基板を処理するための方法及び装置
この出願は、基板の少なくとも部分的な領域を処理するための複数の方法及び装置を開示する。前記方法においては、少なくとも１つの液体が基板の少なくとも１つの部分的な領域に提供され、それぞれの方法に従って所望の効果を達成するために、電磁放射がこの液体に導入される。１つの方法において、液体を提供する前にＵＶ放射によって液体のラジカルが発生され、ラジカルの発生は、少なくともラジカルの一部が基板に到達するように、液体を基板の提供する直前に行われる。基板の表面の少なくとも部分的な領域及び前記基板の表面に近い層からイオンが除去される１つの方法においては、前記基板の少なくとも部分的な領域に液体膜を形成するために、周囲温度よりも高く加熱された液体が基板に提供され、放射の少なくとも一部が基板表面に到達するように、電磁放射が前記液体膜に導入される。少なくとも部分的に疎水性の基板表面を有する基板の表面特性を、前記疎水性表面の少なくとも一部が親水性表面特性を得るように変化させる別の方法において、液体が、表面特性を変化させようとする基板の表面の少なくとも部分的な領域に提供され、所定の波長範囲のＵＶ放射が、前記液体を通って、表面特性を変化させようとする前記基板の表面の少なくとも部分的な領域まで案内される。この方法は、共通の装置において、あらゆる所望の順序で順次に及び／又は並行して行われてよい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体が基板の少なくとも部分的な領域に供給され、放射が液体に導入される、基板を処理するための方法及び装置に関する。
【０００２】
半導体の分野において、特にクリーニングステップにおいて、その製造中及び現場での使用中に、例えばフォトマスクは様々な処理ステップに曝されなければならないことが知られている。特に、マスクを湿式クリーニングプロセスに曝すことが知られている。このような湿式クリーニングプロセスのために、提供されたプロセス媒体によってクリーニングしようとする表面のより良い濡れを可能にするために、クリーニングしようとする表面が、親水性表面特性を有すると有利である。しかしながら、様々な現象により、フォトマスクの表面はしばしばクリーニングの前には疎水性であり、これは、一方では、吸収された水分子の配向によって、他方では薄い有機層によって生ぜしめられる。
【０００３】
したがって、窒素又は酸素雰囲気等のガス雰囲気中にマスクがある間に、マスクの湿式クリーニングの前にマスクにＵＶ放射を照射することが当該分野において知られている。このプロセスにおいては、しばしば、約１７２ｎｍの波長を有するＵＶ放射が用いられる。
【０００４】
ガス雰囲気中でのこのようなＵＶ放射は、酸素原子による、表面における炭化水素の酸化、酸素原子による、基板の表面における金属の酸化、光子による親水性分子濡れ層の除去、ＵＶエネルギによる、吸収されたイオンの活性化等の、複数の異なるプロセスを開始する。しかしながら、ＵＶ放射の光子はしばしば、妨げられることなく高いエネルギを持って基板の表面に衝突する。これは、基板、特に基板上の微細構造における応力及び／又は弛緩プロセスにつながることがある。したがって、これは、構造の変位につながることがあり、これは、基板の使用適性に不利に影響する。
【０００５】
表面のこのような準備の後に湿式処理を提供することがさらに知られており、この湿式処理において、液体膜が基板に少なくとも局所的に形成され、ＵＶ放射が液体膜に導入される。このプロセスにおいて、液体及びＵＶ放射は、ＵＶ放射の大部分が、液体膜にラジカルを発生させるために液体膜に吸収されるように適合させられる。特に、例えば希釈された過酸化水素水又はオゾン水Ｏ3−Ｈ2Ｏにヒドロキシルラジカルを発生させることが知られている。このようなヒドロキシルラジカルは、ラジカルが存在したとしてもこれらの金属を損傷することなく、基板表面からの有機材料の選択的な溶解を生ぜしめる。
【０００６】
このような方法は例えば米国特許出願公開第２００６／０２０７６２９号明細書に記載されている。特に、例えばオゾン水、過酸化水素水、アンモニア水、過酸化水素溶剤、硫酸、有機酸、及びこれらの混合物から成る薄い液体膜が提供される。次いで、ラジカルを発生させるために、ＵＶ放射に対して透明でかつ液体膜と接触した窓を介して液体膜にＵＶ放射が導入される。再び、ＵＶ放射源と液体膜とは、ＵＶ放射の高い吸収率、可能であるならば完全な吸収が液体膜において生じるように、多くのラジカルが生ぜしめられるように、適合させられている。
【０００７】
上記汚染物、特に有機汚染物の除去の後、基板表面から残留イオンも除去することが有効である。この目的のための公知の方法は、通常、表面をすすぐために、加熱された液体、特に脱イオン水（ＤＩ水）を利用する。この場合、残留イオンの完全な除去のために、液体のより長い提供時間又は液体の高温が要求されるという問題が生じる。高温は、液体のための加熱プロセスが液体における汚染につながるという点で問題である。これは、特に、温度がそれぞれの液体の沸点近傍にまで上昇させられる場合に当てはまる。温度に敏感な基板又は基板層の処理において、イオンの溶解度を所望の値よりも低くすることもできる。より低い温度を補償するための提供時間の延長は、効率の観点から望ましくない。
【０００８】
公知の処理方法から出発して、本発明の課題は、基板の処理のための改良された装置及び改良された方法を提供することである。発明の１つの態様によれば、親水性基板表面の発生が改良されるべきである。別の態様によれば、基板表面のクリーニングが改良されるべきである。発明のさらに別の態様によれば、基板表面からのイオンの除去が改良されるべきである。
【０００９】
本発明によれば、これら態様のうちの１つ又は２つ以上は、請求項１に係る方法、請求項１４に係る方法、請求項２７に係る方法、請求項３２に係る方法、請求項３７に係る方法、又は請求項４２に係る装置によって解決される。発明のその他の実施形態は、それぞれの従属請求項に請求されている。
【００１０】
特に、基板のクリーニングのための方法が提供され、この方法において、液体は前記基板の少なくとも部分的な領域に提供され、基板に液体を提供する前に、ＵＶ放射によって液体にラジカルが発生され、前記ラジカルの発生は、ラジカルの少なくとも一部が基板に達するように、液体を基板に提供する直前に生じる。同時に、基板に液体を提供する前に液体を予備処理することにより、液体が基板表面に到達する前に、オゾン等の望ましくない反応性成分が、破壊又は実質的に低減される。
【００１１】
基板に液体を提供する直前にラジカルを発生させることにより、活性化されたラジカルを有する媒体の流れの指向性の流れによって、これらのラジカルの少なくとも一部が基板に到達し、これにより、基板表面の改良されたクリーニングが達成されることを保証することができる。好適には、ラジカルの活性化を維持するために及び／又はさらなるラジカルを発生させるために、基板に提供されかつラジカル又はラジカルのための前駆体を含有する活性化された液体によって形成された基板上の液体膜に、ＵＶ放射が導入されてもよい。そうすることによって、液体におけるラジカルの有効継続時間が引き延ばされ、基板表面の改良されたクリーニングにつながる。
【００１２】
基板に液体を提供する前にこの液体に導入されかつ前記基板における液体膜に導入されるＵＶ放射は、少なくとも部分的に同じ放射源によって放射されてよく、これにより、方法を単純化する。基板の表面領域の局所的なクリーニングのために、ラジカルを含有する液体を、クリーニングしようとする表面の選択された表面領域に制限することができる。
【００１３】
ラジカルを発生させるために、例えば１４０ｎｍ〜２８０ｎｍ、液体に応じて１４０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の波長を有するＵＶ放射が使用されてよく、このＵＶ放射は、ほとんどの液体において高い吸収率を有する。好適には、前記波長範囲のＵＶ放射は、このＵＶ放射の少なくとも５０％、特に８０％が液体に吸収されるように、液体に適合させられているべきである。
【００１４】
１つの実施形態において、液体がＵＶ放射源に沿って流れながら、液体を基板に提供する前にＵＶ放射が液体に導入され、一方では、ＵＶ放射は、場合によってはＵＶ放射によるラジカルの直接のその後の発生を促進するために、液体の分子構造の破壊を生ぜしめるように選択される。つまり、液体は、ラジカルの効率的な発生のために準備され、液体における望ましくない反応性成分は、液体の提供の前に低減又は破壊される。つまり、これらの成分は、基板表面に接触しないか、又はより弱い形態でのみ接触する。これは、例えば、液体が移動しながら適切な前駆体及び中間生成物を生ぜしめることによって行われる。なぜならば、この動力学が、それぞれの破壊又は分解を促進しかつ均質化するからである。液体の流れの方向は、液体が基板に向かって流れるように及びラジカルの発生が基板に液体を提供する直前に生じるように、選択される。適切なＵＶ放射を選択することにより、一方では液体の予備処理、他方ではラジカルの発生が達成されてよい。
【００１５】
液体として、以下のうちの少なくとも１つが使用されてよい：オゾン水、水素水、ＤＩ水、Ｈ2Ｏ2、ＣＯ2−Ｈ2Ｏ、Ｏ2ガスが溶解されているＤＩ水、ＮＨ4ＯＨ、酢酸、クエン酸、ＴＭＡＨ、ＨＮＯ3、ＨＣｌ、Ｈ3ＰＯ4、又はこれらの混合物。さらに、当該技術分野において公知のように、過酸化水素水、硫酸、又はその他の有機酸が使用されてよく、この場合、ラジカルの発生の直前の媒体の分解が、特別な廃棄を要求する化学物質の使用を不要にする。基板は、例えば以下のうちの１つであってよい：半導体製造のためのフォトマスク、半導体、特にＳｉウェハ、Ｇｅウェハ、ＧａＡｓウェハ、又はＩｎＰウェハ、フラットパネル基板、多層セラミック基板、又は例えば半導体製造において使用される、クリーニングしようとするあらゆるその他の基板。このような基板は、様々な形状及び寸法を有していてよい。クリーニングの間、以下のうちの少なくとも１つが、ラジカルによって基板から少なくとも部分的に除去される：炭素、炭化水素、有機汚染物及び有機機能層、例えばポジティブレジスト、ネガティブレジスト、イオン注入レジスト、エンボシング及びインプリント材料、ストレスバッファ、余盛不足材料、ラッカ、染料、生物材料、及びバクテリア。
【００１６】
発明の別の態様によれば、基板の表面及び前記基板の表面に近い層からイオンを除去する方法が提供され、この方法においては、前記基板の少なくとも部分的な領域に液体膜を形成するために、周囲温度よりも高く加熱された液体が前記基板に提供され、電磁放射が前記液体膜に導入され、前記放射の少なくとも一部が前記基板の表面に到達するようにする。これにより、電磁放射が基板表面上の残留イオンに衝突したときに、電磁放射は、増大したイオン移動度を生ぜしめる。さらに、電磁放射は、液体の温度を上昇させる及び／又は吸収された場合に液体にラジカルを発生し、両者はイオンの除去を促進する。
【００１７】
１つの実施形態において、液体は、基板への電磁放射の提供の直前及び／又はその間に電磁放射によって少なくとも部分的に加熱され、これにより、このように加熱された液体が基板に到達する前にほとんどエネルギ損失が生じない。択一的に又は付加的に、電磁放射を提供する前に液体は予熱された状態で使用箇所まで供給されてよい。液体は、例えば周囲温度と液体の沸点との間の範囲の温度に加熱されてよい。高められた圧力の下で方法を行い、これにより、液体が沸点に達する前に液体をより高い温度に加熱することも可能である。
【００１８】
液体として例えば以下のうちの１つが使用されてよい：オゾン水、水素水、ＤＩ水、Ｈ2Ｏ2、ＣＯ2−Ｈ2Ｏ、Ｏ2ガスが溶解されたＤＩ水、又はこれらの混合物。
【００１９】
１つの実施形態において、ＵＶ放射、特に１９０ｎｍよりも高い波長を有するＵＶ放射が液体に導入され、そのうちの少なくとも５０％、特にそのうちの少なくとも８０％が、基板表面と液体膜との間の境界面に達する。択一的に又は付加的に、ＩＲ放射は液体膜に導入されてよく、ＩＲ放射は、例えば、液体膜の現場加熱のために使用されてよい。この場合、ＩＲ放射の少なくとも５０％は、基板の表面と液体膜との間の境界面に到達すべきである。ＵＶ放射及びＩＲ放射は、同一の放射源を介して導入されてよい。放射の少なくとも一部は、液体膜にラジカルを発生させる。
【００２０】
別の態様によれば、少なくとも部分的に疎水性の基板表面を有する基板の表面特性を変化させる方法が提供され、この方法において、前記疎水性基板表面の少なくとも一部が親水性表面特性を得る。これを達成するために、液体が、表面特性が変化させられる基板表面の少なくとも部分的な領域に提供され、所定の波長範囲のＵＶ放射が前記液体を通って、表面特性が変化させられる前記基板の表面の少なくとも部分的な領域に案内される。液体における特に高エネルギ短波長放射の吸収により、基板表面の領域における応力に関する問題が実質的に減じられるか又は完全に克服される。液体は、乾燥条件と比較して低い放射エネルギでの疎水性表面層の除去も促進し、これにより、基板表面における応力のさらなる低減をも可能にする。
【００２１】
液体の良好な透過を達成するために、ＵＶ放射の所定の範囲の波長は１９０ｎｍよりも高く、この場合、前記所定波長範囲内のＵＶ放射の少なくとも８０％が基板表面に到達すべきである。液体として、以下のうちの少なくとも１つが使用されてよい：オゾン水、水素水、ＤＩ水、ＣＯ2水、又はこれらの混合物。その他の液体が使用されてもよい。特にＤＩ水が使用されてもよい。
【００２２】
上記の様々な方法は、有利には、１つの完成した方法に組み合わされてよく、この場合、これらの方法のそれぞれ一つは、同じ液体又は変化する液体において順次に及び／又は並行して行われる。特に、個々の方法の間に基板を取り扱う必要なくこれらの１つ方法を１つの装置において行うことも可能である。
【００２３】
別の態様によれば、基板を処理するための装置が提供され、この装置は、基板を収容するための基板ホルダと、入口及び出口を有する流れチャンバを形成したハウジングと、第１の放射源と、前記基板ホルダと前記ハウジングとの相対移動を生ぜしめるためのユニットとを有する。第１の放射源は、前記流れチャンバ内へ放射を放射するように配置されており、さらにＵＶ放射を放射することができる。相対移動を生ぜしめるためのユニットは、出口から出る液体が基板ホルダ上の基板上へ直接に流れるように出口が基板に向けられるように、前記基板ホルダに対して前記ハウジングを配置することができる。
【００２４】
このような装置は、第１の放射源を介して、基板に提供された液体への放射、特にＵＶ放射の導入を可能にする。これは、例えば、上記方法で説明したように、ラジカルの発生のための前駆体及び中間生成物を発生するために又は液体にラジカルを発生させるために直接に使用されてよい。しかしながら、基板上に液体を提供する間に液体を加熱することも可能である。
【００２５】
第１の放射源がハウジングからも前記出口を通じて放射を放射するように第１の放射源が配置されていることも可能である。これは、ラジカルの活性化を維持するために又はさらなるラジカルを発生させるために、基板への液体の提供の前だけでなくその後にも液体への放射の導入を可能にする。また、液体のさらなる加熱又はその温度での液体の維持が達成されてよい。さらに、基板への液体の提供の前に液体に放射を導入するために使用されるのと同じ放射源が、疎水性表面を親水性表面に変化させるために、又は基板表面からのイオンの除去のために単純な形式で使用されてもよい。
【００２６】
１つの実施形態において、第１の放射源が少なくとも部分的に前記流れチャンバに配置されている。ハウジングは、例えば出口開口を有してよく、第１の放射源が少なくとも部分的に出口開口に、特に実質的に出口開口の中央に配置されていてよい。出口開口及び第１の放射源は、基板に対するハウジングの一回の走査移動の間に基板の完全なクリーニングを可能にするために、クリーニングしようとする基板が延びている幅よりも大きいか又は少なくともそれに等しい長さに延びている。１つの実施形態において、第１の放射源は、ＵＶ範囲の放射を放射する第１のランプを含み、第１のランプは付加的にＩＲ範囲の放射を放射してよい。第１の放射源は付加的に、少なくとも、第１のランプとは主に異なる波長範囲の放射を放射する第２のランプを含んでよい。例えば、第２のランプは、第１のランプがＩＲ放射を放射しない場合には、ＩＲ放射を放射してよく、又は例えば異なる波長範囲のＵＶ放射を放射してよい。したがって、第１及び第２のランプをそれぞれ制御することによって、放射源はプロセスの要求に適合されてよい。第１の放射源がさらに別のランプを有することも可能である。
【００２７】
１つの実施形態によれば、第１のランプ及び／又は第２のランプと、ハウジングにおける流れチャンバとの間にカバーが設けられており、少なくとも１つのカバーは少なくともＵＶ放射に対して実質的に透明である。このようなカバーは、流れチャネルに汚染物を導入する危険性なくそれぞれのランプの交換を可能にする。この関連で、カバーは少なくとも１つの平面において第１のランプ及び／又は第２のランプを完全に包囲している。カバーの材料は例えば石英であってよい。
【００２８】
第１のランプ及び／又は第２のランプは、流れチャンバを貫通した、流れチャンバ全体に均一な放射を提供する長手方向ランプ若しくはロッドランプであってよい。第１のランプは、特に、１４０ｎｍ〜２８０ｎｍ、液体に応じて１４０ｎｍ〜２００ｎｍの波長範囲のＵＶ放射を放射してよく、１つの実施形態において主に、すなわちＵＶ放射の５０％以上がこの波長範囲である。第２のランプは例えば１８０ｎｍよりも高い波長範囲の放射及び／又はＩＲ放射を放射してよい。これにより、様々なプロセス結果が達成されてよい。１８０ｎｍよりも高い放射は、例えば主に、流れチャンバにおける液体の分解を生ぜしめ、その後、１４０ｎｍ〜２８０ｎｍの範囲、液体に応じて１４０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の放射によって流れチャンバにおけるラジカルの発生を促進する。
【００２９】
付加的に、少なくとも１つの第２の放射源が、ハウジングの出口に隣接した領域に放射を放射するように、ハウジングの流れチャンバの外側に提供されていてよい。このような放射源は、主に流れチャンバには放射を放射しないが、適用可能であるならば、流れチャンバから出た液体によって基板に形成された液体膜に放射を放射する。第２の放射源は主に、第１の放射源とは異なる波長範囲の放射を放射してよいが、実質的に同じ放射を放射することも考えられる。特に、第２の放射源は、１８０ｎｍよりも高い波長範囲のＵＶ放射及び／又はＩＲ放射を放射してよい。
【００３０】
第１及び第２の放射源及び場合によってはこれらの放射源のそれぞれのランプを個々に及び独立して制御することができる制御ユニットが設けられていてよい。これは、それぞれのプロセス要求に従って、基板に提供される液体への放射の導入を適合させることを可能にする。
【００３１】
以下に図面を参照して発明をより詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明による処理装置の概略的な上面図である。
【図２】図１の装置を線Ｉ−Ｉに沿って見た概略的な断面図である。
【図３】発明の択一的な実施形態による、図２と同様の概略的な断面図である。
【図４】発明の別の択一的な実施形態による、図２と同様の概略的な断面図である。
【図５】発明のさらに別の実施形態による、図２と同様の概略的な断面図である。
【００３３】
上、下、左又は右のように以下の説明で使用されるあらゆる方向を表す用語は、図面に関するものであり、それが好適な配列ではあるが、適用を限定するものとして解釈すべきではない。
【００３４】
図１は、基板２を処理するための装置１の概略的な上面図を示しており、図２は、線Ｉ−Ｉに沿った装置１の概略的な断面図を示している。
【００３５】
装置１は基本的に基板のための収容体から成り、以下ではアプリケーションユニット６のための基板ホルダと呼ぶ。基板ホルダ４及びアプリケーションユニット６は、図示されていない圧力チャンバ内に配置されており、この圧力チャンバ内には、適切な手段によって正圧又は負圧が生ぜしめられる。
【００３６】
図示したように、基板ホルダ４は、矩形の基板２を収容するための平坦な矩形のプレートである。基板ホルダ４は、処理される基板２の形状に適合されたその他の形状を有していてもよい。基板ホルダ４は、アプリケーションユニット６を介して基板２へ提供される流体のための、図示されていない排出部を有する。
【００３７】
アプリケーションユニット６は、主要部８と支持部１０とから成り、支持部１０は、二重矢印Ａ及びＢによって示したように、主要部８を可動に支持している。特に、支持部１０は支持アーム１２を有しており、支持アーム１２は一方の端部において主要部８に結合されており、支持アーム１２の他方の端部は、図示されていない駆動装置に結合されている。二重矢印Ａ及びＢによって示したように、駆動装置は例えば支持アーム１０、ひいては主要部８の回動及び／又は線形移動を提供する。この形式において、前記基板の部分的な領域又は表面全体の処理を可能にするために、主要部８は、前記基板ホルダ４に収容された基板２に沿って移動させられる。さらに、主要部８と、基板ホルダ４に収容された基板２の表面との間の距離を調節するために、支持アーム１０は持上げ移動を行うことも可能である。
【００３８】
択一的に又は付加的に、基板２と主要部８との間の相対移動を提供するために、基板ホルダのための移動機構を提供することも可能である。
【００３９】
主要部８は、実質的に、ハウジング１４と、流体ポート１６と、放射源１８とから成る。ハウジング１４は、細長い立方形のボディ２０を有しており、このボディ２０は、長手方向において流れチャンバ２２を形成しており、流れチャンバ２２は実質的にボディ２０の長さ全体にわたって延びている。以下でより詳細に説明するように、基板の幅全体にわたって基板に液体を提供することができるように、流れチャンバ２２は基板２の幅よりも大きな長さを有している。流れチャンバがより小さな寸法を有することも可能である。流れチャンバ２２の内面は、特にＵＶ放射に対して高い反射率を有するように設計されているのに対し、ＩＲ放射は実質的に吸収される。
【００４０】
流れチャンバ２２は実質的に円形の横断面を有する。流れチャンバ２２は、ボディが処理される基板２に向けられた出口開口を形成するように、ボディ２０の底側に向かって開放している。流れチャンバ２２の上側部分において、導管２４がボディ２０に設けられており、この導管２４は、流れチャンバ２２に対して実質的に平行に延びている。導管２４は、導管２４を介して流れチャンバ２２に流体を導くために、複数の箇所において流れチャンバ２２に流体接続されている。これに関して、導管２４が、実質的に流れチャンバ２２の長さ全体にわたって流れチャンバ２２に流体を導くことができることに注意されたい。導管２４は流体ポート１６にも接続されている。
【００４１】
流体ポート１６は、図示されていない導管に接続されており、この導管を介して１つ又は２つ以上の流体が流体ポート１６へ導かれる。複数の流体がこの導管を介して流体ポートに同時に又は順次に導かれることが可能である。複数の導管を提供することも可能であり、これらの導管を介して例えば複数の異なる流体が流体ポートへ導かれてよい。流体として、例えば液体が考慮されているが、ガスを流体ポートへ導くことも可能であり、このガスは、流れチャンバ２２へ導かれる前に、流体ポート１６及び導管２４において液体と混合されてよい。図２に矢印が示されており、この矢印は、流体が流体ポート１６から導管２４を介して流れチャンバ２２へ流入し、ハウジング１４から流出する様子を示している。
【００４２】
放射源１８は、長手方向に延びた形状を有しており、流れチャンバ２２全体に沿って、実質的に流れチャンバ２２の中央に延びている。放射源１８は、カバー３２によって包囲されたロッドランプ３０を有しており、カバー３２は実質的にランプ３０の放射に対して透明である。ロッドランプは、少なくとも所定の波長範囲のＵＶ放射を放射するタイプのものである。ロッドランプ３０は、広い波長スペクトルにわたって放射を放射し、特にＵＶ放射及びＩＲ放射を放射することも可能である。
【００４３】
例えば石英ガラスから成るカバー３２は、流れチャンバ２２内でロッドランプ３０を完全に包囲しており、ロッドランプを流れチャンバ２２内の流体から隔離している。カバーは例えば、流れチャンバ２２の端壁を貫通してボディ２０から延出している。これは、流れチャンバにアクセスすることなく、例えば交換又はメンテナンスのためにロッドランプ３０へのアクセスを可能にする。流れチャンバ２２における配置により、カバー３２は流れチャンバ２２の内壁とともに、導管２４を介して流れチャンバ２２内に導かれる流体のための流路を形成している。このような流体はカバー３２の周囲、ひいては放射源１８全体の周囲を流れる。これにより、ロッドランプ３０によって放射された放射は、流路に沿って流れるあらゆる流体に導入される。さらに、カバー３２は、ボディ２０の底面を超えて延びており、これにより、部分的にボディ２０の出口開口内へ延びている。したがって、ロッドランプから放射された放射は、流れチャンバ２２から基板ホルダ４に向かって又は基板ホルダ上の基板２へ出ることが可能である。特に、放射は、例えば流れチャンバ２２を通って基板上へ流れる液体によって形成された、基板２上の液体膜に導入されてよい。
【００４４】
図３は、基板２を処理するための装置１の択一的な実施形態の、図２と同様の概略的な側面図を示している。この実施形態を説明する場合、同じ又は類似のエレメントが提供されている限り、前と同じ符号が用いられる。
【００４５】
装置１は再び、実質的に、基板を収容するための基板ホルダ４と、アプリケーションユニット６とから成る。基板ホルダは、図１及び図２に関して前述したのと同じ形式で設計されていてよい。
【００４６】
アプリケーションユニット６は再び、主要部８と、図３には図示されていないが、図１及び図２に関して前述したのと同じ設計を有する支持部とから成る。主要部８は再び、実質的に、ハウジング１４と、流体ポート１６と、放射源１８とを有しており、ハウジング１４及び流体ポートは、図１及び図２に関連して前述したのと同じ設計を有していてよい。
【００４７】
放射源１８は再び、細長い形状を有しており、かつ流れチャンバ２２を実質的に中央で貫通して延びている。この実施形態における放射源１８は、ロッドランプ３０，３０′を有しており、ロッドランプ３０，３０′は、ロッドランプ３０，３０′の放射に対して実質的に透明なカバー３２によって包囲されている。ロッドランプ３０，３０′は、図３において互いに上下に示されているが、カバー３２内でそれとは異なる形式で配置されていてもよい。ロッドランプは、互いに同じタイプ又は異なるタイプのものであってよく、少なくともそのうちの一方は所定の波長範囲のＵＶ放射を放射する。特に、両方のロッドランプ３０，３０′は、互いに異なる波長範囲のＵＶ放射を放射することが可能である。上側のロッドランプ３０′は、例えば、少なくとも部分的に又は主として１８０ｎｍよりも高い波長範囲のＵＶ放射を放射してよく、これに対して下側のロッドランプ３０は少なくとも部分的に又は主として１４０〜２８０ｎｍ、液体に応じて１４０ｎｍ〜２００ｎｍの波長範囲のＵＶ放射を放射する。一方又は両方のロッドランプ３０，３０′が、所定量のＩＲ放射又はその他の放射を放射してもよい。
【００４８】
カバー３２は、流れチャンバ２２内でロッドランプ３０，３０′を完全に包囲しており、前記流れチャンバ２２における流体からロッドランプを隔離している。これに関して、カバー３２は、図１及び図２に関して前述したカバーと同じ設計を有してよい。さらに、カバー３２内にさらに別のロッドランプが収容されていることも可能であり、このロッドランプはそれぞれ、異なる放射を放射するか、又は同じ放射を放射してもよい。ロッドランプ３０，３０′の配列及び選択により、（放射される波長及びその空間的な分布に関する）所望の放射プロフィルが、流れチャンバ２２内に、及びボディ２０の出口開口を介して流れチャンバ２２を超えて、生ぜしめられる。
【００４９】
図４は、基板２を処理するための装置１の別の択一的な実施形態の、図２と同様の概略的な断面図を示している。この実施形態を説明する場合、同じ又は類似のエレメントが提供されている限り、前と同じ符号が使用される。
【００５０】
装置１は再び、実質的に、基板を収容するための基板ホルダ４と、アプリケーションユニット６とから成る。基板ホルダ４は、図１及び図２に関して前述されたのと同じ形式で設計されていてよい。
【００５１】
アプリケーションユニット６は再び、主要部８と、図４には示されていないが、図１及び図２に関して前述されたものと同じ設計を有する支持部とから成る。
【００５２】
主要部８は再び、実質的に、ハウジング１４と、流体ポート１６と、放射源１８とから成る。付加的に、２つの別の放射源４０が提供されている。ハウジング１４は、細長い立方形のボディ２０を有する、図１及び図２に関して前述されたものと同じ設計を有していてよい。ボディ２０における流れチャンバ２２及び導管２４は、図１及び図２に関して前述されたものと同じ設計を有する。これは、流体ポート１６に関しても当てはまる。
【００５３】
ボディ２０の底側において、ボディの長さに沿って出口開口の両側に延びた凹所４２が設けられている。凹所は、別の放射源４０を少なくとも部分的に収容するように寸法決めされている。凹所４２の表面は、放射源４０の放射のための反射面を有していてよい。
【００５４】
放射源１８は、図１及び図２に関して前述したものと同じ設計を有するか、又は図３に関して説明した設計を有していてもよい。
【００５５】
放射源４０はそれぞれ、ボディ２０のそれぞれの凹所４２に収容された、ボディ２０の長さにわたって延びたロッドランプを含む。このことは図４には示されていないが、放射源４０はそれぞれ、ロッドランプの放射に対して実質的に透明なカバーを有していてよく、このカバーは、周囲、特に流体チャンバから出るあらゆる液体に対して、ロッドランプを隔離する。放射源４０のロッドランプは、互いに同じタイプ又は異なるタイプのものであってよく、放射源１８のロッドランプ３０，３０′と異なるタイプのものであることもできる。図４に示したように２つの放射源４０を提供する代わりに、１つの放射源４０のみを提供することも可能である。
【００５６】
図５は、基板２を処理するための装置１の別の実施形態の、図２と同様の概略的な断面図を示している。この実施形態の説明において、同じ又は類似のエレメントが提供される限り、再び前と同じ符号が用いられる。
【００５７】
装置１は再び、実質的に、基板を収容するための基板ホルダ４と、アプリケーションユニット６とから成る。基板ホルダ４は、図１及び図２に関して前述したのと同じ形式で設計されていてよい。
【００５８】
アプリケーションユニット６は再び、主要部８と、図５に示されていない支持部とから成る。ここで以下に説明される主要部８が基板を完全に被覆することができる限り、支持部の可動性は省略されてよい。距離調節と、主要部の下方に基板を位置決めするための可動性のみが要求される。
【００５９】
主要部８は、実質的に、ハウジング１４と、複数の流体ポート１６と、複数の放射源１８とから成る。ハウジングは、処理される基板の形状に適合されたボディ２０から成る。ボディ２０には、ボディの底側へ開放した流れチャンバ２２が形成されており、開口は実質的に、処理される基板の寸法に対応している。流れチャンバ２２の内壁は反射性である。流れチャンバ２２の上側は複数の導管２４を介して複数の流体ポート１６（ここでは６つが示されている）に接続されている。
【００６０】
複数の放射源１８（ここでは６つが示されている）は流れチャンバ２２内に設けられており、これらの放射源は流れチャンバ２２を長手方向又は横方向に貫通して延びている。したがって、流れチャンバ２２の壁部と放射源１８との間、及びそれぞれの放射源の間には、異なる流路が形成されている。放射源１８は、図１及び図２に関して説明したもの又は図３に関して説明したものと同じ設計を有していてよい。
【００６１】
付加的に、２つの別の放射源４０が設けられている。ハウジング１４は、図１及び図２に関して前述したものと同様の設計を有しており、細長い立方形のボディ２０と、流れチャンバ２２と、ボディ２０における導管２４とを有しており、図１及び図２に関して前述したのと同じ設計を有する。これは、流体ポート１６にも当てはまる。
【００６２】
上述のロッドランプはそれぞれ制御ユニットに接続されており、制御ユニットは、ロッドランプを個々に及び独立して制御又は駆動することができる。ロッドランプを使用せずに、他のランプ／放射体を使用することも可能であるが、この他のランプ／放射体は、流れチャンバの長さに沿って実質的に均一な放射プロフィルを提供することができるべきである。
【００６３】
以下に、装置１の作動を図面に関してより詳細に説明する。
【００６４】
基板の表面の処理のために、アプリケーションユニット６の主要部８は、基板ホルダ４上の基板２上を移動させられる。基板の表面全体が処理されるべきであるならば、基板を完全に被覆する図５による実施形態が使用されない限り、主要部８は、以下に説明する処理の間、基板に沿って移動させられてよい。
【００６５】
次いで、流体、特に液体が、流体ポート１６と、導管２４と、流れチャンバ２２とを介して、少なくとも処理される基板の表面に提供される。第１の放射源１８及び／又は放射源４０を介して前記流体に放射が導入される。放射は、基板を処理するために放射が基板に直接作用するように及び／又は所望の処理を行うために基板の特性を変化させるために流体に作用するように、選択される。そうすることによって、基板の表面のための異なる処理可能性が提供され、これは、局所的に制限されるか、又は基板の表面全体において行われてよい。
【００６６】
以下では、これらの処理可能性のうちの幾つかが、これらの例に限定されることなくより詳細に説明される。フォトマスクの処理は、例として提供される。
【００６７】
まず、少なくとも部分的に疎水性の基板表面を有する基板２の表面特性を親水性基板表面に変化させることを説明する。これを達成するために、ＤＩ水のような液体が流体として流れチャンバ２２を介して、処理される基板表面に提供され、基板２に液体膜を形成する。放射源１８又は４０を介してこの液体膜にＵＶ放射が導入され、ＵＶ放射の実質的な部分が液体と基板表面との間の境界面に達するように、液体と、ＵＶ放射の波長範囲とが互いに適合される。ＵＶ放射はここで、以前は疎水性の基板表面を親水性表面に変化させるように作用する。
【００６８】
液体膜のＵＶ放射の透過性をよくするために、ここで使用されるＵＶ放射の波長範囲は、例えば、１９０ｎｍよりも高い。このような波長範囲を提供するために、この波長範囲で放射する対応するロッドランプが制御又は駆動される一方、場合によっては、他のランプは制御又は駆動されない。前記波長範囲を使用する場合、以下のうちの１つが液体として使用されてよい：オゾン水、水素水、ＤＩ水、又はこれらの混合物。その他の液体が使用されてもよい。
【００６９】
次に、基板表面のクリーニングを説明する。この基板表面は、例えば上述のように親水性表面を有するように処理されており、ラジカルとの相互作用により除去されやすい汚染物を有する。
【００７０】
ここでは、再び、液体は、流れチャンバ２２を介して、処理される基板２の表面に提供される。液体が放射源１８の周囲を流れる間に、ＵＶ放射が放射源１８によって液体に放射される。この放射は特に液体にラジカルを発生させる。この発生は、極めて短い消滅時間を有するこのような発生されたラジカルの少なくとも一部が基板２に接触するように、液体が基板に提供される直前に生じる。放射源１８の放射は流れチャンバ２２に限定されないので、放射は、基板２に液体によって形成された液体膜にも導入され、これにより、さらなるラジカルを発生する及び／又は既に発生されたラジカルの活性化を部分的に維持する。
【００７１】
アプリケーションユニット６の対応する移動により、基板の部分的な領域又は表面全体を選択的にクリーニングすることができる。
【００７２】
液体、及び液体に導入された放射は、再び、所望の効果を達成するために互いに適合させられている。ラジカルの発生のために、特に１４０ｎｍ〜２８０ｎｍ、液体に応じて１４０ｎｍ〜２００ｎｍの波長範囲におけるＵＶ放射が適している。前記波長範囲におけるＵＶ放射は、特に、ＵＶ放射の少なくとも５０％、特に８０％が吸収されるように、使用される液体に適合させられている。
【００７３】
使用される液体に応じて、ラジカルの発生は、液体が放射源１８の周囲を流れる間に生じる、ＵＶにより誘発される液体の分解によっても促進される。この目的のために、ＵＶ放射は、一方では、ＵＶ放射によってもラジカルの直接に続く発生を促進するために、液体の分子構造の破壊が生ぜしめられるように選択される。１８０ｎｍよりも高い波長を有するＵＶ放射は、このような分解に特に適している。したがって、図３に示した放射源１８の実施形態において、上側のロッドランプが、分解を促進する、すなわち１８０ｎｍよりも高い波長を有するＵＶ光を放射するものであるのに対し、下側のロッドランプが、ラジカルの発生を促進する、すなわち１４０ｎｍ〜２８０ｎｍの波長を有するＵＶ光を放射するものであると、有利である。例としてＤＩ水を取り上げると、１４０ｎｍ〜２００ｎｍの波長範囲がラジカルの発生のために適しているが、他の液体の場合には、１４０ｎｍ〜２８０ｎｍのより高い波長範囲が適している。
【００７４】
これらの波長範囲は、もちろん必須というわけではなく、液体に応じて変化してよいが、フォトマスクをクリーニングするために通常に使用される多くの液体、例えば、オゾン水、水素水、ＤＩ水、Ｈ2Ｏ2、ＣＯ2−Ｈ2Ｏ、Ｏ2ガスが溶解されたＤＩ水、ＮＨ4ＯＨ、有機酸、ＴＭＡＨ、ＨＮＯ3、ＨＣｌ、Ｈ2ＳＯ4、又はこれらの混合物のために適用可能である。
【００７５】
最後に、例えば上述のように処理された基板２の表面又は表面に近い層からイオンが除去される処理が説明される。
【００７６】
この処理のために、基板２の少なくとも部分的な領域に液体膜を形成するために、周囲温度よりも高く加熱された液体が流れチャンバ２２を介して基板に提供される。放射は、放射源１８，４０のうちの少なくとも１つを介して液体膜に導入され、この場合、放射と液体とは、放射の少なくとも一部が基板表面に達するように、互いに適合させられている。電磁放射は、基板表面上の残留イオンに衝突すると、イオン移動性を増大させる。さらに、放射は、液体に吸収される限り、温度上昇及び／又はラジカルの発生をも生じ、これらは両方ともイオンの除去を促進する。特に、液体は、その提供中に、例えば高いＩＲ部分を有する放射源によって直接に加熱される。液体の高められた温度が液体におけるイオンの溶解度をも高める限り、液体は、沸点まで加熱されてよい。
【００７７】
液体として、例えば以下の液体、すなわちオゾン水、水素水、ＤＩ水、Ｈ2Ｏ2、ＣＯ2−Ｈ2Ｏ、Ｏ2ガスが溶解されたＤＩ水、又はこれらの混合物のうちの１つが使用されてよい。ＤＩ水はより高い温度に特に適している。放射として、それほど強く吸収されない、イオンを運動させかつ除去する所望の効果を促進する、特に１９０ｎｍよりも高い波長範囲のＵＶ放射が適している。液体の現場加熱を提供する限り、ＩＲ放射もよく適している。
【００７８】
上記処理は、所望の容易に組み合わされてよく、前記のように順次に又は部分的に又は完全に同時に行われてよい。
【００７９】
発明は、正確な実施形態に限定されることなく、ここでは複数の実施形態に関して上記で説明された。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体が基板の少なくとも部分的な領域に供給され、放射が液体に導入される、基板を処理するための方法及び装置に関する。
【０００２】
半導体の分野において、特にクリーニングステップにおいて、その製造中及び現場での使用中に、例えばフォトマスクは様々な処理ステップに曝されなければならないことが知られている。特に、マスクを湿式クリーニングプロセスに曝すことが知られている。このような湿式クリーニングプロセスのために、提供されたプロセス媒体によってクリーニングしようとする表面のより良い濡れを可能にするために、クリーニングしようとする表面が、親水性表面特性を有すると有利である。しかしながら、様々な現象により、フォトマスクの表面はしばしばクリーニングの前には疎水性であり、これは、一方では、吸収された水分子の配向によって、他方では薄い有機層によって生ぜしめられる。
【０００３】
したがって、窒素又は酸素雰囲気等のガス雰囲気中にマスクがある間に、マスクの湿式クリーニングの前にマスクにＵＶ放射を照射することが当該分野において知られている。このプロセスにおいては、しばしば、約１７２ｎｍの波長を有するＵＶ放射が用いられる。
【０００４】
ガス雰囲気中でのこのようなＵＶ放射は、酸素原子による、表面における炭化水素の酸化、酸素原子による、基板の表面における金属の酸化、光子による親水性分子濡れ層の除去、ＵＶエネルギによる、吸収されたイオンの活性化等の、複数の異なるプロセスを開始する。しかしながら、ＵＶ放射の光子はしばしば、妨げられることなく高いエネルギを持って基板の表面に衝突する。これは、基板、特に基板上の微細構造における応力及び／又は弛緩プロセスにつながることがある。したがって、これは、構造の変位につながることがあり、これは、基板の使用適性に不利に影響する。
【０００５】
表面のこのような準備の後に湿式処理を提供することがさらに知られており、この湿式処理において、液体膜が基板に少なくとも局所的に形成され、ＵＶ放射が液体膜に導入される。このプロセスにおいて、液体及びＵＶ放射は、ＵＶ放射の大部分が、液体膜にラジカルを発生させるために液体膜に吸収されるように適合させられる。特に、例えば希釈された過酸化水素水又はオゾン水Ｏ3−Ｈ2Ｏにヒドロキシルラジカルを発生させることが知られている。このようなヒドロキシルラジカルは、ラジカルが存在したとしてもこれらの金属を損傷することなく、基板表面からの有機材料の選択的な溶解を生ぜしめる。
【０００６】
このような方法は例えば米国特許出願公開第２００６／０２０７６２９号明細書に記載されている。特に、例えばオゾン水、過酸化水素水、アンモニア水、過酸化水素溶剤、硫酸、有機酸、及びこれらの混合物から成る薄い液体膜が提供される。次いで、ラジカルを発生させるために、ＵＶ放射に対して透明でかつ液体膜と接触した窓を介して液体膜にＵＶ放射が導入される。再び、ＵＶ放射源と液体膜とは、ＵＶ放射の高い吸収率、可能であるならば完全な吸収が液体膜において生じるように、多くのラジカルが生ぜしめられるように、適合させられている。
【０００７】
上記汚染物、特に有機汚染物の除去の後、基板表面から残留イオンも除去することが有効である。この目的のための公知の方法は、通常、表面をすすぐために、加熱された液体、特に脱イオン水（ＤＩ水）を利用する。この場合、残留イオンの完全な除去のために、液体のより長い提供時間又は液体の高温が要求されるという問題が生じる。高温は、液体のための加熱プロセスが液体における汚染につながるという点で問題である。これは、特に、温度がそれぞれの液体の沸点近傍にまで上昇させられる場合に当てはまる。温度に敏感な基板又は基板層の処理において、イオンの溶解度を所望の値よりも低くすることもできる。より低い温度を補償するための提供時間の延長は、効率の観点から望ましくない。
【０００８】
公知の処理方法から出発して、本発明の課題は、基板の処理のための改良された装置及び改良された方法を提供することである。発明の１つの態様によれば、親水性基板表面の発生が改良されるべきである。別の態様によれば、基板表面のクリーニングが改良されるべきである。発明のさらに別の態様によれば、基板表面からのイオンの除去が改良されるべきである。
【０００９】
本発明によれば、これら態様のうちの１つ又は２つ以上は、請求項１に係る方法、請求項１４に係る方法、請求項２７に係る方法、請求項３２に係る方法、請求項３７に係る方法、又は請求項４２に係る装置によって解決される。発明のその他の実施形態は、それぞれの従属請求項に請求されている。
【００１０】
特に、基板のクリーニングのための方法が提供され、この方法において、液体は前記基板の少なくとも部分的な領域に提供され、基板に液体を提供する前に、ＵＶ放射によって液体にラジカルが発生され、前記ラジカルの発生は、ラジカルの少なくとも一部が基板に達するように、液体を基板に提供する直前に生じる。同時に、基板に液体を提供する前に液体を予備処理することにより、液体が基板表面に到達する前に、オゾン等の望ましくない反応性成分が、破壊又は実質的に低減される。
【００１１】
基板に液体を提供する直前にラジカルを発生させることにより、活性化されたラジカルを有する媒体の流れの指向性の流れによって、これらのラジカルの少なくとも一部が基板に到達し、これにより、基板表面の改良されたクリーニングが達成されることを保証することができる。好適には、ラジカルの活性化を維持するために及び／又はさらなるラジカルを発生させるために、基板に提供されかつラジカル又はラジカルのための前駆体を含有する活性化された液体によって形成された基板上の液体膜に、ＵＶ放射が導入されてもよい。そうすることによって、液体におけるラジカルの有効継続時間が引き延ばされ、基板表面の改良されたクリーニングにつながる。
【００１２】
基板に液体を提供する前にこの液体に導入されかつ前記基板における液体膜に導入されるＵＶ放射は、少なくとも部分的に同じ放射源によって放射されてよく、これにより、方法を単純化する。基板の表面領域の局所的なクリーニングのために、ラジカルを含有する液体を、クリーニングしようとする表面の選択された表面領域に制限することができる。
【００１３】
ラジカルを発生させるために、例えば１４０ｎｍ〜２８０ｎｍ、液体に応じて１４０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の波長を有するＵＶ放射が使用されてよく、このＵＶ放射は、ほとんどの液体において高い吸収率を有する。好適には、前記波長範囲のＵＶ放射は、このＵＶ放射の少なくとも５０％、特に８０％が液体に吸収されるように、液体に適合させられているべきである。
【００１４】
１つの実施形態において、液体がＵＶ放射源に沿って流れながら、液体を基板に提供する前にＵＶ放射が液体に導入され、一方では、ＵＶ放射は、場合によってはＵＶ放射によるラジカルの直接のその後の発生を促進するために、液体の分子構造の破壊を生ぜしめるように選択される。つまり、液体は、ラジカルの効率的な発生のために準備され、液体における望ましくない反応性成分は、液体の提供の前に低減又は破壊される。つまり、これらの成分は、基板表面に接触しないか、又はより弱い形態でのみ接触する。これは、例えば、液体が移動しながら適切な前駆体及び中間生成物を生ぜしめることによって行われる。なぜならば、この動力学が、それぞれの破壊又は分解を促進しかつ均質化するからである。液体の流れの方向は、液体が基板に向かって流れるように及びラジカルの発生が基板に液体を提供する直前に生じるように、選択される。適切なＵＶ放射を選択することにより、一方では液体の予備処理、他方ではラジカルの発生が達成されてよい。
【００１５】
液体として、以下のうちの少なくとも１つが使用されてよい：オゾン水、水素水、ＤＩ水、Ｈ2Ｏ2、ＣＯ2−Ｈ2Ｏ、Ｏ2ガスが溶解されているＤＩ水、ＮＨ4ＯＨ、酢酸、クエン酸、ＴＭＡＨ、ＨＮＯ3、ＨＣｌ、Ｈ3ＰＯ4、又はこれらの混合物。さらに、当該技術分野において公知のように、過酸化水素水、硫酸、又はその他の有機酸が使用されてよく、この場合、ラジカルの発生の直前の媒体の分解が、特別な廃棄を要求する化学物質の使用を不要にする。基板は、例えば以下のうちの１つであってよい：半導体製造のためのフォトマスク、半導体、特にＳｉウェハ、Ｇｅウェハ、ＧａＡｓウェハ、又はＩｎＰウェハ、フラットパネル基板、多層セラミック基板、又は例えば半導体製造において使用される、クリーニングしようとするあらゆるその他の基板。このような基板は、様々な形状及び寸法を有していてよい。クリーニングの間、以下のうちの少なくとも１つが、ラジカルによって基板から少なくとも部分的に除去される：炭素、炭化水素、有機汚染物及び有機機能層、例えばポジティブレジスト、ネガティブレジスト、イオン注入レジスト、エンボシング及びインプリント材料、ストレスバッファ、余盛不足材料、ラッカ、染料、生物材料、及びバクテリア。
【００１６】
発明の別の態様によれば、基板の表面及び前記基板の表面に近い層からイオンを除去する方法が提供され、この方法においては、前記基板の少なくとも部分的な領域に液体膜を形成するために、周囲温度よりも高く加熱された液体が前記基板に提供され、電磁放射が前記液体膜に導入され、前記放射の少なくとも一部が前記基板の表面に到達するようにする。これにより、電磁放射が基板表面上の残留イオンに衝突したときに、電磁放射は、増大したイオン移動度を生ぜしめる。さらに、電磁放射は、液体の温度を上昇させる及び／又は吸収された場合に液体にラジカルを発生し、両者はイオンの除去を促進する。
【００１７】
１つの実施形態において、液体は、基板への電磁放射の提供の直前及び／又はその間に電磁放射によって少なくとも部分的に加熱され、これにより、このように加熱された液体が基板に到達する前にほとんどエネルギ損失が生じない。択一的に又は付加的に、電磁放射を提供する前に液体は予熱された状態で使用箇所まで供給されてよい。液体は、例えば周囲温度と液体の沸点との間の範囲の温度に加熱されてよい。高められた圧力の下で方法を行い、これにより、液体が沸点に達する前に液体をより高い温度に加熱することも可能である。
【００１８】
液体として例えば以下のうちの１つが使用されてよい：オゾン水、水素水、ＤＩ水、Ｈ2Ｏ2、ＣＯ2−Ｈ2Ｏ、Ｏ2ガスが溶解されたＤＩ水、又はこれらの混合物。
【００１９】
１つの実施形態において、ＵＶ放射、特に１９０ｎｍよりも高い波長を有するＵＶ放射が液体に導入され、そのうちの少なくとも５０％、特にそのうちの少なくとも８０％が、基板表面と液体膜との間の境界面に達する。択一的に又は付加的に、ＩＲ放射は液体膜に導入されてよく、ＩＲ放射は、例えば、液体膜の現場加熱のために使用されてよい。この場合、ＩＲ放射の少なくとも５０％は、基板の表面と液体膜との間の境界面に到達すべきである。ＵＶ放射及びＩＲ放射は、同一の放射源を介して導入されてよい。放射の少なくとも一部は、液体膜にラジカルを発生させる。
【００２０】
別の態様によれば、少なくとも部分的に疎水性の基板表面を有する基板の表面特性を変化させる方法が提供され、この方法において、前記疎水性基板表面の少なくとも一部が親水性表面特性を得る。これを達成するために、液体が、表面特性が変化させられる基板表面の少なくとも部分的な領域に提供され、所定の波長範囲のＵＶ放射が前記液体を通って、表面特性が変化させられる前記基板の表面の少なくとも部分的な領域に案内される。液体における特に高エネルギ短波長放射の吸収により、基板表面の領域における応力に関する問題が実質的に減じられるか又は完全に克服される。液体は、乾燥条件と比較して低い放射エネルギでの疎水性表面層の除去も促進し、これにより、基板表面における応力のさらなる低減をも可能にする。
【００２１】
液体の良好な透過を達成するために、ＵＶ放射の所定の範囲の波長は１９０ｎｍよりも高く、この場合、前記所定波長範囲内のＵＶ放射の少なくとも８０％が基板表面に到達すべきである。液体として、以下のうちの少なくとも１つが使用されてよい：オゾン水、水素水、ＤＩ水、ＣＯ2水、又はこれらの混合物。その他の液体が使用されてもよい。特にＤＩ水が使用されてもよい。
【００２２】
上記の様々な方法は、有利には、１つの完成した方法に組み合わされてよく、この場合、これらの方法のそれぞれ一つは、同じ液体又は変化する液体において順次に及び／又は並行して行われる。特に、個々の方法の間に基板を取り扱う必要なくこれらの１つ方法を１つの装置において行うことも可能である。
【００２３】
別の態様によれば、基板を処理するための装置が提供され、この装置は、基板を収容するための基板ホルダと、入口及び出口を有する流れチャンバを形成したハウジングと、第１の放射源と、前記基板ホルダと前記ハウジングとの相対移動を生ぜしめるためのユニットとを有する。第１の放射源は、前記流れチャンバ内へ放射を放射するように配置されており、さらにＵＶ放射を放射することができる。相対移動を生ぜしめるためのユニットは、出口から出る液体が基板ホルダ上の基板上へ直接に流れるように出口が基板に向けられるように、前記基板ホルダに対して前記ハウジングを配置することができる。
【００２４】
このような装置は、第１の放射源を介して、基板に提供された液体への放射、特にＵＶ放射の導入を可能にする。これは、例えば、上記方法で説明したように、ラジカルの発生のための前駆体及び中間生成物を発生するために又は液体にラジカルを発生させるために直接に使用されてよい。しかしながら、基板上に液体を提供する間に液体を加熱することも可能である。
【００２５】
第１の放射源がハウジングからも前記出口を通じて放射を放射するように第１の放射源が配置されていることも可能である。これは、ラジカルの活性化を維持するために又はさらなるラジカルを発生させるために、基板への液体の提供の前だけでなくその後にも液体への放射の導入を可能にする。また、液体のさらなる加熱又はその温度での液体の維持が達成されてよい。さらに、基板への液体の提供の前に液体に放射を導入するために使用されるのと同じ放射源が、疎水性表面を親水性表面に変化させるために、又は基板表面からのイオンの除去のために単純な形式で使用されてもよい。
【００２６】
１つの実施形態において、第１の放射源が少なくとも部分的に前記流れチャンバに配置されている。ハウジングは、例えば出口開口を有してよく、第１の放射源が少なくとも部分的に出口開口に、特に実質的に出口開口の中央に配置されていてよい。出口開口及び第１の放射源は、基板に対するハウジングの一回の走査移動の間に基板の完全なクリーニングを可能にするために、クリーニングしようとする基板が延びている幅よりも大きいか又は少なくともそれに等しい長さに延びている。１つの実施形態において、第１の放射源は、ＵＶ範囲の放射を放射する第１のランプを含み、第１のランプは付加的にＩＲ範囲の放射を放射してよい。第１の放射源は付加的に、少なくとも、第１のランプとは主に異なる波長範囲の放射を放射する第２のランプを含んでよい。例えば、第２のランプは、第１のランプがＩＲ放射を放射しない場合には、ＩＲ放射を放射してよく、又は例えば異なる波長範囲のＵＶ放射を放射してよい。したがって、第１及び第２のランプをそれぞれ制御することによって、放射源はプロセスの要求に適合されてよい。第１の放射源がさらに別のランプを有することも可能である。
【００２７】
１つの実施形態によれば、第１のランプ及び／又は第２のランプと、ハウジングにおける流れチャンバとの間にカバーが設けられており、少なくとも１つのカバーは少なくともＵＶ放射に対して実質的に透明である。このようなカバーは、流れチャネルに汚染物を導入する危険性なくそれぞれのランプの交換を可能にする。この関連で、カバーは少なくとも１つの平面において第１のランプ及び／又は第２のランプを完全に包囲している。カバーの材料は例えば石英であってよい。
【００２８】
第１のランプ及び／又は第２のランプは、流れチャンバを貫通した、流れチャンバ全体に均一な放射を提供する長手方向ランプ若しくはロッドランプであってよい。第１のランプは、特に、１４０ｎｍ〜２８０ｎｍ、液体に応じて１４０ｎｍ〜２００ｎｍの波長範囲のＵＶ放射を放射してよく、１つの実施形態において主に、すなわちＵＶ放射の５０％以上がこの波長範囲である。第２のランプは例えば１８０ｎｍよりも高い波長範囲の放射及び／又はＩＲ放射を放射してよい。これにより、様々なプロセス結果が達成されてよい。１８０ｎｍよりも高い放射は、例えば主に、流れチャンバにおける液体の分解を生ぜしめ、その後、１４０ｎｍ〜２８０ｎｍの範囲、液体に応じて１４０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の放射によって流れチャンバにおけるラジカルの発生を促進する。
【００２９】
付加的に、少なくとも１つの第２の放射源が、ハウジングの出口に隣接した領域に放射を放射するように、ハウジングの流れチャンバの外側に提供されていてよい。このような放射源は、主に流れチャンバには放射を放射しないが、適用可能であるならば、流れチャンバから出た液体によって基板に形成された液体膜に放射を放射する。第２の放射源は主に、第１の放射源とは異なる波長範囲の放射を放射してよいが、実質的に同じ放射を放射することも考えられる。特に、第２の放射源は、１８０ｎｍよりも高い波長範囲のＵＶ放射及び／又はＩＲ放射を放射してよい。
【００３０】
第１及び第２の放射源及び場合によってはこれらの放射源のそれぞれのランプを個々に及び独立して制御することができる制御ユニットが設けられていてよい。これは、それぞれのプロセス要求に従って、基板に提供される液体への放射の導入を適合させることを可能にする。
【００３１】
以下に図面を参照して発明をより詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明による処理装置の概略的な上面図である。
【図２】図１の装置を線Ｉ−Ｉに沿って見た概略的な断面図である。
【図３】発明の択一的な実施形態による、図２と同様の概略的な断面図である。
【図４】発明の別の択一的な実施形態による、図２と同様の概略的な断面図である。
【図５】発明のさらに別の実施形態による、図２と同様の概略的な断面図である。
【００３３】
上、下、左又は右のように以下の説明で使用されるあらゆる方向を表す用語は、図面に関するものであり、それが好適な配列ではあるが、適用を限定するものとして解釈すべきではない。
【００３４】
図１は、基板２を処理するための装置１の概略的な上面図を示しており、図２は、線Ｉ−Ｉに沿った装置１の概略的な断面図を示している。
【００３５】
装置１は基本的に基板のための収容体から成り、以下ではアプリケーションユニット６のための基板ホルダと呼ぶ。基板ホルダ４及びアプリケーションユニット６は、図示されていない圧力チャンバ内に配置されており、この圧力チャンバ内には、適切な手段によって正圧又は負圧が生ぜしめられる。
【００３６】
図示したように、基板ホルダ４は、矩形の基板２を収容するための平坦な矩形のプレートである。基板ホルダ４は、処理される基板２の形状に適合されたその他の形状を有していてもよい。基板ホルダ４は、アプリケーションユニット６を介して基板２へ提供される流体のための、図示されていない排出部を有する。
【００３７】
アプリケーションユニット６は、主要部８と支持部１０とから成り、支持部１０は、二重矢印Ａ及びＢによって示したように、主要部８を可動に支持している。特に、支持部１０は支持アーム１２を有しており、支持アーム１２は一方の端部において主要部８に結合されており、支持アーム１２の他方の端部は、図示されていない駆動装置に結合されている。二重矢印Ａ及びＢによって示したように、駆動装置は例えば支持アーム１０、ひいては主要部８の回動及び／又は線形移動を提供する。この形式において、前記基板の部分的な領域又は表面全体の処理を可能にするために、主要部８は、前記基板ホルダ４に収容された基板２に沿って移動させられる。さらに、主要部８と、基板ホルダ４に収容された基板２の表面との間の距離を調節するために、支持アーム１０は持上げ移動を行うことも可能である。
【００３８】
択一的に又は付加的に、基板２と主要部８との間の相対移動を提供するために、基板ホルダのための移動機構を提供することも可能である。
【００３９】
主要部８は、実質的に、ハウジング１４と、流体ポート１６と、放射源１８とから成る。ハウジング１４は、細長い立方形のボディ２０を有しており、このボディ２０は、長手方向において流れチャンバ２２を形成しており、流れチャンバ２２は実質的にボディ２０の長さ全体にわたって延びている。以下でより詳細に説明するように、基板の幅全体にわたって基板に液体を提供することができるように、流れチャンバ２２は基板２の幅よりも大きな長さを有している。流れチャンバがより小さな寸法を有することも可能である。流れチャンバ２２の内面は、特にＵＶ放射に対して高い反射率を有するように設計されているのに対し、ＩＲ放射は実質的に吸収される。
【００４０】
流れチャンバ２２は実質的に円形の横断面を有する。流れチャンバ２２は、ボディが処理される基板２に向けられた出口開口を形成するように、ボディ２０の底側に向かって開放している。流れチャンバ２２の上側部分において、導管２４がボディ２０に設けられており、この導管２４は、流れチャンバ２２に対して実質的に平行に延びている。導管２４は、導管２４を介して流れチャンバ２２に流体を導くために、複数の箇所において流れチャンバ２２に流体接続されている。これに関して、導管２４が、実質的に流れチャンバ２２の長さ全体にわたって流れチャンバ２２に流体を導くことができることに注意されたい。導管２４は流体ポート１６にも接続されている。
【００４１】
流体ポート１６は、図示されていない導管に接続されており、この導管を介して１つ又は２つ以上の流体が流体ポート１６へ導かれる。複数の流体がこの導管を介して流体ポートに同時に又は順次に導かれることが可能である。複数の導管を提供することも可能であり、これらの導管を介して例えば複数の異なる流体が流体ポートへ導かれてよい。流体として、例えば液体が考慮されているが、ガスを流体ポートへ導くことも可能であり、このガスは、流れチャンバ２２へ導かれる前に、流体ポート１６及び導管２４において液体と混合されてよい。図２に矢印が示されており、この矢印は、流体が流体ポート１６から導管２４を介して流れチャンバ２２へ流入し、ハウジング１４から流出する様子を示している。
【００４２】
放射源１８は、長手方向に延びた形状を有しており、流れチャンバ２２全体に沿って、実質的に流れチャンバ２２の中央に延びている。放射源１８は、カバー３２によって包囲されたロッドランプ３０を有しており、カバー３２は実質的にランプ３０の放射に対して透明である。ロッドランプは、少なくとも所定の波長範囲のＵＶ放射を放射するタイプのものである。ロッドランプ３０は、広い波長スペクトルにわたって放射を放射し、特にＵＶ放射及びＩＲ放射を放射することも可能である。
【００４３】
例えば石英ガラスから成るカバー３２は、流れチャンバ２２内でロッドランプ３０を完全に包囲しており、ロッドランプを流れチャンバ２２内の流体から隔離している。カバーは例えば、流れチャンバ２２の端壁を貫通してボディ２０から延出している。これは、流れチャンバにアクセスすることなく、例えば交換又はメンテナンスのためにロッドランプ３０へのアクセスを可能にする。流れチャンバ２２における配置により、カバー３２は流れチャンバ２２の内壁とともに、導管２４を介して流れチャンバ２２内に導かれる流体のための流路を形成している。このような流体はカバー３２の周囲、ひいては放射源１８全体の周囲を流れる。これにより、ロッドランプ３０によって放射された放射は、流路に沿って流れるあらゆる流体に導入される。さらに、カバー３２は、ボディ２０の底面を超えて延びており、これにより、部分的にボディ２０の出口開口内へ延びている。したがって、ロッドランプから放射された放射は、流れチャンバ２２から基板ホルダ４に向かって又は基板ホルダ上の基板２へ出ることが可能である。特に、放射は、例えば流れチャンバ２２を通って基板上へ流れる液体によって形成された、基板２上の液体膜に導入されてよい。
【００４４】
図３は、基板２を処理するための装置１の択一的な実施形態の、図２と同様の概略的な側面図を示している。この実施形態を説明する場合、同じ又は類似のエレメントが提供されている限り、前と同じ符号が用いられる。
【００４５】
装置１は再び、実質的に、基板を収容するための基板ホルダ４と、アプリケーションユニット６とから成る。基板ホルダは、図１及び図２に関して前述したのと同じ形式で設計されていてよい。
【００４６】
アプリケーションユニット６は再び、主要部８と、図３には図示されていないが、図１及び図２に関して前述したのと同じ設計を有する支持部とから成る。主要部８は再び、実質的に、ハウジング１４と、流体ポート１６と、放射源１８とを有しており、ハウジング１４及び流体ポートは、図１及び図２に関連して前述したのと同じ設計を有していてよい。
【００４７】
放射源１８は再び、細長い形状を有しており、かつ流れチャンバ２２を実質的に中央で貫通して延びている。この実施形態における放射源１８は、ロッドランプ３０，３０′を有しており、ロッドランプ３０，３０′は、ロッドランプ３０，３０′の放射に対して実質的に透明なカバー３２によって包囲されている。ロッドランプ３０，３０′は、図３において互いに上下に示されているが、カバー３２内でそれとは異なる形式で配置されていてもよい。ロッドランプは、互いに同じタイプ又は異なるタイプのものであってよく、少なくともそのうちの一方は所定の波長範囲のＵＶ放射を放射する。特に、両方のロッドランプ３０，３０′は、互いに異なる波長範囲のＵＶ放射を放射することが可能である。上側のロッドランプ３０′は、例えば、少なくとも部分的に又は主として１８０ｎｍよりも高い波長範囲のＵＶ放射を放射してよく、これに対して下側のロッドランプ３０は少なくとも部分的に又は主として１４０〜２８０ｎｍ、液体に応じて１４０ｎｍ〜２００ｎｍの波長範囲のＵＶ放射を放射する。一方又は両方のロッドランプ３０，３０′が、所定量のＩＲ放射又はその他の放射を放射してもよい。
【００４８】
カバー３２は、流れチャンバ２２内でロッドランプ３０，３０′を完全に包囲しており、前記流れチャンバ２２における流体からロッドランプを隔離している。これに関して、カバー３２は、図１及び図２に関して前述したカバーと同じ設計を有してよい。さらに、カバー３２内にさらに別のロッドランプが収容されていることも可能であり、このロッドランプはそれぞれ、異なる放射を放射するか、又は同じ放射を放射してもよい。ロッドランプ３０，３０′の配列及び選択により、（放射される波長及びその空間的な分布に関する）所望の放射プロフィルが、流れチャンバ２２内に、及びボディ２０の出口開口を介して流れチャンバ２２を超えて、生ぜしめられる。
【００４９】
図４は、基板２を処理するための装置１の別の択一的な実施形態の、図２と同様の概略的な断面図を示している。この実施形態を説明する場合、同じ又は類似のエレメントが提供されている限り、前と同じ符号が使用される。
【００５０】
装置１は再び、実質的に、基板を収容するための基板ホルダ４と、アプリケーションユニット６とから成る。基板ホルダ４は、図１及び図２に関して前述されたのと同じ形式で設計されていてよい。
【００５１】
アプリケーションユニット６は再び、主要部８と、図４には示されていないが、図１及び図２に関して前述されたものと同じ設計を有する支持部とから成る。
【００５２】
主要部８は再び、実質的に、ハウジング１４と、流体ポート１６と、放射源１８とから成る。付加的に、２つの別の放射源４０が提供されている。ハウジング１４は、細長い立方形のボディ２０を有する、図１及び図２に関して前述されたものと同じ設計を有していてよい。ボディ２０における流れチャンバ２２及び導管２４は、図１及び図２に関して前述されたものと同じ設計を有する。これは、流体ポート１６に関しても当てはまる。
【００５３】
ボディ２０の底側において、ボディの長さに沿って出口開口の両側に延びた凹所４２が設けられている。凹所は、別の放射源４０を少なくとも部分的に収容するように寸法決めされている。凹所４２の表面は、放射源４０の放射のための反射面を有していてよい。
【００５４】
放射源１８は、図１及び図２に関して前述したものと同じ設計を有するか、又は図３に関して説明した設計を有していてもよい。
【００５５】
放射源４０はそれぞれ、ボディ２０のそれぞれの凹所４２に収容された、ボディ２０の長さにわたって延びたロッドランプを含む。このことは図４には示されていないが、放射源４０はそれぞれ、ロッドランプの放射に対して実質的に透明なカバーを有していてよく、このカバーは、周囲、特に流体チャンバから出るあらゆる液体に対して、ロッドランプを隔離する。放射源４０のロッドランプは、互いに同じタイプ又は異なるタイプのものであってよく、放射源１８のロッドランプ３０，３０′と異なるタイプのものであることもできる。図４に示したように２つの放射源４０を提供する代わりに、１つの放射源４０のみを提供することも可能である。
【００５６】
図５は、基板２を処理するための装置１の別の実施形態の、図２と同様の概略的な断面図を示している。この実施形態の説明において、同じ又は類似のエレメントが提供される限り、再び前と同じ符号が用いられる。
【００５７】
装置１は再び、実質的に、基板を収容するための基板ホルダ４と、アプリケーションユニット６とから成る。基板ホルダ４は、図１及び図２に関して前述したのと同じ形式で設計されていてよい。
【００５８】
アプリケーションユニット６は再び、主要部８と、図５に示されていない支持部とから成る。ここで以下に説明される主要部８が基板を完全に被覆することができる限り、支持部の可動性は省略されてよい。距離調節と、主要部の下方に基板を位置決めするための可動性のみが要求される。
【００５９】
主要部８は、実質的に、ハウジング１４と、複数の流体ポート１６と、複数の放射源１８とから成る。ハウジングは、処理される基板の形状に適合されたボディ２０から成る。ボディ２０には、ボディの底側へ開放した流れチャンバ２２が形成されており、開口は実質的に、処理される基板の寸法に対応している。流れチャンバ２２の内壁は反射性である。流れチャンバ２２の上側は複数の導管２４を介して複数の流体ポート１６（ここでは６つが示されている）に接続されている。
【００６０】
複数の放射源１８（ここでは６つが示されている）は流れチャンバ２２内に設けられており、これらの放射源は流れチャンバ２２を長手方向又は横方向に貫通して延びている。したがって、流れチャンバ２２の壁部と放射源１８との間、及びそれぞれの放射源の間には、異なる流路が形成されている。放射源１８は、図１及び図２に関して説明したもの又は図３に関して説明したものと同じ設計を有していてよい。
【００６１】
付加的に、２つの別の放射源４０が設けられている。ハウジング１４は、図１及び図２に関して前述したものと同様の設計を有しており、細長い立方形のボディ２０と、流れチャンバ２２と、ボディ２０における導管２４とを有しており、図１及び図２に関して前述したのと同じ設計を有する。これは、流体ポート１６にも当てはまる。
【００６２】
上述のロッドランプはそれぞれ制御ユニットに接続されており、制御ユニットは、ロッドランプを個々に及び独立して制御又は駆動することができる。ロッドランプを使用せずに、他のランプ／放射体を使用することも可能であるが、この他のランプ／放射体は、流れチャンバの長さに沿って実質的に均一な放射プロフィルを提供することができるべきである。
【００６３】
以下に、装置１の作動を図面に関してより詳細に説明する。
【００６４】
基板の表面の処理のために、アプリケーションユニット６の主要部８は、基板ホルダ４上の基板２上を移動させられる。基板の表面全体が処理されるべきであるならば、基板を完全に被覆する図５による実施形態が使用されない限り、主要部８は、以下に説明する処理の間、基板に沿って移動させられてよい。
【００６５】
次いで、流体、特に液体が、流体ポート１６と、導管２４と、流れチャンバ２２とを介して、少なくとも処理される基板の表面に提供される。第１の放射源１８及び／又は放射源４０を介して前記流体に放射が導入される。放射は、基板を処理するために放射が基板に直接作用するように及び／又は所望の処理を行うために基板の特性を変化させるために流体に作用するように、選択される。そうすることによって、基板の表面のための異なる処理可能性が提供され、これは、局所的に制限されるか、又は基板の表面全体において行われてよい。
【００６６】
以下では、これらの処理可能性のうちの幾つかが、これらの例に限定されることなくより詳細に説明される。フォトマスクの処理は、例として提供される。
【００６７】
まず、少なくとも部分的に疎水性の基板表面を有する基板２の表面特性を親水性基板表面に変化させることを説明する。これを達成するために、ＤＩ水のような液体が流体として流れチャンバ２２を介して、処理される基板表面に提供され、基板２に液体膜を形成する。放射源１８又は４０を介してこの液体膜にＵＶ放射が導入され、ＵＶ放射の実質的な部分が液体と基板表面との間の境界面に達するように、液体と、ＵＶ放射の波長範囲とが互いに適合される。ＵＶ放射はここで、以前は疎水性の基板表面を親水性表面に変化させるように作用する。
【００６８】
液体膜のＵＶ放射の透過性をよくするために、ここで使用されるＵＶ放射の波長範囲は、例えば、１９０ｎｍよりも高い。このような波長範囲を提供するために、この波長範囲で放射する対応するロッドランプが制御又は駆動される一方、場合によっては、他のランプは制御又は駆動されない。前記波長範囲を使用する場合、以下のうちの１つが液体として使用されてよい：オゾン水、水素水、ＤＩ水、又はこれらの混合物。その他の液体が使用されてもよい。
【００６９】
次に、基板表面のクリーニングを説明する。この基板表面は、例えば上述のように親水性表面を有するように処理されており、ラジカルとの相互作用により除去されやすい汚染物を有する。
【００７０】
ここでは、再び、液体は、流れチャンバ２２を介して、処理される基板２の表面に提供される。液体が放射源１８の周囲を流れる間に、ＵＶ放射が放射源１８によって液体に放射される。この放射は特に液体にラジカルを発生させる。この発生は、極めて短い消滅時間を有するこのような発生されたラジカルの少なくとも一部が基板２に接触するように、液体が基板に提供される直前に生じる。放射源１８の放射は流れチャンバ２２に限定されないので、放射は、基板２に液体によって形成された液体膜にも導入され、これにより、さらなるラジカルを発生する及び／又は既に発生されたラジカルの活性化を部分的に維持する。
【００７１】
アプリケーションユニット６の対応する移動により、基板の部分的な領域又は表面全体を選択的にクリーニングすることができる。
【００７２】
液体、及び液体に導入された放射は、再び、所望の効果を達成するために互いに適合させられている。ラジカルの発生のために、特に１４０ｎｍ〜２８０ｎｍ、液体に応じて１４０ｎｍ〜２００ｎｍの波長範囲におけるＵＶ放射が適している。前記波長範囲におけるＵＶ放射は、特に、ＵＶ放射の少なくとも５０％、特に８０％が吸収されるように、使用される液体に適合させられている。
【００７３】
使用される液体に応じて、ラジカルの発生は、液体が放射源１８の周囲を流れる間に生じる、ＵＶにより誘発される液体の分解によっても促進される。この目的のために、ＵＶ放射は、一方では、ＵＶ放射によってもラジカルの直接に続く発生を促進するために、液体の分子構造の破壊が生ぜしめられるように選択される。１８０ｎｍよりも高い波長を有するＵＶ放射は、このような分解に特に適している。したがって、図３に示した放射源１８の実施形態において、上側のロッドランプが、分解を促進する、すなわち１８０ｎｍよりも高い波長を有するＵＶ光を放射するものであるのに対し、下側のロッドランプが、ラジカルの発生を促進する、すなわち１４０ｎｍ〜２８０ｎｍの波長を有するＵＶ光を放射するものであると、有利である。例としてＤＩ水を取り上げると、１４０ｎｍ〜２００ｎｍの波長範囲がラジカルの発生のために適しているが、他の液体の場合には、１４０ｎｍ〜２８０ｎｍのより高い波長範囲が適している。
【００７４】
これらの波長範囲は、もちろん必須というわけではなく、液体に応じて変化してよいが、フォトマスクをクリーニングするために通常に使用される多くの液体、例えば、オゾン水、水素水、ＤＩ水、Ｈ2Ｏ2、ＣＯ2−Ｈ2Ｏ、Ｏ2ガスが溶解されたＤＩ水、ＮＨ4ＯＨ、有機酸、ＴＭＡＨ、ＨＮＯ3、ＨＣｌ、Ｈ2ＳＯ4、又はこれらの混合物のために適用可能である。
【００７５】
最後に、例えば上述のように処理された基板２の表面又は表面に近い層からイオンが除去される処理が説明される。
【００７６】
この処理のために、基板２の少なくとも部分的な領域に液体膜を形成するために、周囲温度よりも高く加熱された液体が流れチャンバ２２を介して基板に提供される。放射は、放射源１８，４０のうちの少なくとも１つを介して液体膜に導入され、この場合、放射と液体とは、放射の少なくとも一部が基板表面に達するように、互いに適合させられている。電磁放射は、基板表面上の残留イオンに衝突すると、イオン移動性を増大させる。さらに、放射は、液体に吸収される限り、温度上昇及び／又はラジカルの発生をも生じ、これらは両方ともイオンの除去を促進する。特に、液体は、その提供中に、例えば高いＩＲ部分を有する放射源によって直接に加熱される。液体の高められた温度が液体におけるイオンの溶解度をも高める限り、液体は、沸点まで加熱されてよい。
【００７７】
液体として、例えば以下の液体、すなわちオゾン水、水素水、ＤＩ水、Ｈ2Ｏ2、ＣＯ2−Ｈ2Ｏ、Ｏ2ガスが溶解されたＤＩ水、又はこれらの混合物のうちの１つが使用されてよい。ＤＩ水はより高い温度に特に適している。放射として、それほど強く吸収されない、イオンを運動させかつ除去する所望の効果を促進する、特に１９０ｎｍよりも高い波長範囲のＵＶ放射が適している。液体の現場加熱を提供する限り、ＩＲ放射もよく適している。
【００７８】
上記処理は、所望の容易に組み合わされてよく、前記のように順次に又は部分的に又は完全に同時に行われてよい。
【００７９】
発明は、正確な実施形態に限定されることなく、ここでは複数の実施形態に関して上記で説明された。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の少なくとも部分的な領域をクリーニングする方法において、該方法が、
前記基板の少なくとも部分的な領域に液体を提供するステップと、
基板にＵＶ放射を提供する前に該ＵＶ放射によって前記液体にラジカルを発生させるステップとを有しており、前記ラジカルの発生が、ラジカルの少なくとも一部が基板に到達するように、基板への液体の提供の直前に生じることを特徴とする、基板の少なくとも部分的な領域をクリーニングする方法。
【請求項２】
基板に提供された液体が、基板上に液体膜を形成し、該液体膜におけるラジカルの活性化を維持するために及び／又はさらなるラジカルを発生させるために、前記液体膜にＵＶ放射を導入する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
基板に液体を提供する前の該液体に及び前記基板上の液体フィルムに導入される前記ＵＶ放射を、少なくとも部分的に、同じ放射源によって放射する、請求項２記載の方法。
【請求項４】
ラジカルを含有する液体が、基板の選択された表面領域に限定されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
基板にラジカルを発生させるために、１４０ｎｍ〜２８０ｎｍの範囲、液体に応じて１４０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の波長を有するＵＶ放射を使用し、該ＵＶ放射の少なくとも５０％が、ラジカルを発生させるために液体に吸収される、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
１４０ｎｍ〜２８０ｎｍ、液体に応じて１４０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の波長を有するＵＶ放射の少なくとも８０％が、吸収される、請求項５記載の方法。
【請求項７】
使用される液体を、前記範囲の使用される波長に適合させることによって、吸収が達成される、請求項５又は６記載の方法。
【請求項８】
液体がＵＶ放射源に沿って流れながら、液体を提供する前にＵＶ放射を液体に導入する、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
基板表面との望ましくない反応を回避するために及び／又はＵＶ放射によってラジカルの直接に続く発生をも可能にするために、液体の分子構造が破壊されるようにＵＶ放射が選択される、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
液体として以下のうちの少なくとも１つが使用される：オゾン水、水素水、ＤＩ水、Ｈ2Ｏ2、ＣＯ2−Ｈ2Ｏ、Ｏ2ガスが溶解されたＤＩ水、ＮＨ4ＯＨ、酢酸、クエン酸、ＴＭＡＨ、ＨＮＯ3、ＨＣｌ、Ｈ2ＳＯ4、Ｈ3ＰＯ4、又はこれらの混合物、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
前記基板が、以下のうちの１つである：マスク、特に半導体の製造のためのフォトマスク、半導体、特にＳｉウェハ、Ｇｅウェハ、ＧａＡｓウェハ又はＩｎＰウェハ、フラットパネル基板、多層セラミック基板、請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
以下のうちの少なくとも１つが、ラジカルを介して基板から少なくとも部分的に除去される：有機汚染物、及びポジティブレジスト、ネガティブレジスト及びイオン注入されたレジストのような有機機能層、炭素、炭化水素、エンボシング及びインプリント材料、応力バッファ及び余盛不足材料、ラッカ、染料、生物材料及びバクテリア、請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
液体が、基板のクリーニングしようとする局部領域に提供される、請求項１から１２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
基板の表面の少なくとも部分的な領域及び前記基板の表面に近い層からイオンを除去する方法において、該方法が、
前記基板の少なくとも部分的な領域に液体膜を形成するために、周囲温度よりも高く加熱された液体を前記基板に提供するステップと、
前記液体膜に電磁放射を導入し、その際、該電磁放射の少なくとも一部が前記基板の表面に到達するようにすることを特徴とする、方法。
【請求項１５】
基板に液体を提供する間に該液体を電磁放射によって加熱する、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
液体が電磁放射に曝される前に前記液体を予熱する、請求項１４又は１５記載の方法。
【請求項１７】
前記液体を、周囲温度と前記液体の沸点との間の範囲の温度に加熱する、請求項１４から１６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１８】
前記方法を、高められた圧力の下で行う、請求項１４から１７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１９】
液体として、以下のうちの少なくとも１つを用いる：オゾン水、水素水、ＤＩ水、Ｈ2Ｏ2、ＣＯ2−Ｈ2Ｏ、Ｏ2ガスが溶解されたＤＩ水、又はこれらの混合物、請求項１４から１８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２０】
ＵＶ放射を液体膜に導入する、請求項１４から１９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２１】
少なくとも、１９０ｎｍよりも高い波長を有するＵＶ放射を液体に導入し、前記ＵＶ放射の少なくとも５０％が基板の表面と液体膜との間の境界面に到達する、請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
１９０ｎｍよりも高い波長を有するＵＶ放射の少なくとも８０％が前記境界面に到達する、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
液体膜にＩＲ放射を導入する、請求項１４から２２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２４】
ＩＲ放射の少なくとも５０%が基板の表面と液体膜との間の境界面に到達する、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
ＵＶ放射及びＩＲ放射が同じ放射源を介して導入される、請求項２０及び２３記載の方法。
【請求項２６】
放射の少なくとも一部が液体膜にラジカルを発生させる、請求項１４から２５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２７】
少なくとも部分的に疎水性の基板表面を有する基板の表面特性を、前記疎水性の表面の少なくとも一部が親水性の表面特性を得るように、変化させる方法において、該方法が、
表面特性を変化させようとする表面の少なくとも部分的な領域に液体を提供するステップと、
所定の波長範囲のＵＶ放射を、前記液体を通過させて、表面特性を変化させようとする前記基板の表面の少なくとも部分的な領域へ案内するステップとを有することを特徴とする、方法。
【請求項２８】
前記所定の波長範囲が、１９０ｎｍよりも高い波長を有するＵＶ放射を含む、請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
前記所定の波長範囲内のＵＶ放射の少なくとも８０％が基板の表面に到達する、請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
液体として、以下のうちの少なくとも１つを使用する；オゾン水、水素水、ＤＩ水、Ｈ2Ｏ2、ＣＯ2−Ｈ2Ｏ、Ｏ2ガスが溶解されたＤＩ水、ＮＨ4ＯＨ、有機酸、ＴＭＡＨ、ＨＮＯ3、ＨＣｌ、Ｈ2ＳＯ4、又はこれらの混合物、請求項２７から２９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項３１】
前記液体がＤＩ水である、請求項３０記載の方法。
【請求項３２】
以下の方法のうちの少なくとも２つを順次に行う：請求項２７から３１までのいずれか１項記載の方法、請求項１から１３までのいずれか１項記載の方法、及び請求項１４から２６までのいずれか１項記載の方法、を特徴とする、基板を処理する方法。
【請求項３３】
前記方法のうちの少なくとも２つを上述の順序で順次に行う、請求項３２記載の方法。
【請求項３４】
前記方法のうちの２つを並行して行う、請求項３２又は３３記載の方法。
【請求項３５】
前記方法を同じ装置において行う、請求項３２から３４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項３６】
前記方法を行う間、基板が前記装置にとどまる、請求項３５記載の方法。
【請求項３７】
以下の方法のうちの少なくとも２つを並行して行う：請求項２７から３１までのいずれか１項記載の方法、請求項１から１３までのいずれか１項記載の方法、及び請求項１４から２６までのいずれか１項記載の方法、を特徴とする、基板を処理する方法。
【請求項３８】
全ての方法を並行して行う、請求項３７記載の方法。
【請求項３９】
前記方法のうちの２つを上述の順序で順次に行う、請求項３７記載の方法。
【請求項４０】
前記方法を同じ装置において行う、請求項３９記載の方法。
【請求項４１】
前記方法を行う間、基板が装置にとどまる、請求項４０記載の方法。
【請求項４２】
基板を処理するための装置において、該装置が、
基板を収容するための基板ホルダと、
入口及び出口を有する流れチャンバを形成するハウジングと、
前記流れチャンバ内に放射を放射するために配置された第１の放射源とが設けられており、該第１の放射源がＵＶ放射を放射することができ、
前記基板ホルダと前記ハウジングとの相対移動を生ぜしめるためのユニットが設けられており、該ユニットが、出口から出る液体が基板ホルダ上の基板へ直接に流れるように出口が基板ホルダに向けられるように、前記基板に対して前記ハウジングを配置することができることを特徴とする、基板処理するための装置。
【請求項４３】
第１の放射源がまた、前記出口を通ってハウジングから出るように放射を放射する、請求項４２記載の装置。
【請求項４４】
第１の放射源が少なくとも部分的に前記流れチャンバに配置されている、請求項４２又は４３記載の装置。
【請求項４５】
前記ハウジングが出口開口を有しており、前記第１の放射源が少なくとも部分的に前記出口開口に配置されている、請求項４２から４４までのいずれか１項記載の装置。
【請求項４６】
第１の放射源が実質的に出口開口の中央に配置されている、請求項４５記載の装置。
【請求項４７】
出口開口及び第２の放射源が、クリーニングしようとする基板が延びている幅よりも大きいか又は該幅と等しい長さに延びている、請求項４５又は４６記載の装置。
【請求項４８】
第１の放射源が、ＵＶ範囲の放射を放射する第１のランプを含む、請求項４２から４７のうちのいずれか１項記載の装置。
【請求項４９】
第１のランプがＩＲ範囲の放射を放射する、請求項４８記載の方法。
【請求項５０】
第１の放射源が、第１のランプとは主に異なる波長範囲における放射を放射する少なくとも第２のランプを含む、請求項４８又は４９記載の装置。
【請求項５１】
第１のランプ及び／又は第２のランプと、流れチャンバとの間に、少なくとも１つのカバーが設けられており、該少なくとも１つのカバーが実質的にＵＶ放射に対して透明である、請求項４８から５０までのいずれか１項記載の装置。
【請求項５２】
少なくとも１つのカバーが、第１のランプ及び／又は第２のランプを１つの平面において完全に包囲している、請求項５１記載の装置。
【請求項５３】
第１のランプ及び／又は第２のランプが、ロッドランプである、請求項４８から５２までのいずれか１項記載の装置。
【請求項５４】
第１のランプが、特に、１４０ｎｍ〜２８０ｎｍ、液体に応じて１４０ｎｍ〜２００ｎｍの波長範囲のＵＶ放射を放射する、請求項４８から５３までのいずれか１項記載の装置。
【請求項５５】
第１のランプが、主に、１４０ｎｍ〜２８０ｎｍ、液体に応じて１４０ｎｍ〜２００ｎｍの波長範囲のＵＶ放射を放射する、請求項４８記載の装置。
【請求項５６】
第２のランプが、１８０ｎｍよりも高い波長範囲のＵＶ放射を放射する、請求項４８から５５までのいずれか１項記載の装置。
【請求項５７】
第２のランプが、ＩＲ放射を放射する、請求項５０から５６までのいずれか１項記載の装置。
【請求項５８】
少なくとも１つの第２の放射源が、ハウジングの出口に隣接した領域に放射を放射するように、ハウジングの流れチャンバの外側に設けられている、請求項４２から５７までのいずれか１項記載の装置。
【請求項５９】
第２の放射源が、主に、第１の放射源とは異なる波長範囲で放射する、請求項５８記載の装置。
【請求項６０】
第２の放射源が、１８０ｎｍよりも高い波長範囲のＵＶ放射を放射する、請求項５８又は５９記載の装置。
【請求項６１】
第２の放射源が、ＩＲ放射を放射する、請求項５８から６０までのいずれか１項記載の装置。
【請求項６２】
第１の放射源と第２の放射源とを個々に及び独立して制御することができる制御ユニットが設けられている、請求項５８から６１までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１】
基板の少なくとも部分的な領域をクリーニングする方法において、該方法が、
前記基板の少なくとも部分的な領域に液体を提供するステップと、
基板にＵＶ放射を提供する前に該ＵＶ放射によって前記液体にラジカルを発生させるステップとを有しており、前記ラジカルの発生が、ラジカルの少なくとも一部が基板に到達するように、基板への液体の提供の直前に生じることを特徴とする、基板の少なくとも部分的な領域をクリーニングする方法。
【請求項２】
基板に提供された液体が、基板上に液体膜を形成し、該液体膜におけるラジカルの活性化を維持するために及び／又はさらなるラジカルを発生させるために、前記液体膜にＵＶ放射を導入する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
基板に液体を提供する前の該液体に及び前記基板上の液体フィルムに導入される前記ＵＶ放射を、少なくとも部分的に、同じ放射源によって放射する、請求項２記載の方法。
【請求項４】
ラジカルを含有する液体が、基板の選択された表面領域に限定されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
基板にラジカルを発生させるために、１４０ｎｍ〜２８０ｎｍの範囲、液体に応じて１４０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の波長を有するＵＶ放射を使用し、該ＵＶ放射の少なくとも５０％が、ラジカルを発生させるために液体に吸収される、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
１４０ｎｍ〜２８０ｎｍ、液体に応じて１４０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の波長を有するＵＶ放射の少なくとも８０％が、吸収される、請求項５記載の方法。
【請求項７】
使用される液体を、前記範囲の使用される波長に適合させることによって、吸収が達成される、請求項５又は６記載の方法。
【請求項８】
液体がＵＶ放射源に沿って流れながら、液体を提供する前にＵＶ放射を液体に導入する、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
基板表面との望ましくない反応を回避するために及び／又はＵＶ放射によってラジカルの直接に続く発生をも可能にするために、液体の分子構造が破壊されるようにＵＶ放射が選択される、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
液体として以下のうちの少なくとも１つが使用される：オゾン水、水素水、ＤＩ水、Ｈ2Ｏ2、ＣＯ2−Ｈ2Ｏ、Ｏ2ガスが溶解されたＤＩ水、ＮＨ4ＯＨ、酢酸、クエン酸、ＴＭＡＨ、ＨＮＯ3、ＨＣｌ、Ｈ2ＳＯ4、Ｈ3ＰＯ4、又はこれらの混合物、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
前記基板が、以下のうちの１つである：マスク、特に半導体の製造のためのフォトマスク、半導体、特にＳｉウェハ、Ｇｅウェハ、ＧａＡｓウェハ又はＩｎＰウェハ、フラットパネル基板、多層セラミック基板、請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
以下のうちの少なくとも１つが、ラジカルを介して基板から少なくとも部分的に除去される：有機汚染物、及びポジティブレジスト、ネガティブレジスト及びイオン注入されたレジストのような有機機能層、炭素、炭化水素、エンボシング及びインプリント材料、応力バッファ及び余盛不足材料、ラッカ、染料、生物材料及びバクテリア、請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
液体が、基板のクリーニングしようとする局部領域に提供される、請求項１から１２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
基板の表面の少なくとも部分的な領域及び前記基板の表面に近い層からイオンを除去する方法において、該方法が、
前記基板の少なくとも部分的な領域に液体膜を形成するために、周囲温度よりも高く加熱された液体を前記基板に提供するステップと、
前記液体膜に電磁放射を導入し、その際、該電磁放射の少なくとも一部が前記基板の表面に到達するようにすることを特徴とする、方法。
【請求項１５】
基板に液体を提供する間に該液体を電磁放射によって加熱する、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
液体が電磁放射に曝される前に前記液体を予熱する、請求項１４又は１５記載の方法。
【請求項１７】
前記液体を、周囲温度と前記液体の沸点との間の範囲の温度に加熱する、請求項１４から１６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１８】
前記方法を、高められた圧力の下で行う、請求項１４から１７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１９】
液体として、以下のうちの少なくとも１つを用いる：オゾン水、水素水、ＤＩ水、Ｈ2Ｏ2、ＣＯ2−Ｈ2Ｏ、Ｏ2ガスが溶解されたＤＩ水、又はこれらの混合物、請求項１４から１８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２０】
ＵＶ放射を液体膜に導入する、請求項１４から１９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２１】
少なくとも、１９０ｎｍよりも高い波長を有するＵＶ放射を液体に導入し、前記ＵＶ放射の少なくとも５０％が基板の表面と液体膜との間の境界面に到達する、請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
１９０ｎｍよりも高い波長を有するＵＶ放射の少なくとも８０％が前記境界面に到達する、請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
液体膜にＩＲ放射を導入する、請求項１４から２２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２４】
ＩＲ放射の少なくとも５０%が基板の表面と液体膜との間の境界面に到達する、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
ＵＶ放射及びＩＲ放射が同じ放射源を介して導入される、請求項２０及び２３記載の方法。
【請求項２６】
放射の少なくとも一部が液体膜にラジカルを発生させる、請求項１４から２５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項２７】
少なくとも部分的に疎水性の基板表面を有する基板の表面特性を、前記疎水性の表面の少なくとも一部が親水性の表面特性を得るように、変化させる方法において、該方法が、
表面特性を変化させようとする表面の少なくとも部分的な領域に液体を提供するステップと、
所定の波長範囲のＵＶ放射を、前記液体を通過させて、表面特性を変化させようとする前記基板の表面の少なくとも部分的な領域へ案内するステップとを有することを特徴とする、方法。
【請求項２８】
前記所定の波長範囲が、１９０ｎｍよりも高い波長を有するＵＶ放射を含む、請求項２７記載の方法。
【請求項２９】
前記所定の波長範囲内のＵＶ放射の少なくとも８０％が基板の表面に到達する、請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
液体として、以下のうちの少なくとも１つを使用する；オゾン水、水素水、ＤＩ水、Ｈ2Ｏ2、ＣＯ2−Ｈ2Ｏ、Ｏ2ガスが溶解されたＤＩ水、ＮＨ4ＯＨ、有機酸、ＴＭＡＨ、ＨＮＯ3、ＨＣｌ、Ｈ2ＳＯ4、又はこれらの混合物、請求項２７から２９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項３１】
前記液体がＤＩ水である、請求項３０記載の方法。
【請求項３２】
以下の方法のうちの少なくとも２つを順次に行う：請求項２７から３１までのいずれか１項記載の方法、請求項１から１３までのいずれか１項記載の方法、及び請求項１４から２６までのいずれか１項記載の方法、を特徴とする、基板を処理する方法。
【請求項３３】
前記方法のうちの少なくとも２つを上述の順序で順次に行う、請求項３２記載の方法。
【請求項３４】
前記方法のうちの２つを並行して行う、請求項３２又は３３記載の方法。
【請求項３５】
前記方法を同じ装置において行う、請求項３２から３４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項３６】
前記方法を行う間、基板が前記装置にとどまる、請求項３５記載の方法。
【請求項３７】
以下の方法のうちの少なくとも２つを並行して行う：請求項２７から３１までのいずれか１項記載の方法、請求項１から１３までのいずれか１項記載の方法、及び請求項１４から２６までのいずれか１項記載の方法、を特徴とする、基板を処理する方法。
【請求項３８】
全ての方法を並行して行う、請求項３７記載の方法。
【請求項３９】
前記方法のうちの２つを上述の順序で順次に行う、請求項３７記載の方法。
【請求項４０】
前記方法を同じ装置において行う、請求項３９記載の方法。
【請求項４１】
前記方法を行う間、基板が装置にとどまる、請求項４０記載の方法。
【請求項４２】
基板を処理するための装置において、該装置が、
基板を収容するための基板ホルダと、
入口及び出口を有する流れチャンバを形成するハウジングと、
前記流れチャンバ内に放射を放射するために配置された第１の放射源とが設けられており、該第１の放射源がＵＶ放射を放射することができ、
前記基板ホルダと前記ハウジングとの相対移動を生ぜしめるためのユニットが設けられており、該ユニットが、出口から出る液体が基板ホルダ上の基板へ直接に流れるように出口が基板ホルダに向けられるように、前記基板に対して前記ハウジングを配置することができることを特徴とする、基板処理するための装置。
【請求項４３】
第１の放射源がまた、前記出口を通ってハウジングから出るように放射を放射する、請求項４２記載の装置。
【請求項４４】
第１の放射源が少なくとも部分的に前記流れチャンバに配置されている、請求項４２又は４３記載の装置。
【請求項４５】
前記ハウジングが出口開口を有しており、前記第１の放射源が少なくとも部分的に前記出口開口に配置されている、請求項４２から４４までのいずれか１項記載の装置。
【請求項４６】
第１の放射源が実質的に出口開口の中央に配置されている、請求項４５記載の装置。
【請求項４７】
出口開口及び第２の放射源が、クリーニングしようとする基板が延びている幅よりも大きいか又は該幅と等しい長さに延びている、請求項４５又は４６記載の装置。
【請求項４８】
第１の放射源が、ＵＶ範囲の放射を放射する第１のランプを含む、請求項４２から４７のうちのいずれか１項記載の装置。
【請求項４９】
第１のランプがＩＲ範囲の放射を放射する、請求項４８記載の方法。
【請求項５０】
第１の放射源が、第１のランプとは主に異なる波長範囲における放射を放射する少なくとも第２のランプを含む、請求項４８又は４９記載の装置。
【請求項５１】
第１のランプ及び／又は第２のランプと、流れチャンバとの間に、少なくとも１つのカバーが設けられており、該少なくとも１つのカバーが実質的にＵＶ放射に対して透明である、請求項４８から５０までのいずれか１項記載の装置。
【請求項５２】
少なくとも１つのカバーが、第１のランプ及び／又は第２のランプを１つの平面において完全に包囲している、請求項５１記載の装置。
【請求項５３】
第１のランプ及び／又は第２のランプが、ロッドランプである、請求項４８から５２までのいずれか１項記載の装置。
【請求項５４】
第１のランプが、特に、１４０ｎｍ〜２８０ｎｍ、液体に応じて１４０ｎｍ〜２００ｎｍの波長範囲のＵＶ放射を放射する、請求項４８から５３までのいずれか１項記載の装置。
【請求項５５】
第１のランプが、主に、１４０ｎｍ〜２８０ｎｍ、液体に応じて１４０ｎｍ〜２００ｎｍの波長範囲のＵＶ放射を放射する、請求項４８記載の装置。
【請求項５６】
第２のランプが、１８０ｎｍよりも高い波長範囲のＵＶ放射を放射する、請求項４８から５５までのいずれか１項記載の装置。
【請求項５７】
第２のランプが、ＩＲ放射を放射する、請求項５０から５６までのいずれか１項記載の装置。
【請求項５８】
少なくとも１つの第２の放射源が、ハウジングの出口に隣接した領域に放射を放射するように、ハウジングの流れチャンバの外側に設けられている、請求項４２から５７までのいずれか１項記載の装置。
【請求項５９】
第２の放射源が、主に、第１の放射源とは異なる波長範囲で放射する、請求項５８記載の装置。
【請求項６０】
第２の放射源が、１８０ｎｍよりも高い波長範囲のＵＶ放射を放射する、請求項５８又は５９記載の装置。
【請求項６１】
第２の放射源が、ＩＲ放射を放射する、請求項５８から６０までのいずれか１項記載の装置。
【請求項６２】
第１の放射源と第２の放射源とを個々に及び独立して制御することができる制御ユニットが設けられている、請求項５８から６１までのいずれか１項記載の装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公表番号】特表２０１３−５１０３３２（Ｐ２０１３−５１０３３２Ａ）
【公表日】平成２５年３月２１日（２０１３．３．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−５３７３０６（Ｐ２０１２−５３７３０６）
【出願日】平成２２年３月１５日（２０１０．３．１５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２０１０／００１６２９
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／０５４４０５
【国際公開日】平成２３年５月１２日（２０１１．５．１２）
【出願人】（５０７１４６１０８）ズース マイクロテク フォトマスク エクイップメント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト (2)
【氏名又は名称原語表記】Ｓｕｓｓ ＭｉｃｒｏＴｅｃ Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ． ＫＧ
【住所又は居所原語表記】Ｆｅｒｄｉｎａｎｄ−ｖｏｎ−Ｓｔｅｉｎｂｅｉｓ−Ｒｉｎｇ １０， Ｄ−７５４４７ Ｓｔｅｒｎｅｎｆｅｌｓ， Ｇｅｒｍａｎｙ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２５年３月２１日（２０１３．３．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月１５日（２０１０．３．１５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２０１０／００１６２９
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／０５４４０５
【国際公開日】平成２３年５月１２日（２０１１．５．１２）
【出願人】（５０７１４６１０８）ズース マイクロテク フォトマスク エクイップメント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト (2)
【氏名又は名称原語表記】Ｓｕｓｓ ＭｉｃｒｏＴｅｃ Ｐｈｏｔｏｍａｓｋ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ＧｍｂＨ ＆ Ｃｏ． ＫＧ
【住所又は居所原語表記】Ｆｅｒｄｉｎａｎｄ−ｖｏｎ−Ｓｔｅｉｎｂｅｉｓ−Ｒｉｎｇ １０， Ｄ−７５４４７ Ｓｔｅｒｎｅｎｆｅｌｓ， Ｇｅｒｍａｎｙ
【Ｆターム（参考）】
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