【課題】本発明は、Cu及びlow-k膜にダメージを与えずに、従来のポリマー剥離液で解決し得なかったわずかな亀裂状のCu腐食の抑制が可能なドライプロセス後の残渣除去液を提供し、これを用いた半導体デバイスの製造方法を確立する。
【解決手段】ドライエッチング及び／又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣の除去液であって、フッ素化合物を含まず、銅に配位し得る２以上の酸素原子を有する中性有機化合物及び／又はＣ４以上のモノアルコールのうち少なくとも１種と、水とを含むことを特徴とする残渣除去液、或いは、過塩素酸塩と水とを含むことを特徴とする残渣除去液に関する。 （もっと読む）

【課題】製造コストを増大させることなくウエハの上面に固着した異物を除去可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、収縮層形成工程と、亀裂形成工程と、除去工程とを含む。収縮層形成工程では、半導体装置の構成材料が積層されたウエハの上面に、前記構成材料よりも収縮率が高い収縮層を形成する。亀裂形成工程では、前記収縮層を収縮させて該収縮層に亀裂を形成する。除去工程では、前記亀裂が形成された前記収縮層を前記ウエハの上面から除去する。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な手順によって、Ｓｉ−Ｈ終端構造の存在比率が高い表面を有する基板を得ることができる洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄方法は、基板を、ＨＦ系薬液を用いて洗浄する薬液洗浄工程と、薬液洗浄工程の後、基板を、ＨＦ濃度が２５００ppm以下のＨＦ水溶液でリンスする希薄ＤＨＦリンス工程と、を備え、前記ＨＦ系薬液は、前記希薄ＤＨＦリンス工程で用いられるＨＦ水溶液よりも高いＨＦ濃度を有するＨＦ水溶液からなるか、若しくは複数種のＨＦ系薬剤を混合してなる。 （もっと読む）

【課題】安定して強い酸化力で基板の表面を酸化しシリル化することができる半導体基板の表面処理方法および基盤処理装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面処理方法は、硫酸を電気分解して酸化性溶液を生成する工程と、酸化性溶液を用いて半導体基板の表面に酸化膜を生成する工程とを備える。酸化性溶液を用いて半導体基板の表面を酸化しＯＨ基を生成し、半導体表面にシリル化剤を供給し、ＯＨ基とシリル化剤に含まれる有機物の加水分解により得られるＯＨ基との結合及び脱水縮合反応により半導体基板の表面を疎水化する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面のフォトレジスト膜などの有機物または金属粒子などを除去する洗浄工程を簡略化し、半導体装置の製造コストを低減する。
【解決手段】ＳＰＭ洗浄、ＡＰＭ洗浄およびＨＰＭ洗浄を行わず、過硫酸生成装置を用いて生成された過硫酸を含む硫酸溶液を用いて半導体ウエハの表面を洗浄し、フォトレジスト膜などの有機物または金属粒子などを除去した後に、半導体ウエハを純水洗浄し、乾燥させる。これにより、過酸化水素水の補充を必要とするＳＰＭ洗浄を行う場合に比べて高いレジスト除去性能を維持し、また、少ない工程で洗浄を完了することができる。 （もっと読む）

【課題】クリーニング・プロセスの結果生じる副産物がウェファを汚染することを防止する、収集プロセスを提供すること。
【解決手段】装置及びそれを作動させる方法。この方法は、チャンバ（２００）を含む装置を準備するステップを含み、チャンバは、第１（２６０ａ）及び第２（２６０ｂ）の入口と、チャンバ内のアノード（２１０）及びカソード（２３０）構造体と、カソード構造体（２３０）上のウェファ（１００）とを含む。クリーニングガス（２６０ｂ）は、第１の入口を通じてチャンバ内に注入される。収集ガス（２６０ａ）は、第２の入口を通じてチャンバ内に注入される。クリーニング・ガスはイオン化されたときに、ウェファの上面をエッチングしてチャンバ内に副産物混合物をもたらす性質を有する。収集ガスは、副産物混合物がウェファの表面に再度堆積することを防止する性質を有する。 （もっと読む）

【課題】ＳＰＭ洗浄剤に匹敵する洗浄力を発揮し、かつ、ＳＰＭ洗浄剤による半導体基板の損傷を大幅に改善し、半導体基板表面に付着した不純物、特にイオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離除去しうる半導体基板用洗浄剤、これを利用した洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】硫酸と、過酸化水素と、炭酸アルキレンとを組み合わせて用いることを特徴とする半導体基板用洗浄剤、並びに、硫酸と過酸化水素と炭酸アルキレンとを組み合わせて、半導体基板に適用して洗浄する半導体基板の洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】金属配線を有する半導体回路素子の製造工程において生じるフォトレジスト残渣およびポリマー残渣を除去する除去液組成物、ならびにそれを用いた残渣の除去方法、特に含窒素有機ヒドロキシ化合物、アンモニア、フッ素化合物を含有せず、残渣除去成分として金属酸化物を主成分とする残渣の除去性に優れる融点が２５℃以上の脂肪族ポリカルボン酸を含有し、洗浄装置の液を吐出するノズルや洗浄槽およびチャンバーの周辺に溶液が付着後、水の蒸発により脂肪族ポリカルボン酸が再結晶することを抑制することが可能なフォトレジスト残渣およびポリマー残渣除去液組成物、ならびにそれを用いた残渣の除去方法を提供する。
【解決手段】融点が２５℃以上の脂肪族ポリカルボン酸を含有するフォトレジスト残渣およびポリマー残渣除去液組成物において、２０℃での蒸気圧が１７ｍｍＨｇ以下で構造内に水酸基を有する水と混和可能な有機溶剤を含有する前記除去液。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を抑制または防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板に疎水化剤が供給され、当該基板の表面が疎水化される（Ｓ１０４，Ｓ１０８）。その後、基板が乾燥される（Ｓ１１０）。処理対象の基板は、疎水化されてから乾燥するまで水が接触しない状態に保たれる。 （もっと読む）

【課題】凹凸パターンの倒れを防止することに奏功するウェハの洗浄方法に関し、経済的かつ効率的にウェハを洗浄することが可能な洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に凹凸パターンを有し、該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコン元素を含むウェハの表面に前処理用薬液を供給することにより、凹凸パターンの表面を改質する、前処理工程、および、
改質された凹凸パターンの表面に保護膜形成用薬液を供給することにより、凹凸パターンの表面に撥水性の保護膜を形成する、保護膜形成工程
を少なくとも含むウェハの洗浄方法であって、
前記前処理工程では、酸をモル濃度で０．００１〜５ｍｏｌ／Ｌ含み、ｐＨが３以下である前処理用薬液を用いて、４０℃以上、前処理用薬液の沸点未満の温度で凹凸パターンの表面を改質することを特徴とする、ウェハの洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸パターンが形成されたウェハのパターン倒れを防止する洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウエハ１の表面に凸部３及び凹部４からなる凹凸パターンを形成し、該凹凸パターンの少なくとも凹部４に液体９が保持された状態で、ジアルキルシリル化合物を含有しかつ酸及び塩基を含有しない撥水性保護膜形成用薬液を表面に保持させて、撥水性保護膜１０を形成し、該撥水性保護膜１０がウェハ１の表面に保持されている状態で、液体９を凹部４から除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造において、表面に凹凸パターンを形成されたウェハの少なくとも凹部表面にケイ素元素を含むウェハのパターンの倒れを防止しながらウェハを洗浄する方法に関し、効率的に洗浄することが可能な撥水性保護膜形成剤、及び、該剤を含む撥水性保護膜形成用薬液、及び、該薬液を用いたウェハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】上記ウェハの洗浄において、前記ウェハの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤であり、前記剤が下記一般式［１］で表されるケイ素化合物であることを特徴とする。
【化】
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【課題】エッチング処理の精度を維持しつつ、フィルタの目詰まりを抑制する半導体製造装置および処理方法を提供する。
【解決手段】半導体製造装置１００は、半導体ウエハをエッチング処理するための所定処理液を収容するエッチング処理槽２と、エッチング処理にて前記所定処理液中に生じるパーティクルを捕捉する第１および第２フィルタ５ａ，５ｂと、前記パーティクルを溶解する液体として、前記所定処理液と同じ液体の予備液を収容する予備槽７と、処理槽２内の処理液を第１フィルタ５ａに通して循環させるとともに予備槽７内の液体を第２フィルタ５ｂに通して循環させ、その後、処理槽２内の処理液を廃棄した後、該処理槽に予備槽７内の液体を供給し、かつ、該予備槽に新たな予備液を供給して、処理槽２内の液体を第２フィルタ５ｂに通して循環させるとともに予備槽７内の液体を第１フィルタ５ａに通して循環させる制御部９０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】さほど製造工程数を多くすることなくパターン倒壊を防止できる半導体基板の表面処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の洗浄方法は、レジストに覆われた第１パターンと、前記レジストに覆われていない第２パターンとを有する半導体基板にレジスト非溶解性の第１薬液を供給して前記第２パターンに対する薬液処理を行う工程と、前記第１薬液の供給後に、前記半導体基板に撥水化剤とレジスト溶解性の第２薬液との混合液を供給し、少なくとも前記第２パターンの表面に撥水性保護膜を形成すると共に、前記レジストを剥離する工程と、前記撥水性保護膜の形成後に水を用いて前記半導体基板をリンスする工程と、リンスした前記半導体基板を乾燥させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲート絶縁膜や基板などを損傷させることなく、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性により優れた２剤型半導体基板用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の洗浄時に混合して使用する、発泡剤成分と発泡助剤成分とを有する２剤型半導体基板用洗浄剤であって、前記発泡剤成分が炭酸塩を含有し、前記発泡助剤成分が酸性化合物を含有し、さらに、前記発泡剤成分および／または前記発泡助剤成分が界面活性剤を含有し、前記発泡剤成分と前記発泡助剤成分との混合液のｐＨが７．５未満となる、２剤型半導体基板用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲート絶縁膜や基板などを損傷させることなく、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性により優れた半導体基板の洗浄方法を提供することを目的とする。
【解決手段】発泡剤成分および発泡助剤成分を半導体基板に供給して、前記発泡剤成分と前記発泡助剤成分との混合液中で半導体基板を洗浄する、半導体基板の洗浄方法であって、前記発泡剤成分が炭酸塩を含有し、前記発泡助剤成分が酸性化合物を含有し、前記混合液のｐＨが７．５未満である、半導体基板の洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面を荒らすことなく微小な傷を除去することができる基板裏面平坦化方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷの裏面における傷Ｓの位置や大きさが検出され、位置や大きさが検出された傷Ｓへ選択的に多数のガス分子２８が集合して形成されたガス分子２８のクラスター２９が吹き付けられ、ウエハＷの表面に塗布されたフォトレジスト３０が露光される。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上にエッチングによって形成されたパターンの間に成長した異物を除去して当該パターンの形状を回復させることのできるシリコン基板上のパターン修復方法及びシリコン基板上のパターン修復装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板上にエッチングによって形成されたパターンの間に成長した異物を除去して当該パターンの形状を回復させるシリコン基板上のパターン修復方法であって、シリコン基板をチャンバー内に収容し、シリコン基板を１６０℃以上に加熱する加熱工程を有する。 （もっと読む）

【課題】基板表面の周縁部の処理幅を正確に制御することができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。
【解決手段】この装置は、ウエハＷを保持して回転するスピンチャック１と、スピンチャック１の上方に配置された遮断板１０とを備えている。遮断板１０は、ウエハＷの上面の周縁部に対向する位置に、環状部材３２を有している。環状部材３２は、ウエハＷの上面の周縁部に対向するウエハ対向面４５を有する。中心軸ノズル５から、ウエハＷの下面中央に向けてエッチング液が供給されると、このエッチング液は、ウエハＷの周端面を回り込んで、その上面に至り、ウエハ対向面４５に接触する液膜を形成する。この液膜は、環状部材３２の内周縁付近から内方へ入りこむことができない。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊及びウォーターマークの発生を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板保持回転部１００に複数の凸形状パターンを形成した半導体基板Ｗをほぼ水平に保持して回転させ、薬液を用いて前記半導体基板Ｗ表面を洗浄し、洗浄した前記凸形状パターン表面に撥水化剤を用いて撥水性保護膜を形成し、前記撥水性保護膜形成後に、酸性水又は希釈したアルコールを用いて、前記半導体基板Ｗをリンスし、リンスした前記半導体基板Ｗを乾燥させた後に、前記凸形状パターンを残存させて前記撥水性保護膜を除去する。 （もっと読む）