【課題】電子製品用の基板に付着した異物を除去する異物除去装置において、エアー射出による異物への除去作用を維持しながらも異物の拡散による再汚染を防止し、充分な異物除去能力を得ることができる。
【解決手段】この発明の異物除去装置においては、異物除去処理を行う際に基板１上部に隙間を空けて対向して配置される異物飛散防止板３と、異物飛散防止板３の外周に設けられる囲い板４と、異物飛散防止板３に開口して設けられるエアー射出部５と、エアー射出部５と囲い板４の間に開口して設けられるメインエアー吸引部６およびサブエアー吸引部７とを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】表面に金属系元素で凹凸パターンが形成されたウェハのパターン倒れを改善する撥水性保護膜形成用薬液を提供する。
【解決手段】ウェハ１の洗浄工程の後、乾燥工程の前において、少なくとも凹部４を含む表面を一般式［１］で示される撥水性保護膜形成用薬液で置換する。


（Ｒ^１は一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜１８の１価の炭化水素基、Ｒ^２はそれぞれ互いに独立して一部又は全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１〜１８の炭化水素基を含む１価の有機基、ａは０〜２の整数である。） （もっと読む）

【課題】銅配線に対する腐食性が低いこととともに、酸化銅系の化合物残渣やシリコン酸化物系の化合物残渣に対する除去能力が優れた、銅配線工程で使用されるフォトレジスト又はフォトレジスト残渣除去組成物を提供する。
【解決手段】リン酸、リン酸塩、硫酸及び硫酸塩からなる群から選択される少なくとも１種と、クエン酸、リンゴ酸、乳酸、コハク酸、マロン酸及び酢酸からなる群から選択される少なくとも１種と、組成物全量に対して０．０１〜２重量％のフッ化水素酸及び／又はフッ化アンモニウム等のフッ化水素酸塩と水とを含有するレジスト残渣除去組成物。 （もっと読む）

【課題】基板からフォトレジスト及びエッチング残渣を選択的に除去できる組成物であって、上記組成物に対して同様に露出している可能性のある金属に破壊的化学作用を及ぼさない組成物を提供することを課題とする、また、極微量の酸化シリコンを呈し、一般的に絶縁体に対するエッチング速度の低い組成物を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、フォトレジスト及びエッチング残渣を除去するのに適切な組成物であって、ａ）少なくとも約５０重量％の、テトラフルフリルアルコール、ジアセトンアルコール、１，４−シクロヘキサンジメタノール及びアルキレングリコールエーテルからなる群より選択される溶媒；ｂ）約０．００５〜約０．８重量％のフッ素ソース；ｃ）上限約４９．９重量％の水；及び、ｄ）上限約２０重量％の腐食抑制剤を含むことを特徴とする組成物を含む。また、本発明は、基板からフォトレジスト及び／又はエッチング残渣を除去する方法であって、上記の組成物と基板を接触させることを含むことを特徴とする方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの製造時においてニッケル等の金属不純物が内方拡散された場合であっても、コストが大きく増加することなく、シリコンウェーハの表面のみならず、ウェーハ内部に含まれるニッケル等の金属不純物の低減を図ることができるシリコンウェーハの清浄化方法及びそれを用いたシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコンウェーハの清浄化方法は、ＣＺ法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中、発光波長を１０００ｎｍ以上に制御した光を照射するランプ加熱により、１００℃以上８００℃以下の最高到達温度まで昇温して、前記最高到達温度を１秒以上６０秒以下保持する熱処理を行うことで前記シリコンウェーハの表面に金属不純物を偏析させる工程と、前記偏析させた金属不純物を除去する工程と、を備える （もっと読む）

【課題】複数の基板に超臨界流体を効果的に噴射する基板処理装置及び基板処理方法が提供される。
【解決手段】本発明の実施形態による基板処理装置は、処理が遂行される空間を提供するハウジング４１００と、ハウジング４１００の内部に互いに上下方向に離隔されて配置され、各々複数の基板Ｓの縁を支持する複数の支持部材４３２０と、を包含する。 （もっと読む）

【課題】基板に対する異物の付着力を低下させることができ、ランニングコストを低減できる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】液滴ノズル１５からの液滴が基板Ｗの上面内の一部の領域だけに供給される。その後、基板Ｗの上面に保持されている液滴が冷却または加熱される。これにより、基板Ｗ上の液滴の温度が変化する。液滴に接しているパーティクルは、液滴によって冷却または加熱され、収縮または膨張する。 （もっと読む）

【課題】搬送途上において基板を反転することを容易に可能とする。
【解決手段】基板処理装置は、基板の上方を向く主面を処理する処理部と、基板が載置される載置部近傍の前部移載位置５０１と処理部近傍の後部移載位置５０２との間にて基板を搬送する基板搬送部５とを有する。基板搬送部５では、基板を保持する基板保持部５１の両側部に一対の円筒部５５が設けられ、搬送方向におよそ沿って伸びる一対の外側レール部５３が基板保持部５１の両側に設けられる。昇降機構５７１，５７２は、搬送方向における一対の外側レール部５３の両端部に高低差を設けることにより、前部移載位置５０１から後部移載位置５０２へと一対の円筒部５５を転がして、基板を反転しつつ基板保持部５１を搬送する。これにより、搬送途上において基板を反転することが容易に可能となり、基板処理装置におけるスループットを向上することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Cu及びlow-k膜にダメージを与えずに、従来のポリマー剥離液で解決し得なかったわずかな亀裂状のCu腐食の抑制が可能なドライプロセス後の残渣除去液を提供し、これを用いた半導体デバイスの製造方法を確立する。
【解決手段】ドライエッチング及び／又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣の除去液であって、フッ素化合物を含まず、銅に配位し得る２以上の酸素原子を有する中性有機化合物及び／又はＣ４以上のモノアルコールのうち少なくとも１種と、水とを含むことを特徴とする残渣除去液、或いは、過塩素酸塩と水とを含むことを特徴とする残渣除去液に関する。 （もっと読む）

【課題】洗浄後の半導体ウェーハ上にエピタキシャル層を形成した際の表面のエピ欠陥を低減することが可能な半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体ウェーハ１を所定間隔をもって起立状態でＸ方向に整列させて収容する反応処理槽１０と、反応処理槽１０の底面に設けられ、反応処理槽１０にフッ化水素ガスを供給するガス供給口１１とを備え、ガス供給口１１は、フッ化水素ガスに含まれるミスト成分を除去するフィルタ１２を有する。フィルタ１２によってミスト成分が除去されたフッ化水素ガスにより半導体ウェーハ１の洗浄を行なうため、洗浄後に半導体ウェーハ１上にエピタキシャル層を形成した場合の表面のエピ欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】カップ部を昇降する昇降ユニットの高さを低減することを図る。
【解決手段】昇降ユニット５０は、第１シャフト５４１、ボールねじナット５４２およびスプラインナット５４３を有するボールねじスプライン５４を備え、第１シャフトはカップ部に固定される。サーボモータ５６の第２シャフト５６１は、第１シャフトに略平行であり、第１シャフトに垂直な方向において少なくとも一部が第１シャフトに対向する。これにより、昇降ユニットの高さが低減される。ボールねじナットおよび第２シャフトには互いに係合する第１および第２平歯車５７１，５７２がそれぞれ固定され、第１シャフトを昇降する際に、第２シャフトの回転がボールねじナットに減速して伝達される。これにより、昇降ユニットでは、カップ部の位置を保持する際にサーボモータにおいて必要となる回転トルクが小さくなり、消費電力の削減が図られる。 （もっと読む）

【課題】反応性クラスタによる基板の加工方法に係り、基板の損傷が少なく、高速加工ができるようにした。
【解決手段】反応性ガスと、前記反応性ガスと不活性であって前記反応性ガスより低沸点のガスとからなる混合ガス１４を、ノズル出口２１に至る混合ガス供給路１で冷却源３により冷却して前記ノズル出口２１から断熱膨張させながら真空処理室４内に噴出させて、反応性クラスタ４５を生成し、この反応性クラスタ４５を真空処理室４内の基板５に噴射して基板表面５１を加工するようにしたから、反応性クラスタ４５の加工性能を高めることができ、基板５の損傷が少なく、かつ高速で基板５の加工を行うことができるようにした。 （もっと読む）

【課題】処理槽内への基板の降下時及び処理槽内からの基板の上昇（引き上げ）時の双方において、隣接する基板同士の接触や、基板の浮き上がりを確実に防止する。
【解決手段】処理液で満たされた処理槽内に被処理基板を収納したキャリアを浸漬して処理を行う被処理基板の浸漬処理方法であって、キャリアを処理液の表面に対して水平に保持して処理槽内に下降させる降下工程と、キャリアを傾斜させて処理槽内より上昇させる上昇工程と、を実施する。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸パターンを有するウェハの該表面の洗浄において、前記凹凸パターンに働く毛細管力の影響を低減し、パターン倒れを低減する、ウェハの洗浄方法を提供すること。
【解決手段】表面に凹凸パターンを形成したウェハの該表面を洗浄液で洗浄する、洗浄工程、
洗浄工程後の前記ウェハの凹部に残留する洗浄液を、昇華性物質を含む充填用処理剤を溶解または融解させた処理液で置換し、充填する、処理液充填工程、
前記凹部に充填された前記処理液から固体の昇華性物質を析出させる、固体析出工程、
前記凹部に析出した固体の昇華性物質を昇華により除去する、昇華除去工程
を有することを特徴とする、ウェハの洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】ウェハ表面に残った水の表面張力によりウェハが貼り付くことを防ぐウェハカセット搬送装置を得ること。
【解決手段】対向する一対の側面の内壁に設けられた複数のリブが形成する複数の保持溝の各々によって、複数のウェハ２を立てた状態で前後に並べて収容するウェハカセットを搬送するウェハカセット搬送装置１０であって、ウェハカセット１を把持する把持装置６と、一対の側面と略同じ間隔で二列に配列され、複数の保持溝と同じピッチで配置された複数の歯を有するクシ５と、把持装置６及びクシ５を移動させる移送装置４と、を備え、移送装置４は、把持装置６がウェハカセット１を把持するのに先だって、複数の保持溝の各々において、ウェハ２とリブとの間に歯が挿入されるように把持装置６及びクシ５を移動させる。 （もっと読む）

【課題】超臨界工程を遂行する基板処理装置及びこれを利用する基板処理方法が提供される。
【解決手段】本発明による基板処理装置の一実施形態は、一面に基板が出入する開口が形成され、高圧工程が遂行される空間を提供するハウジングと、前記ハウジング内に設置され、前記基板を支持する支持部材と、前記開口を開閉するドアと、前記高圧工程の時、前記ハウジングが密閉されるように前記ドアへ力を加圧する加圧部材と、を含む。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥および金属汚染低減が可能な半導体基体の処理方法、そのための装置、また、それを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣとＮとを含む混合ガスをプラズマ化してＣＮ活性種を生成し、生成したＣＮ活性種により半導体基体１１の半導体層の表面を処理する。特に、前記処理としては、前記半導体基体１１の表面の半導体層を前記ＣＮ活性種によりパッシベートすることを含む。さらに、そのことにより、表面汚染金属および半導体中の欠陥を除去する。 （もっと読む）

【課題】基板を回転させて基板の上面から処理液を除去して基板を乾燥する際に、基板の上面全体にわたって処理液の除去に要する時間を均一化して基板を良好に乾燥させる。
【解決手段】赤外線照射部５から出射される赤外線が基板Ｗの下方から基板中央部分Ｗcpに照射され、基板中央部分Ｗcpの上面に付着するＩＰＡ液で吸収される。この赤外線吸収によってＩＰＡ液の温度が上昇し、基板中央部分Ｗcpの上面に付着するＩＰＡ液の液膜温度が基板Ｗの周縁部分に付着するＩＰＡ液の液膜温度よりも高くなる。これにより、基板中央部分Ｗcpでの蒸発乾燥が基板Ｗの周縁部分での蒸発乾燥よりも促進され、基板中央部分Ｗcpと周縁部分との乾燥時間の差が抑制される。その結果、基板Ｗの上面Ｗus全体にわたって乾燥時間が均一化される。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体を利用して基板を処理する基板処理装置及びこれを利用する超臨界流体排出方法が提供される。
【解決手段】本発明による基板処理装置は、超臨界流体が提供される容器と、前記容器から前記超臨界流体が排出されるベントラインと、前記ベントラインに設置されて超臨界流体の凍結を防止する凍結防止ユニットと、を含む。 （もっと読む）