【課題】４−ピロン系化合物及びセリア砥粒を含有する研磨液を用いてＣＭＰ工程を行った後の基板表面を荒らさずに、コンタミネーションを除去することができる洗浄液及び該洗浄液を用いた基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＰ処理後の基板洗浄用である洗浄液を、アニオン性界面活性剤、水及びｐＨ調整剤を含有して構成する。また基板の研磨方法は、４−ピロン系化合物及びセリア砥粒を含むＣＭＰ研磨液を用いて、被研磨膜を有する基板を研磨して前記被研磨膜の少なくとも一部を除去する研磨工程と、前記洗浄液を、前記基板の被研磨膜の少なくとも一部が除去された側の面上に付与して、前記面を洗浄する洗浄工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 酸化ケイ素膜を研磨し、研磨完了時にポリシリコン膜が露出するＣＭＰ工程後の基板表面を荒らさずに、コンタミネーションを効率よく除去する半導体基板用洗浄液と、それを用いた半導体基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】 ポリシリコン膜と、該ポリシリコン層の少なくとも一部を被覆する酸化ケイ素膜とを有する基板を調整し、研磨粒子を含むＣＭＰ研磨液を用いて、前記ポリシリコン層の少なくとも一部が露出するまで前記酸化ケイ素膜を研磨し、前記基板の研磨がなされた面を洗浄する洗浄液であって、前記洗浄液が、分子内に少なくとも一つのアセチレン結合を有するノニオン性界面活性剤と、水とを含む、半導体基板用洗浄液。 （もっと読む）

【課題】基板表面を腐食することなく微粒子付着による汚染、有機物汚染及び金属汚染を同時に除去することができ、しかも水リンス性も良好で、短時間で基板表面を高清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。
【解決手段】
以下の成分（Ａ）〜（Ｄ）を含有してなる半導体デバイス用基板洗浄液。
（Ａ）ポリカルボン酸またはヒドロキシカルボン酸
（Ｂ）スルホン酸型アニオン性界面活性剤
（Ｃ）カルボン酸型アニオン性界面活性剤
（Ｄ）水 （もっと読む）

【課題】ポストエッチング後に有機および無機の残留物およびフォトレジストを半導体基材にダメージを与えることなく除去する処方の提供
【解決手段】アセタールまたはケタール溶媒、水、多価アルコール、および少なくとも７かそれより大きなｐＨを有するように調整するｐＨ調整剤を含み、さらには共溶媒としての水溶性の有機溶媒、腐食防止剤およびフッ化物を随意的に含む。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板の表面から金属キャッピング層の腐食生成物を洗浄するための方法およびシステムが提供されている。一実施形態によると、処理溶液は、界面活性剤、錯化剤、および、ｐＨ調整剤を含む。界面活性剤は、ウエハ表面を湿潤を改善し、キャッピング層のさらなる腐食を抑制するよう構成される。錯化剤は、基板表面から脱着した金属イオンと結合するよう構成される。ｐＨ調整剤は、基板表面からの腐食生成物の脱着を促進するために、ｐＨを所望のレベルに調整するよう構成される。 （もっと読む）

【解決手段】統合された無電解堆積プロセスを含むプロセスを通して基板を処理する方法およびシステムは、堆積溶液を用いて基板の導電性フィーチャの上に層を堆積させるように、無電解堆積モジュールにおいて基板の表面を処理することを含む。その後、基板表面は、無電解堆積モジュールにおいて洗浄液で洗浄される。この洗浄は、表面の脱湿を防いで、洗浄液から形成される転移膜によって基板表面が被覆されたままとなるように、調節される。基板は、その基板表面に転移膜を保持したまま、無電解堆積モジュールから取り出される。基板表面の転移膜によって基板表面の乾燥を防ぐことで、ウェットな状態で取り出しが行われる。無電解堆積モジュールから取り出された基板は、その基板表面に転移膜を保持したまま、堆積後モジュールの中に移される。 （もっと読む）

【課題】酸化セリウム等の研磨材に由来する微粒子汚れに対する洗浄性に優れる洗浄剤組成物、およびガラス製ハードディスク基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】酸化セリウムを含む研磨材で研磨したガラス製ハードディスク基板の洗浄に用いる洗浄剤組成物において、（Ａ）成分：ホスホン酸系キレート剤を１〜５０質量％、（Ｂ）成分：ヒドロキシカルボン酸および／またはその塩を１〜２０質量％含有し、かつ、前記（Ａ）成分と（Ｂ）成分の質量比が、（Ａ）成分／（Ｂ）成分＝５０／５０〜９０／１０であり、界面活性剤の含有量が１質量％未満であり、純水で２質量％に希釈した希釈液の２５℃におけるｐＨが５．０以下であることを特徴とする洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、金属配線を有する半導体基板を化学機械研磨した後に、被研磨面の汚染を除去し、金属配線の酸化による腐蝕を抑制することができる洗浄用組成物および洗浄用組成物を用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】
（Ａ）カルボキシル基を２個以上有する有機酸あるいはその塩と、（Ｂ）水溶性（共）重合体（塩）と、（Ｃ）有機重合体粒子とを含有し、前記（Ａ）成分の含有量（Ｍ_Ａ）［質量］および前記（Ｃ）成分の含有量（Ｍ_Ｃ）［質量］は、Ｍ_Ａ／Ｍ_Ｃ＝５〜２０の関係を有し、ｐＨの範囲が５〜７である、化学機械研磨後に使用するための洗浄用組成物を用いて前記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】洗浄時において微細化したパーティクルや有機物の洗浄力に優れ、製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする電子材料用洗浄剤を提供する
【解決手段】 炭素数２〜８の脂肪族第１級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ）を含有してなり、前記（Ａ）の２級アミン価と３級アミン価の合計（Ｙ）に対する２級アミン価（Ｘ）の比率［（Ｘ）／（Ｙ）］が、０．５以下であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】コロイダルシリカを研磨材として用いたとしても洗浄性に優れ、砥粒や研磨カスを十分に除去できる電子デバイス基板用洗浄剤組成物、および電子デバイス基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）成分：アルカリ金属の水酸化物を０．０１〜５．００質量％、（Ｂ）成分：ヒドロキシカルボン酸および／またはその塩を０．１０〜１０．００質量％含有し、界面活性剤の含有量が１．００質量％未満であることを特徴する電子デバイス基板用洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明の一実施形態によると、腐食防止剤と、可溶化剤と、脱酸素剤と、ｐＨ調整剤としても機能する錯化剤とを含む洗浄溶液が提供されている。本発明の別の実施形態では、ｐＨ調整剤と、随意的な錯化剤と、腐食防止剤とを含む洗浄溶液が提供されている。洗浄溶液は、可溶化剤を随意的に有してもよく、界面活性剤を随意的に有してもよく、誘電体エッチャントを随意的に有してもよい。 （もっと読む）

【課題】脱ガスを行わずに、過酸化水素と酸素とが除去された水素溶解水の製造方法を目的とする。
【解決手段】本発明の水素溶解水の製造方法は、白金族金属触媒の存在下で過酸化水素から水を生成する反応及び酸素と水素から水を生成する反応を利用して、過酸化水素と酸素とを含む被処理水から過酸化水素及び酸素を除去する触媒反応工程を有する水素溶解水の製造方法において、前記被処理水を脱ガスすることなしに、前記触媒反応工程で消費する水素を予め被処理水に添加しておく水素添加工程を有することよりなる。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、デバイスの製造に関する。一実施形態として、基板洗浄及び集積回路用のキャップ層の無電解析出の方法を提供する。この方法は、金属及び誘電体ダマシンメタライゼーション（金属化）層を含む表面を有する基板上で実行される。この方法は、基板の表面を洗浄するのに十分な洗浄溶液に基板の表面をさらす工程と、キャップ層を析出させるのに十分な無電解析出溶液に基板表面をさらす工程と、を備える。本発明の別の実施形態として、基板を洗浄するための溶液及び無電解析出を実現するための溶液を提供する。 （もっと読む）

【課題】従来の洗浄剤組成物は、枚葉処理装置に用いるには除去能力は必ずしも十分ではない。ＨＳＱ、ＭＳＱ等のシロキサン膜からなる低誘電率膜のドライエッチングにおいてはＨＳＱ、ＭＳＱのエッチング表面に変質層が生成されるが、従来の洗浄剤組成物は、この変質層に対するエッチング速度が極めて速く、このため、この組成物を用いたドライエッチングの後処理洗浄においては意図するエッチング寸法よりも実際のエッチング寸法が拡大してしまう問題がある。
【解決手段】半導体回路の製造工程においてドライエッチング後及び／又はアッシング後の半導体基板からフォトレジスト残渣及び／又はポリマー残渣を除去する洗浄剤組成物であって、残渣除去成分（Ａ）、半導体基板の配線材料に用いる金属の腐食防止成分（Ｂ）、半導体基板の層間絶縁膜材料の保護成分（Ｃ）及び水を含有し、（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）が下記化合物であることを特徴とする洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】「パターン剥がれ」が生じない条件で、高いパーティクル除去比を期待できる半導体基板等の洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄槽として、主洗浄槽１を用意し、主洗浄槽１内において、洗浄対象となるウェーハ２の表面に、導入口３からエッチング液を供給してエッチングを行い、その後、ｐＨ調整用媒体として、ｐＨが９．５〜１０．５未満に保たれたアルカリイオン水を供給して洗浄を行い、次いで、洗浄媒体として、ｐＨが１０．５〜１２．５に保たれたアルカリイオン水を供給して洗浄を行う。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の一つの実施形態は、集積回路の製造方法である。製造方法は、まず、金属-誘電体ダマシン・メタライゼーション（金属化）層を備える基板を準備し、金属上にキャップを析出させる。キャップの析出後、アミンを加えてｐＨを約７から１３に調節した洗浄溶液で基板を洗浄する。本発明の別の実施形態は、基板の洗浄方法である。本発明のさらに別の実施形態は、洗浄溶液の組成である。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明の実施形態は、微細なフィーチャを備えたパターニング済み基板を洗浄するための方法を提供する。パターニング済み基板を洗浄するための方法は、記載の洗浄剤を用いて、フィーチャに対して実質的に損傷を与えることなく、微細なフィーチャを備えたパターニング済み基板を洗浄できる利点を有する。洗浄剤は、液相または液／気相の流体であり、デバイスのフィーチャの周りで変形するため、実質的にデバイスのフィーチャを損傷することも損傷をまとめて低減することもない。分子量の大きい高分子化合物のポリマを含む洗浄剤は、基板上の汚染物質を捉える。さらに、洗浄剤は、汚染物質を取り込み、基板表面に汚染物質を戻さない。分子量の大きい１または複数の高分子化合物のポリマは、長いポリマ鎖を形成しており、ポリマ鎖は、さらに、架橋されて網目（すなわちポリマ網目）を形成しうる。長いポリマ鎖および／またはポリマ網目は、従来の洗浄剤と比較して、汚染物質を捉えて取り込む能力が高い。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路等に用いられる、銅配線が施された半導体素子または表示素子の配線工程におけるドライエッチング後に残存するエッチング残渣を短時間で完全に除去でき、かつ銅配線素材や絶縁膜材料等を酸化または腐食しない洗浄液を提供する。
【解決手段】基板上に銅配線１、シリコン窒化膜２およびシリコン酸化膜３を堆積し、その上にレジストを塗布し、現像後、続いてドライエッチングを行い、残存したレジストを除去し、その後にエッチング残渣４を洗浄する洗浄液であって、該洗浄液中の硝酸濃度が０．００５〜５重量％、硫酸濃度が０．００１〜１０重量％であり、かつ、硫酸／硝酸重量比が、１〜１００およびフッ素化合物の濃度が０．００５〜１０重量％であり、塩基性化合物を添加してｐＨが３〜７に調整された水の濃度が８０重量%以上であることを特徴とする洗浄液。 （もっと読む）

本発明は、半導体ウェハの処理のための、特に半導体ウェハの洗浄および化学機械研磨のための組成物中での、過酸から選択された少なくとも１種の酸化剤の使用に関する。本発明はまた、組成物の使用およびそのための組成物に関する。本発明の酸化剤の使用は、基板の腐食を制限／回避しながら良好な効果をもたらす。 （もっと読む）

【課題】洗浄処理に使用される液体の量を低減しつつ、基板処理装置の内部に付着した薬液成分を確実に除去することができる基板処理装置の中和洗浄装置および中和洗浄方法を提供する。
【解決手段】中和洗浄装置１は、基板処理装置９０の内部との間で希釈液の循環経路を構成し、希釈液を循環させつつ希釈液中に中和剤を添加する。また、中和洗浄装置１は、循環される希釈液のｐＨ値をｐＨセンサ１６により計測し、その計測値が所定の数値範囲内に入るまで中和剤の添加を継続する。このため、希釈液を循環させることにより希釈液の使用量を低減させることができ、また、ｐＨセンサ１６の計測値に基づいて希釈液中の薬液成分を確実に中和することができる。 （もっと読む）