【課題】表面に凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部がケイ素元素を含むウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善し、特に該改善効果の持続性（ポットライフ）に優れる、ウェハの凹凸パターン表面に撥水性保護膜を形成する保護膜形成用薬液の調製方法及び該薬液を提供することを課題とする。
【解決手段】上記ウェハの洗浄時に、該凹凸パターンの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための、非水有機溶媒と、シリル化剤と、酸又は塩基とを有する、撥水性保護膜形成用薬液の調製方法であり、
非水有機溶媒中の水分濃度を２００質量ｐｐｍ以下にする、脱水工程、
脱水工程後の非水有機溶媒と、シリル化剤と、酸又は塩基とを混合する、混合工程
を有することを特徴とする、撥水性保護膜形成用薬液の調製方法。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる際に用いられる半導体基板の表面処理剤を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面処理剤は、半導体基板上に形成され、少なくともそれぞれの一部にシリコンを含む膜を有し、表面が洗浄及び改質され、表面にヒドロキシル基を有する複数の凸形状パターンに対して供給されるものであって、前記ヒドロキシル基と反応する加水分解基を含み、前記シリコンを含む膜の表面に、前記シリコンを含む膜よりも水に対する濡れ性の低い撥水性保護膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜や基板などの損傷を抑制ないし防止し、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性に優れた多剤型半導体基板用洗浄剤、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の洗浄時に少なくとも発泡剤と発泡助剤とを混合して使用する多剤型洗浄剤であって、前記発泡剤が炭酸アルキレンと炭酸塩とを含有し、前記発泡助剤が酸性化合物を含有し、さらに酸化剤を組み合わせて用いる半導体基板用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】 被洗浄物上から付着物を効果的に除去可能な被洗浄物の洗浄方法を提供することである。
【解決手段】 スピンナテーブルに保持された被洗浄物に洗浄液を供給しながら洗浄する被洗浄物の洗浄方法であって、被洗浄物を該スピンナテーブルで保持する保持ステップと、該スピンナテーブルで保持された該被洗浄物上に少なくとも凝集剤を含む洗浄液を供給して、該被洗浄物上に付着している付着物を凝集させて付着物凝集塊を形成する洗浄ステップと、該洗浄ステップを実施した後、該被洗浄物を保持した該スピンナテーブルを所定の回転速度で回転させつつ該被洗浄物上に純水を噴出して、該被洗浄物上の該付着物凝集塊を該被洗浄物上から除去する除去ステップと、該除去ステップを実施した後、該被洗浄物を保持した該スピンナテーブルを所定の回転速度で回転させて該被洗浄物を乾燥させる乾燥ステップと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤を含んだ二酸化炭素を超臨界状態の洗浄剤として、この洗浄剤を洗浄チャンバー内に配された被洗浄物に接触させることにより、前記被洗浄物の洗浄を行う洗浄方法及び洗浄装置において、洗浄時間の短縮化を図ること。
【解決手段】界面活性剤と有機溶剤と超臨界状態の二酸化炭素を混合し、混合流体を被洗浄物に接触させて洗浄する洗浄方法において、前記混合を管内混合手段で行い、該管内混合手段の直後に被洗浄物を配置するとともに、前記混合流体においての重量割合は、二酸化炭素に占める有機溶剤の重量割合を２０％以下とし、かつ界面活性剤の重量比率を有機溶剤と略同重量としたことを特徴とする洗浄方法及び洗浄装置を提供する。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、デバイスの製造に関する。一実施形態として、基板洗浄及び集積回路用のキャップ層の無電解析出の方法を提供する。この方法は、金属及び誘電体ダマシンメタライゼーション（金属化）層を含む表面を有する基板上で実行される。この方法は、基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に基板の表面をさらす工程と、キャップ層を析出させるのに十分な無電解析出溶液に基板表面をさらす工程と、を備える。本発明の別の実施形態として、基板を洗浄するための溶液及び無電解析出を実現するための溶液を提供する。 （もっと読む）

【課題】油性汚染物質と無機汚染物質とを簡便に効率よく洗浄でき、火気安全性と環境保全性とに優れた簡易な組成のウェーハ用洗浄剤を提供する。
【解決手段】ウェーハ用洗浄剤は、引火点を９０〜１５０℃とする飽和又は不飽和の炭化水素の５〜２５重量％と、
Ｒ^１-Ｏ-（-Ｃ_ｐＨ_２ｐ-Ｏ-）_ｑ-Ｈ（式中、Ｒ^１-は炭素数６〜１０のアルキル基、ｐは２〜３の数、ｑは１〜２の数を示す。）で表わされるグリコールのモノエーテルの５〜６５重量％と、
Ｒ^２-Ｏ-（-Ｒ^３-Ｏ-）_ｒ-Ｈ（式中、Ｒ^２-は炭素数８〜１８のアルキル基、又は炭素数８〜１８のアルケニル基、-Ｒ^３-は炭素数２〜３のアルキレン基、ｒは４〜２０の数を示す。）で表わされるポリオキシアルキレンのモノエーテルの５〜３０重量％と、
水の５〜２５重量％とからなり、４０℃における動粘度が１０ｍｍ^２／Ｓ以下のものである。 （もっと読む）

基板（１０５）を処理する超臨界流体を用いる処理システム（１００）は、コーティングを有する内側部材を有すると開示されている。例えば、内側部材におけるコーティングは処理中の汚染を低減することができる。更に、その処理システムを用いる方法について開示されている。

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