【課題】酸化物の不所望量を失うことなく及び基板を過度に損傷することなく格別のパーティクル除去効率を達成する清浄方法の提供。
【解決手段】液体エーロゾル小滴をウェハー１３上へ向けるための複数のノズルを含むスプレーバー２０と回転モーター１５により駆動される回転可能なチャック１４とを備え、スプレーバー２０により水及び張力活性化合物を含む液体エーロゾル小滴を形成して、チャック１４上に支持されたウェハー１３の表面からパーティクルを除去するのに十分な力でもって、該表面と接触させる。 （もっと読む）

【課題】洗浄工程数を減らし、さらに、基板に対する汚染粒子の再付着を防止する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、基板Ｗを搬送する搬送部２と、その搬送部２により搬送される基板Ｗの被洗浄面Ｓに、酸化膜除去可能な液体中に酸化性ガスを溶存状態および微小気泡状態で有する洗浄液を供給する供給ノズル３とを備え、その供給ノズル３は、被洗浄面Ｓ上に到達した微小気泡がサイズ変化を抑えつつ基板Ｗの外縁まで移動する流速で洗浄液を供給する。 （もっと読む）

【課題】電子材料上のレジストを短時間で確実に剥離除去する。
【解決手段】電子材料を過硫酸含有硫酸溶液で洗浄してレジストを剥離洗浄し、その後ガス溶解水でウェット洗浄する。過硫酸含有硫酸溶液によるレジスト剥離後のウェット洗浄を、ガス溶解水を用いて行うことにより、洗浄に要する時間を従来法に比べて大幅に短縮することができる。過硫酸含有硫酸溶液は、硫酸溶液を電気分解することによって製造されたものであることが好ましく、レジストの剥離洗浄装置からの過硫酸濃度が低下した硫酸溶液を電解反応装置に送給して再生し、過硫酸濃度を十分に高めた硫酸溶液を洗浄装置に循環することにより、高濃度の過硫酸によりレジストを効率的に剥離除去すると共に、硫酸溶液を繰り返し使用することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】より低コストかつ省資源な洗浄を行うために、ガス溶解水を用いた高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄のみにより、超音波洗浄を組み合わせる必要がない程度に十分な洗浄効果をあげる洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄流体吐出ノズルから洗浄液又は洗浄液と気体との混合流体を被洗浄物に向けて吐出させて、被洗浄物を高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄する洗浄方法において、流体吐出ノズルに導入される洗浄液に溶存ガスを含ませる。溶存ガスは、所定の圧力が加えられることにより洗浄液に溶解され、溶存ガスの洗浄液への溶解量は、洗浄液の液温における飽和溶解度を第１飽和溶解度とし、洗浄液の液温を保ったまま所定の圧力を加えた状態における飽和溶解度を第２飽和溶解度とした場合に、第２飽和溶解度と第１飽和溶解度との差の１０〜７０％を第１飽和溶解度に加えたものとする。 （もっと読む）

【課題】従来から高濃度酸素溶解水の製造は種々の方法で行われてきたが、いずれも得られる濃度が不十分であったり、コスト的に実現が難しかったりした。本発明は、高濃度酸素溶解水を簡単かつ安価で製造できる方法や装置を提供する。
【解決手段】酸素含有気泡を有する２以上の水流３４を衝突させることにより前記気泡をより微細化するとともに、気泡中の酸素を前記水流中に大量に溶解させる。両水流は両水流の流速の和に等しい速度で衝突するが、その衝撃は単独の水流が静止面に衝突する際の数倍から十数倍に達し、各水流に最大限の衝撃が与えられ、水流中の気泡が破壊されて微細化し、気泡中の酸素の水流中への溶解が促進される。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体に対する洗浄効果を発現できるＳｉＣ半導体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体の洗浄方法は、ＳｉＣ半導体の表面に酸化膜を形成する工程と、酸化膜を除去する工程とを備え、酸化膜を形成する工程では、３０ｐｐｍ以上の濃度を有するオゾン水を用いて酸化膜を形成する。形成する工程は、ＳｉＣ半導体の表面およびオゾン水の少なくとも一方を加熱する工程を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】電子材料の洗浄における例えばレジストの剥離処理等に要する時間を短縮し、さらにレジスト剥離後のウエット洗浄によりレジスト残渣を短時間に確実に除去し得る低コストで省資源化の可能な洗浄方法を提供する。
【解決手段】キャリアガス制御弁１４を開成し、これとともに加圧ガス制御弁１９を開成して所定の圧力で加圧ガスを供給することにより加圧板１６を押圧して、気体貯槽１５内のキャリアガスＧを所定の圧力として、キャリアガス供給配管７に供給する。これとともに洗浄液Ｗ１を二流体ノズル８へ供給する。このようにして二流体ノズル８で混合された洗浄液Ｗ１とキャリアガスＧとから生成される液滴Ｗ２の噴流を、シリコンウエハ５に接触させて、該シリコンウエハ５の表面を洗浄する。洗浄液Ｗ１としては、硫酸を電気分解して得られる過硫酸を含有する硫酸溶液が好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩ用半導体ウエハやＭＥＭＳ用基板のような微細構造を有する被洗浄物を、洗浄によるダメージを与えることなく、ガス溶解水により効果的に洗浄してこれらの被洗浄物を高度に清浄化する。
【解決手段】洗浄容器内１０で、被洗浄物を、当該洗浄液の液温における飽和溶解度以上の溶存ガスを含む洗浄液（過飽和ガス溶解液）と接触させて洗浄する。洗浄容器に、過飽和ガス溶解液を導入するか、或いは、洗浄容器内に洗浄液を導入した後加圧ガスを導入して洗浄容器内で過飽和ガス溶解液を調製した後、洗浄容器内で被洗浄物を過飽和ガス溶解液に接触させた状態で洗浄容器内を減圧し、過飽和ガス溶解液から発生した過飽和の溶存ガスの気泡で被洗浄物を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】電子材料のレジストの剥離処理に要する時間を短縮し、さらにレジスト剥離後のウエット洗浄によりレジスト残渣を短時間に確実に除去し得る電子材料洗浄システムを提供する。
【解決手段】電子材料洗浄システムは、薬液洗浄手段１とウエット洗浄手段２と枚葉式洗浄装置３とを備える。薬液洗浄手段１は、機能性薬液貯留槽６と、この機能性薬液貯留槽６に濃硫酸電解ライン７を介して接続した電解反応装置８とを有する。この機能性薬液貯留槽６は、機能性薬液供給ライン１０を介して枚葉式洗浄装置３に機能性薬液Ｗ１を供給可能となっている。ウエット洗浄手段２は、純水の供給ライン２１と窒素ガス源に連通した窒素ガス供給ライン２２と、これら純水供給ライン２１及び窒素ガス供給ライン２２がそれぞれ接続した内部混合型の二流体ノズル２３とを備える。二流体ノズル２３の先端から窒素ガスと超純水とから生成される液滴Ｗ２を噴射可能となっている。 （もっと読む）

この出願は、基板の少なくとも部分的な領域を処理するための複数の方法及び装置を開示する。前記方法においては、少なくとも１つの液体が基板の少なくとも１つの部分的な領域に提供され、それぞれの方法に従って所望の効果を達成するために、電磁放射がこの液体に導入される。１つの方法において、液体を提供する前にＵＶ放射によって液体のラジカルが発生され、ラジカルの発生は、少なくともラジカルの一部が基板に到達するように、液体を基板の提供する直前に行われる。基板の表面の少なくとも部分的な領域及び前記基板の表面に近い層からイオンが除去される１つの方法においては、前記基板の少なくとも部分的な領域に液体膜を形成するために、周囲温度よりも高く加熱された液体が基板に提供され、放射の少なくとも一部が基板表面に到達するように、電磁放射が前記液体膜に導入される。少なくとも部分的に疎水性の基板表面を有する基板の表面特性を、前記疎水性表面の少なくとも一部が親水性表面特性を得るように変化させる別の方法において、液体が、表面特性を変化させようとする基板の表面の少なくとも部分的な領域に提供され、所定の波長範囲のＵＶ放射が、前記液体を通って、表面特性を変化させようとする前記基板の表面の少なくとも部分的な領域まで案内される。この方法は、共通の装置において、あらゆる所望の順序で順次に及び／又は並行して行われてよい。
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【課題】 物品の表面に付着した脂・汚れ等を超音波を用いて強力に洗浄し且つ強く殺菌させることができる超音波洗浄方法を提供する。更に連続的に洗浄殺菌できる設備の費用とそのランニングコストを廉価にできるようにする。
【解決手段】 酸素と窒素を高濃度に溶存させた洗浄水Ｗを貯えた洗浄槽２の水面下に発振面が対向するように上下一対の超音波振動子４を配置し、同超音波振動子の発振面間の狭間領域７に酸素と窒素を高濃度に溶存させた洗浄水の一部を邪魔板８で水量・流速を抑えて略５０ｃｍ／分の流速で流入させる。洗浄槽２の側面を開口し、同開口を介して被洗浄物Ａを通過させる搬送コンベヤ３を配置し、同開口から洗浄水を排出させ、同開口の内側に洗浄槽２へ供給する洗浄水を噴出して水カーテンＷａを形成して開口からの大量の排水を抑え、又開口から落下した洗浄水を下方で受水槽１で受けてポンプで洗浄槽２へ圧送して洗浄水を循環的に使用する。 （もっと読む）

【課題】洗浄液に振動音響力を与えて半導体基板の表面を洗浄する方法及び装置を提供する。
【解決手段】基板３０表面が圧電変換器３２から所定の距離になるように基板を配置する工程、基板と変換器との間に洗浄液５を供給する工程、変換器に交流の電流と電圧を供給することにより洗浄液に振動音響力を与える工程、基板と変換器を相対的に移動させる工程、表面と変換器との間の距離を測定する工程、または変換器に供給される電流と電圧との間の位相シフトを測定する工程、測定された距離を所望の距離と比較する工程、または測定された位相シフトを所望の位相シフトの値と比較する工程、表面と変換器との間の距離を調整して、この距離を所望の距離に実質的に等しくなるように維持する工程、または位相シフトを所望の位相シフトの値に等しくなるように維持する工程よりなる。 （もっと読む）

【課題】これまで好んで用いられてきた塩基性洗浄を意図的に用いず、素子特性を劣化させることなく、ウォータマークも発生させない窒化物半導体基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長用に用いられる窒化物半導体自立基板を、エピタキシャル成長前に洗浄する窒化物半導体基板の洗浄方法において、塩基性洗浄液を用いず、非塩基性洗浄液のみを用いて洗浄する方法である。 （もっと読む）

【課題】溶存ガス濃度が低濃度（低飽和度）であるガス溶解水を安定して供給することが可能なガス溶解水供給装置及びガス溶解水の製造方法を提供する。
【解決手段】ガス供給配管３１から気相室１３内に酸素ガスを供給すると共に、真空ポンプ３５を作動し、気相室１３内を真空排気する。また、原水配管２１から液相室１２内に原水を供給する。気相室１３内の酸素の一部は、気体透過膜１１を透過して液相室１２内の原水に溶存し、ガス溶解水が製造される。気相室１３内の酸素の残部は、凝縮水と共に真空ポンプ３５で吸引されて排気配管３３から排出される。ガス溶解水の溶存酸素濃度が溶存ガス濃度計２３で測定され、この測定濃度が目標値となるように、ガス流量制御弁３２の開度が調節される。 （もっと読む）

【課題】基板を品質よく処理することができる基板処理装置、ガス溶解液供給方法、および、基板処理方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル２１と、二酸化炭素が溶解された炭酸ガス溶解水を二流体ノズルに供給する溶解液供給管２２と、炭酸ガス溶解水の溶存ガスと同じ二酸化炭素をキャリアガスとして二流体ノズル２１に供給するキャリアガス供給管２３と、を備えている。二流体ノズル２１は、炭酸ガス溶解水の液滴をキャリアガス（二酸化炭素）とともに基板Ｗに噴射する。噴射された炭酸ガス溶解水は溶解濃度が比較的に高い状態で基板Ｗに着液する。よって、基板を品質よく処理することができる。 （もっと読む）

【課題】除去率が高く、ダメージが少ない洗浄処理を行うことができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷの表面（上面）に極性液体である純水を処理液ノズル３から供給し、ウエハＷの表面を純水で覆う。さらに、処理液ノズル３から純水を吐出させた状態で、純水よりも表面張力が低い低表面張力液体であるＨＦＥの液滴を、純水で覆われたウエハＷの表面に衝突させる。その後、ウエハＷを高速回転させて乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】高濃度のガス溶解水を効率よく製造し、ユースポイントに循環供給することができるガス溶解水供給システムを提供する。
【解決手段】貯留槽１に、ガス（酸素）を溶解させた水で被洗浄物を洗浄した後の排水（洗浄排水）が配管１５を経由して貯留され、また、補給水配管１ａを経由して補給水が供給される。貯留槽１の水は圧送ポンプ２及び水温を一定に保つための熱交換器３を経由して、純化装置４に送られる。純化装置４で異物が除去された水は、流量計５を経て、脱気装置６へ送られる。その後、ガス溶解装置７でガスが溶解され、薬品が添加され、ユースポイントに供給される。 （もっと読む）

【課題】「パターン剥がれ」が生じない条件で、高いパーティクル除去比を期待できる半導体基板等の洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄槽として、主洗浄槽１を用意し、主洗浄槽１内において、洗浄対象となるウェーハ２の表面に、導入口３からエッチング液を供給してエッチングを行い、その後、ｐＨ調整用媒体として、ｐＨが９．５〜１０．５未満に保たれたアルカリイオン水を供給して洗浄を行い、次いで、洗浄媒体として、ｐＨが１０．５〜１２．５に保たれたアルカリイオン水を供給して洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】銅を含む配線の腐食を抑制できる洗浄工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず半導体基板１上に銅を含む配線５ｗが形成される（（Ａ）工程）。配線５ｗ上にエッチングストッパ膜６ｅｓが形成される（（Ｂ）工程）。エッチングストッパ膜６ｅｓ上に絶縁層６が形成される（（Ｃ）工程）。絶縁層６に、エッチングストッパ膜６ｅｓに達するビアホール６ｖが形成される（（Ｄ）工程）。ビアホール６ｖおよび絶縁層６の表面が有機溶剤Ｃで洗浄される（（Ｅ）工程）。配線５ｗが露出するようにエッチングストッパ膜６ｅｓが除去される（（Ｆ）工程）。露出した配線５ｗに電気的に接続する配線６ｗがさらに形成される（（Ｇ）工程）。 （もっと読む）

【課題】液体を密閉することなく液体からの気体の気散を抑制することが可能な被処理物の処理装置及び処理方法を提供する。
【解決手段】第２図のように被処理物９を貯留部１内の液体８に浸漬した後、弁３ａ、弁５ａを開とし、弁６ａ、弁４ａを閉とする。これにより、液体供給配管３から貯留部１に供給された液体７は、貯留部１の開放部１ａから溢出して副貯留部２内に貯留され、第３図のように液面が配管５の接続高さまで上昇する。その後、第４図の通り、弁３ａ、弁６ａ、弁４ａを開とする。これにより、副貯留部２内の液体７は、液体排出配管６から排出され、該副貯留部２内の液位が徐々に下降し、該開放部１ａの上方に存在していたボール７は、やがて該貯留部１内に挿入される。この過程において、貯留部１及び副貯留部２の液面にボール７が密に浮くことになり、液面からガスが大気中に気散することが抑制される。 （もっと読む）