【課題】本発明は、液体、気体、流動粉体、分散、これらの組合せ等を含む１つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置を提供する。
【解決手段】被処理半製品の上に配置され、そして少なくとも一部分を覆う下側表面１０２を有する隔壁板１０２であって、隔壁板１０２の下側表面１０６と半製品との間の距離は隔壁板１０２の外周に向かう方向において先細りとなる隔壁板１０２と、隔壁板１０２の下側表面１０６と流れが連通するように隔壁構造１４内に設けられた吸引通路であって、隔壁板１０２の下側表面１０６上の液体を隔壁板１０２の下側表面１０６上から吸引して抜き取ることができる吸引通路と、吸引通路と流れが連通している真空源であって、真空源及び吸引通路は、真空源が吸引通路に適用されると隔壁板１０２の下側表面１０６上の液体が隔壁板１０２の下側１０６から吸引されて抜き取られるように構成した。 （もっと読む）

【課題】液体が付着した板状物を短時間で乾燥することができる乾燥装置を提供する。
【解決手段】板状物に付着した液体を除去して乾燥するための乾燥装置であって、板状物を保持する保持面を有する保持テーブルと、保持テーブルに超音波振動を付与する超音波振動付与手段とを具備し、超音波振動付与手段を作動して保持テーブルに超音波振動を付与し、保持テーブルに保持された板状物に超音波振動を付与することにより、板状物に付着した液体を微粒子にして飛散せしめる。 （もっと読む）

【課題】複数の基板に超臨界流体を効果的に噴射する基板処理装置及び基板処理方法が提供される。
【解決手段】本発明の実施形態による基板処理装置は、処理が遂行される空間を提供するハウジング４１００と、ハウジング４１００の内部に互いに上下方向に離隔されて配置され、各々複数の基板Ｓの縁を支持する複数の支持部材４３２０と、を包含する。 （もっと読む）

【課題】高温高圧流体の準備を行う容器の急激な圧力変動を抑え、簡素な手法で液体原料の移送を行うことが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、高温高圧流体により基板Ｗの乾燥を行うための処理容器１と、液体状態の原料を収容する原料収容部３と、高温高圧流体を処理容器１に供給するための供給部２と、を備え、この供給部２は、前記処理容器１及び原料収容部２に接続され、密閉自在な外部容器２１と、この外部容器２１を加熱するための加熱機構２５と、外部容器２１内に設けられ、原料収容部３から原料を受け入れて、加熱機構２５により加熱される外部容器２１の被加熱部に向けて当該原料を落下させるための開孔部２２１が設けられた内部容器２２と、を備え、内部容器２２に原料を受け入れた後、当該原料を前記被加熱部に接触させて得られた高温高圧流体を処理容器１へ供給する。 （もっと読む）

【課題】液切処理にかかる時間を短縮できる液切処理装置、液処理装置及び液切処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置１は、キャリア２に液処理を施す液処理部１０と、液処理後のキャリア２が搬送される搬送部２０とを有する。搬送部２０は、搬送レール２１と、液切処理部２２とを有する。液切処理部２２は、回転テーブル２４と、回転テーブル２４上に固定され、搬送レール２１から搬送されるキャリア２を水平状態に保持する回転レール２３と、回転テーブル２４を回転駆動し、回転レール２３に保持されたキャリアを高速回転させる駆動モータとを有する。 （もっと読む）

【課題】 輸送支持具の固定時間を短縮し、輸送支持具の壁の満足のいく清浄度を保証するために使用される、洗浄ステージ後の、異物、特に分子汚染化合物（ＡＭＣ、ＶＯＣ）および／または湿気の除去を大幅に改善かつ加速する、方法、ならびに輸送支持具用の処理ステーションを提案する。
【解決手段】 基板の運搬および保管のための輸送支持具（１）の処理方法であって、
前記輸送支持具（１）上の処理されるべき表面（１ａ）から異物を除去するために前記処理されるべき表面（１ａ）がその間に準大気圧のガス圧（ＰＳＡ）と赤外線（ＩＲ）との複合作用にさらされる処理ステージを含み、前記赤外線は断続的赤外線であり、材料の温度を最高許容温度を超えない温度設定あたりで維持するために、満足のいく継続時間にわたって交互に切断／回復されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】乾燥処理条件に起因して変動するパーティクルのレベルを安定して低く抑える。
【解決手段】基板を洗浄するための洗浄液を貯留する洗浄槽（６９）を有する洗浄処理部（６２）と、洗浄槽の上方に設けられて揮発性有機溶剤の蒸気からなる乾燥ガスおよび不活性ガスを用いて基板の乾燥を行う乾燥チャンバー（６５）を有する乾燥処理部（６１）と、を備えたバッチ式の基板処理装置において、予め定められた関係に基づいて、乾燥チャンバー内で次に行われるバッチ処理のバッチサイズに対応する基板搬入時乾燥チャンバー内温度を設定し、乾燥処理部の乾燥チャンバーに基板を搬入する前に、乾燥チャンバー内の温度を、設定した基板搬入時乾燥チャンバー内温度に調整する。 （もっと読む）

【課題】排気効率およびスペース効率を改善し、液切り乾燥直後の乾いた基板にミストが付着するのを十全に防止する。
【解決手段】上部および下部エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌがそれらの間を通過する基板Ｇに対してナイフ状の鋭利な高圧エア流を吹き付けることにより、両エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌの上流側の空間に多量のミストが発生する。基板Ｇの上で発生したミストの大部分は、下流側のＦＦＵ１３６から隙間Ｋを通って廻ってくる空気および入口１１８から入ってくる空気と一緒に上部排気口１２４に吸い込まれる。基板Ｇの下で発生したミストは、その全部がＦＦＵ１３６から廻ってくる空気および入口１１８から入ってくる空気と一緒に下部排気口１２６，１２８に吸い込まれる。 （もっと読む）

【課題】処理容器内において被処理基板に対して高圧流体を用いて処理を行うにあたって、処理容器の搬入出口を気密に塞ぐ蓋体と当該処理容器との間に設けられるシール部材の劣化及び当該シール部材を介した被処理基板の汚染を抑えること。
【解決手段】処理容器１内にウエハＷを搬入出する搬入出口２を囲むように、処理容器１と蓋体３との間に第１のシール部材１１及び第２のシール部材１２を搬入出口２側から処理容器１の外側に向かってこの順番で配置して、第１のシール部材１１については高圧流体に対して耐食性を有する材質により構成する。そして、第１のシール部材１１に加わる差圧を緩和するために、差圧緩和領域１３に窒素ガスを供給して、当該差圧緩和領域１３における圧力が処理容器内１の圧力よりも低く且つ処理容器１の外部よりも高い圧力に設定すると共に、第２のシール部材１２により窒素ガスが外部に流出することを防止する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に生じるパーティクルを低減する半導体基板の超臨界乾燥方法を提供する。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体基板の超臨界乾燥方法は、半導体基板を、表面がアルコールで濡れた状態でチャンバ内に導入する工程と、前記チャンバ内に二酸化炭素の超臨界流体を供給する工程と、前記半導体基板上の前記薬液を前記超臨界流体に置換する工程と、前記チャンバから前記超臨界流体及び前記アルコールを排出し、前記チャンバ内の圧力を下げる工程を備える。さらに、前記チャンバ内の圧力を下げた後に、前記チャンバ内に酸素ガス又はオゾンガスを供給し、ベーク処理を行う。 （もっと読む）

【課題】基板をスピン乾燥する際に、基板の帯電量が面内で均一になるように制御することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置において、処理部２２と、処理部２２内に設けられ、基板が載置される載置台３２と、載置台３２の中心を回転軸として、載置台３２に載置されている基板を載置台３２とともに回転させる回転部３５と、基板の表面に、処理部２２の温度と基板の帯電量に基づいて、所定の相対湿度に調湿された気体を供給する気体供給部３４と、気体供給部３４を移動させる第１の移動部８４とを有する。気体供給部３４により基板の表面に気体を供給する位置を移動させることによって、基板の帯電量を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板を回転させて基板の上面から処理液を除去して基板を乾燥する際に、基板の上面全体にわたって処理液の除去に要する時間を均一化して基板を良好に乾燥させる。
【解決手段】赤外線照射部５から出射される赤外線が基板Ｗの下方から基板中央部分Ｗcpに照射され、基板中央部分Ｗcpの上面に付着するＩＰＡ液で吸収される。この赤外線吸収によってＩＰＡ液の温度が上昇し、基板中央部分Ｗcpの上面に付着するＩＰＡ液の液膜温度が基板Ｗの周縁部分に付着するＩＰＡ液の液膜温度よりも高くなる。これにより、基板中央部分Ｗcpでの蒸発乾燥が基板Ｗの周縁部分での蒸発乾燥よりも促進され、基板中央部分Ｗcpと周縁部分との乾燥時間の差が抑制される。その結果、基板Ｗの上面Ｗus全体にわたって乾燥時間が均一化される。 （もっと読む）

【課題】基板の主面への処理液の飛散を抑制しつつ基板の端面を局所的に処理できる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、硬脆性基板の一種であるガラス基板（基板９０）の側端面９１Ｓをエッチングする。基板処理装置１００は、その外周面が基板９０の側端面９１に当接される当接面を形成するスポンジ体２１３（当接部材）と、スポンジ体２１３を回転させるスポンジ体回転駆動部２４０（回転駆動部）と、スポンジ体２１３に処理液を供給する処理液供給管２５１（処理液供給部）とを備える。搬送ローラー３１により＋ｙ方向に搬送される基板９０の側端面９１Ｓに対して、ｚ軸回りに回転するスポンジ体２１３の外周面が押し当てられることにより、基板９０の側端面９１Ｓのエッチングが行われる。 （もっと読む）

【課題】処理流体による液体の除去能力の低下を抑制しつつ、基板の表面に付着した液体を除去することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】処理容器１では基板Ｗ表面の乾燥防止用の液体に、超臨界状態または亜臨界状態である高圧状態の処理流体を接触させて、前記乾燥防止用の液体を除去する処理を行うにあたり、昇圧ポンプ２は供給ライン５１を介して処理容器１に処理流体を供給して高圧状態の処理流体雰囲気とし、次いで、この昇圧ポンプ５１よりも吐出流量の大きな循環ポンプ３にて、処理容器１内の流体を循環ライン５３に循環させた後、処理容器１内の流体を排出ライン５２から排出する。 （もっと読む）

【課題】超臨界乾燥処理時に、半導体基板上の金属材料がエッチングされることを防止する。
【解決手段】半導体基板の超臨界乾燥方法は、半導体基板を洗浄して純水リンスする工程と、前記半導体基板の表面を純水からアルコールに置換する工程と、前記アルコールで濡れた前記半導体基板をチャンバに導入する工程と、前記チャンバ内から酸素を排出する工程と、前記アルコールを超臨界状態にする工程と、前記チャンバ内の圧力を下げ、超臨界状態の前記アルコールを気体に変化させて、前記チャンバから排出する工程と、を備える。前記チャンバは、ＳＵＳによって形成され、内壁面に電解研磨処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】基板表面を液処理した後に、基板表面を清浄に乾燥させることが可能な液処理方法及び液処理装置を提供する。
【解決手段】表面上に疎水性領域を有する基板を第１の回転速度で回転し、前記基板の表面中央部に対して、前記基板に供給された薬液をリンスするリンス液を第１の流量で供給し、前記基板の表面全面に前記リンス液の液膜を形成するステップと、前記基板の表面全面に形成された液膜を壊し、前記基板の表面上に前記リンス液の筋状の流れを形成するステップと、前記リンス液の筋状の流れが前記基板の表面上から外へ出るまで前記リンス液を供給する供給部を前記基板の外縁に向かって移動するステップとを含む液処理方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を乾燥させる際に、基板表面における乾燥ムラの発生を防止できる基板保持具、およびこれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１の保持部材３６ａおよび第２の保持部材３６ｂの下部には、ボルト３８ａ用の貫通孔３６ｃ、貫通孔３６ｄが複数箇所形成されている。第１の保持部材３６ａにおける貫通孔３６ｃよりも下側に直線の切欠部３６ｅが形成されるとともに、第２の保持部材３６ｂにおける貫通孔３６ｄよりも下側に直線の切欠部３６ｆが形成されている。このため、貫通孔３６ｃ、貫通孔３６ｄに処理液の液滴がたまることがない。したがって、複数枚の基板Ｗを乾燥させる際に、処理液の液滴が原因で発生する基板Ｗ表面における乾燥ムラを防止できる。 （もっと読む）

【課題】気体供給手段から供給される乾燥用気体の供給量を制御することにより、基板へのパーティクル等の付着を防止し、基板の処理環境を一様にできる
【解決手段】ステップＳ４の基板搬出動作において、チャンバー１１内を陽圧にすべきか、負圧にすべきかが判断される（ステップＳ４２）。チャンバー１１内を陽圧にすべきと判断された場合、ドライエア供給装置３１に内蔵された発生器内インバータを調整して、ドライエアの供給量を増加させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３の開口が絞られる（ステップＳ４３）。チャンバー１１内を負圧にすべきと判断された場合、制御部４５は、ドライエア供給装置３１に内蔵された発生器内インバータを調整して、ドライエアの供給量を減少させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３を開放している（ステップＳ４４）。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に生じるパーティクルを低減すると共に、半導体デバイスの電気的特性の劣化を防止する。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体基板の超臨界乾燥方法は、金属膜が形成された半導体基板を、表面がアルコールで濡れた状態でチャンバ内に導入する工程と、前記チャンバ内に二酸化炭素の超臨界流体を供給する工程と、前記チャンバ内の温度を７５℃以上かつ前記アルコールの臨界温度未満の所定温度にして、前記半導体基板上の前記薬液を前記超臨界流体に置換する工程と、前記チャンバ内の温度を前記所定温度に維持しながら、前記チャンバから前記超臨界流体及び前記アルコールを排出し、前記チャンバ内の圧力を下げる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を一括して容易に乾燥することができる乾燥ユニットおよび基板処理装置を提供する。
【解決手段】乾燥部７０は、複数の基板Ｗを一括して乾燥させる乾燥ユニットである。乾燥部７０は、主として、乾燥チャンバ７１と、貯留槽７２と、排出管７１ａ、７２ａと、バルブ７１ｂ、７２ｂと、吐出ノズル８７（８７ａ、８７ｂ）と、を備えている。ＩＰＡによる純水の置換処理において、貯留槽７２に複数の基板Ｗが浸漬されると、吐出ノズル８７から乾燥チャンバ７１内にＩＰＡの蒸気が供給され、純水８０ａの液面８０ｂにＩＰＡの液膜８０ｃが形成される。続いて、貯留槽７２から純水８０ａが排出され、ＩＰＡの液膜８０ｃが、下降させられる。そして、各基板Ｗの基板面とＩＰＡの液膜８０ｃとが接触することによって、各基板Ｗに付着した純水が、ＩＰＡに置換される。 （もっと読む）