【課題】本発明は、表面に微細な凹凸パターンを有するシリコンウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するためのシリコンウェハ用洗浄剤を提供することを課題とする。
【解決手段】シリコンウェハ用洗浄剤は少なくとも水系洗浄液と、洗浄過程中に凹凸パターンの少なくとも凹部を撥水化するための撥水性洗浄液とを含み、該撥水性洗浄液は、シリコンウェハのＳｉと化学的に結合可能な反応性部位と疎水性基を含む撥水性化合物と、少なくともアルコール溶媒を含む有機溶媒が混合されて含まれるものとすること。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、金属配線を有する半導体基板を化学機械研磨した後に、被研磨面の汚染を除去し、金属配線の酸化による腐蝕を抑制することができる洗浄用組成物および洗浄用組成物を用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】
（Ａ）カルボキシル基を２個以上有する有機酸あるいはその塩と、（Ｂ）水溶性（共）重合体（塩）と、（Ｃ）有機重合体粒子とを含有し、前記（Ａ）成分の含有量（Ｍ_Ａ）［質量］および前記（Ｃ）成分の含有量（Ｍ_Ｃ）［質量］は、Ｍ_Ａ／Ｍ_Ｃ＝５〜２０の関係を有し、ｐＨの範囲が５〜７である、化学機械研磨後に使用するための洗浄用組成物を用いて前記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明の一実施形態によると、腐食防止剤と、可溶化剤と、脱酸素剤と、ｐＨ調整剤としても機能する錯化剤とを含む洗浄溶液が提供されている。本発明の別の実施形態では、ｐＨ調整剤と、随意的な錯化剤と、腐食防止剤とを含む洗浄溶液が提供されている。洗浄溶液は、可溶化剤を随意的に有してもよく、界面活性剤を随意的に有してもよく、誘電体エッチャントを随意的に有してもよい。 （もっと読む）

【課題】 ガラス又はシリコン基板表面の平坦性を損ねることなく、優れたパーティクルの除去性を実現し、低起泡性かつ経時安定性に優れた電子材料用洗浄剤及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】アニオン成分が一般式（１）で示されるアニオン性界面活性剤（Ａ）と、炭素数６〜１８のアルケン及び一般式（２）で示される有機溶剤からなる群から選ばれる１種以上の有機溶剤（Ｂ）と、アルカリ成分（Ｃ）とを含有してなり、前記（Ｂ）のＳＰ値が６〜１３であり、有効成分濃度０．１〜１５％における２５℃でのｐＨが１０〜１４であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。
Ｒ¹［−（ＯＡ¹）_a−Ｑ^- ］_b （１）
Ｒ³［−（ＯＡ²）_c−ＯＨ］_d （２） （もっと読む）

【課題】優れた防食性を有するレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】下記式（Ａ）又は（Ｂ）で表される化合物。
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【課題】 CMP処理に続いて半導体基材から処理残留物を除去するためのプロセス溶液、及び該プロセス溶液を使用する方法を提供すること。
【解決手段】 1つ又は複数の界面活性剤を含むプロセス溶液を用いて半導体デバイスの製造における欠陥の数を低減する。いくつかの好ましい実施態様においては、本発明のプロセス溶液は、CMP処理の間又はその後にすすぎ溶液として用いた場合、欠陥を低減することができる。さらに、本発明のプロセス溶液を用いて、複数のCMP処理後の基材上にある欠陥の数を低減する方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】 マイクロエレクトロニクス基板の洗浄のためのマイクロエレクトロニクス洗浄組成物、特にＡｌまたはＡｌ（Ｃｕ）金属被覆基板と同様に、二酸化珪素、高感度低κおよび高κの誘電体、および、銅、タングステン、タンタル、ニッケル、金、コバルト、パラジウム、白金、クローム、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、ハフニウム、チタン、モリブデン、錫、及びその他の金属被覆が特色であり、かつ相互接続技法が進んだものである、マイクロエレクトロニクス基板との適合性を改良した、それらの洗浄に有用な洗浄組成物を提供する。
【解決手段】 ハロゲン酸素酸、それらの塩および誘導体を含むマイクロエレクトロニクス洗浄組成物を使用する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】非ニュートン流体に変換される前駆物質流体を液相で保持するのに充分な圧力を、半導体ウエハが存在する容積内で維持する。前駆物質流体を液相で保持しつつ、半導体ウエハから除去するべき物質の近傍に前駆物質流体を供給する。半導体ウエハが存在する所定の容積内を減圧することにより、ウエハ上に位置する前駆物質流体が非ニュートン流体に変換される。非ニュートン流体への変換の際における前駆物質流体の膨張の作用と、ウエハに対する前駆物質流体の相対的な移動の作用とにより、変換後の非ニュートン流体が半導体ウエハから物質を除去する。 （もっと読む）