上させるとともに信頼性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置１は、基板Ｗを処理する処理部１０と、薬液を貯留する薬液貯留容器２０と、薬液貯留容器２０から処理部１０に薬液を供給する薬液供給駆動部２３と、薬液貯留容器２０に貯留され薬液を循環する循環ライン３０と、循環ライン３０に設けられた混合体生成部３１とを備えている。混合体生成部３１には、不活性ガス供給源４０により不活性ガスが供給されるようになっている。混合体生成部３１は、薬液貯留容器２０から供給される薬液と、不活性ガス供給源４０から供給される不活性ガスとを混合して気液混合体を生成するようになっている。 （もっと読む）

【課題】ガス溶解水による高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄で高い洗浄効果を得て、低コストで省資源な洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄流体吐出ノズルから、洗浄液又は洗浄液と気体との混合流体を被洗浄物に向けて吐出させて該被洗浄物を洗浄する高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄方法において、該洗浄流体吐出ノズルに導入される洗浄液が、該洗浄液の液温における飽和溶解度以上の溶存ガスを含むことを特徴とする洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】小型で効率良く、微小気泡であるナノバブルを含む液体を生成して基板に供給することで基板の処理ができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、上部が開放されており、液体を収容でき、第１容器部分４１と第２容器部分４２に区分けされ、第１容器部分４１から第２容器部分４２へ液体を移動可能な通路４９を底部側に有する容器３０と、第１容器部分４１内の液体Ｌ中に配置されて、気体を液体Ｌに混合して微小気泡を含む液体Ｌを第１容器部分４１内で生成する微小気泡生成ユニット４０と、第１容器部分４１内の微小気泡を含む液体Ｌを、底部側の通路４９を通じて第２容器部分４２内に移動させて、第２容器部分４２内から微小気泡を含む液体Ｌを基板Ｗに送るポンプ３５を備える。 （もっと読む）

【課題】微細化の進んだパターンの倒壊のようなダメージの発生を防いで、基板に付着した汚染物質を除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、微細粒子の液滴を吐出するノズル１０と、ノズル１０から吐出した液滴をさらに微細化して基板Ｗに供給する液滴微細化手段とを備え、例えば液滴微細化手段は保持部材２３であり、保持部材２３は、複数のノズル部２１，２２から吐出した液滴が互いに交差するように複数のノズル部２１，２２を配置して、複数のノズル部２１，２２から吐出する液滴を互いに交差することで液滴の粒子の衝突により発生させる液滴交差領域Ｈを形成させる。 （もっと読む）