【課題】高い効率でレジストを除去することのできるレジスト除去装置およびレジスト除去方法を提供すること。
【解決手段】レジスト除去装置は、レジスト層が形成された基板を載置するための回転駆動される載置台と、当該載置台に載置される基板上に水を含有する光反応性処理液を供給するための処理液供給手段と、当該処理液供給手段によって基板上に供給された光反応性処理液よりなる液膜を介して当該基板におけるレジスト層に紫外光を照射するための紫外線ランプとを備えており、前記載置台に載置された基板におけるレジスト層上の各部分が、当該載置台の回転に伴って、前記紫外線ランプによって形成される照射領域および非照射領域を交互に通過することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理材に照射される真空紫外光の光強度分布を均一に調整して、被処理材を高均一に処理する。
【解決手段】真空紫外光を照射する光源と、被処理材を載置するステージと、前記ステージと光源の間に配置され、前記被処理材表面に照射される真空紫外光の面内光強度分布を補正する補正部材を備え、前記補正部材により面内における透過率を調整して前記被処理部材に均一な光強度を有する真空紫外光を照射する。 （もっと読む）

【課題】 レジストの水による物性変化（膨潤性等）を利用して、レジスト膜を容易且つ確実に剥離する。これにより、資源・エネルギー多消費型技術からの脱却、すなわちレジストの除去にエネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現させる。
【解決手段】 水蒸気噴射ノズル３をラインスリットノズルが直径方向となるように配置してミスト含有水蒸気をレジスト膜の表面に噴射し、当該レジスト膜を剥離・除去する。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸パターンが形成されたウェハのパターン倒れを防止する洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウエハ１の表面に凸部３及び凹部４からなる凹凸パターンを形成し、該凹凸パターンの少なくとも凹部４に液体９が保持された状態で、ジアルキルシリル化合物を含有しかつ酸及び塩基を含有しない撥水性保護膜形成用薬液を表面に保持させて、撥水性保護膜１０を形成し、該撥水性保護膜１０がウェハ１の表面に保持されている状態で、液体９を凹部４から除去する。 （もっと読む）

【課題】処理液を用いた基板処理を良好に行うことができるとともに、処理時間をより短縮することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗに対して処理液による処理を施す処理チャンバ１０と、基板収容器１７を保持する収容器保持部４と、収容器保持部４と処理チャンバ１０との間で基板Ｗを搬送するインデクサロボット６、シャトル搬送機構７および主搬送ロボット９を備えている。シャトル搬送機構７が備えられたシャトル搬送空間１４の上部には、１７２ｎｍの波長を中心とする紫外線を照射するランプハウスが設けられている。シャトル搬送機構７によって基板Ｗを搬送するのと同時に、搬送中の基板Ｗに紫外線を照射することによって、基板Ｗに付着している有機物を分解・除去したり、基板Ｗ表面に酸化膜を形成する処理を行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の均一性及び効率が向上し、電極の絶縁が容易になるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】走査ヘッドにおいては、処理ガスが流れる流路を有する構造物と、棒形状を有し表面が固体誘電体からなる被覆電極と、が結合される。被処理ワークは、支持電極の支持面に支持される。流路の入口には処理ガスが供給される。被覆電極と支持電極との間にはパルス電圧が印加される。流路及び被覆電極は、少なくとも出口寄りの部分が支持面に平行な方向以外の方向に延在する。被覆電極は、流路の中に配置され、流路の内表面との間に間隙を有し、被覆電極の放電先端は、流路の出口に露出する。走査ヘッドの先端は、支持面との間に間隙を有する。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶ光源におけるＥＵＶコレクタの反射表面からデブリを除去するための方法および装置を提供する。
【解決手段】電流源（ＤＣ電圧源）２２０は、コレクタミラー１５０、ミラー１５０のための金属製バッキング材（アルミニウムまたはニッケル）に接続されてよい。ミラー１５０は、チャンバ２６の内側を満たす周囲ガス（ヘリウムガス）の温度よりも高い温度に加熱されてよい。デブリ洗浄のもう一つの側面、ＲＦ周波数電圧２３０およびチャンバ２６内の２３２で模式的に示すアンテナからの、ＲＦの導入が組込まれてもよい。ＲＦは、ミラー１５０または金属製バッキング材に接続されてもよく、この場合、適切な導電性材料製で且つアース電位に接続された暗シールドが、コレクタミラー１５０の背面を覆って形成されてよく、これは絶縁体（空気ギャップ）および電圧（ミラー１５０にも接続されたＤＣ電源２２０からのＤＣ）によってミラーから分離される。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面に存在する有機物等の汚染物を高い効率で除去することができると共に、被処理物の表面の濡れ性を向上させることができ、被処理物の表面に高い密着性を有する薄膜を形成することができるドライ洗浄方法およびドライ洗浄装置を提供する。
【解決手段】被処理物１に大気圧プラズマを作用させることにより洗浄処理する第１洗浄工程と、この第１洗浄工程によって洗浄処理された被処理物１にエキシマランプから放射されたエキシマ光を照射することにより洗浄処理する第２洗浄工程とを有し、搬送される被処理物１に対して被処理物１の搬送方向の上流位置に大気圧プラズマ装置２０を配置し、被処理物１の搬送方向の下流位置にエキシマ光照射装置３０を配置する。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊及びウォーターマークの発生を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板保持回転部１００に複数の凸形状パターンを形成した半導体基板Ｗをほぼ水平に保持して回転させ、薬液を用いて前記半導体基板Ｗ表面を洗浄し、洗浄した前記凸形状パターン表面に撥水化剤を用いて撥水性保護膜を形成し、前記撥水性保護膜形成後に、酸性水又は希釈したアルコールを用いて、前記半導体基板Ｗをリンスし、リンスした前記半導体基板Ｗを乾燥させた後に、前記凸形状パターンを残存させて前記撥水性保護膜を除去する。 （もっと読む）

この出願は、基板の少なくとも部分的な領域を処理するための複数の方法及び装置を開示する。前記方法においては、少なくとも１つの液体が基板の少なくとも１つの部分的な領域に提供され、それぞれの方法に従って所望の効果を達成するために、電磁放射がこの液体に導入される。１つの方法において、液体を提供する前にＵＶ放射によって液体のラジカルが発生され、ラジカルの発生は、少なくともラジカルの一部が基板に到達するように、液体を基板の提供する直前に行われる。基板の表面の少なくとも部分的な領域及び前記基板の表面に近い層からイオンが除去される１つの方法においては、前記基板の少なくとも部分的な領域に液体膜を形成するために、周囲温度よりも高く加熱された液体が基板に提供され、放射の少なくとも一部が基板表面に到達するように、電磁放射が前記液体膜に導入される。少なくとも部分的に疎水性の基板表面を有する基板の表面特性を、前記疎水性表面の少なくとも一部が親水性表面特性を得るように変化させる別の方法において、液体が、表面特性を変化させようとする基板の表面の少なくとも部分的な領域に提供され、所定の波長範囲のＵＶ放射が、前記液体を通って、表面特性を変化させようとする前記基板の表面の少なくとも部分的な領域まで案内される。この方法は、共通の装置において、あらゆる所望の順序で順次に及び／又は並行して行われてよい。
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【課題】
洗浄物の大形化や搬送の高速化に対応でき、効率を改善した、無声放電ランプおよびこれを用いた照射装置を提供する。
【解決手段】
放電管軸と直交する断面が非円形状であるエキシマ光を放射する無声放電ランプにおいて、少なくともエキシマ光を透過する１面が円弧状に膨らんだ形状とし、外圧に対する強度を増すことによって、誘電体の厚みを薄くし、ランプの効率を改善する。このランプと反射筒とを並列に配置し、ランプから横向けに放射される無駄な光の進行方向を被照射体方向に変更し、被放射体への照射効率を改善するように、照射装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、センサで受光される真空紫外線の強度と、被照射物へ照射される真空紫外線の強度とを近似させる紫外線照射装置を提供することにある。
【解決手段】
第１の発明に係る紫外線照射装置は、被照射物に対して真空紫外光を出射するエキシマランプと、この真空紫外光を受光すると共に光取込部を備えた光センサと、エキシマランプを取り囲む筐体と、からなる紫外線照射装置において、前記光取込部と前記エキシマランプとの間に、不活性ガスと酸素との混合ガスを吹き出すブロー管を有し、前記光取込部と前記エキシマランプとの距離をＹ１、その間の酸素濃度をＰ１とし、前記エキシマランプと前記被照射物との距離をＹ２、その間の酸素濃度をＰ２とするとき、以下の関係を満たすことを特徴とする。
０．８≦Ｙ２×Ｐ２／Ｙ１×Ｐ１≦１．２ （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、放射される紫外線を遮光する反応生成物の固着を抑制した紫外線ランプ及び紫外線照射装置を提供することにある。
【解決手段】
第１の発明に係る紫外線照射装置は、紫外線ランプと、該紫外線ランプを内部に配置した筐体と、該紫外線ランプを該筐体と共に取り囲む平板状の光照射窓と、からなる紫外線照射装置において、該光照射窓の紫外線ランプに対向する面に対して反対側の面に金又は白金からなる薄膜を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の被処理物又は長尺の被処理物の表面処理を連続して効率よく行うことができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置１００は、第１の電極１０６と第２の電極１１４との間への電気パルスの繰り返しの印加により間隙１０２２にストリーマ放電を発生させながらワーク１９０に間隙１０２２を通過させる。処理ガス供給体１１８は、吹き出し口１１８９から処理ガスを噴出し、搬送経路上流側から間隙１０２２に処理ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの剥離面を劣化させることなく、ウエハを支持する支持板をウエハから剥離する処理を実現する支持板剥離装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る支持板剥離装置は、薄化されたウエハからウエハを支持する支持板を剥離させて、ウエハの剥離面を洗浄液で洗浄した後、当該剥離面に残留する接着剤を除去する除去手段を備えていることを特徴とし、洗浄液では除去しきれなかったウエハの剥離面の接着剤を除去し、剥離工程を良好に完了させることができる支持板剥離装置である。 （もっと読む）

【課題】不活性ガスの使用量を低減して被照射物の洗浄及び表面改質のコスト削減可能な紫外線照射装置を提供する。
【解決手段】紫外線を放射する光源２と光透過窓３とを有するランプハウス４と、光透過窓３と被照射物Ｐとの間の空間Ｓに少なくとも不活性ガスと酸素とが含まれる混合ガスを導入するためのガス導入手段５とを備え、ランプハウス４は、不活性ガスを導入するためのガス導入口７と、不活性ガスを排出するためのガス排出口８とを有しており、ガス排出口８から排出された不活性ガスをガス導入手段５に送る回送流路６が備えられていることを特徴とする紫外線照射装置１。 （もっと読む）

【課題】被処理基板裏面の汚染物質に起因する半導体装置の製造歩留まりの低下を抑制できる。
【解決手段】本発明の例に関わる基板処理方法は、被処理基板の表面に塗布膜を形成する工程（ＳＴ１）と、被処理基板の裏面に対して親水化処理を行う工程（ＳＴ２）と、親水化処理を行った後、被処理基板の裏面に洗浄液を供給し、前記被処理基板の裏面を洗浄する工程（ＳＴ３）とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの紫外線照射装置において、半導体ウエハ表面の状態による紫外線の反射率または吸収率の変化によらずに、本来紫外線照射プロセスに必要とされる紫外線光量を照射する。
【解決手段】半導体ウエハ５の表面近傍を、照射ヘッド部１が一方から他方へ随時移動する際、表面の状態を照射ヘッド部１の反射率または吸収率測定機能により随時フィードバックを掛け、紫外線の照射光量を変更することにより、半導体ウエハ５の表面状態に応じた紫外線光量を照射する。 （もっと読む）

【課題】シリコン製若しくはガラス製の基板表面、または基板表面に形成された無機系被膜表面に強固に付着している無機系の異物を表面粗さの増加を抑えながら容易に除去することができ、しかも一度除去された異物が基板表面に再付着することが防止された異物除去方法の提供。
【解決手段】シリコン製若しくはガラス製の基板表面または該基板表面に形成された無機系被膜表面から無機系異物を除去する方法であって、前記基板材料、前記無機系被膜材料および前記無機系異物のうち少なくとも１つに対して０．０１／ｃｍ以上の光吸収係数となる波長域の光線を、酸素若しくはオゾン含有雰囲気下にて前記基板表面若しくは前記無機系被膜表面に照射量１０Ｊ／ｃｍ²以上で照射した後、負の表面電位を有する前記基板表面若しくは前記無機系被膜表面にｐＨ≦６の酸性溶液を曝すことを特徴とする基板表面若しくは該基板表面に形成された無機系被膜表面から無機系異物を除去する方法。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】一実施形態では、基板を処理する方法を提供する。方法は、基板の表面に溶液を供給するステップを含む。光等のエネルギを溶液に加えることによる溶液の解離により、少なくとも一つの反応化学種が生成される。前記基板上の第一の材料を反応させ、反応させた第一の材料を除去する。基板を処理するシステムについても説明する。 （もっと読む）