【課題】基板同士を接合する前に、当該基板の表面を適切に改質する。
【解決手段】表面改質装置３０は、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌを収容する処理容器１００と、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌを載置する載置台１１０と、プラズマ生成用のマイクロ波を供給するラジアルラインスロットアンテナ１２０と、処理領域１１０内に処理ガスを供給するガス供給管１３０と、処理容器１００内をプラズマ生成領域Ｒ１と処理領域Ｒ２に区画するように設けられたイオン通過構造体１４０と、を有している。イオン通過構造体１４０は、所定の電圧が印加される一対の電極１４１、１４２を備え、当該イオン通過構造体１４０には、プラズマ生成領域Ｒ１から処理領域Ｒ２に処理ガスのイオンが通過する開口部１４４が複数形成されている。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を抑制することができ、かつ接合強度を向上することができ、かつ製造コストを低減することができる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０の製造方法は、第１の基板１と第２の基板２とが接合された基板１０の製造方法であって、以下の工程を備えている。希ガスプラズマが照射された一方面１ａを有する第１の基板１および酸素プラズマが照射された一方面２ａを有する第２の基板２が準備される。第１の基板１の一方面１ａと第２の基板２の一方面２ａとが向かい合わされて大気中で第１の基板１および第２の基板２が張り合わせられて仮接合される。仮接合された状態の第１の基板１と第２の基板２とが加熱されて接合される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、洗浄によるウェーハの表面粗さの悪化を低減し、かつ、効果的にウェーハの洗浄を行うことができる半導体ウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウェーハを洗浄する方法であって、前記半導体ウェーハをＳＣ１洗浄液により洗浄する工程と、前記ＳＣ１洗浄液により洗浄された半導体ウェーハをフッ酸により洗浄する工程と、前記フッ酸により洗浄された半導体ウェーハを、オゾン濃度が３ｐｐｍ以上のオゾン水により洗浄する工程とを含み、前記ＳＣ１洗浄液による半導体ウェーハのエッチング代を０．１〜２．０ｎｍとすることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】誘電体バリア放電方式の放電部の耐久性を向上させる。
【解決手段】プラズマ処理装置は、誘電体バリア放電方式のプラズマ源の近傍に、コロナ放電方式のプラズマ源を設置し、コロナ放電によって生成されるプラズマを補助プラズマとして用いて、誘電体バリア放電によって生成される主プラズマの放電維持電圧を低下させる。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波の損失を極力低減し、高密度プラズマを効率良く生成できるプラズマ生成装置を提供する。
【解決手段】プラズマ生成装置１００は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生装置２１と、マイクロ波発生装置２１に接続され、マイクロ波の伝送方向に長尺をなすとともに、該伝送方向に直交する方向の断面が矩形をした中空状の矩形導波管２２と、矩形導波管２２に接続されてその内部へ処理ガスを供給するガス供給装置２３と、矩形導波管２２の一部分であって、内部で生成したプラズマを外部で放出するアンテナ部４０とを備えている。アンテナ部４０は、その断面において短辺をなす壁４０ａに１又は複数のスロット孔４１を有しており、大気圧状態の矩形導波管２２内に供給された処理ガスをマイクロ波によってプラズマ化し、スロット孔４１から外部の被処理体へ向けて放出する。 （もっと読む）

【解決課題】 熱膨張係数が大きく異なる基板同士を接合する場合でも貼り合わせ強度を高めて基板破損を回避することができる貼り合わせ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 ３０％水溶液換算のＨ_２Ｏ_２の容量に対する２９％水溶液換算のＮＨ_４ＯＨの容量が、体積比で１を超え２００以下となる溶液によりハンドル基板を洗浄し、然る後にドナー基板と貼り合わせる工程を含む貼り合わせ基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板表面を水溶液が乾燥することなく、基板表面を均一に洗浄することができる基板洗浄方法及び基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄方法及び基板洗浄装置は、基板の洗浄に有効な成分を含んだ水溶液に、前記基板を浸漬して洗浄を行う洗浄工程と、洗浄工程と移動工程とを備え、洗浄と移動工程が行われる空間領域を加湿する加湿工程と洗浄の次工程として水洗工程を有し、基板洗浄装置は、基板を洗浄する洗浄部と洗浄後の基板を次工程に移動する移動部とを備え、洗浄部と移動部が備えられる空間領域を相対湿度６０％ＲＨ以上１００％ＲＨ未満に加湿する加湿部と洗浄後の基板を水洗する水洗部とを備える。 （もっと読む）

【課題】被処理材に到達する荷電粒子を十分に抑制したうえで、ラジカルのみを効率的に供給できるリモート式のプラズマ処理装置とプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】前記放電部の圧力が大気圧近傍に維持され、前記処理室の圧力が前記放電部の圧力より低く維持され、前記一対の電極のうち第一電極は、前記仕切り板に重ね合わせて気密接続されるとともに前記複数の貫通孔にそれぞれ連なる細孔が設けられ、前記一対の電極のうち第二電極は、前記第一電極と所定の空隙を介して対向配置され、前記第一電極の前記空隙側の表面且つ前記第二電極の前記空隙側の表面および前記細孔の内面が誘電体で覆われている。 （もっと読む）

この出願は、基板の少なくとも部分的な領域を処理するための複数の方法及び装置を開示する。前記方法においては、少なくとも１つの液体が基板の少なくとも１つの部分的な領域に提供され、それぞれの方法に従って所望の効果を達成するために、電磁放射がこの液体に導入される。１つの方法において、液体を提供する前にＵＶ放射によって液体のラジカルが発生され、ラジカルの発生は、少なくともラジカルの一部が基板に到達するように、液体を基板の提供する直前に行われる。基板の表面の少なくとも部分的な領域及び前記基板の表面に近い層からイオンが除去される１つの方法においては、前記基板の少なくとも部分的な領域に液体膜を形成するために、周囲温度よりも高く加熱された液体が基板に提供され、放射の少なくとも一部が基板表面に到達するように、電磁放射が前記液体膜に導入される。少なくとも部分的に疎水性の基板表面を有する基板の表面特性を、前記疎水性表面の少なくとも一部が親水性表面特性を得るように変化させる別の方法において、液体が、表面特性を変化させようとする基板の表面の少なくとも部分的な領域に提供され、所定の波長範囲のＵＶ放射が、前記液体を通って、表面特性を変化させようとする前記基板の表面の少なくとも部分的な領域まで案内される。この方法は、共通の装置において、あらゆる所望の順序で順次に及び／又は並行して行われてよい。
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【課題】ロール電極の内部を流通する冷却液が、ロール電極を構成する部材どうしの接合面を通してロール電極の外面へ漏れ出たとしても、処理の安定性が損なわれるのを防止するプラズマ表面処理装置の提供。
【解決手段】ロール電極１の円筒部２０の端壁部３０Ｌを構成する複数の部材３１Ｌ，３３Ｌどうしの接合面５４Ｌが、冷却液路６０に達して内側接合線５５Ｌを形成し、かつ端壁部３０Ｌの外面に達して外側接合線５６Ｌを形成している。端壁部３０Ｌの外面における、放電面２１ａとの境界１ｂと外側接合線５６Ｌとの間に、端壁部３０Ｌの周方向に沿って延びる溝４１Ｌを形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ表面処理装置のロール電極を電源電極とし、かつ該ロール電極の軸部には電圧が印加されないようにし、ロール電極と回転駆動部との接続構造及びロール電極の支持構造を簡素化する。
【解決手段】ロール電極１の金属製の軸部１０を電気的に接地し、金属製の外筒部２０に電源３を接続する。絶縁材料からなる環状の絶縁連結部３０にて、軸部１０と外筒部２０を絶縁しつつ連結する。 （もっと読む）

【課題】基板表面にウォーターマークが生成されるのを抑制しつつ、疎水性を示す基板表面を洗浄後にリンスし乾燥させることができるようにする。
【解決手段】少なくとも一部が疎水性である基板Ｗの表面をリンスし乾燥させる基板処理装置であって、水平に配置された基板Ｗの外周部を囲繞する位置に堰１８を配置し、基板Ｗの表面にリンス水を供給して基板Ｗの全表面に堰１８によって流れを堰き止めたリンス水の連続した液膜２６を形成し、基板Ｗを回転させ基板Ｗの表面の中心部にある液膜２６を基板Ｗの表面の外周部に移動させて基板表面の中心部を露出させ、しかる後、基板Ｗの表面の液膜２６を完全に除去して基板Ｗの表面を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】無機膜と当該無機膜と性質の異なる異質膜（金属膜や有機膜など）とが積層された被処理体を処理する場合においても、凸形状部が倒壊することを防止すること。
【解決手段】液処理装置は、本体部Ｗ_ｉと、本体部Ｗ_ｉに設けられた複数の凸形状部Ｗ_ｍとを有し、無機膜と当該無機膜と性質の異なる異質膜とが積層された被処理体Ｗを処理する。液処理装置は、被処理体Ｗの本体部Ｗ_ｉを支持する支持部５０と、支持部５０によって支持された被処理体Ｗに、疎水化液を供給する疎水化液供給機構３０と、疎水化液供給機構３０によって疎水化液が供給された後の被処理体Ｗに、リンス液を供給するリンス液供給部２２と、を備えている。疎水化液供給機構３０は、無機膜を疎水化するための第一疎水化液を被処理体Ｗに供給する第一疎水化液供給部３２と、異質膜を疎水化するための第二疎水化液を被処理体Ｗに供給する第二疎水化液供給部３７とを有している。 （もっと読む）

【課題】 ２枚のウェハ間の接合を、接合後の欠陥の発生を低減すること、および接合エネルギーを高めることによって、強化する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、別のウェハと接合するためにウェハの酸化表面を調製する方法であって、酸化表面には原子種が注入され、ＮＨ₄ＯＨとＨ₂Ｏ₂を使用して酸化表面を洗浄する第１ステップと、塩化水素種（ＨＣｌ）を使用して洗浄する第２ステップとを含み、第１ステップは、約１０Å〜約１２０Åでエッチングするように実行され、第２ステップは、約１０分間またはそれ以内の間、約５０℃以下の選択された温度で実行される。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置を提供する。
【解決手段】薬液を用いて半導体基板を洗浄し、純水を用いて前記薬液を除去し、前記半導体基板表面に撥水性保護膜を形成し、純水を用いて前記半導体基板をリンスし、前記半導体基板を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置において、放電空間からのプラズマ光により筐体の導入流路を画成する内壁が腐食するのを防止する。
【解決手段】放電空間５を形成する一対の電極１１，１２及び固体誘電体１３，１４を含む電極構造１０を筐体２０に収容し保持する。筐体２０の内部に、放電空間５への処理ガスの導入流路３０を設ける。導入流路３０内の放電空間５と面する箇所に被照射部材４１を設ける。被照射部材４１を、筐体２０より耐光性が高い材料で構成する。 （もっと読む）

【課題】基板からの処理液の排出性を向上させることができ、基板の周囲に飛散する処理液の液滴の粒径を小さくすることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを水平に保持するための支持リング８を有するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持された基板Ｗに処理液を供給する洗浄液ノズルおよびリンス液ノズルとを備えている。支持リング８は、支持リング８に保持された基板Ｗの上面から外方へと処理液が流れていくように、当該基板Ｗの全周を取り囲んで当該基板Ｗの外周縁を外方に拡張するように設けられた環状の拡張面３６を有している。拡張面３６は、処理液に対する親液性が基板Ｗよりも高い親液面とされている。 （もっと読む）

【課題】基板に対する処理液の再付着を抑制または防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを水平に保持するための支持リング９を有するスピンチャック３と、スピンチャック３に保持された基板Ｗに処理液を供給する洗浄液ノズル４およびリンス液ノズル５と、基板Ｗの外方に向かって飛散する処理液の液滴を受け止めるためのスプラッシュガード６とを備えている。支持リング９は、基板Ｗの上面から外方へと処理液が流れていくように、基板Ｗの全周を取り囲んで基板Ｗの外周縁を外方に拡張するように設けられた環状の拡張面６１を有している。また、スプラッシュガード６は、スピンチャック３に保持された基板Ｗの外方において、拡張面６１の全周縁部を上方から覆う環状の上壁部４５を有している。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置のノズルを処理槽から分離可能とし、かつ、処理槽内のガスが処理槽の設置口の周縁部とノズルとの間を通って外部に漏れるのを防止する。
【解決手段】処理槽１０により、被処理物９の処理空間１９を囲む。ノズル２０を処理槽１０の設置口１３を介し処理空間１９に臨ませ、処理空間１９に処理ガスを供給する。ノズル２０を処理槽１０に対し分離可能又は移動可能にする。処理槽１０の設置口周縁部１４とノズル２０との間を環状のシール部材３０によって気密に塞ぐ。好ましくは、シール部材３０を、柔軟性及び伸縮性を有するシート状にし、設置口周縁部１４とノズル２０とで作る環状の空間１３ａに張り渡す。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置の接地電極における噴出口の内面に異常放電が落ちるのを防止し、かつ処理ムラを防止する。
【解決手段】プラズマ処理装置の接地電極４０における電界印加電極３０を向く放電面４２上に誘電部材６０を配置する。誘電部材６０には複数の噴出導孔６１を形成する。接地電極４０には上記複数の噴出導孔６１の合計開口面積より大きな開口面積を有する噴出口４１を形成する。複数の噴出導孔６１を共に１つの噴出口４１に連ねる。噴出口４１は、好ましくは噴出導孔６１の並び方向に延びる長穴状にする。 （もっと読む）