基板処理装置及び基板処理方法
【課題】複数の基板に超臨界流体を効果的に噴射する基板処理装置及び基板処理方法が提供される。
【解決手段】本発明の実施形態による基板処理装置は、処理が遂行される空間を提供するハウジング４１００と、ハウジング４１００の内部に互いに上下方向に離隔されて配置され、各々複数の基板Ｓの縁を支持する複数の支持部材４３２０と、を包含する。
【解決手段】本発明の実施形態による基板処理装置は、処理が遂行される空間を提供するハウジング４１００と、ハウジング４１００の内部に互いに上下方向に離隔されて配置され、各々複数の基板Ｓの縁を支持する複数の支持部材４３２０と、を包含する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置及び基板処理方法に関し、より詳細には、超臨界処理を遂行する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子は、フォトリソグラフィー工程（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）を含む多様な工程を通じて、基板の上に回路パタ−ンを形成して製造される。このような製造工程の中では、パーティクル（ｐａｒｔｉｃｌｅ）、有機汚染物、金属不純物等の異物質が発生され、これらの異物質は基板に欠陥を誘発し、半導体素子の収率に直接的な影響を及ぼす要因として作用する。したがって、半導体製造工程においては、基板から異物質を除去するための洗浄工程が必須である。
【０００３】
一般的に洗浄工程は、洗浄剤で基板上の異物質を除去し、純水（ＤＩ−ｗａｔｅｒ：ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ ｗａｔｅｒ）で基板を洗浄した後、表面張力が小さいイソプロパノールアルコール（ＩＰＡ：ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）のような有機溶剤で純水を置換した後、これを蒸発させて基板を乾燥させる順序で進行される。しかし、このような既存の乾燥方式は、回路パターンが微細な半導体素子の場合にその乾燥効率が低いのみならず、乾燥処理の過程において、有機溶媒の比較的小さな表面張力によっても回路パターンが損傷される倒壊現象（ｐａｔｔｅｒｎ ｃｏｌｌａｐｓｅ）が頻繁に発生する問題を有している。
【０００４】
これによって、線幅３０ｎｍ以下の半導体素子に対しては、超臨界流体を利用して基板を乾燥させる超臨界乾燥処理（ｓｕｐｅｒｃｒｉｔｉｃａｌ ｄｒｙｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）が、次第に既存の乾燥処理を代替するようになってきている。超臨界流体とは、臨界温度及び臨界圧力以上において、気体と液体との性質を同時に有する流体であり、拡散力と浸透力とに優れ、溶解力が高く、表面張力がほとんど無いので、基板の乾燥に非常に有用に使用され得る。
【０００５】
しかし、このような超臨界乾燥処理を遂行するための処理チャンバーは、高圧の超臨界状態を維持するために、そのフットプリント（ｆｏｏｔ ｐｒｉｎｔ）が増加し、基板処理効率（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｔｈｒｏｕｇｈｐｕｔ）が低下するという問題を有している。しがたって、最近では処理効率を向上させるための処理チャンバーの構造に関する研究が活発に行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】韓国特許公開第１０−２００４−００５８２０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、同時に複数の基板を処理できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。
【０００８】
また、本発明が解決しようとする他の課題は、複数の基板に超臨界流体を効果的に噴射する基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。
【０００９】
本発明が解決しようとする課題は、上述した課題に限定されるものではなく、言及されなかった課題は本明細書及び添付された図面から、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば明確に理解できる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は基板処理装置を提供する。
【００１１】
本発明の一実施形態による基板処理装置は、処理が遂行される空間を提供するハウジングと、前記ハウジングの内部に互いに上下方向に離隔されて配置され、各々複数の基板の縁を支持する複数の支持部材と、を包含する。
【００１２】
前記基板処理装置は、側面から見た場合、処理流体を噴射する一端が互いに隣接する基板の間に位置するノズル部材をさらに包含できる。
【００１３】
前記ノズル部材は、上部から見た場合、前記一端が前記基板の中央部に位置することができる。
【００１４】
前記ノズル部材は、前記互いに隣接する基板の中で下方の基板の上面に向かって前記処理流体を噴射するように提供され得る。
【００１５】
前記ノズル部材は、前記互いに隣接する基板の中で下方の基板の上面と上方の基板の下面とに向かって前記処理流体を同時に噴射するように提供され得る。
【００１６】
前記ノズル部材は、鉛直方向に対して傾くように放射状に前記処理流体を噴射するように提供され得る。
【００１７】
前記ノズル部材は、上部から見た場合、前記一端が前記基板の縁領域又は外側に位置し、前記基板に平行な方向に前記処理流体を噴射するように提供され得る。
【００１８】
前記基板処理装置は、前記ハウジングの下部壁に形成され、前記処理流体を噴射する下部供給ポートをさらに包含できる。
【００１９】
前記基板処理装置は、前記ハウジングの上部壁に形成され、前記処理流体を噴射する上部供給ポートをさらに包含できる。
【００２０】
前記基板処理装置は、前記下部供給ポートが前記処理流体を供給した後、前記処理チャンバーの内部圧力が予め設定された圧力に到達した場合、前記ノズル部材が前記処理流体の噴射を開始するように制御する制御器をさらに包含できる。
【００２１】
前記基板処理装置は、前記ハウジングの上部壁から下方向に延長される支持バーをさらに包含し、前記複数の支持部材は、前記支持バーに一定の間隔をおいて連設され得る。
【００２２】
前記ハウジングは、上部ハウジング及び前記上部ハウジングの下部に配置される下部ハウジングを含み、前記基板処理装置は、前記上部ハウジング又は前記下部ハウジングの中でいずれか１つを昇降させて前記ハウジングを開閉する昇降部材をさらに包含できる。
【００２３】
前記処理流体は、超臨界流体であり得る。
【００２４】
本発明の他の実施形態による基板処理装置は、処理が遂行される空間を提供するハウジングと、第１基板の縁を支持する第１支持部材と、第２基板の縁を支持する第２支持部材と、前記ハウジングの上部壁に形成され、前記第２基板の上面に向かって超臨界流体を噴射する上部供給ポートと、を包含する。
【００２５】
前記基板処理装置は、側面から見た場合、前記超臨界流体を噴射する一端が前記第１支持部材と前記第２支持部材との間に位置するノズル部材をさらに包含できる。
【００２６】
前記ノズル部材は、前記第１基板の上面に向かって前記超臨界流体を噴射することができる。
【００２７】
前記ノズル部材は、前記第１基板と前記第２基板との間の空間に前記超臨界流体を噴射することができる。
【００２８】
前記ハウジングの上部壁から下に延長される支持バーと、をさらに包含し、前記第１支持部材は、前記支持バーの下端で水平方向に延長され、前記第２支持部材は、前記支持バーの中間で水平方向に延長され得る。
【００２９】
本発明は基板処理方法を提供する。
【００３０】
本発明の一実施形態による基板処理方法は、処理が遂行される空間を提供するハウジングの内部に互いに上下方向に離隔されて配置される複数の支持部材が、複数の基板の縁を支持する段階と、側面から見た場合、互いに隣接する基板の間に一端が位置するノズル部材が、処理流体を噴射して同時に前記複数の基板を処理する段階と、を含む。
【００３１】
前記ノズル部材は、前記互いに隣接する基板の中で下方の基板の上面に前記処理流体を噴射して前記下方の基板の上面を処理できる。
【００３２】
前記ノズル部材は、前記互いに隣接する基板の間の空間へ前記超臨界流体を噴射して上方の基板の下面と下方の基板の上面とを同時に処理できる。
【００３３】
前記ハウジングは、上部ハウジング及び前記上部ハウジングの下部に配置される下部ハウジングを含み、前記基板処理方法は、前記上部ハウジング又は前記下部ハウジングの中でいずれか１つを昇降させて前記ハウジングを開閉する段階と、前記ハウジングが開放された状態で前記基板の搬出及び搬入が遂行される段階と、前記ハウジングが密閉された状態で前記処理が遂行される段階と、をさらに含む。
【００３４】
前記処理流体は、超臨界流体であり得る。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、１つの処理チャンバーで同時に複数の基板を処理できる。
【００３６】
本発明によれば、ノズル部材が上下に離隔されて支持される複数の基板の間に配置されて超臨界流体を噴射するので、複数の基板に超臨界流体が効果的に伝達され、これによって処理効率が向上する。
【００３７】
本発明の効果は、上述した効果に限定されるものではなく、言及されなかった効果は本明細書及び添付された図面から、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば明確に理解できる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】二酸化炭素の相変化に関するグラフである。
【図２】実施形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図３】図２の第１処理チャンバーの断面図である。
【図４】図２の第２処理チャンバーの一実施形態の断面図である。
【図５】図２の第２処理チャンバーの一実施形態の断面図である。
【図６】図２の第２処理チャンバーの他の実施形態の断面図である。
【図７】図４及び図５のノズル部材の一端の形状を示した図面である。
【図８】図４及び図５のノズル部材の一端の形状を示した図面である。
【図９】図７のノズル部材が超臨界流体を噴射する様子を示した図面である。
【図１０】図４及び図５のノズル部材の変形例に関する図面である。
【図１１】一実施形態に係る基板処理方法の手順を示すフローチャートである。
【図１２】他の実施形態に係る基板処理方法の手順を示すフローチャートである。
【図１３】図１２の基板処理方法の動作を示す図である。
【図１４】図１２の基板処理方法の動作を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
本明細書で使用される用語と添付された図面は、本発明を容易に説明するためのものであり、本発明が用語と図面とによって限定されるものではない。
【００４０】
本発明に利用される技術の中で、本発明の思想と密接な関連がない公知の技術に関する詳細な説明は省略する。
【００４１】
以下では、本発明の実施形態による基板処理装置１００に関して説明する。
【００４２】
基板処理装置１００は、超臨界流体を処理流体として利用して基板Ｓを処理する超臨界処理を遂行できる。
【００４３】
ここで、基板Ｓは、半導体素子や平板ディスプレイ（ＦＰＤ：ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ）及びその他に薄膜に回路パターンが形成された物の製造に利用される基板を全て含む包括的な概念である。このような基板Ｓの例としては、シリコンウエハーを含む多様なウエハー、ガラス基板、有機基板等がある。
【００４４】
超臨界流体とは、臨界温度と臨界圧力とを超過した超臨界状態に到達し、気体と液体との性質を同時に有する相（ｐｈａｓｅ）を意味する。超臨界流体は、分子密度が液体に近く、粘性度が気体に近い性質を有し、これによって、拡散力、浸透力、溶解力が非常に優れ、化学反応に有利であり、表面張力がほとんど無いので、微細構造に界面張力を加えないという特性を有する。
【００４５】
超臨界処理はこのような超臨界流体の特性を利用して遂行され、その代表的な例としては、超臨界乾燥処理と超臨界蝕刻処理とがある。以下では、超臨界処理に関して超臨界乾燥処理を例にとって説明する。但し、これは説明を容易にするためのものに過ぎず、基板処理装置１００は超臨界乾燥処理以外の他の超臨界処理も遂行できる。
【００４６】
超臨界乾燥処理は、超臨界流体で基板Ｓの回路パターンに残留する有機溶剤を溶解して基板Ｓを乾燥させる方式として遂行され、乾燥効率が優れるだけでなく、倒壊現象を防止できる長所がある。超臨界乾燥処理に利用される超臨界流体としては、有機溶剤との混和性がある物質を使用することができる。例えば、超臨界二酸化炭素（ｓｃＣＯ２：ｓｕｐｅｒｃｒｉｔｉｃａｌ ｃａｒｂｏｎ ｄｉｏｘｉｄｅ）が超臨界流体として使用され得る。
【００４７】
図１は、二酸化炭素の相変化に関するグラフである。
【００４８】
二酸化炭素は、臨界温度が３１．１℃であり、臨界圧力が７．３８Ｍｐａと比較的低いので、超臨界状態に変化させやすく、温度と圧力とを調節して相変化を制御することが容易であり、価格が低廉という長所がある。また、二酸化炭素は毒性が無いので、人体に無害であり、不燃性、非活性の特性を有する。また、超臨界二酸化炭素は水やその他の有機溶剤に比べて１０〜１００倍ほど拡散係数（ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）が高く、浸透が速く、また有機溶剤の置換が速く、表面張力がほとんどない。したがって、二酸化炭素は、微細な回路パタ−ンを有する基板Ｓの乾燥に利用するために有利な物性を有する。さらに、二酸化炭素は、多様な化学反応の副産物として生成されたものを再活用できると同時に、超臨界乾燥処理に使用した後、これを気体に転換させて有機溶剤を分離して再使用することができるので、環境汚染の面でも環境に与える負担が少ない。
【００４９】
以下では、本発明の実施形態による基板処理装置１００に関して説明する。本発明の実施形態による基板処理装置１００は、超臨界乾燥処理を含む洗浄工程を遂行できる。
【００５０】
図２は、実施形態に係る基板処理装置１００の平面図である。
【００５１】
図２を参照すれば、基板処理装置１００は、インデックスモジュール１０００及び処理モジュール２０００を含む。
【００５２】
インデックスモジュール１０００は、外部から基板Ｓが搬送された後、処理モジュール２０００へ基板Ｓを搬送し、処理モジュール２０００は、超臨界乾燥処理を遂行する。
【００５３】
インデックスモジュール１０００は、設備前方端部モジュール（ＥＦＥＭ：ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ｆｒｏｎｔ ｅｎｄ ｍｏｄｕｌｅ）で、ロードポート１１００及び移送フレーム１２００を含む。
【００５４】
ロードポート１１００には、基板Ｓが収容される容器Ｃが配置される。容器Ｃには、前面開放一体形ポッド（ＦＯＵＰ：ｆｒｏｎｔ ｏｐｅｎｉｎｇ ｕｎｉｆｉｅｄ ｐｏｄ）が使用され得る。容器Ｃは、オーバーヘッドトランスファー（ＯＨＴ：ｏｖｅｒｈｅａｄ ｔｒａｎｓｆｅｒ）によって外部からロードポート１１００へ搬入され、或いはロードポート１１００から外部へ搬出され得る。
【００５５】
移送フレーム１２００は、ロードポート１１００に配置される容器Ｃと、処理モジュール２０００との間に、基板Ｓを搬送する。移送フレーム１２００は、インデックスロボット１２１０及びインデックスレール１２２０を含む。インデックスロボット１２１０は、インデックスレール１２２０の上で移動し、基板Ｓを搬送することができる。
【００５６】
処理モジュール２０００は、実際に処理を遂行するモジュールとして、バッファチャンバー２１００、移送チャンバー２２００、第１処理チャンバー３０００、及び第２処理チャンバー４０００を含む。
【００５７】
バッファチャンバー２１００は、インデックスモジュール１０００と処理モジュール２０００との間に搬送される基板Ｓが一時的に留まる空間を提供する。バッファチャンバー２１００には、基板Ｓが置かれるバッファスロット（図示せず）が提供され得る。例えば、インデックスロボット１２１０は、基板Ｓを容器Ｃから引き出してバッファスロットに置くことができ、移送チャンバー２２００の移送ロボット２２１０は、バッファスロットに置かれた基板Ｓを引き出して、これを第１処理チャンバー３０００や第２処理チャンバー４０００へ搬送することができる。バッファチャンバー２１００には、複数のバッファスロットが提供されて複数の基板Ｓが置かれ得る。
【００５８】
移送チャンバー２２００は、その周囲に配置されたバッファチャンバー２１００、第１処理チャンバー３０００、及び第２処理チャンバー４０００の間に基板Ｓを搬送する。移送チャンバー２２００は、移送ロボット２２１０及び移送レール２２２０を包含できる。移送ロボット２２１０は、移送レール２２２０の上で移動し、基板Ｓを搬送することができる。
【００５９】
第１処理チャンバー３０００と第２処理チャンバー４０００とは、洗浄工程を遂行できる。この時、洗浄工程は、第１処理チャンバー３０００と第２処理チャンバー４０００とで順次的に遂行できる。例えば、第１処理チャンバー３０００では、洗浄工程の中でケミカル処理、リンス処理、及び有機溶剤処理が遂行され、続いて第２処理チャンバー４０００では、超臨界乾燥処理が遂行されてもよい。
【００６０】
第１処理チャンバー３０００と第２処理チャンバー４０００とは、移送チャンバー２２００の側面に配置される。例えば、第１処理チャンバー３０００と第２処理チャンバー４０００とは、移送チャンバー２２００の側面に互いに対向するように配置されてもよい。
【００６１】
また、処理モジュール２０００には、第１処理チャンバー３０００と第２処理チャンバー４０００とが複数提供され得る。複数の処理チャンバー３０００、４０００は、移送チャンバー２２００の側面に一列に配置されるか、又は鉛直方向に積層されて配置されるか、又はこれらの組み合わせによって配置され得る。
【００６２】
勿論、第１処理チャンバー３０００と第２処理チャンバー４０００との配置は、上述した例に限定されず、基板処理装置１００のフットプリントや処理効率のような多様な要素を考慮して適切に変更できる。
【００６３】
以下では、第１処理チャンバー３０００に関して説明する。
【００６４】
図３は、図２の第１処理チャンバー３０００の断面図である。
【００６５】
第１処理チャンバー３０００は、ケミカル処理、リンス処理、及び有機溶剤処理を遂行できる。勿論、第１処理チャンバー３０００は、これら処理の中で一部の処理のみを選択的に遂行できる。ケミカル処理は、基板Ｓへ洗浄剤を提供して基板Ｓ上の異物質を除去する処理である。リンス処理は、基板へリンス剤を提供して基板Ｓ上に残留する洗浄剤を洗浄する処理である。有機溶剤処理は、基板Ｓへ有機溶剤を提供して基板Ｓの回路パターンの間に残留するリンス剤を表面張力が低い有機溶剤で置換する処理である。
【００６６】
図３を参照すれば、第１処理チャンバー３０００は、支持部材３１００、ノズル部材３２００及び回収部材３３００を含む。
【００６７】
支持部材３１００は、基板Ｓを支持し、支持された基板Ｓを回転させ得る。支持部材３１００は、支持プレート３１１０、支持ピン３１１１、チャッキングピン３１１２、回転軸３１２０、及び回転駆動器３１３０を包含できる。
【００６８】
支持プレート３１１０は、基板Ｓと同一又は類似な形状の上面を有し、支持プレート３１１０の上面には、支持ピン３１１１とチャッキングピン３１１２とが形成される。支持ピン３１１１は、基板Ｓを支持し、チャッキングピン３１１２は、支持された基板Ｓを固定することができる。
【００６９】
支持プレート３１１０の下部には、回転軸３１２０が連結される。回転軸３１２０は、回転駆動器３１３０から回転力が伝達されて、支持プレート３１１０を回転させる。これによって、支持プレート３１１０に安着された基板Ｓが回転することができる。この時、チャッキングピン３１１２は、基板Ｓが正位置を離脱することを防止することができる。
【００７０】
ノズル部材３２００は、基板Ｓへ薬剤を噴射する。ノズル部材３２００は、ノズル３２１０、ノズルバー３２２０、ノズル軸３２３０、及びノズル軸駆動器３２４０を含む。
【００７１】
ノズル３２１０は、支持プレート３１１０に安着された基板Ｓへ薬剤を噴射する。薬剤は、洗浄剤、リンス剤、又は有機溶剤であり得る。ここで、洗浄剤としては、過酸化水素Ｈ２Ｏ２溶液や過酸化水素溶液にアンモニアＮＨ４ＯＨ、塩酸ＨＣｌ又は硫酸Ｈ２ＳＯ４を混合した溶液又はブッ酸ＨＦ溶液等が使用され得る。また、リンス剤としては、純水が使用され得る。又、有機溶剤としては、イソプロパノールアルコールを含むエチルグリコール（ｅｔｈｙｌ ｇｌｙｃｏｌ）、１−プロパノール（ｐｒｏｐａｎｏｌ）、テトラハイドロリックフラン（ｔｅｔｒａ ｈｙｄｒａｕｌｉｃ ｆｒａｎｃ）、４−ヒドロキシル（ｈｙｄｒｏｘｙｌ）、４−メチル（ｍｅｔｈｙｌ）、２−ペンタノン（ｐｅｎｔａｎｏｎｅ）、１−ブタノール（ｂｕｔａｎｏｌ）、２−ブタノール、メタノール（ｍｅｔｈａｎｏｌ）、エタノール（ｅｔｈａｎｏｌ）、ｎ−プロピルアルコール（ｎ−ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）、ジメチルエチル（ｄｉｍｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒ）の溶液やガスが使用され得る。
【００７２】
このようなノズル３２１０は、ノズルバー３２２０の一端の底面に形成される。ノズルバー３２２０は、ノズル軸３２３０に結合され、ノズル軸３２３０は昇降又は回転できるように提供される。ノズル軸駆動器３２４０は、ノズル軸３２３０を昇降又は回転させてノズル３２１０の位置を調節することができる。
【００７３】
回収部材３３００は、基板Ｓへ供給された薬剤を回収する。ノズル部材３２００によって基板Ｓへ薬剤が供給されると、支持部材３１００は、基板Ｓを回転させて基板Ｓの全領域に薬剤が均一に供給されるようにする。基板Ｓが回転すると、基板Ｓから薬剤が飛散するが、飛散した薬剤は回収部材３３００によって回収され得る。
【００７４】
回収部材３３００は、回収筒３３１０、回収ライン３３２０、昇降バー３３３０、及び昇降駆動器３３４０を包含できる。
【００７５】
回収筒３３１０は、支持プレート３１１０を囲む環形リング形状に提供される。回収筒３３１０は、複数であり、複数の回収筒３３１０は上部から見た場合、順に支持プレート３１１０から遠くなるリング形状に提供され、支持プレート３１１０から遠い距離にある回収筒３３１０ほど、その高さが高くなるように提供される。これによって回収筒３３１０の間の空間に、基板Ｓから飛散した薬剤が流入する回収口３３１１が形成される。
【００７６】
回収筒３３１０の下面には、回収ライン３３２０が形成される。回収ライン３３２０は、回収筒３３１０で回収された薬剤を、薬剤再生システム（図示せず）へ供給する。
【００７７】
昇降バー３３３０は、回収筒３３１０に連結され、昇降駆動器３３４０から動力が伝達されて回収筒３３１０を上下へ移動させる。昇降バー３３３０は、回収筒３３１０が複数である場合、最外殻に配置された回収筒３３１０に連結され得る。昇降駆動器３３４０は、昇降バー３３３０を通じて回収筒３３１０を昇降させて複数の回収口３３１１の中で飛散した薬剤が流入する回収口３３１１を調節することができる。
【００７８】
以下では、第２処理チャンバー４０００に関して説明する。
【００７９】
第２処理チャンバー４０００は、超臨界流体を利用して超臨界乾燥処理を遂行できる。勿論、上述したように、第２処理チャンバー４０００で遂行される処理は、超臨界乾燥処理以外の他の超臨界処理でもよい。さらに、第２処理チャンバー４０００は、超臨界流体の代わりに、他の処理流体を利用して処理を遂行してもよい。
【００８０】
このような第２処理チャンバー４０００は、上述したように、移送チャンバー２２００の一側面に配置され得る。第２処理チャンバー４０００が複数である場合には、移送チャンバー２２００の一側面に一列に配置されるか、或いは上下に積層されて配置されるか、又はこれらの組み合わせによって配置され得る。基板処理装置１００では、ロードポート１１００、移送フレーム１２００、バッファチャンバー２１００、移送チャンバー２２００が順次的に配置され、第２処理チャンバー４０００はこれと同一な方向に移送チャンバー２２００の一側面に一列に配置され得る。
【００８１】
以下では、第２処理チャンバー４０００の一実施形態に関して説明する。
【００８２】
図４及び図５は、図２の第２処理チャンバーの一実施形態の断面図である。
【００８３】
図４及び図５を参照すれば、第２処理チャンバー４０００は、ハウジング４１００、昇降部材４２００、支持ユニット４３００、加熱部材４４００、供給ポート４５００、及び排気ポート４６００を包含できる。
【００８４】
ハウジング４１００は、超臨界乾燥処理が遂行される空間を提供する。ハウジング４１００は、臨界圧力以上の高圧に耐えられる材質で形成される。
【００８５】
ハウジング４１００は、上部ハウジング４１１０と上部ハウジング４１１０の下部に配置される下部ハウジング４１２０とを具備することができる。
【００８６】
上部ハウジング４１１０は固定されて設置され、下部ハウジング４１２０は昇降することができる。下部ハウジング４１２０が下降して上部ハウジング４１１０から離隔されると、第２処理チャンバー４０００の内部空間が開放され、基板Ｓが第２処理チャンバー４０００の内部空間へ搬入され、或いは内部空間から搬出され得る。ここで、第２処理チャンバー４０００へ搬入される基板Ｓは、第１処理チャンバー３０００での有機溶剤処理を経て有機溶剤が残留した状態であり得る。また、下部ハウジング４１２０が上昇して上部ハウジング４１１０に密着することにより、第２処理チャンバー４０００の内部空間が密閉され、その内部で超臨界乾燥処理が遂行できる。勿論、上述した例と異なり、ハウジング４１００において、下部ハウジング４１２０が固定されて設置され、上部ハウジング４１１０が昇降される構造でも提供され得る。
【００８７】
昇降部材４２００は、下部ハウジング４１２０を昇降させる。昇降部材４２００は昇降シリンダー４２１０及び昇降ロード４２２０を包含できる。昇降シリンダー４２１０は下部ハウジング４１２０に結合されて上下方向の駆動力、即ち昇降力を発生させる。昇降シリンダー４２１０は、超臨界乾燥処理が遂行される間に第２処理チャンバー４０００の内部の臨界圧力以上の高圧に耐え、上部ハウジング４１１０と下部ハウジング４１２０とを密着させて第２処理チャンバー４０００を密閉させ得る程度の駆動力を発生させる。昇降ロード４２２０は、その一端が昇降シリンダー４２１０へ挿入されて垂直上方に延長され、他端が上部ハウジング４１１０に結合される。このような構造によって、昇降シリンダー４２１０において駆動力が発生することにより、昇降シリンダー４２１０と昇降ロード４２２０とが相対的に昇降され、昇降シリンダー４２１０に結合された下部ハウジング４１２０が昇降され得る。また、昇降シリンダー４２１０によって下部ハウジング４１２０が昇降する間に、昇降ロード４２２０は、上部ハウジング４１１０と下部ハウジング４１２０とが水平方向に動くことを防止し、昇降方向を案内する。これにより、上部ハウジング４１１０と下部ハウジング４１２０とが互いに正位置から離脱することを防止することができる。
【００８８】
支持ユニット４３００は、ハウジング４１００の内部に複数の基板Ｓを支持する。支持ユニット４３００は、支持バー４３１０及び複数の支持部材４３２０を包含できる。
【００８９】
支持バー４３１０は、ハウジング４１００の上部壁、即ち上部ハウジング４１１０の下面から下方向に延長され得る。支持バー４３１０は、水平方向に離隔される一対のバー（ｂａｒ）又は二対のバーで提供され得る。
【００９０】
支持部材４３２０は、支持バー４３１０に一定の間隔をおいて連設される。支持部材４３２０は、支持バー４３１０から水平方向に延長されるように提供され得る。例えば、第１支持部材４３２０ａは、支持バー４３１０の中間で水平方向に延長され、第２支持部材４３２０ｂは、支持バー４３１０の下端で水平方向に延長され得る。支持バー４３１０が互いに離隔された二対で提供される場合には、各支持バー４３１０で延長される支持部材４３２０は互いに対向して延長される。
【００９１】
但し、支持部材４３２０の数は、上述した例に限定されず、必要によって増減され得る。
【００９２】
支持部材４３２０は、基板Ｓの縁を支持することができる。一対の支持バー４３１０の間隔は、基板Ｓの幅より大きく提供される。支持部材４３２０は、支持バー４３１０から対をなす支持バー４３１０が互いに対向する側に延長され得る。これによって、支持部材４３２０は、基板Ｓの縁を支持し、基板Ｓの上面及び下面が全てハウジング４１００の内部空間に露出され、超臨界流体によって乾燥され得る。ここで、基板Ｓはその上面がパターン面であり、下面が非パターン面であり得る。
【００９３】
このように、支持ユニット４３００が複数の基板Ｓをハウジング４１００の内で支持することにより、第２処理チャンバー４０００が同時に複数の基板Ｓに対して超臨界乾燥処理を遂行できる。
【００９４】
また、支持ユニット４３００は、固定設置される上部ハウジング４１１０に設置されるので、下部ハウジング４１２０が昇降する間に比較的安定的に基板Ｓを支持することができる。
【００９５】
支持ユニット４３００が設置される上部ハウジング４１１０には、水平調整部材４１１１が設置され得る。水平調整部材４１１１は、上部ハウジング４１１０の水平度を調整する。上部ハウジング４１１０の水平度が調整されると、それにしたがって、上部ハウジング４１１０に設置された支持ユニット４３００に安着された基板Ｓの水平が調節され得る。超臨界乾燥処理において基板Ｓが傾いた場合、基板Ｓに残留する有機溶剤が傾斜面に沿って流れ、基板Ｓの特定部分が乾燥されないか、或いは過乾燥されて基板Ｓが損傷され得る。水平調整部材４１１１は、基板Ｓの水平を合わせてこのような問題点を防止することができる。勿論、上部ハウジング４１１０が昇降され、下部ハウジング４１２０が固定されて設置されるか、或いは支持ユニット４３００が下部ハウジング４１２０に設置される場合には、水平調整部材４１１１は下部ハウジング４１２０に設置されることもあり得る。
【００９６】
加熱部材４４００は、第２処理チャンバー４０００の内部を加熱する。加熱部材４４００は、第２処理チャンバー４０００の内部に供給された超臨界流体を臨界温度以上に加熱して超臨界流体の状態に維持し、又は液化された場合に再び超臨界流体になるようにする。加熱部材４４００は、上部ハウジング４１１０及び下部ハウジング４１２０の中で少なくとも１つの壁内に埋め込まれて設置され得る。加熱部材４４００としては、例えば、外部から電源が提供されて熱を発生させるヒーターが提供され得る。
【００９７】
供給ポート４５００は、第２処理チャンバー４０００へ超臨界流体を供給する。供給ポート４５００は、超臨界流体を供給する供給ライン４５５０に連結され得る。この時、供給ポート４５００には、供給ライン４５５０から供給される超臨界流体の流量を調節するバルブ（図示せず）が設置され得る。
【００９８】
供給ポート４５００は、上部供給ポート４５１０、下部供給ポート４５２０、及びノズル部材４５３０を包含できる。
【００９９】
上部供給ポート４５１０は、上部ハウジング４１１０に形成され、支持ユニット４３００によって支持される基板Ｓの中で最も上方の基板Ｓの上面に超臨界流体を供給する。下部供給ポート４５２０は、下部ハウジング４１２０に形成され、支持ユニット４３００によって支持される基板Ｓの中で最も下方の基板Ｓの下面に超臨界流体を供給する。
【０１００】
上部供給ポート４５１０と下部供給ポート４５２０とは、基板Ｓの中央領域に超臨界流体を噴射することができる。例えば、上部供給ポート４５１０は、支持ユニット４３００によって支持される基板Ｓの中央から鉛直上方に位置することができる。また、下部供給ポート４５２０は、支持ユニット４３００によって支持される基板Ｓの中央から鉛直下方に位置することができる。これによって、上部供給ポート４５１０及び下部供給ポート４５２０に噴射される超臨界流体が、基板Ｓの中央領域に到達して縁領域へ拡散しながら、基板Ｓを乾燥させ得る。
【０１０１】
ノズル部材４５３０は、超臨界流体を噴射する一端が、側面から見た場合、互いに隣接する支持部材４３２０の間、即ち互いに隣接する基板Ｓの間に位置することができる。ノズル部材４５３０は、複数の支持部材４３２０の間ごとに１つずつ提供され得る。ノズル部材４５３０は、ハウジング４１００の上部壁、即ち上部ハウジング４１１０から下方向に延長され、その下端が、支持バー４３１０に連設された複数の支持部材４３２０の中間の高さにおいて水平方向に折曲されて基板Ｓの中央部まで延長され得る。これによって、ノズル部材４５３０の一端は、側面から見た場合には、互いに隣接する基板Ｓの間に位置し、上面から見た場合には、基板Ｓの中央部に位置する。
【０１０２】
ノズル部材４５３０は、その一端が、互いに隣接する基板Ｓの間において、下方の基板Ｓの上面に超臨界流体を噴射することができる。基板Ｓは、その上面がパターン面になるように支持ユニット４３００に収容されるので、基板Ｓの上面の乾燥が重要である。第１支持部材４３２０ａに安着された基板Ｓの上面は、上部供給ポート４５１０によって超臨界流体が提供される。第２支持部材４３２０ｂに安着された基板Ｓの上面は、ノズル部材４５３０によって超臨界流体が提供される。したがって、同時に複数の基板Ｓに対する超臨界乾燥処理が遂行できる。
【０１０３】
一方、上部供給ポート４５１０、下部供給ポート４５２０、及びノズル部材４５３０において、先ず下部供給ポート４５２０が超臨界流体を供給し、続いて上部供給ポート４５１０及びノズル部材４５３０が超臨界流体を供給することができる。超臨界乾燥処理は、初期においては第２処理チャンバー４０００の内部が臨界圧力に到達していない状態で進行されるので、第２処理チャンバー４０００の内部へ供給される超臨界流体は液化され得る。したがって、超臨界乾燥処理の初期に、上部供給ポート４５１０やノズル部材４５３０に超臨界流体が供給される場合には、超臨界流体が液化され、重力によって基板Ｓへ落下して基板Ｓを損傷させ得る。したがって、下部供給ポート４５２０を通じて第２処理チャンバー４０００へ超臨界流体が供給され、第２処理チャンバー４０００の内部圧力が臨界圧力に到達した後で、上部供給ポート４５１０とノズル部材４５３０とが超臨界流体の供給を開始する。これにより、供給される超臨界流体が液化されて基板Ｓへ落下することを防止できる。
【０１０４】
排気ポート４６００は、第２処理チャンバー４０００から超臨界流体を排気する。排気ポート４６００は、超臨界流体を排気する排気ライン４６５０に連結され得る。この時、排気ポート４６００には、排気ライン４６５０へ排気する超臨界流体の流量を調節するバルブ（図示せず）が設置され得る。排気ライン４６５０を通じて排気される超臨界流体は、大気の中へ放出されるか、又は超臨界流体再生システム（図示せず）へ供給され得る。
【０１０５】
排気ポート４６００は、下部ハウジング４１２０に形成され得る。超臨界乾燥処理の後期には、第２処理チャンバー４０００から超臨界流体が排気され、その内部圧力が臨界圧力以下に降圧されるため、超臨界流体が液化され得る。液化された超臨界流体は、重力によって落下し、下部ハウジング４１２０に形成された排気ポート４６００を通じて排出され得る。
【０１０６】
以上では、同時に２枚の基板Ｓを支持し、処理する第２処理チャンバー４０００を例にとって説明したが、第２処理チャンバー４０００が処理できる基板Ｓの数は、上述した例に限定されない。
【０１０７】
また、上述した第２処理チャンバー４０００の構成要素の中で、上部供給ポート４５１０及び下部供給ポート４５２０は選択的な構成要素である。例えば、第２処理チャンバー４０００には、上部供給ポート４５１０及び下部供給ポート４５２０の中でいずれか１つ又は全てが提供されないことがある。第２処理チャンバー４０００において上部供給ポート４５１０が省略される場合には、最上部の支持部材４３２０とハウジング４１００の上部壁との間に、ノズル部材４５３０が追加で提供され得る。このようなノズル部材４５３０は、省略された上部供給ポート４５１０の代わりに、最上部の支持部材４３２０に安着された基板Ｓの上面へ、超臨界流体を供給することができる。
【０１０８】
また、上述した第２処理チャンバー４０００では、支持ユニット４３００が支持バー４３１０と支持部材４３２０とを具備することを説明したが、支持ユニット４３００はこれとは異なる形態においても提供され得る。例えば、支持ユニット４３００は、バッファチャンバー２１００のバッファスロットと類似な形態としても提供され得る。具体的には、支持ユニット４３００は、ハウジング４１００の側壁から水平方向に延長される一対のプレートとして提供され得る。一対のプレートは、基板Ｓの両側縁を支持することができる。また、スロット形態の支持ユニット４３００は、ハウジング４１００の側壁に上下方向に複数個提供され得る。複数のスロット形態の支持ユニット４３００は、複数の基板Ｓを支持することができる。
【０１０９】
図６は、図２の第２処理チャンバーの他の実施形態の断面図である。
【０１１０】
図６を参照すれば、支持バー４３１０には、上下方向に各々基板Ｓを支持する３つの支持部材４３２０ａ、４３２０ｂ、４３２０ｃが提供され得る。また、ノズル部材４５３０は、第１支持部材４３２０ａ及び第２支持部材４３２０ｂの間に配置される第１ノズル部材４５３０ａと、第２支持部材４３２０ｂ及び第３支持部材４３２０ｃの間に配置される第２ノズル部材４５３０ｂとを包含できる。これによって、上部供給ポート４５１０、第１ノズル部材４５３０ａ、第２ノズル部材４５３０ｂが、各々の基板Ｓの上面へ超臨界流体を噴射することができる。このような第２処理チャンバー４０００は、同時に３枚の基板を処理できる。
【０１１１】
以上では、ノズル部材４５３０がその下に位置する基板Ｓの上面に超臨界流体を噴射することを説明したが、ノズル部材４５３０が噴射する方向及び形態はこれに限定されない。
【０１１２】
ノズル部材４５３０は、その下に位置する基板Ｓの上面に垂直な方向に超臨界流体を噴射する代わりに、放射状に噴射することができる。
【０１１３】
図７及び図８は、図４及び図５のノズル部材の一端の形状を示した図面であり、図９は、図７のノズル部材が超臨界流体を噴射する様子を示した図面である。
【０１１４】
図７を参照すれば、ノズル部材４５３０の一端には、ノズル部材４５３０の中央を貫通して超臨界流体が移動する中空４５３１からノズル部材４５３０の外側方向に案内される微細ホール４５３２ａが形成され得る。超臨界流体は、ノズル部材４５３０において中空４５３１に沿って移動し、一端で微細ホール４５３２ａを通じて吐出され得る。微細ホール４５３２ａは、ノズル部材４５３０の中央部から放射状に広がる形状を有するので、超臨界流体は鉛直下方に噴射される代わりに、鉛直方向に対して傾くように噴射され得る。したがって、図９に図示されたように、超臨界流体は、水平成分の速度を有するので、基板Ｓの中央部から基板Ｓの縁領域へ迅速に拡散し、基板Ｓの全領域に均一に提供され得る。
【０１１５】
図８を参照すれば、ノズル部材４５３０の一端に、放射状に形成された微細ホール４５３２ａの代わりに、スクリュー（ｓｃｒｅｗ）タイプに形成された微細ホール４５３２ｂが形成され得る。このような微細ホール４５３２ｂは、超臨界流体に回転力を加えるので、再び図９に図示されたように、超臨界流体は回転力を有して噴射され、基板Ｓの全領域に均一に提供され得る。
【０１１６】
また、ノズル部材４５３０は、必ずしもその下方にある基板Ｓの上面に超臨界流体を噴射しなければならないわけではない。例えば、ノズル部材４５３０は、その上方にある基板Ｓの下面に向かって超臨界流体を噴射するか、又は下方の基板Ｓの上面と上方の基板Ｓの下面の両方に同時に超臨界流体を噴射することもあり得る。
【０１１７】
一方、このようなノズル部材４５３０は、その一端が基板Ｓの中央部に位置しないこともあり得る。
【０１１８】
図１０は、図４及び図５のノズル部材の変形例に関する図面である。
【０１１９】
図１０を参照すれば、ノズル部材４５３０の一端は、上部から見た場合、基板Ｓの縁領域又は外側に位置することができる。このようなノズル部材４５３０は、互いに隣接する基板Ｓの間の空間に超臨界流体を噴射することができる。この時、ノズル部材４５３０は、超臨界流体を基板Ｓの上面と下面とに同時に噴射することができる。基板Ｓの縁領域や外側で、このように超臨界流体を噴射することにより、その超臨界流体は、流体の水平方向速度成分によって基板Ｓの縁から中央を経て反対側の縁に移動しながら、基板Ｓの全領域に提供される。また、ノズル部材４５３０の上方の基板Ｓの下面と下方の基板Ｓの上面とに、同時に超臨界流体が提供される。
【０１２０】
以上では、本発明による基板処理装置１００が基板Ｓへ超臨界流体を供給して基板を処理することを説明したが、本発明による基板処理装置１００は、必ずしもこのような超臨界処理を遂行することに限定されるものではない。したがって、基板処理装置１００の第２処理チャンバー４０００は、供給ポート４５００に、超臨界流体の代わりに他の処理流体を供給して基板Ｓを処理することもあり得る。このような場合には、処理流体として、超臨界流体の代わりに有機溶剤やその他の多様な成分のガス、プラズマガス、不活性ガス等が使用され得る。
【０１２１】
また、基板処理装置１００は、その構成要素を制御する制御器（図示せず）をさらに包含できる。例えば、制御器は、加熱部材４４００を制御してハウジング４１００の内部温度を調節することができる。他の例を挙げれば、制御器は、供給ライン４５５０や排気ライン４６５０に設置されたバルブを制御して、薬剤や超臨界流体の流量を調節することができる。又、他の例を挙げれば、制御器は、上部供給ポート４５１０と下部供給ポート４５２０との中で、いずれか１つが先ず超臨界流体の供給を開始した後、第２処理チャンバー４０００の内部圧力が予め設定された圧力に到達した場合に他の１つが超臨界流体の供給を開始するように制御することもあり得る。
【０１２２】
このような制御器は、ハードウェア、ソフトウェア、又はこれらの組み合わせを利用してコンピューター又はこれと類似な装置で具現され得る。
【０１２３】
ハードウェアとして、制御器は、ＡＳＩＣｓ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｓｐｅｃｉｆｉｃ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔｓ）、ＤＳＰｓ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｉｇｎａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｏｒｓ）、ＤＳＰＤｓ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｉｇｎａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅｓ）、ＰＬＤｓ（ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｌｏｇｉｃ ｄｅｖｉｃｅｓ）、ＦＰＧＡｓ（ｆｉｅｌｄ ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｇａｔｅ ａｒｒａｙｓ）、プロセッサー（ｐｒｏｃｅｓｓｏｒｓ）、マイクロコントローラ（ｍｉｃｒｏ−ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒｓ）、マイクロプロセッサー（ｍｉｃｒｏｐｒｏｃｅｓｓｏｒｓ）や、これらと類似な制御機能を遂行する電気的な装置で具現され得る。
【０１２４】
又、ソフトウェアとして、制御器は、１つ以上のプログラム言語で作成されたソフトウェアコード又はソフトウェアアプリケーションによって具現され得る。ソフトウェアは、ハードウェアとして具現された制御器によって実行され得る。尚、ソフトウェアは、サーバー等の外部機器から、上述したハードウェア構成に送信されることによって取得され得る。
【０１２５】
以下では、本発明による基板処理方法に関して、上述した基板処理装置１００を利用して説明する。但し、これは説明を簡単にするためのものに過ぎず、基板処理方法は、上述した基板処理装置１００以外のこれと同一又は類似な他の装置を利用して遂行できる。また、本発明による基板処理方法は、これを遂行するコード又はプログラムの形態として、コンピューター読出し可能である記録媒体に格納され得る。
【０１２６】
以下では、一実施形態に係る基板処理方法に関して説明する。一実施形態に係る基板処理方法は洗浄工程全般に関する。
【０１２７】
図１１は、一実施形態に係る基板処理方法の手順を示すフローチャートである。
【０１２８】
図１１を参照すれば、一実施形態に係る基板処理方法は、第１処理チャンバー３０００へ基板Ｓを搬入する段階（ステップＳ１１０）、ケミカル処理を遂行する段階（ステップＳ１２０）、リンス処理を遂行する段階（ステップＳ１３０）、有機溶剤処理を遂行する段階（ステップＳ１４０）、第２処理チャンバー４０００へ基板Ｓを搬入する段階（ステップＳ１５０）、超臨界乾燥処理を遂行する段階（ステップＳ１６０）、及びロードポート１１００に置かれる容器Ｃに基板Ｓを収納する段階（ステップＳ１７０）を含む。一方、上述した段階は、必ずしも説明された順に実行される必要はなく、後に説明された段階が、先に説明された段階よりも先に遂行されることもあり得る。これは、後述する他の実施形態に係る基板処理方法でも同様である。以下では、各段階に関して説明する。
【０１２９】
第１処理チャンバー３０００へ基板Ｓが搬入される（ステップＳ１１０）。先ずオーバーヘッドトランスファー等の搬送装置等は、基板Ｓが収納された容器Ｃをロードポート１１００に置く。容器Ｃがロードポート１１００に置かれると、インデックスロボット１２１０は、容器Ｃから基板Ｓを引き出して、これをバッファスロットに置く。バッファスロットに置かれた基板Ｓは、移送ロボット２２１０によって引き出されて第１処理チャンバー３０００へ搬入され、支持プレート３１１０に安着される。
【０１３０】
第１処理チャンバー３０００へ基板Ｓが搬入されると、ケミカル処理が遂行される（ステップＳ１２０）。支持プレート３１１０に基板Ｓが置かれると、ノズル軸駆動器３２４０によってノズル軸３２３０が移動及び回転して、ノズル３２１０が基板Ｓの上部に位置する。ノズル３２１０は、基板Ｓの上面へ洗浄剤を噴射する。洗浄剤が噴射されると、基板Ｓから異物質が除去される。この時、回転駆動器３１３０は、回転軸３１２０を回転させて基板Ｓを回転させ得る。基板Ｓが回転されると、洗浄剤は、基板Ｓへ均一に供給され、また基板Ｓから飛散する。飛散した洗浄剤は、回収筒３３１０へ流入し、回収ライン３３２０を通じて流体再生システム（図示せず）へ送られる。この時、昇降駆動器３３４０は、昇降バー３３３０を通じて複数の回収筒３３１０の中でいずれか１つに飛散した洗浄剤が流入するように、回収筒３３１０を昇降させる。
【０１３１】
基板Ｓ上の異物質が十分に除去されると、リンス処理が遂行される（ステップＳ１３０）。ケミカル処理が終了すると、基板Ｓ上からは異物質が除去され、基板Ｓ上には洗浄剤が残留する。複数のノズル３２１０の中で、洗浄剤を噴射したノズル３２１０は基板Ｓの上部から離れ、他のノズル３２１０が基板Ｓの上部へ移動し、基板Ｓの上面にリンス剤を噴射する。基板Ｓへリンス剤が供給されると、基板Ｓ上に残留する洗浄剤が洗浄される。リンス処理においても、基板Ｓの回転と薬剤の回収が行われ得る。昇降駆動器３３４０は、洗浄剤を回収した回収筒３３１０とは異なる回収筒３３１０へリンス剤が流入するように、回収筒３３１０の高さを調節する。
【０１３２】
基板Ｓが十分に洗浄されると、有機溶剤処理が遂行される（ステップＳ１４０）。リンス処理が終了すると、他のノズル３２１０が基板Ｓの上部へ移動して基板Ｓの上面に有機溶剤を噴射する。基板Ｓへ有機溶剤が供給されると、基板Ｓ上のリンス剤が有機溶剤に置換される。一方、有機溶剤処理においては、基板Ｓを回転させないか、或いは低速に回転させ得る。基板Ｓ上で有機溶剤が急速に蒸発することにより、有機溶剤の表面張力によって回路パターンに界面張力が作用して、回路パターンが破壊される可能性があるためである。
【０１３３】
第１処理チャンバー３０００において、有機溶剤処理が終了すると、第２処理チャンバー４０００へ基板Ｓを搬入し（ステップＳ１５０）、第２処理チャンバー４０００において、超臨界乾燥処理が遂行される（ステップＳ１６０）。段階Ｓ１５０と段階Ｓ１６０とに対しては、後述する他の実施形態に係る基板処理方法において詳細に説明する。
【０１３４】
超臨界乾燥処理が終了すると、基板Ｓをロードポート１１００に置かれる容器Ｃに収納する（ステップＳ１７０）。第２処理チャンバー４０００が開放されると、移送ロボット２２１０が基板Ｓを引き出す。基板Ｓはバッファチャンバー２１００へ移送され、インデックスロボット１１１０によってバッファチャンバー２１００から引き出されて容器Ｃに収納され得る。
【０１３５】
以下では、他の実施形態に係る基板処理方法に関して説明する。他の実施形態に係る基板処理方法は、第２処理チャンバー４０００が超臨界乾燥処理を遂行する方法に関する。
【０１３６】
図１２は、他の実施形態に係る基板処理方法の手順を示すフローチャートである。
【０１３７】
図１２を参照すれば、他の実施形態に係る基板処理方法は、第１支持部材４３２０ａに基板Ｓが安着される段階（ステップＳ２１０）、第２支持部材４３２０ｂに基板Ｓが安着される段階（ステップＳ２２０）、ハウジング４１００が密閉される段階（ステップＳ２３０）、下部供給ポート４５２０が超臨界流体を供給する段階（ステップＳ２４０）、上部供給ポート４５１０及びノズル部材４５３０が超臨界流体を供給する段階（ステップＳ２５０）、超臨界流体を排気する段階（ステップＳ２６０）、及び基板Ｓを搬出する段階（ステップＳ２７０）を包含できる。以下では、各段階に関して説明する。
【０１３８】
図１３及び図１４は、図１２の基板処理方法の動作を示す図である。
【０１３９】
図１３を参照すれば、基板Ｓは、移送ロボット２２１０によって第２処理チャンバー４０００の内部へ搬入されて第１支持部材４３２０ａに安着される（ステップＳ２１０）。また、基板Ｓは、同様に移送ロボット２２１０によって第２処理チャンバー４０００の内部へ搬入されて第２支持部材４３２０ｂに安着される。ここで、基板Ｓは、第１処理チャンバー３０００において有機溶剤処理を経た基板Ｓであって、有機溶剤が残留した状態で搬入され得る。
【０１４０】
ここで、ステップＳ２１０とステップＳ２２０とは、先ずステップＳ２１０が遂行され、次にステップＳ２２０が遂行されてもよく、或いはステップＳ２２０が遂行された後、ステップＳ２１０が遂行されてもよく、又は二つの段階が同時に進行されてもよい。また、ハウジング４１００は、上部ハウジング４１１０と下部ハウジング４１２０とが互いに離隔されて開放された状態でもよい。
【０１４１】
図１４を参照すれば、基板Ｓが安着されると、昇降部材４２００は、下部ハウジング４１２０を上昇させて上部ハウジング４１１０と結合されるようにする。これによって、ハウジング４１００又は第２処理チャンバー４０００は、密閉される（ステップＳ２３０）。
【０１４２】
第２処理チャンバー４０００が密閉されると、下部供給ポート４５２０は、超臨界流体を第２処理チャンバー４０００の内部の下部領域へ噴射する（ステップＳ２４０）。ここで、超臨界流体は、超臨界二酸化炭素であり得る。このような過程において、加熱部材４４００は、ハウジング４１００の内部を加熱できる。
【０１４３】
第２処理チャンバー４０００の内部へ超臨界流体が十分に供給されると、温度と圧力とが臨界値を超過し、第２処理チャンバー４０００の内部において超臨界雰囲気が形成される。
【０１４４】
超臨界雰囲気が形成されると、上部供給ポート４５１０及びノズル部材４５３０は、超臨界流体を噴射する（ステップＳ２５０）。これによって、支持部材４３２０に安着された基板Ｓのパターン面に超臨界流体が提供され、回路パターンの間に残留する有機溶剤が溶解されて基板Ｓが乾燥される。
【０１４５】
この時、上部供給ポート４５１０は第１支持部材４３２０ａに安着された基板Ｓへ、ノズル部材４５３０は第２支持部材４３２０ｂに安着された基板Ｓへ、超臨界流体を各々供給するので、２つの基板Ｓに対して超臨界乾燥処理が効果的に遂行される。
【０１４６】
基板Ｓの乾燥が十分に行われると、第２処理チャンバー４０００から超臨界流体及び超臨界乾燥処理で発生した異物質が排気される（ステップＳ２６０）。これによって、処理チャンバー４０００の内部圧力は、常圧になり得る。圧力が十分に低くなれば、昇降部材４２００は、下部ハウジング４１２０を下降させて第２処理チャンバー４０００を開放し、移送ロボット２２１０によって基板Ｓが搬出される（ステップＳ２７０）。
【０１４７】
一方、ステップＳ２５０において、超臨界流体に有機溶剤等が溶解される過程で超臨界流体が飽和されると、乾燥効率が低くなり得る。したがって、乾燥効率を向上させるために超臨界乾燥処理に利用された超臨界流体を排気し、新しい超臨界流体を供給し得る。即ち、ステップＳ２５０とステップＳ２６０とを複数回にわたって遂行し、超臨界流体の供給と排気とを反複して行うことができる。
【０１４８】
以上で言及された本発明の実施形態は、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者の本発明に対する理解を助けるために記載されたものであるので、本発明が上述した実施形態によって限定されるものではない。
【０１４９】
したがって、本発明は、上述した実施形態及びその構成要素を選択的に組み合わせるか、公知の技術を加えて具現でき、さらに本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で修正、置換及び変更された形態の全てを含む。
【０１５０】
また、本発明の保護範囲は下の特許請求の範囲によって解釈されなければならず、それと均等な範囲内にある発明は全て権利範囲に含まれるものとして解釈されなければならない。
【符号の説明】
【０１５１】
１００ 基板処理装置、
１０００ インデックスモジュール、
１１００ ロードポート、
１２００ 移送フレーム、
１２１０ インデックスロボット、
１２２０ インデックスレール、
２０００ 処理モジュール、
２１００ バッファチャンバー、
２２００ 移送チャンバー、
２２１０ 移送ロボット、
２２２０ 移送レール、
３０００ 第１処理チャンバー、
３１００ 支持部材、
３２００ ノズル部材、
３３００ 回収部材、
４０００ 第２処理チャンバー、
４１００ ハウジング、
４１１０ 上部ハウジング、
４１２０ 下部ハウジング、
４２００ 昇降部材、
４３００ 支持ユニット、
４３１０ 支持バー、
４３２０ 支持部材、
４４００ 加熱部材、
４５００ 供給ポート、
４５１０ 上部供給ポート、
４５２０ 下部供給ポート、
４５３０ ノズル部材、
４６００ 排気ポート、
Ｃ 容器、
Ｓ 基板。
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置及び基板処理方法に関し、より詳細には、超臨界処理を遂行する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子は、フォトリソグラフィー工程（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）を含む多様な工程を通じて、基板の上に回路パタ−ンを形成して製造される。このような製造工程の中では、パーティクル（ｐａｒｔｉｃｌｅ）、有機汚染物、金属不純物等の異物質が発生され、これらの異物質は基板に欠陥を誘発し、半導体素子の収率に直接的な影響を及ぼす要因として作用する。したがって、半導体製造工程においては、基板から異物質を除去するための洗浄工程が必須である。
【０００３】
一般的に洗浄工程は、洗浄剤で基板上の異物質を除去し、純水（ＤＩ−ｗａｔｅｒ：ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ ｗａｔｅｒ）で基板を洗浄した後、表面張力が小さいイソプロパノールアルコール（ＩＰＡ：ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）のような有機溶剤で純水を置換した後、これを蒸発させて基板を乾燥させる順序で進行される。しかし、このような既存の乾燥方式は、回路パターンが微細な半導体素子の場合にその乾燥効率が低いのみならず、乾燥処理の過程において、有機溶媒の比較的小さな表面張力によっても回路パターンが損傷される倒壊現象（ｐａｔｔｅｒｎ ｃｏｌｌａｐｓｅ）が頻繁に発生する問題を有している。
【０００４】
これによって、線幅３０ｎｍ以下の半導体素子に対しては、超臨界流体を利用して基板を乾燥させる超臨界乾燥処理（ｓｕｐｅｒｃｒｉｔｉｃａｌ ｄｒｙｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）が、次第に既存の乾燥処理を代替するようになってきている。超臨界流体とは、臨界温度及び臨界圧力以上において、気体と液体との性質を同時に有する流体であり、拡散力と浸透力とに優れ、溶解力が高く、表面張力がほとんど無いので、基板の乾燥に非常に有用に使用され得る。
【０００５】
しかし、このような超臨界乾燥処理を遂行するための処理チャンバーは、高圧の超臨界状態を維持するために、そのフットプリント（ｆｏｏｔ ｐｒｉｎｔ）が増加し、基板処理効率（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ ｔｈｒｏｕｇｈｐｕｔ）が低下するという問題を有している。しがたって、最近では処理効率を向上させるための処理チャンバーの構造に関する研究が活発に行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】韓国特許公開第１０−２００４−００５８２０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、同時に複数の基板を処理できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。
【０００８】
また、本発明が解決しようとする他の課題は、複数の基板に超臨界流体を効果的に噴射する基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。
【０００９】
本発明が解決しようとする課題は、上述した課題に限定されるものではなく、言及されなかった課題は本明細書及び添付された図面から、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば明確に理解できる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は基板処理装置を提供する。
【００１１】
本発明の一実施形態による基板処理装置は、処理が遂行される空間を提供するハウジングと、前記ハウジングの内部に互いに上下方向に離隔されて配置され、各々複数の基板の縁を支持する複数の支持部材と、を包含する。
【００１２】
前記基板処理装置は、側面から見た場合、処理流体を噴射する一端が互いに隣接する基板の間に位置するノズル部材をさらに包含できる。
【００１３】
前記ノズル部材は、上部から見た場合、前記一端が前記基板の中央部に位置することができる。
【００１４】
前記ノズル部材は、前記互いに隣接する基板の中で下方の基板の上面に向かって前記処理流体を噴射するように提供され得る。
【００１５】
前記ノズル部材は、前記互いに隣接する基板の中で下方の基板の上面と上方の基板の下面とに向かって前記処理流体を同時に噴射するように提供され得る。
【００１６】
前記ノズル部材は、鉛直方向に対して傾くように放射状に前記処理流体を噴射するように提供され得る。
【００１７】
前記ノズル部材は、上部から見た場合、前記一端が前記基板の縁領域又は外側に位置し、前記基板に平行な方向に前記処理流体を噴射するように提供され得る。
【００１８】
前記基板処理装置は、前記ハウジングの下部壁に形成され、前記処理流体を噴射する下部供給ポートをさらに包含できる。
【００１９】
前記基板処理装置は、前記ハウジングの上部壁に形成され、前記処理流体を噴射する上部供給ポートをさらに包含できる。
【００２０】
前記基板処理装置は、前記下部供給ポートが前記処理流体を供給した後、前記処理チャンバーの内部圧力が予め設定された圧力に到達した場合、前記ノズル部材が前記処理流体の噴射を開始するように制御する制御器をさらに包含できる。
【００２１】
前記基板処理装置は、前記ハウジングの上部壁から下方向に延長される支持バーをさらに包含し、前記複数の支持部材は、前記支持バーに一定の間隔をおいて連設され得る。
【００２２】
前記ハウジングは、上部ハウジング及び前記上部ハウジングの下部に配置される下部ハウジングを含み、前記基板処理装置は、前記上部ハウジング又は前記下部ハウジングの中でいずれか１つを昇降させて前記ハウジングを開閉する昇降部材をさらに包含できる。
【００２３】
前記処理流体は、超臨界流体であり得る。
【００２４】
本発明の他の実施形態による基板処理装置は、処理が遂行される空間を提供するハウジングと、第１基板の縁を支持する第１支持部材と、第２基板の縁を支持する第２支持部材と、前記ハウジングの上部壁に形成され、前記第２基板の上面に向かって超臨界流体を噴射する上部供給ポートと、を包含する。
【００２５】
前記基板処理装置は、側面から見た場合、前記超臨界流体を噴射する一端が前記第１支持部材と前記第２支持部材との間に位置するノズル部材をさらに包含できる。
【００２６】
前記ノズル部材は、前記第１基板の上面に向かって前記超臨界流体を噴射することができる。
【００２７】
前記ノズル部材は、前記第１基板と前記第２基板との間の空間に前記超臨界流体を噴射することができる。
【００２８】
前記ハウジングの上部壁から下に延長される支持バーと、をさらに包含し、前記第１支持部材は、前記支持バーの下端で水平方向に延長され、前記第２支持部材は、前記支持バーの中間で水平方向に延長され得る。
【００２９】
本発明は基板処理方法を提供する。
【００３０】
本発明の一実施形態による基板処理方法は、処理が遂行される空間を提供するハウジングの内部に互いに上下方向に離隔されて配置される複数の支持部材が、複数の基板の縁を支持する段階と、側面から見た場合、互いに隣接する基板の間に一端が位置するノズル部材が、処理流体を噴射して同時に前記複数の基板を処理する段階と、を含む。
【００３１】
前記ノズル部材は、前記互いに隣接する基板の中で下方の基板の上面に前記処理流体を噴射して前記下方の基板の上面を処理できる。
【００３２】
前記ノズル部材は、前記互いに隣接する基板の間の空間へ前記超臨界流体を噴射して上方の基板の下面と下方の基板の上面とを同時に処理できる。
【００３３】
前記ハウジングは、上部ハウジング及び前記上部ハウジングの下部に配置される下部ハウジングを含み、前記基板処理方法は、前記上部ハウジング又は前記下部ハウジングの中でいずれか１つを昇降させて前記ハウジングを開閉する段階と、前記ハウジングが開放された状態で前記基板の搬出及び搬入が遂行される段階と、前記ハウジングが密閉された状態で前記処理が遂行される段階と、をさらに含む。
【００３４】
前記処理流体は、超臨界流体であり得る。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、１つの処理チャンバーで同時に複数の基板を処理できる。
【００３６】
本発明によれば、ノズル部材が上下に離隔されて支持される複数の基板の間に配置されて超臨界流体を噴射するので、複数の基板に超臨界流体が効果的に伝達され、これによって処理効率が向上する。
【００３７】
本発明の効果は、上述した効果に限定されるものではなく、言及されなかった効果は本明細書及び添付された図面から、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば明確に理解できる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】二酸化炭素の相変化に関するグラフである。
【図２】実施形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図３】図２の第１処理チャンバーの断面図である。
【図４】図２の第２処理チャンバーの一実施形態の断面図である。
【図５】図２の第２処理チャンバーの一実施形態の断面図である。
【図６】図２の第２処理チャンバーの他の実施形態の断面図である。
【図７】図４及び図５のノズル部材の一端の形状を示した図面である。
【図８】図４及び図５のノズル部材の一端の形状を示した図面である。
【図９】図７のノズル部材が超臨界流体を噴射する様子を示した図面である。
【図１０】図４及び図５のノズル部材の変形例に関する図面である。
【図１１】一実施形態に係る基板処理方法の手順を示すフローチャートである。
【図１２】他の実施形態に係る基板処理方法の手順を示すフローチャートである。
【図１３】図１２の基板処理方法の動作を示す図である。
【図１４】図１２の基板処理方法の動作を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
本明細書で使用される用語と添付された図面は、本発明を容易に説明するためのものであり、本発明が用語と図面とによって限定されるものではない。
【００４０】
本発明に利用される技術の中で、本発明の思想と密接な関連がない公知の技術に関する詳細な説明は省略する。
【００４１】
以下では、本発明の実施形態による基板処理装置１００に関して説明する。
【００４２】
基板処理装置１００は、超臨界流体を処理流体として利用して基板Ｓを処理する超臨界処理を遂行できる。
【００４３】
ここで、基板Ｓは、半導体素子や平板ディスプレイ（ＦＰＤ：ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ）及びその他に薄膜に回路パターンが形成された物の製造に利用される基板を全て含む包括的な概念である。このような基板Ｓの例としては、シリコンウエハーを含む多様なウエハー、ガラス基板、有機基板等がある。
【００４４】
超臨界流体とは、臨界温度と臨界圧力とを超過した超臨界状態に到達し、気体と液体との性質を同時に有する相（ｐｈａｓｅ）を意味する。超臨界流体は、分子密度が液体に近く、粘性度が気体に近い性質を有し、これによって、拡散力、浸透力、溶解力が非常に優れ、化学反応に有利であり、表面張力がほとんど無いので、微細構造に界面張力を加えないという特性を有する。
【００４５】
超臨界処理はこのような超臨界流体の特性を利用して遂行され、その代表的な例としては、超臨界乾燥処理と超臨界蝕刻処理とがある。以下では、超臨界処理に関して超臨界乾燥処理を例にとって説明する。但し、これは説明を容易にするためのものに過ぎず、基板処理装置１００は超臨界乾燥処理以外の他の超臨界処理も遂行できる。
【００４６】
超臨界乾燥処理は、超臨界流体で基板Ｓの回路パターンに残留する有機溶剤を溶解して基板Ｓを乾燥させる方式として遂行され、乾燥効率が優れるだけでなく、倒壊現象を防止できる長所がある。超臨界乾燥処理に利用される超臨界流体としては、有機溶剤との混和性がある物質を使用することができる。例えば、超臨界二酸化炭素（ｓｃＣＯ２：ｓｕｐｅｒｃｒｉｔｉｃａｌ ｃａｒｂｏｎ ｄｉｏｘｉｄｅ）が超臨界流体として使用され得る。
【００４７】
図１は、二酸化炭素の相変化に関するグラフである。
【００４８】
二酸化炭素は、臨界温度が３１．１℃であり、臨界圧力が７．３８Ｍｐａと比較的低いので、超臨界状態に変化させやすく、温度と圧力とを調節して相変化を制御することが容易であり、価格が低廉という長所がある。また、二酸化炭素は毒性が無いので、人体に無害であり、不燃性、非活性の特性を有する。また、超臨界二酸化炭素は水やその他の有機溶剤に比べて１０〜１００倍ほど拡散係数（ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）が高く、浸透が速く、また有機溶剤の置換が速く、表面張力がほとんどない。したがって、二酸化炭素は、微細な回路パタ−ンを有する基板Ｓの乾燥に利用するために有利な物性を有する。さらに、二酸化炭素は、多様な化学反応の副産物として生成されたものを再活用できると同時に、超臨界乾燥処理に使用した後、これを気体に転換させて有機溶剤を分離して再使用することができるので、環境汚染の面でも環境に与える負担が少ない。
【００４９】
以下では、本発明の実施形態による基板処理装置１００に関して説明する。本発明の実施形態による基板処理装置１００は、超臨界乾燥処理を含む洗浄工程を遂行できる。
【００５０】
図２は、実施形態に係る基板処理装置１００の平面図である。
【００５１】
図２を参照すれば、基板処理装置１００は、インデックスモジュール１０００及び処理モジュール２０００を含む。
【００５２】
インデックスモジュール１０００は、外部から基板Ｓが搬送された後、処理モジュール２０００へ基板Ｓを搬送し、処理モジュール２０００は、超臨界乾燥処理を遂行する。
【００５３】
インデックスモジュール１０００は、設備前方端部モジュール（ＥＦＥＭ：ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ｆｒｏｎｔ ｅｎｄ ｍｏｄｕｌｅ）で、ロードポート１１００及び移送フレーム１２００を含む。
【００５４】
ロードポート１１００には、基板Ｓが収容される容器Ｃが配置される。容器Ｃには、前面開放一体形ポッド（ＦＯＵＰ：ｆｒｏｎｔ ｏｐｅｎｉｎｇ ｕｎｉｆｉｅｄ ｐｏｄ）が使用され得る。容器Ｃは、オーバーヘッドトランスファー（ＯＨＴ：ｏｖｅｒｈｅａｄ ｔｒａｎｓｆｅｒ）によって外部からロードポート１１００へ搬入され、或いはロードポート１１００から外部へ搬出され得る。
【００５５】
移送フレーム１２００は、ロードポート１１００に配置される容器Ｃと、処理モジュール２０００との間に、基板Ｓを搬送する。移送フレーム１２００は、インデックスロボット１２１０及びインデックスレール１２２０を含む。インデックスロボット１２１０は、インデックスレール１２２０の上で移動し、基板Ｓを搬送することができる。
【００５６】
処理モジュール２０００は、実際に処理を遂行するモジュールとして、バッファチャンバー２１００、移送チャンバー２２００、第１処理チャンバー３０００、及び第２処理チャンバー４０００を含む。
【００５７】
バッファチャンバー２１００は、インデックスモジュール１０００と処理モジュール２０００との間に搬送される基板Ｓが一時的に留まる空間を提供する。バッファチャンバー２１００には、基板Ｓが置かれるバッファスロット（図示せず）が提供され得る。例えば、インデックスロボット１２１０は、基板Ｓを容器Ｃから引き出してバッファスロットに置くことができ、移送チャンバー２２００の移送ロボット２２１０は、バッファスロットに置かれた基板Ｓを引き出して、これを第１処理チャンバー３０００や第２処理チャンバー４０００へ搬送することができる。バッファチャンバー２１００には、複数のバッファスロットが提供されて複数の基板Ｓが置かれ得る。
【００５８】
移送チャンバー２２００は、その周囲に配置されたバッファチャンバー２１００、第１処理チャンバー３０００、及び第２処理チャンバー４０００の間に基板Ｓを搬送する。移送チャンバー２２００は、移送ロボット２２１０及び移送レール２２２０を包含できる。移送ロボット２２１０は、移送レール２２２０の上で移動し、基板Ｓを搬送することができる。
【００５９】
第１処理チャンバー３０００と第２処理チャンバー４０００とは、洗浄工程を遂行できる。この時、洗浄工程は、第１処理チャンバー３０００と第２処理チャンバー４０００とで順次的に遂行できる。例えば、第１処理チャンバー３０００では、洗浄工程の中でケミカル処理、リンス処理、及び有機溶剤処理が遂行され、続いて第２処理チャンバー４０００では、超臨界乾燥処理が遂行されてもよい。
【００６０】
第１処理チャンバー３０００と第２処理チャンバー４０００とは、移送チャンバー２２００の側面に配置される。例えば、第１処理チャンバー３０００と第２処理チャンバー４０００とは、移送チャンバー２２００の側面に互いに対向するように配置されてもよい。
【００６１】
また、処理モジュール２０００には、第１処理チャンバー３０００と第２処理チャンバー４０００とが複数提供され得る。複数の処理チャンバー３０００、４０００は、移送チャンバー２２００の側面に一列に配置されるか、又は鉛直方向に積層されて配置されるか、又はこれらの組み合わせによって配置され得る。
【００６２】
勿論、第１処理チャンバー３０００と第２処理チャンバー４０００との配置は、上述した例に限定されず、基板処理装置１００のフットプリントや処理効率のような多様な要素を考慮して適切に変更できる。
【００６３】
以下では、第１処理チャンバー３０００に関して説明する。
【００６４】
図３は、図２の第１処理チャンバー３０００の断面図である。
【００６５】
第１処理チャンバー３０００は、ケミカル処理、リンス処理、及び有機溶剤処理を遂行できる。勿論、第１処理チャンバー３０００は、これら処理の中で一部の処理のみを選択的に遂行できる。ケミカル処理は、基板Ｓへ洗浄剤を提供して基板Ｓ上の異物質を除去する処理である。リンス処理は、基板へリンス剤を提供して基板Ｓ上に残留する洗浄剤を洗浄する処理である。有機溶剤処理は、基板Ｓへ有機溶剤を提供して基板Ｓの回路パターンの間に残留するリンス剤を表面張力が低い有機溶剤で置換する処理である。
【００６６】
図３を参照すれば、第１処理チャンバー３０００は、支持部材３１００、ノズル部材３２００及び回収部材３３００を含む。
【００６７】
支持部材３１００は、基板Ｓを支持し、支持された基板Ｓを回転させ得る。支持部材３１００は、支持プレート３１１０、支持ピン３１１１、チャッキングピン３１１２、回転軸３１２０、及び回転駆動器３１３０を包含できる。
【００６８】
支持プレート３１１０は、基板Ｓと同一又は類似な形状の上面を有し、支持プレート３１１０の上面には、支持ピン３１１１とチャッキングピン３１１２とが形成される。支持ピン３１１１は、基板Ｓを支持し、チャッキングピン３１１２は、支持された基板Ｓを固定することができる。
【００６９】
支持プレート３１１０の下部には、回転軸３１２０が連結される。回転軸３１２０は、回転駆動器３１３０から回転力が伝達されて、支持プレート３１１０を回転させる。これによって、支持プレート３１１０に安着された基板Ｓが回転することができる。この時、チャッキングピン３１１２は、基板Ｓが正位置を離脱することを防止することができる。
【００７０】
ノズル部材３２００は、基板Ｓへ薬剤を噴射する。ノズル部材３２００は、ノズル３２１０、ノズルバー３２２０、ノズル軸３２３０、及びノズル軸駆動器３２４０を含む。
【００７１】
ノズル３２１０は、支持プレート３１１０に安着された基板Ｓへ薬剤を噴射する。薬剤は、洗浄剤、リンス剤、又は有機溶剤であり得る。ここで、洗浄剤としては、過酸化水素Ｈ２Ｏ２溶液や過酸化水素溶液にアンモニアＮＨ４ＯＨ、塩酸ＨＣｌ又は硫酸Ｈ２ＳＯ４を混合した溶液又はブッ酸ＨＦ溶液等が使用され得る。また、リンス剤としては、純水が使用され得る。又、有機溶剤としては、イソプロパノールアルコールを含むエチルグリコール（ｅｔｈｙｌ ｇｌｙｃｏｌ）、１−プロパノール（ｐｒｏｐａｎｏｌ）、テトラハイドロリックフラン（ｔｅｔｒａ ｈｙｄｒａｕｌｉｃ ｆｒａｎｃ）、４−ヒドロキシル（ｈｙｄｒｏｘｙｌ）、４−メチル（ｍｅｔｈｙｌ）、２−ペンタノン（ｐｅｎｔａｎｏｎｅ）、１−ブタノール（ｂｕｔａｎｏｌ）、２−ブタノール、メタノール（ｍｅｔｈａｎｏｌ）、エタノール（ｅｔｈａｎｏｌ）、ｎ−プロピルアルコール（ｎ−ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）、ジメチルエチル（ｄｉｍｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒ）の溶液やガスが使用され得る。
【００７２】
このようなノズル３２１０は、ノズルバー３２２０の一端の底面に形成される。ノズルバー３２２０は、ノズル軸３２３０に結合され、ノズル軸３２３０は昇降又は回転できるように提供される。ノズル軸駆動器３２４０は、ノズル軸３２３０を昇降又は回転させてノズル３２１０の位置を調節することができる。
【００７３】
回収部材３３００は、基板Ｓへ供給された薬剤を回収する。ノズル部材３２００によって基板Ｓへ薬剤が供給されると、支持部材３１００は、基板Ｓを回転させて基板Ｓの全領域に薬剤が均一に供給されるようにする。基板Ｓが回転すると、基板Ｓから薬剤が飛散するが、飛散した薬剤は回収部材３３００によって回収され得る。
【００７４】
回収部材３３００は、回収筒３３１０、回収ライン３３２０、昇降バー３３３０、及び昇降駆動器３３４０を包含できる。
【００７５】
回収筒３３１０は、支持プレート３１１０を囲む環形リング形状に提供される。回収筒３３１０は、複数であり、複数の回収筒３３１０は上部から見た場合、順に支持プレート３１１０から遠くなるリング形状に提供され、支持プレート３１１０から遠い距離にある回収筒３３１０ほど、その高さが高くなるように提供される。これによって回収筒３３１０の間の空間に、基板Ｓから飛散した薬剤が流入する回収口３３１１が形成される。
【００７６】
回収筒３３１０の下面には、回収ライン３３２０が形成される。回収ライン３３２０は、回収筒３３１０で回収された薬剤を、薬剤再生システム（図示せず）へ供給する。
【００７７】
昇降バー３３３０は、回収筒３３１０に連結され、昇降駆動器３３４０から動力が伝達されて回収筒３３１０を上下へ移動させる。昇降バー３３３０は、回収筒３３１０が複数である場合、最外殻に配置された回収筒３３１０に連結され得る。昇降駆動器３３４０は、昇降バー３３３０を通じて回収筒３３１０を昇降させて複数の回収口３３１１の中で飛散した薬剤が流入する回収口３３１１を調節することができる。
【００７８】
以下では、第２処理チャンバー４０００に関して説明する。
【００７９】
第２処理チャンバー４０００は、超臨界流体を利用して超臨界乾燥処理を遂行できる。勿論、上述したように、第２処理チャンバー４０００で遂行される処理は、超臨界乾燥処理以外の他の超臨界処理でもよい。さらに、第２処理チャンバー４０００は、超臨界流体の代わりに、他の処理流体を利用して処理を遂行してもよい。
【００８０】
このような第２処理チャンバー４０００は、上述したように、移送チャンバー２２００の一側面に配置され得る。第２処理チャンバー４０００が複数である場合には、移送チャンバー２２００の一側面に一列に配置されるか、或いは上下に積層されて配置されるか、又はこれらの組み合わせによって配置され得る。基板処理装置１００では、ロードポート１１００、移送フレーム１２００、バッファチャンバー２１００、移送チャンバー２２００が順次的に配置され、第２処理チャンバー４０００はこれと同一な方向に移送チャンバー２２００の一側面に一列に配置され得る。
【００８１】
以下では、第２処理チャンバー４０００の一実施形態に関して説明する。
【００８２】
図４及び図５は、図２の第２処理チャンバーの一実施形態の断面図である。
【００８３】
図４及び図５を参照すれば、第２処理チャンバー４０００は、ハウジング４１００、昇降部材４２００、支持ユニット４３００、加熱部材４４００、供給ポート４５００、及び排気ポート４６００を包含できる。
【００８４】
ハウジング４１００は、超臨界乾燥処理が遂行される空間を提供する。ハウジング４１００は、臨界圧力以上の高圧に耐えられる材質で形成される。
【００８５】
ハウジング４１００は、上部ハウジング４１１０と上部ハウジング４１１０の下部に配置される下部ハウジング４１２０とを具備することができる。
【００８６】
上部ハウジング４１１０は固定されて設置され、下部ハウジング４１２０は昇降することができる。下部ハウジング４１２０が下降して上部ハウジング４１１０から離隔されると、第２処理チャンバー４０００の内部空間が開放され、基板Ｓが第２処理チャンバー４０００の内部空間へ搬入され、或いは内部空間から搬出され得る。ここで、第２処理チャンバー４０００へ搬入される基板Ｓは、第１処理チャンバー３０００での有機溶剤処理を経て有機溶剤が残留した状態であり得る。また、下部ハウジング４１２０が上昇して上部ハウジング４１１０に密着することにより、第２処理チャンバー４０００の内部空間が密閉され、その内部で超臨界乾燥処理が遂行できる。勿論、上述した例と異なり、ハウジング４１００において、下部ハウジング４１２０が固定されて設置され、上部ハウジング４１１０が昇降される構造でも提供され得る。
【００８７】
昇降部材４２００は、下部ハウジング４１２０を昇降させる。昇降部材４２００は昇降シリンダー４２１０及び昇降ロード４２２０を包含できる。昇降シリンダー４２１０は下部ハウジング４１２０に結合されて上下方向の駆動力、即ち昇降力を発生させる。昇降シリンダー４２１０は、超臨界乾燥処理が遂行される間に第２処理チャンバー４０００の内部の臨界圧力以上の高圧に耐え、上部ハウジング４１１０と下部ハウジング４１２０とを密着させて第２処理チャンバー４０００を密閉させ得る程度の駆動力を発生させる。昇降ロード４２２０は、その一端が昇降シリンダー４２１０へ挿入されて垂直上方に延長され、他端が上部ハウジング４１１０に結合される。このような構造によって、昇降シリンダー４２１０において駆動力が発生することにより、昇降シリンダー４２１０と昇降ロード４２２０とが相対的に昇降され、昇降シリンダー４２１０に結合された下部ハウジング４１２０が昇降され得る。また、昇降シリンダー４２１０によって下部ハウジング４１２０が昇降する間に、昇降ロード４２２０は、上部ハウジング４１１０と下部ハウジング４１２０とが水平方向に動くことを防止し、昇降方向を案内する。これにより、上部ハウジング４１１０と下部ハウジング４１２０とが互いに正位置から離脱することを防止することができる。
【００８８】
支持ユニット４３００は、ハウジング４１００の内部に複数の基板Ｓを支持する。支持ユニット４３００は、支持バー４３１０及び複数の支持部材４３２０を包含できる。
【００８９】
支持バー４３１０は、ハウジング４１００の上部壁、即ち上部ハウジング４１１０の下面から下方向に延長され得る。支持バー４３１０は、水平方向に離隔される一対のバー（ｂａｒ）又は二対のバーで提供され得る。
【００９０】
支持部材４３２０は、支持バー４３１０に一定の間隔をおいて連設される。支持部材４３２０は、支持バー４３１０から水平方向に延長されるように提供され得る。例えば、第１支持部材４３２０ａは、支持バー４３１０の中間で水平方向に延長され、第２支持部材４３２０ｂは、支持バー４３１０の下端で水平方向に延長され得る。支持バー４３１０が互いに離隔された二対で提供される場合には、各支持バー４３１０で延長される支持部材４３２０は互いに対向して延長される。
【００９１】
但し、支持部材４３２０の数は、上述した例に限定されず、必要によって増減され得る。
【００９２】
支持部材４３２０は、基板Ｓの縁を支持することができる。一対の支持バー４３１０の間隔は、基板Ｓの幅より大きく提供される。支持部材４３２０は、支持バー４３１０から対をなす支持バー４３１０が互いに対向する側に延長され得る。これによって、支持部材４３２０は、基板Ｓの縁を支持し、基板Ｓの上面及び下面が全てハウジング４１００の内部空間に露出され、超臨界流体によって乾燥され得る。ここで、基板Ｓはその上面がパターン面であり、下面が非パターン面であり得る。
【００９３】
このように、支持ユニット４３００が複数の基板Ｓをハウジング４１００の内で支持することにより、第２処理チャンバー４０００が同時に複数の基板Ｓに対して超臨界乾燥処理を遂行できる。
【００９４】
また、支持ユニット４３００は、固定設置される上部ハウジング４１１０に設置されるので、下部ハウジング４１２０が昇降する間に比較的安定的に基板Ｓを支持することができる。
【００９５】
支持ユニット４３００が設置される上部ハウジング４１１０には、水平調整部材４１１１が設置され得る。水平調整部材４１１１は、上部ハウジング４１１０の水平度を調整する。上部ハウジング４１１０の水平度が調整されると、それにしたがって、上部ハウジング４１１０に設置された支持ユニット４３００に安着された基板Ｓの水平が調節され得る。超臨界乾燥処理において基板Ｓが傾いた場合、基板Ｓに残留する有機溶剤が傾斜面に沿って流れ、基板Ｓの特定部分が乾燥されないか、或いは過乾燥されて基板Ｓが損傷され得る。水平調整部材４１１１は、基板Ｓの水平を合わせてこのような問題点を防止することができる。勿論、上部ハウジング４１１０が昇降され、下部ハウジング４１２０が固定されて設置されるか、或いは支持ユニット４３００が下部ハウジング４１２０に設置される場合には、水平調整部材４１１１は下部ハウジング４１２０に設置されることもあり得る。
【００９６】
加熱部材４４００は、第２処理チャンバー４０００の内部を加熱する。加熱部材４４００は、第２処理チャンバー４０００の内部に供給された超臨界流体を臨界温度以上に加熱して超臨界流体の状態に維持し、又は液化された場合に再び超臨界流体になるようにする。加熱部材４４００は、上部ハウジング４１１０及び下部ハウジング４１２０の中で少なくとも１つの壁内に埋め込まれて設置され得る。加熱部材４４００としては、例えば、外部から電源が提供されて熱を発生させるヒーターが提供され得る。
【００９７】
供給ポート４５００は、第２処理チャンバー４０００へ超臨界流体を供給する。供給ポート４５００は、超臨界流体を供給する供給ライン４５５０に連結され得る。この時、供給ポート４５００には、供給ライン４５５０から供給される超臨界流体の流量を調節するバルブ（図示せず）が設置され得る。
【００９８】
供給ポート４５００は、上部供給ポート４５１０、下部供給ポート４５２０、及びノズル部材４５３０を包含できる。
【００９９】
上部供給ポート４５１０は、上部ハウジング４１１０に形成され、支持ユニット４３００によって支持される基板Ｓの中で最も上方の基板Ｓの上面に超臨界流体を供給する。下部供給ポート４５２０は、下部ハウジング４１２０に形成され、支持ユニット４３００によって支持される基板Ｓの中で最も下方の基板Ｓの下面に超臨界流体を供給する。
【０１００】
上部供給ポート４５１０と下部供給ポート４５２０とは、基板Ｓの中央領域に超臨界流体を噴射することができる。例えば、上部供給ポート４５１０は、支持ユニット４３００によって支持される基板Ｓの中央から鉛直上方に位置することができる。また、下部供給ポート４５２０は、支持ユニット４３００によって支持される基板Ｓの中央から鉛直下方に位置することができる。これによって、上部供給ポート４５１０及び下部供給ポート４５２０に噴射される超臨界流体が、基板Ｓの中央領域に到達して縁領域へ拡散しながら、基板Ｓを乾燥させ得る。
【０１０１】
ノズル部材４５３０は、超臨界流体を噴射する一端が、側面から見た場合、互いに隣接する支持部材４３２０の間、即ち互いに隣接する基板Ｓの間に位置することができる。ノズル部材４５３０は、複数の支持部材４３２０の間ごとに１つずつ提供され得る。ノズル部材４５３０は、ハウジング４１００の上部壁、即ち上部ハウジング４１１０から下方向に延長され、その下端が、支持バー４３１０に連設された複数の支持部材４３２０の中間の高さにおいて水平方向に折曲されて基板Ｓの中央部まで延長され得る。これによって、ノズル部材４５３０の一端は、側面から見た場合には、互いに隣接する基板Ｓの間に位置し、上面から見た場合には、基板Ｓの中央部に位置する。
【０１０２】
ノズル部材４５３０は、その一端が、互いに隣接する基板Ｓの間において、下方の基板Ｓの上面に超臨界流体を噴射することができる。基板Ｓは、その上面がパターン面になるように支持ユニット４３００に収容されるので、基板Ｓの上面の乾燥が重要である。第１支持部材４３２０ａに安着された基板Ｓの上面は、上部供給ポート４５１０によって超臨界流体が提供される。第２支持部材４３２０ｂに安着された基板Ｓの上面は、ノズル部材４５３０によって超臨界流体が提供される。したがって、同時に複数の基板Ｓに対する超臨界乾燥処理が遂行できる。
【０１０３】
一方、上部供給ポート４５１０、下部供給ポート４５２０、及びノズル部材４５３０において、先ず下部供給ポート４５２０が超臨界流体を供給し、続いて上部供給ポート４５１０及びノズル部材４５３０が超臨界流体を供給することができる。超臨界乾燥処理は、初期においては第２処理チャンバー４０００の内部が臨界圧力に到達していない状態で進行されるので、第２処理チャンバー４０００の内部へ供給される超臨界流体は液化され得る。したがって、超臨界乾燥処理の初期に、上部供給ポート４５１０やノズル部材４５３０に超臨界流体が供給される場合には、超臨界流体が液化され、重力によって基板Ｓへ落下して基板Ｓを損傷させ得る。したがって、下部供給ポート４５２０を通じて第２処理チャンバー４０００へ超臨界流体が供給され、第２処理チャンバー４０００の内部圧力が臨界圧力に到達した後で、上部供給ポート４５１０とノズル部材４５３０とが超臨界流体の供給を開始する。これにより、供給される超臨界流体が液化されて基板Ｓへ落下することを防止できる。
【０１０４】
排気ポート４６００は、第２処理チャンバー４０００から超臨界流体を排気する。排気ポート４６００は、超臨界流体を排気する排気ライン４６５０に連結され得る。この時、排気ポート４６００には、排気ライン４６５０へ排気する超臨界流体の流量を調節するバルブ（図示せず）が設置され得る。排気ライン４６５０を通じて排気される超臨界流体は、大気の中へ放出されるか、又は超臨界流体再生システム（図示せず）へ供給され得る。
【０１０５】
排気ポート４６００は、下部ハウジング４１２０に形成され得る。超臨界乾燥処理の後期には、第２処理チャンバー４０００から超臨界流体が排気され、その内部圧力が臨界圧力以下に降圧されるため、超臨界流体が液化され得る。液化された超臨界流体は、重力によって落下し、下部ハウジング４１２０に形成された排気ポート４６００を通じて排出され得る。
【０１０６】
以上では、同時に２枚の基板Ｓを支持し、処理する第２処理チャンバー４０００を例にとって説明したが、第２処理チャンバー４０００が処理できる基板Ｓの数は、上述した例に限定されない。
【０１０７】
また、上述した第２処理チャンバー４０００の構成要素の中で、上部供給ポート４５１０及び下部供給ポート４５２０は選択的な構成要素である。例えば、第２処理チャンバー４０００には、上部供給ポート４５１０及び下部供給ポート４５２０の中でいずれか１つ又は全てが提供されないことがある。第２処理チャンバー４０００において上部供給ポート４５１０が省略される場合には、最上部の支持部材４３２０とハウジング４１００の上部壁との間に、ノズル部材４５３０が追加で提供され得る。このようなノズル部材４５３０は、省略された上部供給ポート４５１０の代わりに、最上部の支持部材４３２０に安着された基板Ｓの上面へ、超臨界流体を供給することができる。
【０１０８】
また、上述した第２処理チャンバー４０００では、支持ユニット４３００が支持バー４３１０と支持部材４３２０とを具備することを説明したが、支持ユニット４３００はこれとは異なる形態においても提供され得る。例えば、支持ユニット４３００は、バッファチャンバー２１００のバッファスロットと類似な形態としても提供され得る。具体的には、支持ユニット４３００は、ハウジング４１００の側壁から水平方向に延長される一対のプレートとして提供され得る。一対のプレートは、基板Ｓの両側縁を支持することができる。また、スロット形態の支持ユニット４３００は、ハウジング４１００の側壁に上下方向に複数個提供され得る。複数のスロット形態の支持ユニット４３００は、複数の基板Ｓを支持することができる。
【０１０９】
図６は、図２の第２処理チャンバーの他の実施形態の断面図である。
【０１１０】
図６を参照すれば、支持バー４３１０には、上下方向に各々基板Ｓを支持する３つの支持部材４３２０ａ、４３２０ｂ、４３２０ｃが提供され得る。また、ノズル部材４５３０は、第１支持部材４３２０ａ及び第２支持部材４３２０ｂの間に配置される第１ノズル部材４５３０ａと、第２支持部材４３２０ｂ及び第３支持部材４３２０ｃの間に配置される第２ノズル部材４５３０ｂとを包含できる。これによって、上部供給ポート４５１０、第１ノズル部材４５３０ａ、第２ノズル部材４５３０ｂが、各々の基板Ｓの上面へ超臨界流体を噴射することができる。このような第２処理チャンバー４０００は、同時に３枚の基板を処理できる。
【０１１１】
以上では、ノズル部材４５３０がその下に位置する基板Ｓの上面に超臨界流体を噴射することを説明したが、ノズル部材４５３０が噴射する方向及び形態はこれに限定されない。
【０１１２】
ノズル部材４５３０は、その下に位置する基板Ｓの上面に垂直な方向に超臨界流体を噴射する代わりに、放射状に噴射することができる。
【０１１３】
図７及び図８は、図４及び図５のノズル部材の一端の形状を示した図面であり、図９は、図７のノズル部材が超臨界流体を噴射する様子を示した図面である。
【０１１４】
図７を参照すれば、ノズル部材４５３０の一端には、ノズル部材４５３０の中央を貫通して超臨界流体が移動する中空４５３１からノズル部材４５３０の外側方向に案内される微細ホール４５３２ａが形成され得る。超臨界流体は、ノズル部材４５３０において中空４５３１に沿って移動し、一端で微細ホール４５３２ａを通じて吐出され得る。微細ホール４５３２ａは、ノズル部材４５３０の中央部から放射状に広がる形状を有するので、超臨界流体は鉛直下方に噴射される代わりに、鉛直方向に対して傾くように噴射され得る。したがって、図９に図示されたように、超臨界流体は、水平成分の速度を有するので、基板Ｓの中央部から基板Ｓの縁領域へ迅速に拡散し、基板Ｓの全領域に均一に提供され得る。
【０１１５】
図８を参照すれば、ノズル部材４５３０の一端に、放射状に形成された微細ホール４５３２ａの代わりに、スクリュー（ｓｃｒｅｗ）タイプに形成された微細ホール４５３２ｂが形成され得る。このような微細ホール４５３２ｂは、超臨界流体に回転力を加えるので、再び図９に図示されたように、超臨界流体は回転力を有して噴射され、基板Ｓの全領域に均一に提供され得る。
【０１１６】
また、ノズル部材４５３０は、必ずしもその下方にある基板Ｓの上面に超臨界流体を噴射しなければならないわけではない。例えば、ノズル部材４５３０は、その上方にある基板Ｓの下面に向かって超臨界流体を噴射するか、又は下方の基板Ｓの上面と上方の基板Ｓの下面の両方に同時に超臨界流体を噴射することもあり得る。
【０１１７】
一方、このようなノズル部材４５３０は、その一端が基板Ｓの中央部に位置しないこともあり得る。
【０１１８】
図１０は、図４及び図５のノズル部材の変形例に関する図面である。
【０１１９】
図１０を参照すれば、ノズル部材４５３０の一端は、上部から見た場合、基板Ｓの縁領域又は外側に位置することができる。このようなノズル部材４５３０は、互いに隣接する基板Ｓの間の空間に超臨界流体を噴射することができる。この時、ノズル部材４５３０は、超臨界流体を基板Ｓの上面と下面とに同時に噴射することができる。基板Ｓの縁領域や外側で、このように超臨界流体を噴射することにより、その超臨界流体は、流体の水平方向速度成分によって基板Ｓの縁から中央を経て反対側の縁に移動しながら、基板Ｓの全領域に提供される。また、ノズル部材４５３０の上方の基板Ｓの下面と下方の基板Ｓの上面とに、同時に超臨界流体が提供される。
【０１２０】
以上では、本発明による基板処理装置１００が基板Ｓへ超臨界流体を供給して基板を処理することを説明したが、本発明による基板処理装置１００は、必ずしもこのような超臨界処理を遂行することに限定されるものではない。したがって、基板処理装置１００の第２処理チャンバー４０００は、供給ポート４５００に、超臨界流体の代わりに他の処理流体を供給して基板Ｓを処理することもあり得る。このような場合には、処理流体として、超臨界流体の代わりに有機溶剤やその他の多様な成分のガス、プラズマガス、不活性ガス等が使用され得る。
【０１２１】
また、基板処理装置１００は、その構成要素を制御する制御器（図示せず）をさらに包含できる。例えば、制御器は、加熱部材４４００を制御してハウジング４１００の内部温度を調節することができる。他の例を挙げれば、制御器は、供給ライン４５５０や排気ライン４６５０に設置されたバルブを制御して、薬剤や超臨界流体の流量を調節することができる。又、他の例を挙げれば、制御器は、上部供給ポート４５１０と下部供給ポート４５２０との中で、いずれか１つが先ず超臨界流体の供給を開始した後、第２処理チャンバー４０００の内部圧力が予め設定された圧力に到達した場合に他の１つが超臨界流体の供給を開始するように制御することもあり得る。
【０１２２】
このような制御器は、ハードウェア、ソフトウェア、又はこれらの組み合わせを利用してコンピューター又はこれと類似な装置で具現され得る。
【０１２３】
ハードウェアとして、制御器は、ＡＳＩＣｓ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｓｐｅｃｉｆｉｃ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔｓ）、ＤＳＰｓ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｉｇｎａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｏｒｓ）、ＤＳＰＤｓ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｉｇｎａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｄｅｖｉｃｅｓ）、ＰＬＤｓ（ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｌｏｇｉｃ ｄｅｖｉｃｅｓ）、ＦＰＧＡｓ（ｆｉｅｌｄ ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｇａｔｅ ａｒｒａｙｓ）、プロセッサー（ｐｒｏｃｅｓｓｏｒｓ）、マイクロコントローラ（ｍｉｃｒｏ−ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒｓ）、マイクロプロセッサー（ｍｉｃｒｏｐｒｏｃｅｓｓｏｒｓ）や、これらと類似な制御機能を遂行する電気的な装置で具現され得る。
【０１２４】
又、ソフトウェアとして、制御器は、１つ以上のプログラム言語で作成されたソフトウェアコード又はソフトウェアアプリケーションによって具現され得る。ソフトウェアは、ハードウェアとして具現された制御器によって実行され得る。尚、ソフトウェアは、サーバー等の外部機器から、上述したハードウェア構成に送信されることによって取得され得る。
【０１２５】
以下では、本発明による基板処理方法に関して、上述した基板処理装置１００を利用して説明する。但し、これは説明を簡単にするためのものに過ぎず、基板処理方法は、上述した基板処理装置１００以外のこれと同一又は類似な他の装置を利用して遂行できる。また、本発明による基板処理方法は、これを遂行するコード又はプログラムの形態として、コンピューター読出し可能である記録媒体に格納され得る。
【０１２６】
以下では、一実施形態に係る基板処理方法に関して説明する。一実施形態に係る基板処理方法は洗浄工程全般に関する。
【０１２７】
図１１は、一実施形態に係る基板処理方法の手順を示すフローチャートである。
【０１２８】
図１１を参照すれば、一実施形態に係る基板処理方法は、第１処理チャンバー３０００へ基板Ｓを搬入する段階（ステップＳ１１０）、ケミカル処理を遂行する段階（ステップＳ１２０）、リンス処理を遂行する段階（ステップＳ１３０）、有機溶剤処理を遂行する段階（ステップＳ１４０）、第２処理チャンバー４０００へ基板Ｓを搬入する段階（ステップＳ１５０）、超臨界乾燥処理を遂行する段階（ステップＳ１６０）、及びロードポート１１００に置かれる容器Ｃに基板Ｓを収納する段階（ステップＳ１７０）を含む。一方、上述した段階は、必ずしも説明された順に実行される必要はなく、後に説明された段階が、先に説明された段階よりも先に遂行されることもあり得る。これは、後述する他の実施形態に係る基板処理方法でも同様である。以下では、各段階に関して説明する。
【０１２９】
第１処理チャンバー３０００へ基板Ｓが搬入される（ステップＳ１１０）。先ずオーバーヘッドトランスファー等の搬送装置等は、基板Ｓが収納された容器Ｃをロードポート１１００に置く。容器Ｃがロードポート１１００に置かれると、インデックスロボット１２１０は、容器Ｃから基板Ｓを引き出して、これをバッファスロットに置く。バッファスロットに置かれた基板Ｓは、移送ロボット２２１０によって引き出されて第１処理チャンバー３０００へ搬入され、支持プレート３１１０に安着される。
【０１３０】
第１処理チャンバー３０００へ基板Ｓが搬入されると、ケミカル処理が遂行される（ステップＳ１２０）。支持プレート３１１０に基板Ｓが置かれると、ノズル軸駆動器３２４０によってノズル軸３２３０が移動及び回転して、ノズル３２１０が基板Ｓの上部に位置する。ノズル３２１０は、基板Ｓの上面へ洗浄剤を噴射する。洗浄剤が噴射されると、基板Ｓから異物質が除去される。この時、回転駆動器３１３０は、回転軸３１２０を回転させて基板Ｓを回転させ得る。基板Ｓが回転されると、洗浄剤は、基板Ｓへ均一に供給され、また基板Ｓから飛散する。飛散した洗浄剤は、回収筒３３１０へ流入し、回収ライン３３２０を通じて流体再生システム（図示せず）へ送られる。この時、昇降駆動器３３４０は、昇降バー３３３０を通じて複数の回収筒３３１０の中でいずれか１つに飛散した洗浄剤が流入するように、回収筒３３１０を昇降させる。
【０１３１】
基板Ｓ上の異物質が十分に除去されると、リンス処理が遂行される（ステップＳ１３０）。ケミカル処理が終了すると、基板Ｓ上からは異物質が除去され、基板Ｓ上には洗浄剤が残留する。複数のノズル３２１０の中で、洗浄剤を噴射したノズル３２１０は基板Ｓの上部から離れ、他のノズル３２１０が基板Ｓの上部へ移動し、基板Ｓの上面にリンス剤を噴射する。基板Ｓへリンス剤が供給されると、基板Ｓ上に残留する洗浄剤が洗浄される。リンス処理においても、基板Ｓの回転と薬剤の回収が行われ得る。昇降駆動器３３４０は、洗浄剤を回収した回収筒３３１０とは異なる回収筒３３１０へリンス剤が流入するように、回収筒３３１０の高さを調節する。
【０１３２】
基板Ｓが十分に洗浄されると、有機溶剤処理が遂行される（ステップＳ１４０）。リンス処理が終了すると、他のノズル３２１０が基板Ｓの上部へ移動して基板Ｓの上面に有機溶剤を噴射する。基板Ｓへ有機溶剤が供給されると、基板Ｓ上のリンス剤が有機溶剤に置換される。一方、有機溶剤処理においては、基板Ｓを回転させないか、或いは低速に回転させ得る。基板Ｓ上で有機溶剤が急速に蒸発することにより、有機溶剤の表面張力によって回路パターンに界面張力が作用して、回路パターンが破壊される可能性があるためである。
【０１３３】
第１処理チャンバー３０００において、有機溶剤処理が終了すると、第２処理チャンバー４０００へ基板Ｓを搬入し（ステップＳ１５０）、第２処理チャンバー４０００において、超臨界乾燥処理が遂行される（ステップＳ１６０）。段階Ｓ１５０と段階Ｓ１６０とに対しては、後述する他の実施形態に係る基板処理方法において詳細に説明する。
【０１３４】
超臨界乾燥処理が終了すると、基板Ｓをロードポート１１００に置かれる容器Ｃに収納する（ステップＳ１７０）。第２処理チャンバー４０００が開放されると、移送ロボット２２１０が基板Ｓを引き出す。基板Ｓはバッファチャンバー２１００へ移送され、インデックスロボット１１１０によってバッファチャンバー２１００から引き出されて容器Ｃに収納され得る。
【０１３５】
以下では、他の実施形態に係る基板処理方法に関して説明する。他の実施形態に係る基板処理方法は、第２処理チャンバー４０００が超臨界乾燥処理を遂行する方法に関する。
【０１３６】
図１２は、他の実施形態に係る基板処理方法の手順を示すフローチャートである。
【０１３７】
図１２を参照すれば、他の実施形態に係る基板処理方法は、第１支持部材４３２０ａに基板Ｓが安着される段階（ステップＳ２１０）、第２支持部材４３２０ｂに基板Ｓが安着される段階（ステップＳ２２０）、ハウジング４１００が密閉される段階（ステップＳ２３０）、下部供給ポート４５２０が超臨界流体を供給する段階（ステップＳ２４０）、上部供給ポート４５１０及びノズル部材４５３０が超臨界流体を供給する段階（ステップＳ２５０）、超臨界流体を排気する段階（ステップＳ２６０）、及び基板Ｓを搬出する段階（ステップＳ２７０）を包含できる。以下では、各段階に関して説明する。
【０１３８】
図１３及び図１４は、図１２の基板処理方法の動作を示す図である。
【０１３９】
図１３を参照すれば、基板Ｓは、移送ロボット２２１０によって第２処理チャンバー４０００の内部へ搬入されて第１支持部材４３２０ａに安着される（ステップＳ２１０）。また、基板Ｓは、同様に移送ロボット２２１０によって第２処理チャンバー４０００の内部へ搬入されて第２支持部材４３２０ｂに安着される。ここで、基板Ｓは、第１処理チャンバー３０００において有機溶剤処理を経た基板Ｓであって、有機溶剤が残留した状態で搬入され得る。
【０１４０】
ここで、ステップＳ２１０とステップＳ２２０とは、先ずステップＳ２１０が遂行され、次にステップＳ２２０が遂行されてもよく、或いはステップＳ２２０が遂行された後、ステップＳ２１０が遂行されてもよく、又は二つの段階が同時に進行されてもよい。また、ハウジング４１００は、上部ハウジング４１１０と下部ハウジング４１２０とが互いに離隔されて開放された状態でもよい。
【０１４１】
図１４を参照すれば、基板Ｓが安着されると、昇降部材４２００は、下部ハウジング４１２０を上昇させて上部ハウジング４１１０と結合されるようにする。これによって、ハウジング４１００又は第２処理チャンバー４０００は、密閉される（ステップＳ２３０）。
【０１４２】
第２処理チャンバー４０００が密閉されると、下部供給ポート４５２０は、超臨界流体を第２処理チャンバー４０００の内部の下部領域へ噴射する（ステップＳ２４０）。ここで、超臨界流体は、超臨界二酸化炭素であり得る。このような過程において、加熱部材４４００は、ハウジング４１００の内部を加熱できる。
【０１４３】
第２処理チャンバー４０００の内部へ超臨界流体が十分に供給されると、温度と圧力とが臨界値を超過し、第２処理チャンバー４０００の内部において超臨界雰囲気が形成される。
【０１４４】
超臨界雰囲気が形成されると、上部供給ポート４５１０及びノズル部材４５３０は、超臨界流体を噴射する（ステップＳ２５０）。これによって、支持部材４３２０に安着された基板Ｓのパターン面に超臨界流体が提供され、回路パターンの間に残留する有機溶剤が溶解されて基板Ｓが乾燥される。
【０１４５】
この時、上部供給ポート４５１０は第１支持部材４３２０ａに安着された基板Ｓへ、ノズル部材４５３０は第２支持部材４３２０ｂに安着された基板Ｓへ、超臨界流体を各々供給するので、２つの基板Ｓに対して超臨界乾燥処理が効果的に遂行される。
【０１４６】
基板Ｓの乾燥が十分に行われると、第２処理チャンバー４０００から超臨界流体及び超臨界乾燥処理で発生した異物質が排気される（ステップＳ２６０）。これによって、処理チャンバー４０００の内部圧力は、常圧になり得る。圧力が十分に低くなれば、昇降部材４２００は、下部ハウジング４１２０を下降させて第２処理チャンバー４０００を開放し、移送ロボット２２１０によって基板Ｓが搬出される（ステップＳ２７０）。
【０１４７】
一方、ステップＳ２５０において、超臨界流体に有機溶剤等が溶解される過程で超臨界流体が飽和されると、乾燥効率が低くなり得る。したがって、乾燥効率を向上させるために超臨界乾燥処理に利用された超臨界流体を排気し、新しい超臨界流体を供給し得る。即ち、ステップＳ２５０とステップＳ２６０とを複数回にわたって遂行し、超臨界流体の供給と排気とを反複して行うことができる。
【０１４８】
以上で言及された本発明の実施形態は、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者の本発明に対する理解を助けるために記載されたものであるので、本発明が上述した実施形態によって限定されるものではない。
【０１４９】
したがって、本発明は、上述した実施形態及びその構成要素を選択的に組み合わせるか、公知の技術を加えて具現でき、さらに本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で修正、置換及び変更された形態の全てを含む。
【０１５０】
また、本発明の保護範囲は下の特許請求の範囲によって解釈されなければならず、それと均等な範囲内にある発明は全て権利範囲に含まれるものとして解釈されなければならない。
【符号の説明】
【０１５１】
１００ 基板処理装置、
１０００ インデックスモジュール、
１１００ ロードポート、
１２００ 移送フレーム、
１２１０ インデックスロボット、
１２２０ インデックスレール、
２０００ 処理モジュール、
２１００ バッファチャンバー、
２２００ 移送チャンバー、
２２１０ 移送ロボット、
２２２０ 移送レール、
３０００ 第１処理チャンバー、
３１００ 支持部材、
３２００ ノズル部材、
３３００ 回収部材、
４０００ 第２処理チャンバー、
４１００ ハウジング、
４１１０ 上部ハウジング、
４１２０ 下部ハウジング、
４２００ 昇降部材、
４３００ 支持ユニット、
４３１０ 支持バー、
４３２０ 支持部材、
４４００ 加熱部材、
４５００ 供給ポート、
４５１０ 上部供給ポート、
４５２０ 下部供給ポート、
４５３０ ノズル部材、
４６００ 排気ポート、
Ｃ 容器、
Ｓ 基板。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理が遂行される空間を提供するハウジングと、
前記ハウジングの内部に互いに上下方向に離隔されて配置され、各々複数の基板の縁を支持する複数の支持部材と、を包含する基板処理装置。
【請求項２】
側面から見た場合、処理流体を噴射する一端が互いに隣接する基板の間に位置するノズル部材をさらに含む請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記ノズル部材は、上部から見た場合、前記一端が前記基板の中央部に位置する請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記ノズル部材は、前記互いに隣接する基板の中で下方の基板の上面に向かって前記処理流体を噴射するように提供される請求項２または請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記ノズル部材は、前記互いに隣接する基板の中で下方の基板の上面と上方の基板の下面とに向かって前記処理流体を同時に噴射するように提供される請求項２または請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記ノズル部材は、鉛直方向に対して傾くように放射状に前記処理流体を噴射するように提供される請求項２乃至請求項５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記ノズル部材は、上部から見た場合、前記一端が前記基板の縁領域又は外側に位置し、前記基板に平行な方向に前記処理流体を噴射するように提供される請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記ハウジングの下部壁に形成され、前記処理流体を噴射する下部供給ポートをさらに含む請求項２乃至請求項７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記ハウジングの上部壁に形成され、前記処理流体を噴射する上部供給ポートをさらに含む請求項２乃至請求項８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記下部供給ポートが前記処理流体を供給した後、前記処理チャンバーの内部圧力が予め設定された圧力に到達した場合、前記ノズル部材が前記処理流体の噴射を開始するように制御する制御器をさらに含む請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記ハウジングの上部壁から下方向に延長される支持バーをさらに包含し、
前記複数の支持部材は、前記支持バーに一定の間隔をおいて連設される請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記ハウジングは、上部ハウジング及び前記上部ハウジングの下部に配置される下部ハウジングを含み、
前記上部ハウジング又は前記下部ハウジングの中でいずれか１つを昇降させて前記ハウジングを開閉する昇降部材をさらに含む請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記処理流体は、超臨界流体である請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
処理が遂行される空間を提供するハウジングと、
第１基板の縁を支持する第１支持部材と、
第２基板の縁を支持する第２支持部材と、
前記ハウジングの上部壁に形成され、前記第２基板の上面に向かって超臨界流体を噴射する上部供給ポートと、を包含する基板処理装置。
【請求項１５】
側面から見た場合、前記超臨界流体を噴射する一端が前記第１支持部材と前記第２支持部材との間に位置するノズル部材をさらに含む請求項１４に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記ノズル部材は、前記第１基板の上面に向かって前記超臨界流体を噴射する請求項１５に記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記ノズル部材は、前記第１基板と前記第２基板との間の空間に前記超臨界流体を噴射する請求項１５に記載の基板処理装置。
【請求項１８】
前記ハウジングの上部壁から下に延長される支持バーをさらに包含し、
前記第１支持部材は、前記支持バーの下端で水平方向に延長され、
前記第２支持部材は、前記支持バーの中間で水平方向に延長される請求項１４乃至請求項１７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１９】
処理が遂行される空間を提供するハウジングの内部に互いに上下方向に離隔されて配置される複数の支持部材が、複数の基板の縁を支持する段階と、側面から見た場合、互いに隣接する基板の間に一端が位置するノズル部材が、処理流体を噴射して同時に前記複数の基板を処理する段階と、を含む基板処理方法。
【請求項２０】
前記ノズル部材は、前記互いに隣接する基板の中で下方の基板の上面に前記処理流体を噴射して前記下方の基板の上面を処理する請求項１９に記載の基板処理方法。
【請求項２１】
前記ノズル部材は、前記互いに隣接する基板の間の空間へ前記超臨界流体を噴射して、上方の基板の下面と下方の基板の上面とを同時に処理する請求項１９に記載の基板処理方法。
【請求項２２】
前記ハウジングは、上部ハウジング及び前記上部ハウジングの下部に配置される下部ハウジングを含み、
前記上部ハウジング又は前記下部ハウジングの中でいずれか１つを昇降させて前記ハウジングを開閉する段階と、前記ハウジングが開放された状態で前記基板の搬出及び搬入が遂行される段階と、前記ハウジングが密閉された状態で前記処理が遂行される段階と、をさらに含む請求項１９乃至請求項２１のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項２３】
前記処理流体は、超臨界流体である請求項１９乃至請求項２２のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項１】
処理が遂行される空間を提供するハウジングと、
前記ハウジングの内部に互いに上下方向に離隔されて配置され、各々複数の基板の縁を支持する複数の支持部材と、を包含する基板処理装置。
【請求項２】
側面から見た場合、処理流体を噴射する一端が互いに隣接する基板の間に位置するノズル部材をさらに含む請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記ノズル部材は、上部から見た場合、前記一端が前記基板の中央部に位置する請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記ノズル部材は、前記互いに隣接する基板の中で下方の基板の上面に向かって前記処理流体を噴射するように提供される請求項２または請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記ノズル部材は、前記互いに隣接する基板の中で下方の基板の上面と上方の基板の下面とに向かって前記処理流体を同時に噴射するように提供される請求項２または請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記ノズル部材は、鉛直方向に対して傾くように放射状に前記処理流体を噴射するように提供される請求項２乃至請求項５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記ノズル部材は、上部から見た場合、前記一端が前記基板の縁領域又は外側に位置し、前記基板に平行な方向に前記処理流体を噴射するように提供される請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記ハウジングの下部壁に形成され、前記処理流体を噴射する下部供給ポートをさらに含む請求項２乃至請求項７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記ハウジングの上部壁に形成され、前記処理流体を噴射する上部供給ポートをさらに含む請求項２乃至請求項８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記下部供給ポートが前記処理流体を供給した後、前記処理チャンバーの内部圧力が予め設定された圧力に到達した場合、前記ノズル部材が前記処理流体の噴射を開始するように制御する制御器をさらに含む請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記ハウジングの上部壁から下方向に延長される支持バーをさらに包含し、
前記複数の支持部材は、前記支持バーに一定の間隔をおいて連設される請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記ハウジングは、上部ハウジング及び前記上部ハウジングの下部に配置される下部ハウジングを含み、
前記上部ハウジング又は前記下部ハウジングの中でいずれか１つを昇降させて前記ハウジングを開閉する昇降部材をさらに含む請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記処理流体は、超臨界流体である請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
処理が遂行される空間を提供するハウジングと、
第１基板の縁を支持する第１支持部材と、
第２基板の縁を支持する第２支持部材と、
前記ハウジングの上部壁に形成され、前記第２基板の上面に向かって超臨界流体を噴射する上部供給ポートと、を包含する基板処理装置。
【請求項１５】
側面から見た場合、前記超臨界流体を噴射する一端が前記第１支持部材と前記第２支持部材との間に位置するノズル部材をさらに含む請求項１４に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記ノズル部材は、前記第１基板の上面に向かって前記超臨界流体を噴射する請求項１５に記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記ノズル部材は、前記第１基板と前記第２基板との間の空間に前記超臨界流体を噴射する請求項１５に記載の基板処理装置。
【請求項１８】
前記ハウジングの上部壁から下に延長される支持バーをさらに包含し、
前記第１支持部材は、前記支持バーの下端で水平方向に延長され、
前記第２支持部材は、前記支持バーの中間で水平方向に延長される請求項１４乃至請求項１７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１９】
処理が遂行される空間を提供するハウジングの内部に互いに上下方向に離隔されて配置される複数の支持部材が、複数の基板の縁を支持する段階と、側面から見た場合、互いに隣接する基板の間に一端が位置するノズル部材が、処理流体を噴射して同時に前記複数の基板を処理する段階と、を含む基板処理方法。
【請求項２０】
前記ノズル部材は、前記互いに隣接する基板の中で下方の基板の上面に前記処理流体を噴射して前記下方の基板の上面を処理する請求項１９に記載の基板処理方法。
【請求項２１】
前記ノズル部材は、前記互いに隣接する基板の間の空間へ前記超臨界流体を噴射して、上方の基板の下面と下方の基板の上面とを同時に処理する請求項１９に記載の基板処理方法。
【請求項２２】
前記ハウジングは、上部ハウジング及び前記上部ハウジングの下部に配置される下部ハウジングを含み、
前記上部ハウジング又は前記下部ハウジングの中でいずれか１つを昇降させて前記ハウジングを開閉する段階と、前記ハウジングが開放された状態で前記基板の搬出及び搬入が遂行される段階と、前記ハウジングが密閉された状態で前記処理が遂行される段階と、をさらに含む請求項１９乃至請求項２１のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項２３】
前記処理流体は、超臨界流体である請求項１９乃至請求項２２のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１３−８０９０８（Ｐ２０１３−８０９０８Ａ）
【公開日】平成２５年５月２日（２０１３．５．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１９３４８０（Ｐ２０１２−１９３４８０）
【出願日】平成２４年９月３日（２０１２．９．３）
【出願人】（５００３７６４４９）セメス株式会社 (61)
【氏名又は名称原語表記】ＳＥＭＥＳ ＣＯ．， Ｌｔｄ
【住所又は居所原語表記】２７８， Ｍｏｓｉ−ｒｉ， Ｊｉｋｓａｎ−ｅｕｐ， Ｓｅｏｂｕｋ−ｇｕ， Ｃｈｅｏｎａｎ−ｓｉ， Ｃｈｕｎｇｃｈｅｏｎｇｎａｍ−ｄｏ ３３０−２９０， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月２日（２０１３．５．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年９月３日（２０１２．９．３）
【出願人】（５００３７６４４９）セメス株式会社 (61)
【氏名又は名称原語表記】ＳＥＭＥＳ ＣＯ．， Ｌｔｄ
【住所又は居所原語表記】２７８， Ｍｏｓｉ−ｒｉ， Ｊｉｋｓａｎ−ｅｕｐ， Ｓｅｏｂｕｋ−ｇｕ， Ｃｈｅｏｎａｎ−ｓｉ， Ｃｈｕｎｇｃｈｅｏｎｇｎａｍ−ｄｏ ３３０−２９０， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
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