【課題】エキシマランプにおいて放電が局所的に消失したときにも、当該放電の消失によるエキシマ光の強度の低下を確実に検知することができ、しかも、エキシマランプからのエキシマ光を高い効率で放射することができる紫外線照射装置を提供する。
【解決手段】放電容器および当該放電容器の内表面に形成されたアルミナを含む紫外線反射膜を有するエキシマランプを備えてなる紫外線照射装置であって、
前記紫外線反射膜におけるアルミナからの蛍光を検出する光センサが設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】紫外線ランプを収容するケーシング内のガスの置換効率を向上させることにより、ガスの置換時間を短縮するとともに、当該置換におけるガスの使用量を低減する。
【解決手段】ワークＷに紫外線を照射する紫外線ランプ２と、紫外線ランプ２を収容し、ワークＷに対向して開口する開口部３１を有するケーシング３と、ケーシング３内にガスを供給するガス供給機構４とを備え、ケーシング３の内面又は内部空間に、ガス供給機構４により供給されたガスを紫外線ランプ２の周囲を一方向に循環させるための循環案内面３ｘが設けられている。 （もっと読む）

【課題】薬液の除去性能を高く維持することができる半導体装置の製造方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】レジストパターン３をマスクとして絶縁膜２をドライエッチングすることにより開口部４を形成する。絶縁膜２のドライエッチングの際に開口部４の内面に付着した反応生成物５に波長が２００ｎｍ以下の紫外線を照射して、反応生成物５に含まれる有機成分を分解する。薬液を用いて、有機成分の分解後に開口部４の内面に残存している付着物６を除去する。付着物６が除去された開口部４内に導電膜７を形成する。 （もっと読む）

【課題】被処理体の表面に形成されたパターンの倒れ、あるいは被処理体の表面の膜荒れなどといった被処理体に対するダメージを抑えながら、被処理体の表面に付着したパーティクルなどの付着物を容易に除去すること。
【解決手段】ウエハＷに対して前処理としてフッ化水素の蒸気の供給を行い、ウエハＷの表面の自然酸化膜１１を溶解させることにより、前記自然酸化膜１１の表面に付着している付着物１０について、ウエハＷの表面からいわば浮いた状態となるようにする。その後、ウエハＷの置かれる雰囲気よりも圧力の高い領域から下地膜１２に対して反応性を持たない二酸化炭素ガスを供給し、断熱膨張により当該ガスを凝縮温度以下に冷却してガスクラスターを発生させる。そして、このガスクラスターを非イオン化の状態でウエハＷに照射して、付着物１０を除去する。 （もっと読む）

【課題】被照射物に付着した有機物等の汚染物と大気中に含まれる汚染物質との反応生成物が被照射物に付着することを防止または抑制することができ、従って、所要の光洗浄処理を確実に達成することができる光照射装置を提供する。
【解決手段】エキシマランプと、このエキシマランプを取り囲むよう設けられた、当該エキシマランプからの光を外部に出射する開口および内部のガスを排出するガス排出口を有するランプハウスと、このランプハウスの開口から当該ランプハウスの内部に大気を導入し、当該ランプハウスのガス排出口から排出するガス排出機構とを備えてなり、前記エキシマランプには、その放射光が前記ランプハウス内におけるガス流通路を形成する壁面に照射されないよう当該放射光を遮蔽する光遮蔽手段が設けられている。 （もっと読む）

【課題】内部に希ガスが封入された長尺な発光管と、その外表面の電極と、前記発光管の光出射部を除いた内壁面上に形成された紫外線反射膜とを備えるエキシマランプにおいて、紫外線による変形による該エキシマランプの反り返りを規制する移動規制体を備えたエキシマ光照射装置に搭載した際に、紫外線歪と該反り規制歪の蓄積によって早期に発光管が損傷することを防止する。
【解決手段】エキシマランプ３の発光管３１の軸方向の中央部が、該発光管の光出射部の方向に突出するように湾曲していることを特徴とし、該エキシマランプを搭載するエキシマ光照射装置は、その筐体には該エキシマランプの中央部において紫外線反射膜形成部側から当接する移動規制体を設けるとともに、光出射部側から当接する矯正維持部材を設け、前記エキシマランプは該矯正維持部材によって管軸方向において直線状に矯正されて保持される。 （もっと読む）

【課題】基板の汚染を防ぎつつ、安定的に基板を洗浄することができる洗浄装置および基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】本発明は、支持膜が接着されている基板を洗浄する洗浄装置１００であって、上記支持膜の上記基板が接着されている側の面における、基板が接着されていない露出面に、当該露出面側から紫外線を照射する紫外線照射ユニット１０と、上記紫外線が照射された支持膜に接着されている上記基板を洗浄する洗浄ユニット２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】短辺部と長辺部とからなる断面偏平状のエキシマランプを複数本並べたエキシマ光照射装置において、装置全体の幅員を小さくして小型化を図り、エキシマランプの短辺部を光出射領域として配列しても、隣接ランプの電極間で短絡することがなく、かつ、隣接ランプからの熱的影響を受けることがないような構造を提供することにある。
【解決手段】各エキシマランプは、長辺部の外表面に電極が形成され、短辺部を光出射領域として配置されるとともに、隣り合うランプの対向する電極同士は同電位であって、かつ、各ランプ間に放熱板が介在していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造において、表面に凹凸パターンを有し該凹凸パターンの凹部表面にチタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、タンタル、及び、ルテニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を有するウェハ（金属系ウェハ）のパターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための、保護膜形成用薬液を提供することを課題とする。
【解決手段】金属系ウェハの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、Ｇｒｉｆｆｉｎ法によるＨＬＢ値が０．００１〜１０であり炭素数が６〜１８の炭化水素基を含む疎水部を有する界面活性剤と、水を含み、薬液中の前記界面活性剤の濃度が、該薬液の総量１００質量％に対して０．００００１質量％以上、飽和濃度以下であることを特徴とする、撥水性保護膜形成用薬液。 （もっと読む）

【課題】凹凸パターンの倒れを防止することに奏功するウェハの洗浄方法に関し、経済的かつ効率的にウェハを洗浄することが可能な洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に凹凸パターンを有し、該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコン元素を含むウェハの表面に前処理用薬液を供給することにより、凹凸パターンの表面を改質する、前処理工程、および、
改質された凹凸パターンの表面に保護膜形成用薬液を供給することにより、凹凸パターンの表面に撥水性の保護膜を形成する、保護膜形成工程
を少なくとも含むウェハの洗浄方法であって、
前記前処理工程では、酸をモル濃度で０．００１〜５ｍｏｌ／Ｌ含み、ｐＨが３以下である前処理用薬液を用いて、４０℃以上、前処理用薬液の沸点未満の温度で凹凸パターンの表面を改質することを特徴とする、ウェハの洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】断面矩形状のエキシマランプを収容し、光取出用し開口が形成されたハウジングと、該ハウジングの内部に不活性ガスを供給するガス供給機構とからなる光照射装置において、エキシマランプによって加熱された不活性ガスが、そのままワークに吹き付けられることのないようにした構造を提供することである。
【解決手段】前記ケーシングの光取出し開口に伝熱性スクリーンが設けられ、該伝熱性スクリーンを冷却する冷却機構が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】紫外線処理装置の周囲で大きな気流が発生しても、その影響を受けることなく、被処理物表面に紫外線を均一に照射することができ、被処理物の表面を均一に処理することができる紫外線処理装置、及び、紫外線照射装置を提供することにある。
【解決手段】本願発明の紫外線処理装置は、鉛直方向の下方に開口を有するランプハウス１と、ランプハウス１内に収容された紫外線ランプ２及びガス噴出孔３０を有する不活性ガス供給管３と、被処理物Ｗを搬送する搬送機構４と、被処理物Ｗを処理するためのチャンバー５とを備え、被処理物Ｗを搬送しながら紫外線を照射する紫外線処理装置において、ランプハウス１より搬送方向の上流側に被処理物Ｗが搬入される前方緩和室６が連結され、ランプハウス１より搬送方向の下流側に被処理物Ｗが搬出される後方緩和室７が連結され、チャンバー５には、搬送されてくる被処理物Ｗに対して鉛直方向の下方の位置に、排気管８が接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】洗浄対象面内の清浄度およびその均一性を高めさらにメンテナンスも容易なＵＶオゾン洗浄装置を提供すること。
【解決手段】ＵＶ照射室（１０）内に２つのＵＶユニット（２０Ａ、２０Ｂ）を備えており、これらＵＶユニットは所定の間隔を有するように対向して設けられている。この間隔内には、洗浄対象物（３０）が基板搬送部（４０）により把持された状態で搬送される。オゾン発生の源となるエアーと不活性ガスの混合ガスは第１および第２のガス供給部（５０Ａ、５０Ｂ）から、ＵＶ照射室（１０）内に搬送された基板（３０）の表面に向けて供給される。ガス排出部（６０）は、装置（１００）の底部に設けられており、ＵＶ照射室（１０）内で発生したオゾン含有ガスは、装置上部に設けられた排気ユニット（７０Ａ、７０Ｂ）の作用により、ガス排気経路部（８０Ａ、８０Ｂ）を通ってガス排出部（６０）から外部へと排出される。 （もっと読む）

【課題】さほど製造工程数を多くすることなくパターン倒壊を防止できる半導体基板の表面処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の洗浄方法は、レジストに覆われた第１パターンと、前記レジストに覆われていない第２パターンとを有する半導体基板にレジスト非溶解性の第１薬液を供給して前記第２パターンに対する薬液処理を行う工程と、前記第１薬液の供給後に、前記半導体基板に撥水化剤とレジスト溶解性の第２薬液との混合液を供給し、少なくとも前記第２パターンの表面に撥水性保護膜を形成すると共に、前記レジストを剥離する工程と、前記撥水性保護膜の形成後に水を用いて前記半導体基板をリンスする工程と、リンスした前記半導体基板を乾燥させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板等の部材に付着したＳｉ及びＣを含む膜を容易に除去でき、且つ部材にダメージを与えるおそれが少ない膜の除去方法、及びその除去方法において使用する膜除去用装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ及びＣを含む膜が形成された半導体基板２０をチャンバ１１内に配置する。また、チャンバ１１内に酸素ガスを導入するとともに、真空排気ポンプ１７によりチャンバ１１内の圧力を例えば１０Torr（約１．３３×１０³Ｐａ）に維持する。そして、真空紫外光ランプ１３により発生した真空紫外光を半導体基板２０に照射する。これにより、ＳｉとＣとの結合が切断され、Ｓｉと酸素とが結合して、Ｓｉ及びＣを含む膜がＳｉＯ膜に変質する。その後、フッ酸等によりＳｉＯ膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、生産性の低下を抑制するとともに表面処理効果の向上を図ることができる表面処理装置および表面処理方法を提供する。
【解決手段】被処理物を所定の方向に向けて搬送する搬送部と、前記被処理物に対して、プラズマ処理、紫外線照射処理、およびコロナ放電処理からなる群より選ばれた少なくとも１種の処理を施す処理部と、前記処理部を移動させる移動部と、前記移動部の制御を行う制御部と、を備え、前記制御部は、前記移動部の制御を行うことで、前記所定の方向に向けて搬送される被処理物に対して前記処理を施す際に前記処理部を前記搬送部の搬送面に沿って搬送方向に移動させるとともに、前記被処理物と前記処理部との間の相対速度を制御することを特徴とする表面処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 全長が１８００ｍｍ以上ある大型のエキシマランプ４０を光源に備えていても、中間部と端部とで一定の水準の処理効果を保つことができるランプユニット２０を提供すること。
【解決手段】 放電容器４１における上壁面４２と下壁面４３との外表面に電極４６、４７が設けられると共に放電容器内にキセノンガスが封入されてなり、当該放電容器内にエキシマ放電を発生させるエキシマランプ４０と、
エキシマランプ４０の両端をランプ保持体２６によって支持して筐体２１内にエキシマランプ４０を配置したランプユニットにおいて、
前記エキシマランプ４０の長手方向の中間部下方に中間支持体５０を配置し、エキシマランプ４０を下側から支持したことを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】回転式シャッタを有するＵＶランプアセンブリ。各回転式シャッタは、反射性の陥凹面を伴う凹面壁を有する。回転式シャッタは、開位置と閉位置との間で一体的に回転させることができる。回転式シャッタは、開位置では、ＵＶランプのＵＶ光がＵＶランプアセンブリから出て行くのを阻まない一方で、閉位置では、ＵＶ光がＵＶランプアセンブリから出て行くのを阻む。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止つつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置および方法を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗに形成された凸形状パターンの表面に撥水性保護膜を形成するために、基板表面に希釈した撥水化剤を供給する。撥水剤と希釈剤との混合から基板表面に供給される迄の時間が長くなるほど撥水能力は低下するので、撥水化剤と希釈剤を混合する混合バルブ６１は、希釈撥水化剤を吐出するノズル６４の直前に設けられ、撥水化剤の撥水化能力の低下を防止する。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置および方法を提供する。
【解決手段】半導体基板Ｗに形成された凸形状パターンの表面に撥水性保護膜を形成するために、基板表面に撥水化剤１０６を供給する。撥水化剤を供給する前に、酸化力の強い薬液１０３を供給するか、又はＵＶ光を照射して、凸形状パターン表面を強制的に酸化させる。これにより、凸形状パターン表面に撥水性保護膜が形成され易くなり、乾燥処理時の凸形状パターンの倒壊を防止することができる。 （もっと読む）