【課題】基板の表面に付着する付着物を効率良く除去する。
【解決手段】氷体５３２がＤＩＷの液膜ＬＦを介して基板Ｗの表面Ｗｆに近接した状態で０℃よりも低い温度に冷却された窒素ガスが氷体５３２の下面の外周縁近傍に供給され、基板Ｗの表面Ｗｆと氷体５３２とに挟まれるＤＩＷが凝固して凝固領域ＦＲが形成される。これによって、凝固領域ＦＲでは、氷結の形成による体積膨脹によって基板Ｗの表面Ｗｆに対するパーティクルＰＴなどの付着物の付着力が弱まるとともに、付着物が凝固領域ＦＲに取り込まれる。そして、凍結ヘッド５３が基板Ｗに対して相対移動することで凝固領域ＦＲが基板Ｗの表面Ｗｆから剥離され、パーティクルＰＴも一緒に基板Ｗの表面Ｗｆから除去される。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理方法および基板処理装置において、パーティクル除去効率を向上させる。
【解決手段】基板Ｗの表面Ｗｆに、ＤＩＷにポリスチレン微粒子Ｐを分散させた処理液Ｌによる液膜ＬＰを形成する。冷却ガス吐出ノズル３から冷却ガスを吐出させながら該ノズルを基板Ｗに対し走査移動させて、液膜ＬＰを凍結させる。液膜中に混入された微粒子Ｐが凝固核となって氷塊ＩＣの生成が促進されるため、液相から固相への相変化時間を短くしてパーティクル除去効率を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成されたレジスト膜を除去する基板処理方法および基板処理装置において、処理コストおよび環境負荷の低減を図ることのできる技術を提供する。
【解決手段】基板Ｗの裏面Ｗｂに温水を供給して基板Ｗを温め、カロ酸の固体３０９を保持した酸化剤保持ヘッド３を基板表面Ｗｆに対し走査移動させる。基板表面Ｗｆとカロ酸固体３０９との界面にはカロ酸が融解してなる液体層３０９ａが形成され、基板表面Ｗｆに付着したレジスト膜を分解除去する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面や裏面を均一に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】洗浄液ＣＬを循環させるとともに洗浄液ＣＬにＤＩＷの液滴ＬＤを供給して凝固させて新たな氷粒ＩＧを生成し、洗浄液ＣＬ中に混合させている。したがって、氷粒ＩＧ同士が結合するのを抑制しながら洗浄液ＣＬ中に氷粒ＩＧを均一に分散させることができる。そして、この洗浄液ＣＬにより基板の表面や裏面を洗浄しているため、洗浄液ＣＬの氷粒ＩＧが基板に対して均一に作用して基板の表面や裏面を均一に処理することができる。 （もっと読む）

半導体基板表面から汚染物質を除去するシステム、方法および装置は、洗浄剤の適用を含む。洗浄剤は、洗浄液と、洗浄液に分散したマイクロメートル単位の大きさの複数の乾燥ポリビニル粒子を含む。洗浄液は、長いポリマー鎖から生成される単相ポリマー化合物であり、独特な粘弾性を示す。マイクロメートル単位の大きさの複数の乾燥ポリビニルアルコール粒子は、洗浄液の液体を吸収し、洗浄剤中に均一に懸濁されるようになる。懸濁されたポリビニルアルコール粒子は、半導体基板表面の少なくとも一部の汚染物質と相互作用し、基板表面から汚染物質を遊離させて除去する。遊離した汚染物質は、洗浄剤中に取り込まれ、洗浄剤と共に除去され、基板表面を実質的に洗浄された状態にする。 （もっと読む）

【解決手段】基板の表面に対して１回目の洗浄材料の適用がなされる。洗浄材料は、基板の表面上に存在する汚染物質を取り込むための１つ又は２つ以上の粘弾性材料を含む。基板の表面から洗浄材料をすすぐために、基板の表面に対して１回目のすすぎ流体の適用がなされる。すすぎ流体の１回目の適用は、基板の表面上にすすぎ流体の残留薄膜を残らせるようにも実施される。すすぎ流体の残留薄膜を上に有する基板の表面に対して２回目の洗浄材料の適用がなされる。次いで、基板の表面から洗浄材料をすすぐために、基板の表面に対して２回目のすすぎ流体の適用がなされる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、金属配線を有する半導体基板を化学機械研磨した後に、被研磨面の汚染を除去し、金属配線の酸化による腐蝕を抑制することができる洗浄用組成物および洗浄用組成物を用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】
（Ａ）カルボキシル基を２個以上有する有機酸あるいはその塩と、（Ｂ）水溶性（共）重合体（塩）と、（Ｃ）有機重合体粒子とを含有し、前記（Ａ）成分の含有量（Ｍ_Ａ）［質量］および前記（Ｃ）成分の含有量（Ｍ_Ｃ）［質量］は、Ｍ_Ａ／Ｍ_Ｃ＝５〜２０の関係を有し、ｐＨの範囲が５〜７である、化学機械研磨後に使用するための洗浄用組成物を用いて前記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】形成されたパターンに与えるダメージが少ない基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板の表面にドライエア又は不活性ガスの気流にのせた洗浄用の微粒子を基板に衝突させて、前記基板の洗浄を行う洗浄工程と、前記洗浄用の微粒子を除去する除去工程と、を有することを特徴とする基板洗浄方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【解決手段】実施形態は、基板表面から汚染物質を除去してデバイス歩留まりを向上させるための基板洗浄技術を提供する。基板洗浄技術は、固体成分と高分子量のポリマとを洗浄液中に分散させることによって形成された流体である洗浄材料を用いる。固体成分は、基板表面上の汚染物質に接触することによって、それらの汚染物質を除去する。高分子量のポリマは、洗浄材料中の固体を捕えて閉じ込めるポリマ鎖及びポリマ網目を形成し、これは、微粒子汚染物質、不純物、及び洗浄材料中の固体成分などの固体が基板表面上に沈下することを阻止する。また、ポリマは、基板表面上の汚染物質に接触することによって、それらの汚染物質を基板表面から除去することを助けることもできる。一実施形態では、洗浄材料は、基板表面上の突出特徴に強い衝撃を与えてそれらを損傷させることなくそれらの突出特徴の周囲を滑走する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された不要な薄膜その他の不要物を基板に損傷を与えることなく、効率的に除去することのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板５０を保持する基板保持部３０と、研磨剤とミストを混合した混合ミストを噴出する噴射部１５と、噴射部１５と前記基板５０とを相対的に移動させる位置制御部２３とを備えており、基板５０の処理対象部に研磨剤を含む混合ミストを噴射（ミスト液を霧状にして研磨剤と一緒に噴射）して、基板５０に形成された不要な薄膜その他の不要物を除去する。 （もっと読む）

【課題】簡素な構造で、ウエハ又は基板の表裏両面を容易に洗浄することができるスピン洗浄装置及びスピン洗浄方法を提供する。
【解決手段】回転テーブル１１上に立設された支持ピン１０上に基板５が載置される。基板を中心とする位置に、固定側クランプピン９と、回転テーブル１１に水平の揺動軸１３あを中心として揺動可能に設置されたリンクブロック１２ａと、リンクブロック１２ａの上部に設けられた可動側クランプピン８ａとが設置されている。そして、固定側クランプピン９及び可動側クランプピン８ａには、テーパ部１５が形成されており、可動側クランプピン８ａを固定側クランプピン９に向けて移動することにより、テーパ部１５に沿って基板５が持ち上げられ、支持ピン１０から離隔した状態で、基板５の表裏両面が洗浄される。 （もっと読む）

【課題】ウエハー表面に付着した粒子状汚染物質を洗浄するためのシステム並びに方法を提供する。
【解決手段】その内部に分散結合体を懸濁させた洗浄媒体をウエハー表面上に供給する。外部エネルギーを洗浄媒体に印加して、洗浄媒体内部に周期的せん断応力を発生させる。発生した周期的せん断応力により、結合体上で運動量および／あるいは抗力が作用する。この結果、結合体と粒子状汚染物質との間に相互作用が生じて、ウエハー表面から粒子状汚染物質が除去される。 （もっと読む）

【解決手段】基板の上方に洗浄剤が配される。洗浄剤は、液体媒質の中に分散された固体成分を含む。液体媒質の中の固体成分に力が加えられ、固体成分を基板の上に存在する汚染物質に接近させる。固体成分に加えられる力は、液体媒質の中の不混和成分によって作用される。固体成分が汚染物質に十分に接近すると、固体成分と汚染物質との間に相互作用が確立される。次いで、固体成分と相互作用した汚染物質が基板から除去されるように、固体成分は基板から遠ざけられる。 （もっと読む）